CN107641787A - 镀膜设备 - Google Patents

Abstract

一种镀膜设备，包含磁性装置以及磁阻装置。磁性装置包含多个磁力元件。此些磁力元件形成至少一第一磁力区与至少一第二磁力区，且第一磁力区的磁力小于第二磁力区的磁力。磁阻装置位于磁性装置与待镀物之间。磁阻装置包含至少一第一磁阻部与至少一第二磁阻部。第一磁阻部对应于第一磁力区，且第二磁阻部对应于第二磁力区。第一磁组部的磁阻能力小于第二磁阻部的磁阻能力。

Description

镀膜设备

技术领域

本发明涉及镀膜技术，特别涉及一种镀膜设备。

背景技术

随着多媒体技术与信息的蓬勃发展，可用以显示信息并作为人机沟通界面的显示器的发展便显得格外重要。近年来，环保意识逐渐抬头。在诸多显示器中，尤以有机发光二极管(OLED)显示器因其自发光特性而无须设置额外背光源的特性而备受重视。此外，有机发光二极管显示器更具有广视角、高对比、制程简单、低操作电压、高反应速率以及全彩化等优点，而赋有广阔的应用前景。因此，有机发光二极管显示器有望可成为显示器的主流。

一般而言，有机发光二极管显示器的发光结构是藉由在阳极与阴极的一对电极之间夹设多层有机材料层所组成。有机发光二极管显示器的发光机制是利用施加电压于电极时，电洞与电子会分别从阳极与阴极流出并注入到有机材料层中，并通过电洞与电子的再结合的能量来激发有机材料的分子放出光子而发光。

现有有机发光二极管显示器可采用蒸镀方式将有机材料镀于基板上以形成所需的层膜，且有机发光二极管显示器中各像素是藉由所使用的掩膜板的开口来定义。因此，掩膜板与基板贴合的紧密程度会影响到各像素位置精确度，甚至会造成后续成品之后的亮度不均或混色等问题。为了使掩膜板可紧密贴合于基板，在传统作法上会在基板上方设置磁力装置，以通过磁力装置的磁力，来吸引位于基板下方的掩膜板，而使得掩膜板可贴附于基板。

发明内容

在传统的镀膜设备中，磁力装置的磁力元件的配置布局已为固定而不能随意改变。然而，此些磁力元件所生成的磁场并非是一个均匀的磁场。即便想变动磁力装置对掩膜板的吸附强度时，亦仅能藉由调整磁力装置于垂直方向与掩膜板之间的相对距离，来变动磁力装置对掩膜板的吸附强度。此外，发明人于镀膜过程中更发现，即便肉眼可见磁力装置已将掩膜板紧密吸附于基板下方，但由于基板本身受到重力作用所产生的弯曲，使得掩膜板并非是完全紧密贴合于基板，并且掩膜板在某些部分与基板之间实际上是存有间隙(Gap)，进而使得后续镀于基板上的某些膜块的宽度及/或长度会因所受到的磁力并不均匀而偏离期望值。

有鉴于此，本发明的一实施例提出一种镀膜设备。在一实施例中，一种镀膜设备包含磁性装置与磁阻装置。磁性装置包含多个磁力元件。此些磁力元件形成至少一第一磁力区与至少一第二磁力区，且第一磁力区的磁力小于第二磁力区的磁力。磁阻装置包含至少一第一磁阻部与至少一第二磁阻部。第一磁阻部对应于第一磁力区，且第二磁阻部对应于第二磁力区。第一磁阻部的磁阻能力小于第二磁阻部的磁阻能力。

综上所述，本发明的一实施例的镀膜设备，其通过具有不同磁阻能力的磁阻部来均匀化磁性装置对于掩膜板的磁力分布，使得掩膜板可更贴合于待镀物，进而改善镀膜品质。

以下在实施方式中详细叙述本发明的详细特征及优点，其内容足以使任何熟习相关技艺者了解本发明的技术内容并据以实施，且根据本说明书所揭露的内容、申请专利范围及图式，任何熟习相关技艺者可轻易地理解本发明相关的目的及优点。

附图说明

图1为镀膜设备的一实施例的概要示意图；

图2为图1中磁性装置的第一实施例的概要示意图；

图3为图1中磁性装置的第二实施例的概要示意图；

图4为图2中磁性装置的局部透视图；

图5为图1中磁阻装置的第一实施例的概要示意图；

图6为图1中磁阻装置的第二实施例的概要示意图；

图7为图1中磁阻装置的第三实施例的概要示意图；

图8为图1中磁阻装置的第四实施例的概要示意图；

图9为图1中磁阻装置的第五实施例的概要示意图；

图10为图1中磁阻装置的第六实施例的概要示意图；

图11为图5中沿AA’剖线的一实施例的剖视示意图；

图12为图5中沿AA’剖线的另一实施例的剖视示意图；

图13为图9中沿BB’剖线的一实施例的剖视示意图；

图14为图9中沿BB’剖线的另一实施例的剖视示意图；

图15为图6中沿CC’剖线的一实施例的剖视示意图；

图16为图10中沿DD’剖线的一实施例的剖视示意图；

图17为镀膜方法的一实施例的流程图。

其中，附图标记

100 镀膜设备 110 磁性装置

111 磁力元件 111a 第一边

111b 第二边 112 板体

112a 第一侧边 112b 第二侧边

120 磁阻装置 121 第一磁阻部

121H 通孔 122 第二磁阻部

123 本体 130 掩膜板

140 镀膜材料源 150 待镀物承载器

160 掩膜板承载器 170 调控装置

180 升降装置 200 待镀物

D1 第一方向 D2 第二方向

H1 厚度 H2 厚度

I1 距离 L1 长度

L2 总长度 W1 宽度

W2 宽度 N 第一磁极

S 第二磁极 D3 第三方向

S10-S40 步骤

具体实施方式

下面结合附图对本发明的结构原理和工作原理作具体的描述：

图1为镀膜设备的一实施例的概要示意图。请参阅图1，镀膜设备100用以对待镀物200进行镀膜处理。镀膜设备100包含磁性装置110与磁阻装置120。磁阻装置120相对于磁性装置110设置且位于磁性装置110的下方。当待镀物200进入至镀膜设备100中时，待镀物200可被送至磁阻装置120的下方，换言之，此时磁阻装置120是位于磁性装置110与待镀物200之间。此外，镀膜设备100更包含掩膜板130以及镀膜材料源140。掩膜板130对应于磁性装置110设置并且位于磁阻装置120的下方。镀膜材料源140对应于磁性装置110设置并且位于掩膜板130的下方。当待镀物200传入至镀膜设备100中时，掩膜板130会位于待镀物200与镀膜材料源140之间。

图2为图1中磁性装置的第一实施例的概要示意图，图3为图1中磁性装置的第二实施例的概要示意图，且图4为图2中磁性装置的局部透视图。请参阅图1至图4，磁性装置110可用以吸引掩膜板130，以使得掩膜板130可因受到磁性装置110的磁吸力而贴附于位于其上方的待镀物200。

磁性装置110包含多个磁力元件111。此些磁力元件111可依据预设的配置布局进行配置，并且形成至少一第一磁力区与至少一第二磁力区。于此，第一磁力区的磁力强度小于第二磁力区的磁力强度。

在一实施例中，所述的第一磁力区与第二磁力区可为此些磁力元件111因配置布局所产生的不同磁力大小的区域。但本发明并非仅限于此，在另一实施例中，所述的第一磁力区与第二磁力区更可为此些磁力元件111与待镀物200及/或掩膜板130所共同形成的不同磁力大小的区域。

在一实施例中，磁性装置110可为呈平板状的磁板。因此，在一些实施例中，磁性装置110更包含板体112，且此些磁力元件111可嵌入于板体112之中。

各磁力元件111可为矩形磁块，并具有二相对的第一边111a与二相对的第二边111b。在一些实施例中，各磁力元件111的第一边111a的长度和其第二边111b的长度不同，例如磁力元件111可为条状磁块。但本发明并非仅限于此，在另一些实施例中，各磁力元件111的第一边111a的长度亦可和其第二边111b的长度相同，例如磁力元件111可为方形磁块。

以下，以呈条状的磁力元件111为例，并以磁力元件111中较长的一边为第一边111a，且以较短的一边为第二边111b来进行说明，但本发明并非以此为限，在另一实施例中，亦可以磁力元件111中较短的一边为第一边111a，且以较长的一边为第二边111b。

在一实施例中，此些磁力元件111可以阵列形式排列，并且形成多个第一交界处与多个第二交界处。于此，第一交界处的延伸方向是不同于第二交界处的延伸方向。举例而言，如图2所示，各第一交界处可沿第一方向D1延伸，且各第二交界处沿第二方向D2延伸，第二方向D2正交于第一方向D1。又或者，如图3所示，各第一交界处亦可沿第二方向D2延伸，且各第二交界处沿第一方向D1延伸。

在一实施例中，各磁力元件111的第一边111a是平行于相邻的磁力元件111的第一边111a，且各磁力元件111的第二边111b是平行于相邻的磁力元件111的第二边111b。换言之，此些磁力元件111的设置配向可彼此相同。

在一实施例中，此些磁力元件111所形成的各第一交界处的长度可大于各第二交界处的长度。换言之，此时各第一交界处是位于任二相邻的磁力元件111的第一边111a，且各第二交界处是位于任二相邻的磁力元件111的第二边111b。

在一实施例中，此些磁力元件111彼此紧靠排列。此时各第一交界处可由任二相邻的磁力元件111的第一边111a所形成，且各第二交界处由任二相邻的磁力元件111的第二边111b所形成。

在一实施例中，板体112呈矩形，并具有二相对的第一侧边112a与二相对的第二侧边112b。在一些实施例中，如图2所示，各磁力元件111可以其第一边111a平行于板体112的第一侧边112a，并且以其第二边111b平行于板体112的第二侧边112b的配向方式配置于板体112，第一侧边112a小于第二侧边112b。在另一些实施例中，如图3所示，各磁力元件111亦可以其第一边111a平行于板体112的第二侧边112b，并且以其第二边111b平行于板体112的第一侧边112a的配向方式配置于板体112，第一侧边112a大于第二侧边112b。

各磁力元件111具有磁性不同的第一磁极N与第二磁极S。在一实施例中，各磁性元件111的第一磁极N与第二磁极S是沿垂直于第一方向D1与第二方向D2的第三方向D3上相对配置，如图4所示。

在一实施例中，各磁力元件111是以其第一磁极N和相邻的磁力元件111的第二磁极S相靠，且各磁力元件111是以其第二磁极S和相邻的磁力元件111的第一磁极N相靠。换言之，各磁力元件111的第一磁极N可被相邻的磁力元件111以其第二磁极S包围，且各磁力元件111的第二磁极S可被相邻的磁力元件111以其第一磁极N包围，如图2至图4所示，但本发明并非以此为限。

图5为图1中磁阻装置的第一实施例的概要示意图，图6为图1中磁阻装置的第二实施例的概要示意图，图7为图1中磁阻装置的第三实施例的概要示意图，图8为图1中磁阻装置的第四实施例的概要示意图，图9为图1中磁阻装置的第五实施例的概要示意图，图10为图1中磁阻装置的第六实施例的概要示意图。请参阅图1至图10，磁阻装置120包含对应于至少一第一磁力区(未标示)的至少一第一磁阻部121以及对应于至少一第二磁力区(未标示)的第二磁阻部122。于此，第一磁阻部121的磁阻能力(即削减磁力的能力)小于第二磁阻部122的磁阻能力。

在一实施例中，第一磁阻部121的数量可为一或多个，且第二磁阻部122的数量亦可为一或多个。

在一实施例中，第一磁阻部121与第二磁阻部122可因对应于第一磁力区与第二磁力区的分布而形成交错排列的配置。举例而言，如图4与图5所示，第一磁阻部121可为沿第一方向D1延展并在第二方向D2上依序间隔排列的区块，并且任二相邻的第一磁阻部121之间夹有至少一个第二磁阻部122。或者，如图7所示，第一磁阻部121可为沿第二方向D2延展并在第一方向D1上依序间隔排列的区块，并且任二相邻的第一磁阻部121之间夹有至少一个第二磁阻部122。又或者，如图8所示，此些第一磁阻部121更可为散布的小区块，且此些第一磁阻部121之间藉由至少一第二磁阻部122彼此相隔。

在一实施例中，如图9与图10所示，第一磁阻部121与第二磁阻部122可因对应于第一磁力区与第二磁力区的分布而形成第一磁阻部121位于第二磁阻部122的外围的配置。但本发明并非仅限于此，在另一实施例中，第一磁阻部121与第二磁阻部122亦可因对应于第一磁力区与第二磁力区的分布而形成第二磁阻部122位于第一磁阻部121的外围的配置。

在一实施例中，当磁性装置110的第一磁力区是位于磁力元件111所形成的第一交界处时，磁阻装置120的各第一磁阻部121可分别对应于第一交界处而相互平行设置。

磁阻装置120更包含本体123，且第一磁阻部121与第二磁阻部122为本体123的部分区块及/或设置于本体123上的部件。在一些实施例中，本体123可呈平板状。

图11为图5中沿AA’剖线的一实施例的剖视示意图，图12为图5中沿AA’剖线的另一实施例的剖视示意图，图13为图9中沿BB’剖线的一实施例的剖视示意图，且图14为图9中沿BB’剖线的另一实施例的剖视示意图。请参阅图1至图14，在一实施例中，第一磁阻部121可具有至少一通孔121H，且第二磁阻部122并不具有任何通孔121H。换言之，在本体123上开设有通孔121H的部分可为所述的第一磁阻部121，并且本体123的其余部分可为所述的第二磁阻部122。

在一实施例中，当磁性装置110的第一磁力区是位于磁力元件111所形成的第一交界处时，各通孔121H可分别对应于第一交界处而相互平行设置，如图5、图7与图8所示。而在另一实施例中，当磁性装置110的第一磁力区是位磁性装置110的外围，如位在此些磁性元件111所构成的阵列的最外圈部分或者板体112的外圈部分时，各通孔121H可对应地设置于本体123的外圈部分，如图9所示。

在一些实施例中，磁力元件111所形成的各第一交界处在第一磁阻部121的正投影大致上可位于对应的通孔121H的中央。举例而言，当各第一交界处由任二相邻的磁力元件111的第一边111a形成时，各磁力元件111的第一边111a在第一磁阻部121的正投影大致上位于对应的通孔121H的中央。

在一些实施例中，如图11与图13所示，通孔121H是贯穿于本体123的相对二面，以使得第一磁力区的磁力在通过第一磁阻部121时可直经通过通孔121H而不受到衰减，但本发明并非以此为限，在另一些实施例中，如图12与图14所示，通孔121H亦可仅为设于本体123的凹洞而并未贯穿本体123，以使得第一磁力区发出的磁力在通过第一磁阻部121时仅受到些许的衰减。

在一些实施例中，通孔121H的开口图案可为矩形，但本发明并非仅限于此。在另一些实施例中，通孔121H的开口图案亦可为圆形、椭圆形、六边形等图案。此外，通孔121H的开口大小可视各第一磁阻部121所需的磁阻能力进行调整。

在一实施例中，通孔121H的宽度W1(若通孔121H为圆形时即指其直径)可为磁力元件111的宽度W2(即磁力元件111的第二边111b)的0.2倍至0.25倍之间。此外，任二相邻的通孔121H的中心相距距离I1可大致上等同于磁力元件111的宽度W2。

在一实施例中，通孔121H可对应于第一交界处设置，并沿着第一交界处的延伸方向延展。在一些实施例中，通孔121H所延展出的长度L1大致上小于或等于此些磁力元件111所排列出的阵列的总长度L2。

图15为图6中沿CC’剖线的一实施例的剖视示意图，图16为图10中沿DD’剖线的一实施例的剖视示意图。请参阅图1至图16，在一实施例中，第一磁阻部121的厚度H1小于第二磁阻部122的厚度H2，以使得磁性装置110的第一磁力区发出的磁力在通过第一磁阻部121时所受到的衰减量较第二磁力区发出的磁力在通过第二磁阻部122时所受到的衰减量低。

在一些实施例中，各第一磁阻部121的厚度H1以及各第二磁阻部122的厚度H2可视个别所需的磁阻能力进行调整。换言之，各个第一磁阻部121的厚度H1可互不相同，并且各个第二磁阻部122的厚度H2可互不相同。

在一些实施例中，磁阻装置120的第一磁阻部121的厚度与第二磁阻部122的厚度介于15毫米(mm)与50毫米之间。

在一些实施例中，磁阻装置120的材质为可屏蔽磁力的磁导率高材质，例如，软铁、硅钢、坡莫合金等。

图17为镀膜方法的一实施例的流程图。请参阅图1至图17，镀膜方法包含传送待镀物200至磁性装置110的下方(步骤S10)、调整掩膜板130与待镀物200之间的对应位置(步骤S20)、调整磁阻装置120(步骤S30)，以及启动镀膜材料源140(步骤S40)，以开始对待镀物200进行镀膜。

在一实施例中，镀膜设备100更可包含待镀物承载器150。待镀物承载器150用以承载待镀物200，并且可带动待镀物200进行移动。因此，在步骤S10中，镀膜设备100可藉由控制待镀物承载器150的移动将待镀物200传送至磁性装置110的下方。

在一实施例中，镀膜设备100更可包含掩膜板承载器160。掩膜板承载器160用以承载掩膜板130，并且可带动掩膜板130进行移动。因此，在步骤S20中，镀膜设备100可藉由掩膜板承载器16将掩膜板130传送至待镀物200的下方，并且调整掩膜板130与待镀物200的对应位置以进行预对位的相关操作。

在一实施例中，镀膜设备100更可包含调控装置170，且调控装置170耦接于磁阻装置120。调控装置170用以移动及/或转动磁阻装置120。例如，使得磁阻装置120可于水平面上进行位置的线性移动及/或旋转。

因此，在步骤S30的一实施例中，镀膜设备100可藉由调控装置170的调控将磁阻装置120移动至磁性装置110的下方，并且使得经调控后的磁阻装置120的第一磁阻部121可对应于磁性装置110的第一磁力区，且使得磁阻装置120的第二磁阻部122可对应于磁性装置110的第二磁力区，以均匀化磁性装置110对于掩膜板130的磁力分布。

在步骤S30的一实施例中，调控装置170更可根据前次镀膜的成果对磁阻装置120的位置进行微调，如通过移动及/或旋转磁阻装置120相对于磁性装置100的位置来使得掩膜板130所受到的磁力可更加均匀。

在一实施例中，镀膜设备100更可包升降装置180，且升降装置180耦接于磁性装置110。升降装置180用以调整磁性装置110与待镀物200之间的相对距离。因此，在步骤S30的一实施例中，镀膜设备100除可藉由调控装置170对于磁阻装置120的调整来改变掩膜板130各区块所受到的磁力外，更可藉由升降装置180对于磁性装置110的升降调整来改变掩膜板130整体所受到的磁力。举例而言，升降装置180可藉由降低磁性装置110的位置来提升掩膜板130所受到的磁力，之后再藉由调控装置170对于磁阻装置120的调整均匀化掩膜板130所受到的磁力，以使得掩膜板130可紧密贴合于待镀物200。

综上所述，本发明实施例的镀膜设备，其通过具有不同磁阻能力的磁阻部来均匀化磁性装置对于掩膜板的磁力分布，使得掩膜板可更贴合于待镀物，进而改善镀膜品质。

当然，本发明还可有其它多种实施例，在不背离本发明精神及其实质的情况下，熟悉本领域的技术人员当可根据本发明作出各种相应的改变和变形，但这些相应的改变和变形都应属于本发明所附的权利要求的保护范围。

Claims (11)

1.一种镀膜设备，其特征在于，包含：

一磁性装置，包含多个磁力元件，该些磁力元件形成至少一第一磁力区与至少一第二磁力区，其中该第一磁力区的磁力小于该第二磁力区的磁力；以及

一磁阻装置，位于该磁性装置与一待镀物之间，该磁阻装置包含至少一第一磁阻部与至少一第二磁阻部，该至少一第一磁阻部对应于该至少一第一磁力区，且该至少一第二磁阻部对应于该至少一第二磁力区，其中该第一磁阻部的磁阻能力小于该第二磁阻部的磁阻能力。

2.根据权利要求1所述的镀膜设备，其特征在于，该至少一第一磁阻部的数量为多个，各该第一磁阻部具有至少一通孔。

3.根据权利要求2所述的镀膜设备，其特征在于，各该通孔的宽度为各该磁力元件的宽度的0.2倍至0.25倍。

4.根据权利要求2所述的镀膜设备，其特征在于，该些磁力元件以阵列形式排列而形成多个第一交界处以及多个第二交界处，该些第一交界处的延伸方向不同于该些第二交界处的延伸方向，该些通孔分别对应该些第一交界处，该些通孔彼此平行设置。

5.根据权利要求4所述的镀膜设备，其特征在于，各该第一交界处的长度大于各该第二交界处的长度。

6.根据权利要求1所述的镀膜设备，其特征在于，该至少一第一磁阻部的数量为多个，各该第一磁阻部的厚度小于该至少一第二磁阻部的厚度。

7.根据权利要求1所述的镀膜设备，其特征在于，该些磁力元件以阵列形式排列而形成多个第一交界处以及多个第二交界处，该些第一交界处的延伸方向不同于该些第二交界处的延伸方向，该至少一第一磁阻部的数量为多个，且该些第一磁阻部分别对应该些第一交界处，该些第一磁阻部彼此平行设置。

8.根据权利要求7所述的镀膜设备，其特征在于，各该第一交界处的长度大于各该第二交界处的长度。

9.根据权利要求1所述的镀膜设备，其特征在于，该至少一第一磁阻部以及该至少一第二磁阻部的数量均为多个，该些第一磁阻部以及该些第二磁阻部为交错排列。

10.根据权利要求1所述的镀膜设备，其特征在于，该至少一第一磁阻部位在该至少一第二磁阻部的外围。

11.根据权利要求1所述的镀膜设备，其特征在于，更包含：

一镀膜材料源，位于该磁性装置及该磁阻装置下方；

一掩模板，位于该镀膜材料源以及该磁阻装置之间；以及

一调控装置，用以移动或/及转动该磁阻装置，其中该磁阻装置的材料选自软铁、硅钢与坡莫合金。