CN107637174A - 发光膜 - Google Patents

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Abstract

本申请涉及发光膜、照明装置和显示装置。本申请可以提供发光膜及其用途，所述发光膜能够有效地产生期望的光如白光，并且长时间稳定地保持其性能。

Description

发光膜
技术领域
本申请要求基于2015年3月27日提交的韩国专利申请No.10-2015-0043449和2015年3月31日提交的韩国专利申请No.10-2015-0045633的优先权的权益，其公开内容通过引用全部并入本文。
本申请涉及发光膜、照明装置和显示装置。
背景技术
照明装置用于各种应用。照明装置可为例如显示器如LCD(液晶显示器)、电视机、计算机、移动电话、智能电话、个人数字助理(PDA)、游戏装置、电子阅读装置或数码相机的BLU(背光单元)。此外，照明装置可以用于室内或室外照明、舞台照明、装饰照明、重点照明或博物馆照明等，以及园艺或生物所需的特定波长照明。
典型的照明装置为例如用作LCD的BLU等的一种，并且存在通过将磷光体如蓝色LED(发光二极管)与YAG(钇铝石榴石)组合而发出白光的装置。
<现有技术文件>
<专利文件>
(专利文件1)韩国特许专利公开No.2011-0048397
(专利文件2)韩国特许专利公开No.2011-0038191
发明内容
技术问题
本申请提供了发光膜、照明装置和显示装置。本申请可以提供能够有效地产生期望的光例如白光并且长时间稳定地保持性能的发光膜及其用途。
技术方案
本申请涉及发光膜。在本申请中，术语发光膜可意指形成为能够发光的膜。例如，发光膜可以是形成为能够吸收具有预定波长的光并发出具有与所吸收的光相同或不同的波长的光的膜。
发光膜可以包括发光层。发光层可以包含例如发光纳米颗粒和用于保持发光纳米颗粒的粘合剂。
在本申请中，术语发光纳米颗粒可意指能够发光的纳米颗粒。例如，发光纳米颗粒可以是形成为能够吸收预定波长的光并发出具有与所吸收的光相同或不同的波长的光的纳米颗粒。在本申请中，术语纳米颗粒可意指具有纳米级尺寸的颗粒，例如平均颗粒大小为约100nm或更小、90nm或更小、80nm或更小、70nm或更小、60nm或更小、50nm或更小、40nm或更小、30nm或更小、20nm或更小、或者约15nm或更小的颗粒。纳米颗粒的形状没有特别限制，并且可以是球形、椭圆形、多边形或不规则等。
在本说明书中，为了方便起见，纳米结构被称作纳米颗粒，但是也可以为颗粒形式，例如可为诸如纳米线、纳米棒、纳米管、支链纳米结构、纳米四脚架或纳米三脚架的形状，其中这样的形状还可以包括在本申请所定义的纳米颗粒中。在本申请中，术语“纳米结构”可包括具有尺寸小于约500nm、小于约200nm、小于约100nm、小于约50nm、小于约20nm或小于约10nm的至少一个区或特征尺寸的类似结构。通常，区或特征尺寸可以沿着结构的最短轴线存在，但不限于此。
例如，发光纳米颗粒可以是能够吸收在420nm至490nm的范围内的任一波长的光并发出在490nm至580nm的范围内的任一波长的光的纳米颗粒(下文中，可以称为绿色颗粒)，和/或能够吸收在450nm至490nm的范围内的任一波长的光并发出在580nm至780nm的范围内的任一波长的光的纳米颗粒(下文中，可以称为红色颗粒)。例如，为了获得能够发出白光的发光膜，可以以适当的比例将红色颗粒和绿色颗粒包含在发光层中。在一个实例中，相对于100重量份红色颗粒，能够发出白光的发光膜的发光层可以包含300重量份至1500重量份绿色颗粒。可以使用发光纳米颗粒而没有任何特别限制，只要其表现出这样的作用即可。这样的纳米颗粒的代表性实例可以例示被称为所谓的量子点的纳米结构。
纳米结构可以是例如基本上结晶的，基本上单晶的、多晶的或非晶的，或者上述结构的组合。
可以用作发光纳米颗粒的量子点可以以任何已知的方式制备。例如，用于形成量子点的合适方法已经公开在美国专利No.6,225,198、美国特许专利公开No.2002-0066401、美国专利No.6,207,229、美国专利No.6,322,901、美国专利No.6,949,206、美国专利No.7,572,393、美国专利No.7,267,865、美国专利No.7,374,807或美国专利No.6,861,155等中，并且除这些方法之外，多种其他已知的方法可以应用于本申请。
可以使用任何合适的材料例如作为无机材料的无机导电或半导电材料形成本申请的量子点或其他纳米颗粒。合适的半导体材料可以例示II-VI族、III-V族、IV-VI族、I-III-VI族和IV族半导体。更具体地，可以例示Si、Ge、Sn、Se、Te、B、C(包括金刚石)、P、BN、BP、BAs、AlN、AlP、AlAs、AlSb、GaN、GaP、GaAs、GaSb、InN、InP、InAs、InSb、AlN、AlP、AlAs、AlSb、GaN、GaP、GaAs、GaSb、ZnO、ZnS、ZnSe、ZnTe、CdS、CdSe、CdSeZn、CdTe、HgS、HgSe、HgTe、BeS、BeSe、BeTe、MgS、MgSe、GeS、GeSe、GeTe、SnS、SnSe、SnTe、PbO、PbS、PbSe、PbTe、CuF、CuCl、CuBr、CuI、Si3N4、Ge3N4、Al2O3、(Al、Ga、In)2(S、Se、Te)3、Al2CO以及半导体中的两种或更多种的合适组合，但不限于此。
在一个实例中，半导体纳米晶体或其他纳米结构还可以包含掺杂剂如p-型掺杂剂或n-型掺杂剂。可用于本申请的纳米颗粒还可以包括II-VI或III-V半导体。II-VI或III-V半导体纳米晶体和纳米结构的实例包括周期表第II族元素如Zn、Cd和Hg与周期表第VI族元素如S、Se、Te和Po的任意组合；以及第III族元素如B、Al、Ga、In和Tl与第V族元素如N、P、As、Sb和Bi的任意组合，但不限于此。在另一些实例中，合适的无机纳米结构可以包括金属纳米结构，并且合适的金属可以例示Ru、Pd、Pt、Ni、W、Ta、Co、Mo、Ir、Re、Rh、Hf、Nb、Au、Ag、Ti、Sn、Zn、Fe或FePt等，但不限于此。
发光纳米颗粒例如量子点可具有核-壳结构。能够形成核-壳结构的波长转换颗粒的示例性材料包含Si、Ge、Sn、Se、Te、B、C(包括金刚石)、P、Co、Au、BN、BP、BAs、AlN、AlP、AlAs、AlSb、GaN、GaP、GaAs、GaSb、InN、InP、InAs、InSb、AlN、AlP、AlAs、AlSb、GaN、GaP、GaAs、GaSb、ZnO、ZnS、ZnSe、ZnTe、CdS、CdSe、CdSeZn、CdTe、HgS、HgSe、HgTe、BeS、BeSe、BeTe、MgS、MgSe、GeS、GeSe、GeTe、SnS、SnSe、SnTe、PbO、PbS、PbSe、PbTe、CuF、CuCl、CuBr、CuI、Si3N4、Ge3N4、Al2O3、(Al、Ga、In)2(S、Se、Te)3、Al2CO以及这些材料中的两种或更多种的任意组合，但不限于此。可适用于本申请的示例性核-壳波长转换颗粒(核/壳)包括但不限于CdSe/ZnS、InP/ZnS、PbSe/PbS、CdSe/CdS、CdTe/CdS或CdTe/ZnS等。
发光纳米颗粒的具体种类没有特别限制，并且可以考虑期望的发光特性来适当地选择。
在一个实例中，发光纳米颗粒如量子点可以被一个或更多个配体或屏障包围。配体或屏障可有利于改善发光纳米颗粒如量子点的稳定性，并且保护发光纳米颗粒免受有害外部条件(包括高温、高强度、外部气体或水分等)的影响。此外，如下所述，发光纳米颗粒可以仅存在于基体或乳剂区的任一区中，并且为了获得这样的发光层，还可以选择配体或屏障的特性使得其仅在基体和乳剂区的任一区中具有相容性。
在一个实例中，发光纳米颗粒如量子点可包含与其表面共轭、配位、结合或连接的配体。能够表现出适用于发光纳米颗粒如量子点的表面的特性的配体以及用于形成所述配体的方法是已知的，并且这样的方法可以没有限制地应用于本申请。这样的材料或方法公开于例如美国特许专利公开No.2008-0281010、美国特许专利公开No.2008-0237540、美国特许专利公开No.2010-0110728、美国特许专利公开No.2008-0118755、美国专利No.7,645,397、美国专利No.7,374,807、美国专利No.6,949,206、美国专利No.7,572,393或美国专利No.7,267,875等中，但不限于此。在一个实例中，配体可以由以下形成：具有胺基的分子或聚合物(油胺、三乙胺、己胺、萘胺等)、具有羧基的分子或聚合物(油酸等)、具有硫醇基的分子或聚合物(丁硫醇、己硫醇、十二硫醇等)、具有吡啶基的分子或聚合物(吡啶等)、具有膦基的分子(三苯基膦等)、具有氧化膦基的分子(三辛基氧化膦等)、具有羰基的分子(烷基酮等)、具有苯环的分子或聚合物(苯、苯乙烯等)、具有羟基的分子或聚合物(丁醇、己醇等)、或者具有砜基的分子或聚合物(磺酸等)。
发光层中的发光纳米颗粒的比例没有特别限制，例如，可以考虑期望的光学特性在合适的范围内选择。在一个实例中，发光纳米颗粒可以以约0.05重量％至20重量％、0.05重量％至15重量％、0.1重量％至15重量％或0.5重量％至15重量％的浓度存在于发光层中，但不限于此。
在一个实例中，保持发光纳米颗粒的粘合剂可包括彼此相分离的两个区。在本申请中，术语“相分离区”可意指例如由彼此不混合的两个区形成的区，如相对疏水区和相对亲水区，以使得可以确定其彼此分离的状态形成的区。下文中，为了便于说明，可以将粘合剂的相分离的两个区的任一区称为第一区，并且可以将另一区称为第二区。当粘合剂为乳剂形状时，第一区和第二区的任一区可以是连续相，而另一区可以是分散相。
第一区和第二区的第一区可以是亲水区，而第二区可以是疏水区。在本申请中，用于区别第一区和第二区的亲水性和疏水性是相对于彼此的概念，并且亲水性和疏水性的绝对标准没有特别限制，只要可以确定两个区在发光层中彼此区别即可。
可以考虑以下来选择亲水性第一区和疏水性第二区的比例：例如，发光纳米颗粒的比例、与其他层如阻挡膜的粘合性、相分离结构的产生效率或成膜的物理特性等。例如，相对于100重量份第一区，发光层可以包括10重量份至100重量份第二区。在另一实例中，发光层可以包括50重量份至95重量份第一区和5重量份至50重量份第二区。相反地，发光层还可以包括50重量份至95重量份第二区和5重量份至50重量份第一区。在本申请中，除非另外说明，否则术语“重量份”是指组分之间的重量比。此外，第一区和第二区的重量比可意指每个区自身的重量比；每个区中包含的所有组分的总重量比；包含作为每个区的主要组分的组分之间的重量比；或用于形成每个区的材料的重量比。例如，如下所述，发光层可以通过将亲水性可聚合组合物和相对疏水性可聚合组合物的混合并使其聚合来形成，并且在这种情况下，每个区的重量比可意指每种可聚合组合物的重量比，或作为各组合物中包含的主要组分的亲水性可聚合化合物与疏水性可聚合化合物之间的重量比。在此，亲水性可聚合组合物可意指包含亲水性可聚合化合物作为主要组分的组合物，而疏水性可聚合组合物可意指包含疏水性可聚合化合物作为主要组分的组合物。可聚合化合物的种类没有特别限制，并且可为例如可自由基聚合化合物。在本申请中，包含作为主要组分可意指这样的情况，其中基于总重量，包含作为主要组分的组分的重量比为55重量％或更大、60重量％或更大、65重量％或更大、70重量％或更大、75重量％或更大、80重量％或更大、85重量％或更大、或者95重量％或更大。在本申请中，用于区别亲水性可聚合化合物与疏水性可聚合化合物中的亲水性与疏水性的标准没有特别限制，例如，只要两种化合物在彼此相对亲水或疏水的同时彼此混合时可以形成上述相分离区即可。在一个实例中，亲水性与疏水性之间的区别可以通过所谓的溶解度参数来进行。在本申请中，溶解度参数可指通过相应亲水性可聚合化合物和疏水性可聚合化合物的聚合形成的均聚物的溶解度参数，从而确定相应化合物的亲水性和疏水性的程度。获得溶解度参数的方式没有特别限制，可以遵循本领域已知的方法。例如，该参数可以根据被称为所谓的HSP(Hansen溶解度参数)的方法计算或获得。在本申请中，疏水性可聚合化合物可意指通过聚合能够形成溶解度参数小于约10(cal/cm3)1/2的聚合物的可聚合化合物，而亲水性可聚合化合物可意指能够形成溶解度参数为约10(cal/cm3)1/2或更大的聚合物的可聚合化合物。在另一实例中，由疏水性可聚合化合物形成的聚合物的溶解度参数可为3(cal/cm3)1/2或更大、4(cal/cm3)1/2或更大、或者约5(cal/cm3)1/2。在另一实例中，由亲水性可聚合化合物形成的聚合物的溶解度参数可为约11(cal/cm3)1/2或更大、12(cal/cm3)1/2或更大、13(cal/cm3)1/2或更大、14(cal/cm3)1/2或更大、或者15(cal/cm3)1/2或更大。在另一实例中，由亲水性可聚合化合物形成的聚合物的溶解度参数可为约40(cal/cm3)1/2或更小、约35(cal/cm3)1/2或更小、或者约30(cal/cm3)1/2或更小。为了实现合适的相分离结构或乳剂结构，可以控制疏水性化合物与亲水性化合物的溶解度参数的差值。在一个实例中，亲水性可聚合化合物与疏水性可聚合化合物的溶解度参数的差值或由各亲水性可聚合化合物和疏水性可聚合化合物形成的聚合物的溶解度参数的差值可以为5(cal/cm3)1/2或更大、6(cal/cm3)1/2或更大、7(cal/cm3)1/2或更大、或者约8(cal/cm3)1/2或更大。差值是通过从溶解度参数中的较大值中减去较小值而获得的值。差值的上限没有特别限制。溶解度参数的差值越大，可以形成越合适的相分离结构或乳剂结构。差值的上限可以为例如30(cal/cm3)1/2或更小、25(cal/cm3)1/2或更小、或者约20(cal/cm3)1/2或更小。在本说明书中描述的任何物理特性为随着温度变化的物理特性的情况下，该物理特性可意指室温下的物理特性。术语室温为没有加热或冷却的自然温度，例如，可意指在约10℃至30℃的范围内的任一温度，即约23℃或约25℃。
在一个实例中，发光层或粘合剂可以是乳剂型层。另一方面，在本申请中，术语乳剂型层可意指具有这样的形状的层，彼此不混合的两相或更多相(例如，第一区和第二区)中的任一区在该层中形成连续相，并且另一区分散在连续相中形成分散相。在此，连续相和分散相分别可以是固相、半固相或液相，并且可以是彼此相同的相或不同的相。通常，乳剂是主要用于彼此不混合的两个或更多个液相的术语，但是本申请中的术语乳剂不一定意指由两个或更多个液相形成的乳剂。
在一个实例中，发光层可以包括形成连续相的基体，并且可以包括为分散在基体中的分散相的乳剂区。在此，基体可以是上述第一区和第二区中的任一区(例如，第一区)，并且为分散相的乳剂区可以是第一区和第二区中的另一区(例如，第二区)。
乳剂区可为颗粒形式。也就是说，乳剂区可以以颗粒形式分散在基体中。在这种情况下，乳剂区的颗粒形状没有特别限制，并且可以大致为球形、椭圆形、多边形或不规则等。颗粒形状的平均直径可为约1μm至200μm，约1μm至50μm，或约50μm至200μm。可以通过调节形成基体和乳剂区的材料的比例或者通过使用表面活性剂等来控制颗粒形状的尺寸。
可以例如考虑以下来选择发光层中的基体和乳剂区的比例：待包含在发光层中的发光纳米颗粒的比例、与其他层如阻挡膜和屏障膜的粘合性、作为相分离结构的乳剂结构的产生效率、或成膜所需的物理特性等。例如，相对于100重量份基体，发光层可以包括5重量份至40重量份乳剂区。相对于100重量份基体，乳剂区的比例可以为10重量份或更大，或者15重量份或更大。相对于100重量份基体，乳剂区的比例可以为35重量份或更小。在此，基体和乳剂区的重量比可意指每个区自身的重量比，或者包含在该区中的所有组分或主要组分的总重量比，或者用于形成每个区的材料的重量比。例如，基体和乳剂区各自可以包含在下面描述的亲水性可聚合化合物和疏水性可聚合化合物的聚合单元，并且重量比可以是聚合单元之间的比例。
包含在发光层中的发光纳米颗粒可以包含在基体或乳剂区中。在一个实例中，发光纳米颗粒可以仅包含在基体和乳剂区的任一区中，并且可基本上不包含在另一区中。在本申请中，其可意指例如这样的情况，其中基于包含在发光层中的纳米颗粒的总重量，包含在相关区中的发光纳米颗粒的重量比为10％或更小、9％或更小、8％或更小、7％或更小、6％或更小、5％或更小、4％或更小、3％或更小、2％或更小、1％或更小、0.5％或更小、或者0.1％或更小。
发光纳米颗粒可以基本上包含在基体和乳剂区的乳剂区中。在这种情况下，发光纳米颗粒可以基本上不包含在基体中。因此，在上述情况下，基于包含在发光层中的发光纳米颗粒的总重量，包含在乳剂区中的发光纳米颗粒的比例可以为90重量％或更大、91重量％或更大、92重量％或更大、93重量％或更大、94重量％或更大、95重量％或更大、96重量％或更大、97重量％或更大、98重量％或更大、99重量％或更大、99.5重量％或更大、或者99.9重量％或更大。
如果形成在发光层中相分离的两个区，并且发光纳米颗粒基本上仅位于两个区的任一区中，则可以确保适用于成膜的物理特性，有利地确保发光层与其他层如下述的阻挡膜之间的粘合性，并且可以更有效地控制在形成发光膜时存在发光纳米颗粒的区域中可能不利地影响纳米颗粒的物理特性的其他因素(如引发剂和交联剂)，从而形成具有优异耐久性的膜。
基体和乳剂区的任一区可以包含亲水性聚合物，而另一区可以包含疏水性聚合物。在此，如上所述，亲水性聚合物可意指HSP(Hansen溶解度参数)为10(cal/cm3)1/2或更大的聚合物，而疏水性聚合物可意指HSP小于10(cal/cm3)1/2的聚合物。在另一实例中，疏水性聚合物的溶解度参数可以为约3(cal/cm3)1/2或更大、4(cal/cm3)1/2或更大、或者约5(cal/cm3)1/2或更大。在另一实例中，亲水性聚合物的溶解度参数可以为约11(cal/cm3)1/2或更大、12(cal/cm3)1/2或更大、13(cal/cm3)1/2或更大、14(cal/cm3)1/2或更大、或者15(cal/cm3)1/2或更大。在另一实例中，亲水性聚合物的溶解度参数可以为约40(cal/cm3)1/2或更小、约35(cal/cm3)1/2或更小、或者约30(cal/cm3)1/2或更小。为了实现合适的相分离结构或乳剂结构，可以控制疏水性聚合物与亲水性聚合物的溶解度参数的差值。在一个实例中，亲水性聚合物与疏水性聚合物的溶解度参数的差值可为5(cal/cm3)1/2或更大、6(cal/cm3)1/2或更大、7(cal/cm3)1/2或更大、或者约8(cal/cm3)1/2或更大。差值是通过从溶解度参数中的较大值中减去较小值而获得的值。差值的上限没有特别限制。溶解度参数的差值越大，可以形成越合适的相分离结构或乳剂结构。差值的上限可以为例如30(cal/cm3)1/2或更小、25(cal/cm3)1/2或更小、或者约20(cal/cm3)1/2或更小。在一个实例中，基体可以包含亲水性聚合物，乳剂区可以包含疏水性聚合物。
基体可以通过使亲水性可聚合化合物(例如，亲水性可自由基聚合化合物)聚合而形成。在这种情况下，基体可包含下式1的化合物、下式2的化合物、下式3的化合物、下式4的化合物、可自由基聚合含氮化合物、含有丙烯酸、甲基丙烯酸或盐部分的可自由基聚合化合物的聚合单元。在本申请中，术语给定化合物的聚合单元可意指通过使给定化合物聚合而形成的单元。
[式1]
在式1中，Q是氢或烷基，U是亚烷基，Z是氢、烷氧基、环氧基或一价烃基，以及m是任意数。
[式2]
在式2中，Q是氢或烷基，U是亚烷基，以及m是任意数。
[式3]
在式3中，Q是氢或烷基，A是可以经羟基取代的亚烷基，以及U是亚烷基。
[式4]
在式4中，Q是氢或烷基，A和U各自独立地是亚烷基，以及X是羟基或氰基。
在本申请中，除非另外说明，否则术语“亚烷基”可意指具有1至20个碳原子、1至16个碳原子、1至12个碳原子、1至8个碳原子或1至4个碳原子的亚烷基。亚烷基可以是线性、支化或环状的。此外，亚烷基可以任选地经一个或更多个取代基取代。
在本申请中，除非另外说明，否则术语“环氧基”可意指具有三个成环原子的环醚、含有环醚的化合物、或由其衍生的一价残基。作为环氧基，可以例示缩水甘油基、环氧烷基、缩水甘油氧基烷基或脂环族环氧基等。在此，脂环族环氧基可意指衍生自包含脂族烃环结构和其中形成脂族烃环的两个碳原子还形成环氧基的结构的化合物的一价残基。作为脂环族环氧基，可以例示具有6至12个碳原子的脂环族环氧基，例如，可以例示3,4-环氧环己基乙基等。
在本申请中，除非另外说明，否则术语“烷氧基”可意指具有1至20个碳原子、1至16个碳原子、1至12个碳原子、1至8个碳原子或1至4个碳原子的烷氧基。烷氧基可以是线性、支化或环状的。此外，烷氧基可以任选地经一个或更多个取代基取代。
在本申请中，除非另外说明，否则术语“烷基”可意指具有1至20个碳原子、1至16个碳原子、1至12个碳原子、1至8个碳原子或1至4个碳原子的烷基。烷基可以是线性、支化或环状的。此外，烷基可以任选地经一个或更多个取代基取代。
在本申请中，除非另外说明，否则术语“一价烃基”可意指衍生自由碳和氢组成的化合物或这样的化合物的衍生物的一价残基。例如，一价烃基可以包含1至25个碳原子。作为一价烃基，可以例示烷基、烯基、炔基或芳基等。
在本申请中，除非另外说明，否则术语“烯基”可意指具有2至20个碳原子、2至16个碳原子、2至12个碳原子、2至8个碳原子或2至4个碳原子的烯基。烯基可以是线性、支化或环状的，并且可以任选地经一个或更多个取代基取代。
在本申请中，除非另外说明，否则术语“炔基”可意指具有2至20个碳原子、2至16个碳原子、2至12个碳原子、2至8个碳原子或2至4个碳原子的炔基。炔基可以是线性、支化或环状的，并且可以任选地经一个或更多个取代基取代。
在本申请中，除非另外说明，否则术语“芳基”可意指衍生自包含苯环或者其中两个或更多个苯环缩合或键合的结构的化合物或其衍生物的一价残基。芳基的范围可以包括所谓的芳烷基或芳基烷基以及通常称作芳基的官能团。芳基可以是例如具有6至25个碳原子、6至21个碳原子、6至18个碳原子或6至12个碳原子的芳基。芳基可以例示苯基、苯氧基、苯氧基苯基、苯氧基苄基、二氯苯基、氯苯基、苯基乙基、苯基丙基、苄基、甲苯基、二甲苯基或萘基等。此外，芳基可以任选地经一个或更多个取代基取代。
在本申请中，可以在烷氧基、亚烷基、环氧基或一价烃基中任选地进行取代的取代基可以例示：卤素如氯或氟；环氧基如缩水甘油基、环氧烷基、缩水甘油氧基烷基或脂环族环氧基；丙烯酰基；甲基丙烯酰基；异氰酸酯基；硫醇基；或者一价烃基等，但不限于此。
在式1、式2和式4中，m和n为任意数，并且可以例如各自独立地为在1至20、1至16或1至12的范围内的数。
作为可自由基聚合含氮化合物，可以使用可自由基聚合含酰胺基化合物、可自由基聚合含氨基化合物、可自由基聚合含酰亚胺基化合物、或可自由基聚合含氰基化合物等。可自由基聚合含酰胺基化合物可以例示例如(甲基)丙烯酰胺或N,N-二甲基(甲基)丙烯酰胺、N,N-二乙基(甲基)丙烯酰胺、N-异丙基(甲基)丙烯酰胺、N-羟甲基(甲基)丙烯酰胺、双丙酮(甲基)丙烯酰胺、N-乙烯基乙酰胺、N,N’-亚甲基双(甲基)丙烯酰胺、N,N-二甲基氨基丙基(甲基)丙烯酰胺、N-乙烯基吡咯烷酮、N-乙烯基己内酰胺、或(甲基)丙烯酰基吗啉等，可自由基聚合含氨基化合物可以例示(甲基)丙烯酸氨基乙酯、(甲基)丙烯酸N,N-二甲基氨基乙酯、或(甲基)丙烯酸N,N-二甲基氨基丙酯等，可自由基聚合含酰亚胺基化合物可以例示N-异丙基马来酰亚胺、N-环己基马来酰亚胺或衣康酰亚胺等，以及可自由基聚合含氰基化合物可以例示丙烯腈或甲基丙烯腈等，但不限于此。
此外，在具有盐部分的可自由基聚合化合物中，丙烯酸或甲基丙烯酸的盐可以例示例如碱金属(包括锂、钠和钾)与上述酸的盐或碱土金属(包括镁、钙、锶和钡)与上述酸的盐等，但不限于此。
包含上述聚合单元的基体可以例如通过使包含亲水性可聚合化合物(例如可自由基聚合化合物)和自由基引发剂的亲水性可聚合组合物聚合来形成。因此，基体可以是亲水性可聚合组合物的聚合物。
亲水性可自由基聚合化合物的种类没有特别限制，例如，可以使用上述化合物。
亲水性可聚合组合物中包含的自由基引发剂的种类没有特别限制。作为引发剂，可以使用能够产生自由基使得可以通过施加热或照射光来引发聚合反应的自由基热引发剂或光引发剂。
作为热引发剂，可以使用例如以下中的一种或两种或更多种：偶氮化合物，如2,2-偶氮双-2,4-二甲基戊腈(V-65，由Wako制造)、2,2-偶氮双异丁腈(V-60，由Wako制造)或2,2-偶氮双-2-甲基丁腈(V-59，由Wako制造)；过氧酯化合物，如过氧化二碳酸二丙酯(PeroylNPP，由NOF制造)、过氧化二碳酸二异丙酯(Peroyl IPP，由NOF制造)、过氧化二碳酸双-4-丁基环己酯(Peroyl TCP，由NOF制造)、过氧化二碳酸二乙氧基酯(Peroyl EEP，由NOF制造)、过氧化二碳酸二乙氧基己酯(Peroyl OPP，由NOF制造)、过氧化二碳酸己酯(Perhexyl ND，由NOF制造)、过氧化二碳酸二甲氧基丁酯(Peroyl MBP，由NOF制造)、过氧化二碳酸双(3-甲氧基-3-甲氧基丁基)酯(Peroyl SOP，由NOF制造)、过氧化新戊酸己酯(Perhexyl PV，由NOF制造)、过氧化新戊酸戊酯(Luperox546M75，由Atofina制造)、过氧化新戊酸丁酯(Perbutyl，由NOF制造)或三甲基己酰过氧化物(Peroyl 355，由NOF制造)；过氧化二碳酸酯化合物，如过氧化新癸酸二甲基羟基丁酯(Luperox 610M75，由Atofina制造)、过氧化新癸酸戊酯(Luperox 546M75，由Atofina制造)或过氧化新癸酸丁酯(Luperox 10M75，由Atofina制造)；酰基过氧化物，如3,5,5-三甲基己酰过氧化物、月桂基过氧化物或二苯甲酰基过氧化物；酮过氧化物；二烷基过氧化物；过氧化缩酮；或者过氧化物引发剂，如过氧化氢等，并且作为光引发剂，可以使用苯偶姻、羟基酮、氨基酮或氧化膦光引发剂等，并且具体地，可以使用苯偶姻、苯偶姻甲醚、苯偶姻乙醚、苯偶姻异丙醚、苯偶姻正丁醚、苯偶姻异丁醚、苯乙酮、二甲基氨基苯乙酮、2,2-二甲氧基-2-苯基苯乙酮、2-羟基-2-甲基-1-苯基丙-1-酮、1-羟基环己基苯基酮、2-甲基-1-[4-(甲硫基)苯基]-2-吗啉代-丙-1-酮、4-(2-羟基乙氧基)苯基-2-(羟基-2-丙基)酮、二苯甲酮、对苯基二苯甲酮、4,4’-二乙基氨基二苯甲酮、二氯二苯甲酮、2-甲基蒽醌、2-乙基蒽醌、2-叔丁基蒽醌、2-氨基蒽醌、2-甲基噻吨酮、2-乙基噻吨酮、2-氯噻吨酮、2,4-二甲基噻吨酮、2,4-二乙基噻吨酮、苄基二甲基缩酮、苯乙酮二甲基缩酮、对二甲基氨基苯甲酸酯、低聚[2-羟基-2-甲基-1-[4-(1-甲基乙烯基)苯基]丙酮]和2,4,6-三甲基苯甲酰基-二苯基-氧化膦等，但不限于此。
作为引发剂，可以选择和使用亲水性组分具有高溶解度的那些，例如，可以使用羟基酮化合物、可水分散羟基酮化合物、氨基酮化合物或可水分散氨基酮化合物，但不限于此。
亲水性可聚合组合物可包含例如浓度为约0.1重量％至10重量％的自由基引发剂。可以例如考虑膜的物理特性或聚合效率等来改变该比例。
例如，考虑到成膜的物理特性等，如果需要的话，亲水性可聚合组合物还可以包含交联剂。作为交联剂，可以使用例如具有两个或更多个可自由基聚合基团的化合物。
作为可以用作交联剂的化合物，可以例示多官能丙烯酸酯。多官能丙烯酸酯可意指包含两个或更多个丙烯酰基或甲基丙烯酰基的化合物。
作为多官能丙烯酸酯，例如，可以使用双官能丙烯酸酯，如1,4-丁二醇二(甲基)丙烯酸酯、1,6-己二醇二(甲基)丙烯酸酯、新戊二醇二(甲基)丙烯酸酯、聚乙二醇二(甲基)丙烯酸酯、新戊二醇己二酸酯二(甲基)丙烯酸酯、羟基新戊酸(hydroxyl puivalic acid)新戊二醇二(甲基)丙烯酸酯、二环戊基(dicyclopentanyl)二(甲基)丙烯酸酯、己内酯改性的二环戊烯基二(甲基)丙烯酸酯、环氧乙烷改性的二(甲基)丙烯酸酯、二(甲基)丙烯酰氧基乙基异氰脲酸酯、烯丙基化环己基二(甲基)丙烯酸酯、三环癸烷二甲醇(甲基)丙烯酸酯、二羟甲基二环戊烷二(甲基)丙烯酸酯、环氧乙烷改性的六氢邻苯二甲酸二(甲基)丙烯酸酯、三环癸烷二甲醇(甲基)丙烯酸酯、新戊二醇改性的三甲基丙烷二(甲基)丙烯酸酯、金刚烷二(甲基)丙烯酸酯或9,9-双[4-(2-丙烯酰氧基乙氧基)苯基]芴；三官能丙烯酸酯，如三羟甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇三(甲基)丙烯酸酯、丙酸改性的二季戊四醇三(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇三(甲基)丙烯酸酯、环氧丙烷改性的三羟甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯、三官能氨基甲酸酯(甲基)丙烯酸酯或三(甲基)丙烯酰氧基乙基异氰脲酸酯；四官能丙烯酸酯，如二甘油四(甲基)丙烯酸酯或季戊四醇四(甲基)丙烯酸酯；五官能丙烯酸酯，如丙酸改性的二季戊四醇五(甲基)丙烯酸酯；以及六官能丙烯酸酯，如二季戊四醇六(甲基)丙烯酸酯、己内酯改性的二季戊四醇六(甲基)丙烯酸酯或氨基甲酸酯(甲基)丙烯酸酯(例如，异氰酸酯单体与三羟甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯的反应产物)等。此外，作为多官能丙烯酸酯，可以使用工业中被称为所谓的可光固化低聚物的化合物，例如氨基甲酸酯丙烯酸酯、环氧丙烯酸酯、聚酯丙烯酸酯或聚醚丙烯酸酯等。可以选择和使用这些化合物中的一种或两种或更多种合适的种类。
作为交联剂，如果需要的话，还可以使用能够通过热固化反应实现交联结构的组分，例如已知的异氰酸酯交联剂、环氧交联剂、氮丙啶交联剂或金属螯合物交联剂；以及能够通过自由基反应实现交联结构的组分，例如上述多官能丙烯酸酯。
交联剂可以例如以50重量％或更低或者10重量％至50重量％的浓度包含在亲水性可聚合组合物中。可以考虑例如膜的物理特性来改变交联剂的比例。
除上述组分之外，亲水性可聚合组合物还可以包含其他必要组分。此外，下面将描述使用亲水性可聚合组合物形成第一区的方法。
也可以通过使可聚合化合物(例如可自由基聚合化合物)聚合来形成乳剂区。例如，可以通过使疏水性可自由基聚合化合物聚合来形成乳剂区。
在一个实例中，乳剂区可包含由下式5至下式7表示的化合物的聚合单元。
[式5]
在式5中，Q是氢或烷基，以及B是具有5个或更多个碳原子的线性或支化烷基、或者脂环族烃基。
[式6]
在式6中，Q是氢或烷基，以及U是亚烷基、亚烯基或亚炔基、或亚芳基。
[式7]
在式7中，Q是氢或烷基，U是亚烷基，Y是碳原子、氧原子或硫原子，X是氧原子、硫原子或亚烷基，Ar是芳基，以及n为任意数。
在本申请中，除非另外说明，否则术语亚烯基或亚炔基可意指具有2至20个碳原子、2至16个碳原子、2至12个碳原子、2至8个碳原子或2至4个碳原子的亚烯基或亚炔基。亚烯基或亚炔基可以是线性、支化或环状的。此外，亚烯基或亚炔基可以任选地经一个或更多个取代基取代。
在本申请中，除非另外说明，否则术语“亚芳基”可意指衍生自包含苯或者其中两个或更多个苯缩合或键合的结构的化合物或其衍生物的二价残基。亚芳基可以具有例如包含苯、萘或芴等的结构。
在式5中，B可以是具有5个或更多个碳原子、7个或更多个碳原子、或者9个或更多个碳原子的线性或支化烷基。因此，包含相对长的烷基的化合物已被称为相对非极性化合物。线性或支化烷基的碳原子数的上限没有特别限制，例如，烷基可以是具有20个或更少碳原子的烷基。
在另一实例中，在式5中，B可以是脂环族烃基，例如具有3至20个碳原子、3至16个碳原子或6至12个碳原子的脂环族烃基，并且这样的烃基的实例可以包括环己基或异冰片基等。因此，具有脂环族烃基的化合物已被称为相对非极性化合物。
在式7中，n为任意数，并且可以例如各自独立地为在1至20、1至16或1至12的范围内的数。
第二区可以例如通过使包含疏水性可自由基聚合化合物和自由基引发剂的疏水性可聚合组合物聚合来形成。因此，第二区可以是疏水性可聚合组合物的聚合物。
包含在疏水性可聚合组合物中的疏水性可自由基聚合化合物的种类没有特别限制，并且可以使用工业中被称为所谓的非极性单体的化合物。例如，作为该化合物，可以使用上述化合物。
包含在疏水性可聚合组合物中的自由基引发剂的种类没有特别限制。例如，在关于上述亲水性可聚合化合物的项目所描述的引发剂中，可以选择和使用合适的种类。
疏水性可聚合组合物可以例如以5重量％或更低的浓度包含自由基引发剂。可以例如考虑膜的物理特性或聚合效率来改变该浓度。
考虑到成膜的物理特性等，如果需要的话，疏水性可聚合组合物同样还可以包含交联剂。交联剂没有特别限制，例如，在关于亲水性可聚合组合物的项目所描述的组分中，可以选择和使用合适的组分。
例如，交联剂可以以例如50重量％或更低或者10重量％至50重量％的浓度包含在疏水性可聚合组合物中。可以考虑例如膜的物理特性或对包含在该可聚合化合物中的其他组分的影响来改变交联剂的浓度。
如果需要的话，疏水性可聚合组合物还可以包含其他组分。此外，下面将描述使用疏水性可聚合组合物形成乳剂区的方法。
除上述组分之外，发光层还可以包含其他组分。其他组分的实例包括但不限于已知的表面活性剂、或者下面描述的两性纳米颗粒、抗氧化剂或散射颗粒。
发光层可以包含两性纳米颗粒，并且这样的两性纳米颗粒可以存在于例如基体和乳剂区的一个或更多个中，并且适当地存在于基体与乳剂区的边界处。两性纳米颗粒可以提高发光层中相分离的基体与乳剂区的稳定性。
在一个实例中，两性纳米颗粒可包括包含纳米颗粒的核部分和包含围绕纳米颗粒的两性化合物的壳部分。在此，两性化合物是同时包含亲水性位点和疏水性位点的化合物，并且一些化合物在本领域中也被称为所谓的表面活性剂。例如，当核部分的纳米颗粒为疏水性的时，壳部分的两性纳米颗粒的亲水性位点面向核，并且疏水性位点设置在外部，使得两性纳米颗粒可以整体形成，相反地，当核部分的纳米颗粒为亲水性的时，壳部分的两性纳米颗粒的疏水性位点面向核，并且亲水性位点设置在外部，使得两性纳米颗粒可以整体形成。在此，虽然核部分的纳米颗粒的平均颗粒尺寸可以在例如约10nm至1000nm的范围内，但是其可以根据目的而改变，没有特别限制。作为核部分的纳米颗粒，可以使用例如金属颗粒如金、银、铜、铂、钯、镍、锰或锌；氧化物颗粒如SiO2、Al2O3、TiO2、ZnO、NiO、CuO、MnO2、MgO、SrO或CaO；或者由聚合物如PMMA(聚甲基丙烯酸酯)或PS(聚苯乙烯)制成的颗粒。
此外，作为壳部分的两性化合物，可以使用Triton X-114(CAS No.9036-19-5)、Triton X-100(CAS No.92046-34-9)、Brij-58(CAS No.9004-95-9)、辛基葡糖苷(CASNo.29836-26-8)、辛基硫代葡糖苷(CAS No.85618-21-9)、十乙二醇单癸基醚(CASNo.9002-92-0)、N-癸酰基-N-甲基葡糖胺(CAS No.85261-20-7)、癸基吡喃麦芽糖苷(CASNo.82494-09-5)、N-十二烷基麦芽糖苷(CAS No.69227-93-6)、九乙二醇单十二烷基醚(CASNo.3055-99-0)、N-壬酰基-N-甲基葡糖胺(CAS No.85261-19-4)、八乙二醇单十二烷基醚(CAS No.3055-98-9)、Span 20(CAS No.1338-39-2)、聚乙烯吡咯烷酮(CAS No.9003-39-8)或Synperonic F108(PEO-b-PPO-b-PEO，CAS No.9003-11-06)，但不限于此。
两性纳米颗粒可以以使得可以确保基体与乳剂区的稳定性的范围包含两性化合物。例如，两性纳米颗粒中的两性化合物的比例可为约5重量％至30重量％，但是可以改变该范围，只要可以适当地确保基体与乳剂区之间的稳定性即可。
将两性纳米颗粒并入发光层中的方法例如将两性纳米颗粒设置在基体与乳剂区的边界处方法没有特别限制，例如，可以使用下文描述的在制备发光层的过程中将两性纳米颗粒配制在混合物中的方法。
在一个实例中，两性纳米颗粒可具有与基体和乳剂区的折射率不同的折射率。当这样的两性纳米颗粒设置在基体与乳剂区的边界处时，例如，通过用纳米颗粒散射或漫射光，可以进一步提高白光的产生效率。
在此，考虑到期望的光散射或漫射效果，可在适当的范围内设置基体和乳剂区与纳米颗粒的折射率的差异程度，其中其具体范围没有特别限制。例如，纳米颗粒与基体之间的折射率之差的绝对值和纳米颗粒与乳剂区之间的折射率之差的绝对值分别可为0.05至0.5。纳米颗粒的折射率没有特别限制，只要其满足上述范围即可，例如可为1.0至2.0。在本说明书中，除非另外说明，否则术语折射率是对波长为约550nm的光测量的值。
例如，可以考虑基体与乳剂区的稳定性来选择发光层中两性纳米颗粒的比例。在一个实例中，基于基体和乳剂区或发光层的总重量，两性纳米颗粒可以以1重量％至10重量％的浓度存在。
作为两性纳米颗粒，还可使用由Soken以MX 80H的产品名出售的那些，由Sekisui以XX-43BQ、XX-128BQ、XX-130BQ、XX-50BQ、XX-131BQ、MBX-2H、MBX-30、SSX-104、XXS-105、SSX-108、SSX-110、XX-129BQ或XX-99BQ等产品名出售的那些，以及由Nissan以MIBX-SD-L、MIBK-SD、MIBK-ST或TOL-ST等产品名出售的那些。
发光层还可包含抗氧化剂，并且当使用量子点作为发光纳米颗粒时，这样的组分可以是特别有用的。虽然量子点具有这样的特性：如果暴露于氧，则其劣化，导致发光能力下降，但是当在这样的情况下发光层中包含上述抗氧化剂时，可以保护发光纳米颗粒。作为抗氧化剂，例如，可使用氧化性金属、酚抗氧化剂、硫醚抗氧化剂、磷酸盐/酯抗氧化剂、或基于胺的抗氧化剂如基于受阻胺的抗氧化剂。抗氧化剂可包含在任何上述基体或乳剂区中。
因此，发光层可包含氧化性金属颗粒或所述金属颗粒的氧化物。氧化性金属颗粒可意指能够与氧反应形成氧化物的金属，并且还可使用碱金属、碱土金属或过渡金属等，如果其是氧化性的话。在发光层中金属与氧反应形成氧化物，由此可以保护发光纳米颗粒。可用的氧化性金属没有特别限制，只要其可以与氧反应形成氧化物即可。氧化性金属可包括但不限于Pt、Au、Ag或Ce。可以考虑与氧的反应性来控制金属颗粒的尺寸，并且平均颗粒直径通常可以为约10nm至10,000nm。
可以考虑例如与氧的反应性、发光层材料的固化性和发光层的发光特性来选择发光层中氧化性金属颗粒或其氧化物的比例。在一个实例中，氧化性金属颗粒可以以约0.01重量％至1重量％的比例存在于发光层中。如果需要的话，可一起使用用于分散氧化性金属颗粒的已知分散剂。
发光层还可包含基于酚的抗氧化剂、基于硫醚的抗氧化剂、基于磷酸盐/酯的抗氧化剂或基于胺的抗氧化剂如基于受阻胺的抗氧化剂作为抗氧化剂。各抗氧化剂的具体种类没有特别限制，并且可以使用已知材料。
也可以考虑例如与氧的反应性、发光层材料的固化性和发光层的发光性特性来选择发光层中抗氧化剂的比例。在一个实例中，抗氧化剂可以以约0.01重量％至1重量％的比例存在于发光层中。
发光层还可包含散射颗粒。发光层中包含的散射颗粒可以通过控制入射到发光层上的光被引入到发光纳米颗粒中的可能性来改善发光层的光学特性。在本说明书中，术语散射颗粒可意指任何类型的这样的颗粒，其不仅可具有与周围介质(例如，基体或乳剂区)的折射率不同的折射率，而且还可具有适当的尺寸以使入射光散射、折射或漫射。例如，散射颗粒可具有相对于周围介质(例如，基体和/或乳剂区)低或高的折射率，并且可为与基体和/或乳剂区的折射率之差的绝对值为0.2或更大或者0.4或更大的颗粒。折射率之差的绝对值的上限没有特别限制，例如可为约0.8或更小或者约0.7或更小。散射颗粒的平均颗粒直径可约为例如10nm或更大、100nm或更大、大于100nm、100nm至20000nm、100nm至15000nm、100nm至10000nm、100nm至5000nm、100nm至1000nm、或100nm至500nm等。散射颗粒的形状可为例如球形、椭圆形、多面体形或不规则形状，但形状没有特别限制。作为散射颗粒，例如，可以例举包含有机材料(例如聚苯乙烯或其衍生物、丙烯酸类树脂或其衍生物、有机硅树脂或其衍生物、或者酚醛清漆树脂或其衍生物)的颗粒；或者包含无机材料(例如二氧化硅、氧化铝、氧化钛或氧化锆)的颗粒。散射颗粒可通过包含上述材料中的仅一种或者上述材料中的两种或更多种来形成。例如，作为散射颗粒，可以使用中空颗粒(例如中空二氧化硅)或具有核-壳结构的颗粒。发光层中散射颗粒的比例没有特别限制，可以例如考虑入射到发光层上的光的路径来以适当的比例进行选择。
散射颗粒可被包含在例如基体或乳剂区中。在一个实例中，散射颗粒可以仅被包含在基体和乳剂区的任一区中，但可以在另一区中不存在。在此，其中不存在散射颗粒的区域可意指作为基本上不含相应颗粒的区域，在该区域中散射颗粒的重量比为10％或更小、8％或更小、6％或更小、4％或更小、2％或更小、1％或更小、或者0.5％或更小的情况。在一个实例中，当发光纳米颗粒仅包含在基体和乳剂区的任一区中时，散射颗粒可仅存在于不含发光纳米颗粒的区域中。
相对于基体或乳剂区的总重量的100重量份，散射颗粒可以以例如10重量份至100重量份的比例包含在发光层中，并且在这样的比例内可以确保适当的散射特性。
此外，发光层还可包含所需量的添加剂，例如氧清除剂或自由基清除剂。
发光层的厚度没有特别限制，并且可考虑预期用途和光学特性来在适当的范围内进行选择。在一个实例中，发光层的厚度可为10μm至500μm、10μm至400μm、10μm至300μm、或10μm至200μm，但不限于此。
上述发光层可以例如通过使包含亲水性可聚合组合物和疏水性可聚合组合物的混合物的层聚合来产生。在此，作为亲水性可聚合组合物和疏水性可聚合组合物，例如，可以分别使用上述组合物，即包含亲水性可自由基聚合化合物或疏水性可自由基聚合化合物和引发剂的组合物。此外，该混合物可通过分别单独制备亲水性可聚合组合物和疏水性可聚合组合物然后将其混合，或者通过同时将构成亲水性可聚合组合物和疏水性可聚合组合物的组分混合来制备。当使这样的混合物聚合时，在聚合过程中发生相分离，并且可以形成上述发光层。形成包含该混合物的层的方法没有特别限制。例如，可以通过用已知的涂覆法将所得混合物涂覆在合适的基底上来形成该层。此外，使通过上述方法形成的层固化的方法没有特别限制，例如可通过施加适当范围的热量使得可以激活各组合物中包含的引发剂，或者施加电磁波(例如紫外线)的方法来进行。
发光层例如包含量子点作为发光纳米颗粒的发光层易受外部因素(例如水、水分和氧)的影响。因此，当发光层暴露于外部因素时，发光纳米颗粒的性能劣化。在其中在形成发光层的过程中施加切割或裁制处理的情况下，发光层的侧面充当外部因素(例如氧)的渗透路径。
因此，本申请的发光膜具有这样的结构，其包括存在于发光层的侧面上的阻挡膜。在此，阻挡膜可存在于发光层的所有侧面上。此外，阻挡膜还可存在于发光层的上部和/或下部上以及发光层的侧面上。在一个实例中，发光层可被阻挡膜密封整个表面。
在本申请中，术语阻挡膜可意指任何种类的这样的层，其表现出预期范围的水蒸汽透过率(WVTR)和/或氧透过率(OTR)。
例如，阻挡膜可意指在40℃的温度和90％的相对湿度下水蒸汽透过率为10g/m2/天或更小、8g/m2/天或更小、6g/m2/天或更小、4g/m2/天或更小、2g/m2/天或更小、1g/m2/天或更小、0.5g/m2/天或更小、0.3g/m2/天或更小、或者0.1g/m2/天或更小的层。水蒸汽透过率的值越低，意味着相应的层表现出越优异的阻隔特性，因此水蒸汽透过率的下限没有特别限制。在一个实例中，水蒸汽透过率的下限可为至少0.001g/m2/天、至少0.005g/m2/天、至少0.01g/m2/天、至少0.02g/m2/天、至少0.03g/m2/天、至少0.04g/m2/天、至少0.05g/m2/天、或至少0.06g/m2/天。水蒸汽透过率可以例如通过ISO 15106-3或ASTM F-1249标准来测量。
在另一方面，阻挡膜在25℃至30℃范围内的任一温度和70％至80％范围内的任一相对湿度下的氧透过率(OTR)可为1cc/m2/天或更小、0.8cc/m2/天或更小、0.6cc/m2/天或更小、0.4cc/m2/天或更小、0.2cc/m2/天或更小、0.1cc/m2/天或更小、0.05cc/m2/天或更小、0.03cc/m2/天或更小、或0.01cc/m2/天或更小。氧透过率的值越低，意味着相应的层表现出越优异的阻挡特性，因此氧透过率的下限没有特别限制。例如，氧透过率根据ASTM D-3985标准来测量。
在本申请中，阻挡膜可以通过使用已知能够阻挡外部因素特别是水分或氧等的已知材料来形成。例如，阻挡膜可包括金属、氧化物、氮化物、氮氧化物、氟化物、聚硅氮烷或氧吸收剂。
作为金属，可例举铝(Al)等；氧化物可包括金属氧化物，例如TiO2、Ti3O3、Al2O3、MgO、SiO、SiO2、GeO、NiO、CaO、BaO、Fe2O3、Y2O3、ZrO2、Nb2O3和CeO2；氮化物可包括金属氮化物，例如SiN；氮氧化物可包括金属氮氧化物，例如SiON；以及氟化物可包括金属氟化物，例如MgF2、LiF、AlF3和CaF2，但不限于此。阻挡膜可通过适当的方法(例如，沉积法或涂覆法)施加上述材料来形成。
此外，氧吸收剂的种类没有特别限制，并且可以没有限制地使用已知具有氧吸收功能的化合物。例如，作为氧吸收剂，可以使用通过不饱和碳的氧化反应表现出氧吸收功能的类型或通过光敏染料氧化表现出氧吸收功能的类型。这样的氧吸收剂可以例举亚硫酸盐/酯化合物、维生素E、维生素C、生育酚或含不饱和双键的化合物。在此，作为含不饱和双键的化合物，例如可以例举角鲨烯、脂肪酸化合物或聚丁二烯等，并且如果需要的话，这样的化合物可与适当量的过渡金属催化剂或紫外线增感剂(UV增感剂)等一起使用。因此，包含氧吸收剂的阻挡膜还可包含过渡金属催化剂和/或紫外线增感剂。
在一个实例中，阻挡膜可包括屏障膜和氧吸收剂。在这种情况下，氧吸收剂可被包含在屏障膜中或包含在与屏障膜层合的氧吸收膜中。
在阻挡膜包括屏障膜和氧吸收膜的情况下，其在发光膜中布置的顺序没有特别限制。然而，为了确保适当的性能，与屏障膜相比，氧吸收膜可以与发光层相邻形成。此外，阻挡膜可包括一个或更多个氧阻挡膜和一个或更多个屏障膜，例如阻挡膜还可以是在两个屏障膜之间存在一个氧吸收膜的结构。
在本申请中，术语屏障膜可意指例如表现出上述范围内的水蒸汽透过率(WVTR)的所有种类的层。此外，当屏障膜与氧吸收剂组合时，即使当屏障膜本身的水蒸汽透过率高至一定程度时，也可以表现出优异的阻隔性能。
本申请的屏障膜的种类没有特别限制，只要该膜表现出上述范围内的水蒸汽透过率即可。使用已知能够阻挡外部因素(例如水分)的材料形成的屏障膜是工业上广泛已知的，并且在本申请中，可以使用所有这样的已知屏障膜。
例如，屏障膜可包含能够表现出阻隔特性的材料(下文中的屏障材料)，例如金属、氧化物、氮化物、氮氧化物或氟化物。金属、氧化物、氮化物、氮氧化物或氟化物的具体类型如上所述。屏障膜可单独仅包含屏障材料，或可包含屏障材料和其他材料一起。在此，可以与屏障材料一起被包含在屏障膜中的材料可包括能够保持屏障材料的基体树脂。通常，屏障膜可以以在合适的基础膜上形成屏障材料的膜的方式来制造。在此，虽然通常通过例如气相沉积法形成屏障材料的膜，但是除了这样的气相沉积法之外，还可通过涂覆包含屏障材料和基体树脂的涂覆液的方法形成屏障膜。
作为用于具有上述结构的屏障膜的基础膜的实例，可以例举聚烯烃膜，例如聚乙烯膜或聚丙烯膜；环烯烃聚合物(COP)膜，例如聚降冰片烯膜；聚酯膜，例如PC(聚碳酸酯)膜或PET(聚(对苯二甲酸乙二醇酯))膜；基于纤维素酯的聚合物膜，例如聚氯乙烯膜、聚丙烯腈膜、聚砜膜、聚丙烯酸酯膜、聚乙烯醇或TAC(三乙酰纤维素)膜；或者来自形成上述聚合物的单体的两种或更多种单体的共聚物膜等，但不限于此。
如果屏障膜具有如上述的包括基础膜和存在于其表面上的屏障材料层的结构，则当在发光层的侧面、上部和/或下部上形成屏障膜时，屏障材料层可邻近发光层设置。
屏障材料的形状没有特别限制，可对其进行调整使得表现出适当的阻隔特性。例如，屏障材料可以是板如纳米粘土，但不限于此。此外，屏障膜可以使用可以通过合适的处理转化为氧化物的材料(例如聚硅氮烷)或板状材料(例如纳米粘土)来形成，并且在这种情况下，除了气相沉积法之外，还可以通过涂覆所述材料分散在合适基体树脂中的涂覆液来形成。
上述屏障膜的厚度没有特别限制，并且可以考虑期望的阻隔性能来进行调整。例如，屏障膜的厚度可为约100μm或更小、90μm或更小、80μm或更小、70μm或更小、60μm或更小、50μm或更小、40μm或更小、30μm或更小、20μm或更小、或者15μm或更小。屏障膜的厚度的下限没有特别限制，例如，厚度可为约5μm或更大。在此，例如，当通过包括保护涂层或其他层(例如基础膜)将屏障膜形成为多层结构时，屏障膜的厚度意指本身表现出阻隔特性的层的厚度(例如，金属、氧化物、氮化物、氮氧化物或聚硅氮烷的层)，以及不包括其他元件(例如保护涂层或诸如基础膜的层)的厚度的厚度。
阻挡膜可单独包括屏障膜，或可包括氧吸收剂和屏障膜一起。氧吸收剂可被包含在屏障膜中，或可以以单独的层的形式层合在屏障膜的一个表面上。在本申请中，包含氧吸收剂的层可被称为氧吸收膜。可用于本申请的氧吸收剂的具体类型如上所述。
为了将氧吸收剂并入到屏障膜的内部，可使用如下方法：通过在上述屏障材料的沉积过程中一起沉积氧吸收剂来形成屏障膜的方法；通过在存在氧吸收剂的表面上沉积屏障材料来形成屏障膜的方法；或通过一起将氧吸收剂分散在包含上述屏障材料的涂覆液中来形成屏障膜的方法。
当氧吸收剂被包含在氧吸收膜中时，氧吸收膜可使用通过将氧吸收剂分散在合适的树脂基体中而制备的涂覆液通过涂覆法来形成，或者可使用通过以成膜法(例如挤出)施加包含树脂基体和氧吸收剂的原材料来形成氧吸收膜，然后将氧吸收膜与屏障膜层合的方法，或者可使用通过诸如涂覆或挤出的方法在屏障膜上直接形成氧吸收膜的方法。
通过这样的方法形成的氧吸收膜还可包含源自树脂基体的树脂组分。可以包含在氧吸收膜中的树脂组分没有特别限制，例如可以使用能够有效地保持氧吸收剂并且能够保持光学透明性的组分。作为这样的树脂组分，可以使用聚酯、聚丙烯酸酯、聚烯烃、聚碳酸酯、聚酰亚胺等。
如果需要的话，氧吸收膜可以通过调整包含树脂组分和氧吸收剂的氧吸收膜中的各组分的折射率来表现出散射功能。例如，氧吸收膜中包含的氧吸收剂的折射率与树脂组分的折射率之差的绝对值可为约0.01或更大。由于在这样的范围内的折射率差值，氧吸收膜表现出适当的雾度，使得可以确保散射功能。在本申请中，除非另外说明，否则折射率可意指对波长为约550nm的光测量的折射率。
氧吸收膜或屏障膜中氧吸收剂的比例没有特别限制。可以考虑待使用的氧吸收剂的种类、氧吸收膜的厚度、与氧吸收剂一起被包含的其他组分的种类(例如树脂组分)等来调整氧吸收膜中的氧吸收剂的比例。
例如，可以调整氧吸收膜或屏障膜中的氧吸收剂的比例使得吸收膜或屏障膜可以表现出在上述范围内的氧透过率(OTR)。
例如，相对于100重量份树脂组分，在氧吸收膜中通常可以以2重量份至400重量份的比例包含氧吸收剂。比例是示例性的，其中可以考虑氧吸收剂的种类或期望的性能等来改变比例。
此外，这样的氧吸收膜的厚度没有特别限制，并且可根据氧吸收膜的材料进行调整使得能够表现出在上述范围内的氧透过率。
在一个实例中，阻挡膜对在400nm至760nm的范围内的任一波长或所有波长的反射率可为80％或更高、85％或更高、90％或更高、或者95％或更高。该值越高，反射率越合适，并且上限没有特别限制。例如，反射率可为100％或更低。通过控制阻挡膜的反射率，入射到发光膜内部的光可以在膜的内部适当地反射，从而提高发光膜的发光效率。
图1是一个示例性发光膜的截面图，示出了如下结构：其中阻挡膜(102)存在于发光层(101)的侧面上，并且阻挡膜还存在于发光层(101)的上部和下部上。存在于发光层(101)的上部和下部上的阻挡膜是包括屏障材料的层(1031)和基础膜(1032)的结构。
如果需要的话，可以调整上述结构中包括的各元件的折射率。通过如上所述控制折射率，入射到发光膜内部的光可以在膜的内部适当地反射，从而提高发光膜的发光效率。
发光膜可包括例如在发光层的上部上的反射层作为附加层。例如，当发光膜包括阻挡膜时，反射层可被包括在阻挡膜的上部上或包括在发光层与阻挡膜之间等。作为反射层，例如可以使用反射光的波长为420nm至490nm的反射层。在此，反射光的波长意指可以被反射层反射的光的波长。例如，当发光层包含适当量的上述绿色颗粒和红色颗粒时，发光层可配置成使得通过将至少一部分入射蓝光(即，波长范围为420nm至490nm的光)转换成绿光和红光而最终发出白光。此时，如果引入能够反射蓝光的反射层，则可以通过控制入射蓝光可以遇到绿色颗粒或红色颗粒的可能性来更有效地产生白光。
作为反射层，可以使用已知的层，只要其具有上述反射光的波长即可。作为这样的反射层，例如可以例举胆甾醇型液晶层或溶致液晶层等，但不限于此。
发光膜还可包括例如存在于反射层的上部上的光学各向异性层作为附加层。光学各向异性层可在调整发光膜中产生的光的颜色特性(例如色坐标等)方面起作用。
在一个实例中，光学各向异性层可对波长为550nm的光具有在100nm至350nm的范围内的面内延迟。在此，面内延迟是通过以下等式1计算出的值。
[等式1]
Rin＝d×(Nx-Ny)
在等式1中，Rin为面内延迟，d为光学各向异性层的厚度，Nx为光学各向异性层在慢轴方向上对波长为550nm的光的折射率，Ny为光学各向异性层在快轴方向上对波长为550nm的光的折射率。
光学各向异性层可具有半波长或四分之一波长相位延迟特性。在本说明书中，术语“n波长相位延迟特性”可以意指在至少部分波长范围内入射光可以相位延迟n倍的入射光波长的特性。例如，如果光学各向异性层具有半相位延迟特性，则对波长为550nm的光的面内延迟可为200nm至290nm或220nm至270nm，而如果光学各向异性层具有四分之一相位延迟特性，则对波长为550nm的光的面内延迟可为110nm至220nm或140nm至170nm。
光学各向异性层可为聚合物膜，例如拉伸聚合物膜或液晶膜。作为聚合物膜，例如，可以使用这样的膜，其中能够通过拉伸赋予光学各向异性的透光聚合物膜以适当的方式被拉伸。还可以使用非拉伸聚合物膜，只要其具有光学各向异性即可。作为聚合物膜的实例，可以例举聚烯烃膜，例如聚乙烯膜或聚丙烯膜；环烯烃聚合物(COP)膜，例如聚降冰片烯膜；基于纤维素酯的聚合物膜，例如聚氯乙烯膜、聚丙烯腈膜、聚砜膜、聚丙烯酸酯膜，聚乙烯醇膜或TAC(三乙酰纤维素)膜；或者来自形成聚合物的单体的两种或更多种单体的共聚物膜等，但不限于此。作为液晶膜，可以使用通过以合适的方式使被称为所谓的RM(反应性液晶基元(reactive mesogen))的反应性液晶化合物聚合而形成的膜。在本领域中已知有多种表现出这样的面内延迟的聚合物膜或液晶膜，并且在本申请中可以使用所有这些膜。
此外，发光膜还可包括偏振层。偏振层可存在于光学各向异性层的上部上。在这种情况下，由偏振层的光学吸收轴与光学各向异性层的光学轴(例如，慢轴)形成的角度可为约0度至90度。通过在这样的范围内设置光学各向异性层和偏振层，可以控制从发光膜发出的光的颜色特性。
作为偏振层，可以使用已知的材料而没有任何特别限制。偏振层可为能够从沿各个方向振动的入射光中提取沿一个方向振动的光的功能元件。作为这样的偏振层，例如，可以使用典型的偏振层如PVA(聚(乙烯醇))偏振层，或者可以使用偏振涂层如溶致液晶层(LLC层)或包含反应性液晶化合物和二色性染料的主-客液晶层等，但不限于此。
除了上述各种配置之外，发光膜还可包括其他配置。作为还可以包括在发光膜中的层，例如，可以例举可存在于光学各向异性层的上部上的增亮膜或多种光学膜(包括棱镜片等)，或者可存在于发光层的一个或两个表面上或侧面上的屏障膜等，但不限于此。
本申请还涉及一种照明装置。一种示例性照明装置可包括光源和发光膜。在一个实例中，照明装置中的光源和发光膜可设置成使得从光源照射的光可以进入发光膜中。在此，发光膜中包括的发光层可相对于CLC层更近地设置在照明装置中。如果从光源照射的光进入发光膜中，则入射光的一部分可原样发出而不被发光膜中的发光纳米颗粒吸收，另一部分可在被发光纳米颗粒吸收后作为具有其他波长的光发出。因此，从发光膜发出的光的颜色纯度或颜色可以通过控制从光源发出的光的波长和由发光纳米颗粒发出的光的波长来控制。此外，在本申请中，蓝光可以被发光层的上部上的CLC层反射成再次进入发光层中，使得可以进一步改善发光层的发光效率。
本申请的照明装置中包括的光源的类型没有特别限制，并且可以考虑预期光的类型来选择适当的类型。在一个实例中，光源是蓝色光源，例如可为能够发出420nm至490nm波长范围内的光的光源。
图2和图3为示例性示出如上所述包括光源和发光膜的照明装置的图。
如图2和图3所示，照明装置中的光源和发光膜可设置成使得从光源照射的光可以进入发光膜中。在图2中，光源(401)设置在发光膜(402)下方，使得从光源(401)沿向上方向照射的光可以进入发光膜(402)中。
图3为光源(401)设置在发光膜(402)的侧面的情况。尽管不是必需的，但是当如上所述，光源(401)设置在发光膜(402)的侧面时，还可包括其他装置，例如导光板(501)或反射板(502)以使来自光源(401)的光更有效地进入发光膜(402)中。
图2和图3所示的实例是本申请的照明装置的一个实例，此外，照明装置可具有多种已知的类型，并且为此，还可包括多种已知的配置。
本申请的照明装置可以用于各种应用。在本申请的照明装置可应用的典型应用中，有显示装置。例如，照明装置可以用作显示装置(例如LCD(液晶显示器))的BLU(背光单元)。
此外，照明装置可用于以下：显示装置(例如计算机、移动电话、智能电话、个人数字助理(PDA)、游戏装置、电子阅读装置或数码相机)的BLU(背光单元)，室内或室外照明，舞台照明，装饰照明，重点照明或博物馆照明等，此外，照明装置可用于园艺或生物等所需的特定波长照明，但是可以应用照明装置的应用不限于上文。
有益效果
本申请可以提供可以有效产生期望的光(例如白光)并且长时间稳定地保持其性能的发光膜及其用途。
附图说明
图1为一个示例性发光膜的截面图。
图2和图3为一个示例性照明装置的示意图。
图4至图9为实施例中制造的发光膜的照片。
图10和图11为比较例1中制备的发光膜的照片。
图12为示出实施例和比较例的发光膜的耐久性评估结果的图。
<符号说明>
101：发光层
102：阻挡膜
1031：屏障材料的层
1032：基础膜
401：光源
402：发光膜
501：导光板
502：反射板
具体实施方式
下文中，将通过实施例和比较例具体地描述本申请的发光膜等，但是发光膜等的范围不限于以下实施例。
1.反射率的测量
如下对阻挡膜的反射率进行评估。即，在通过与在基底(PET，聚(对苯二甲酸乙二醇酯))上施加阻挡膜的那些相同的方式以相同厚度沉积与形成阻挡膜的材料相同的材料之后，根据制造商手册使用测量设备(来自filmetrics的F10-RT)对其进行评估。
2.水蒸汽透过率和氧透过率的评估
通过ISO 15106-3或ASTM F-1249标准测量实施例中提到的水蒸汽透过率(WVTR)，根据ASTM D-3985标准测量氧透过率(OTR)。
3.耐久性的评估
通过在80℃的温度下在黑暗状态下将发光膜保留预定时间之后用光照射发光膜的一个表面并测量从其他表面发出的光的亮度变化率来评估实施例或比较例中制备的发光膜的耐久性。在此，亮度使用测量装置(光谱仪，SR-UL2，Topcon)进行评估。
制备例1.发光层(A)的制备
将PEGDA(聚(乙二醇)二丙烯酸酯，CAS No.：26570-48-9，溶解度参数(HSP)：约18(cal/cm3)1/2)、LA(丙烯酸月桂酯，CAS No.：2156-97-0，溶解度参数(HSP)：约8(cal/cm3)1/2)、双芴二丙烯酸酯(BD，CAS No.：161182-73-6，溶解度参数(HSP)：约9(cal/cm3)1/2)、绿色量子点(发光纳米颗粒)、表面活性剂(MX 80-H，由Soken制造)和SiO2纳米颗粒以9:1:1:0.2:0.05:0.05(PEGDA:LA:BD:绿色颗粒:表面活性剂:SiO2纳米颗粒)的重量比混合。随后，以约1重量％的浓度分别混合Irgacure 2959和Irgacure 907作为自由基引发剂，并搅拌约6小时以制备混合物A。除上述之外，将PEGDA(聚(乙二醇)二丙烯酸酯，CAS No.：26570-48-9，溶解度参数(HSP)：约18(cal/cm3)1/2)、LA(丙烯酸月桂酯，CAS No.：2156-97-0，溶解度参数(HSP)：约8(cal/cm3)1/2)、双芴二丙烯酸酯(BD，CAS No.：161182-73-6，溶解度参数(HSP)：约9(cal/cm3)1/2)、红色量子点(发光纳米颗粒)、表面活性剂(MX 80-H，由Soken制造)和SiO2纳米颗粒以9:1:1:0.02:0.05:0.05(PEGDA:LA:BD:红色颗粒:表面活性剂:SiO2纳米颗粒)的重量比混合。随后，以约1重量％的浓度分别混合Irgacure 2959和Irgacure 907作为自由基引发剂，并搅拌约6小时以制备混合物B。以相同的重量比配制混合物A和混合物B以制备涂覆液，并以约100μm的厚度将涂覆液设置在以预定间距间隔开的两片屏障膜(i-组分)之间，用紫外线进行照射以引发自由基聚合，并使其固化以形成发光层。图4和图5是针对实施例所确定的显微镜照片。从图中可以看出，发光层已经形成，其中存在发光纳米颗粒的乳剂区通过相分离分散并存在于基体中。
制备例2.发光层(B)的制备
将PEGDA(聚(乙二醇)二丙烯酸酯，CAS No.：26570-48-9，溶解度参数(HSP)：约18(cal/cm3)1/2)、LA(丙烯酸月桂酯，CAS No.：2156-97-0，溶解度参数(HSP)：约8(cal/cm3)1/2)、双芴二丙烯酸酯(BD，CAS No.：161182-73-6，溶解度参数(HSP)：约9(cal/cm3)1/2)、绿色量子点(发光纳米颗粒)、表面活性剂(MX 80-H，由Soken制造)和SiO2纳米颗粒以9:1:1:0.1:0.05:0.05(PEGDA:LA:BD:绿色颗粒:表面活性剂:SiO2纳米颗粒)的重量比混合。随后，以约1重量％的浓度分别混合Irgacure 2959和Irgacure 907作为自由基引发剂，并搅拌约6小时以制备混合物。以约100μm的厚度将混合物设置在以预定间距间隔开的两片屏障膜(i-组分)之间，用紫外线进行照射以引发自由基聚合，并使其固化以形成发光层。图6为通过上述方法形成的发光层的显微镜照片。从图中可以看出，发光层已经形成，其中存在发光纳米颗粒的乳剂区通过相分离分散并存在于基体中。
实施例1.
在制备例2中制备的发光膜(包括存在于两片屏障膜(i-组分)之间的发光层的发光膜)的侧面上气相沉积铝以形成阻挡膜。在约110℃的温度下进行沉积，并且将阻挡膜沉积到约200nm的厚度。作为测量由铝形成的阻挡膜的反射率的结果，发现在400nm至780nm的整个范围内反射率为约90％至92％。图7至图9为制备的发光膜的照片，并且图8和图9为放大显示侧面阻挡膜的照片。
比较例1.
以与实施例1相同的方式制备发光膜，不同之处在于阻挡膜不在侧面上形成。图10和图11为以上制备的发光膜的照片。
测试例1.
作为对实施例1和比较例1中制备的发光膜的耐久性进行评估的结果，确定了在比较例1的情况下，亮度随时间急剧降低，并且无法确保耐久性，但是在实施例1的情况下，在较长的时间内稳定地确保了亮度。
实施例2
阻挡膜的制备
作为氧吸收剂，使用共混有适当量的钴催化剂和其中以约4:1的重量比(聚丁二烯:聚乙烯)混合有聚丁二烯和聚乙烯的树脂组合物的组合物。通过挤出方法施加该组合物以形成厚度为约30μm的层来制备氧吸收膜。将该氧吸收膜与已知的屏障膜层合以制备阻挡膜。作为屏障膜，使用这样类型的屏障膜(水蒸汽透过率(WVTR)：约0.08g/m2/天(40℃的温度和90％的相对湿度)，氧透过率(OTR)：约0.3cc/m2/天(30℃的温度和70％的相对湿度))(屏障膜A)：在PET(聚(对苯二甲酸乙二醇酯))膜(厚度：约12μm)的一个表面上形成厚度为约100nm的Al2O3沉积层和厚度为约1μm的保护涂层。通过在屏障膜A的一个表面上层合制备的氧吸收膜制备来阻挡膜。
发光膜的制备
通过以与实施例1相同的方式在制备例2中制备的发光层的侧面上形成阻挡膜，并再在上部和下部上层合制备的阻挡膜使得氧吸收膜相对于屏障膜邻近发光层来制备发光膜。
实施例3
以与实施例2相同的方式制备发光膜，不同之处在于通过使用这样类型的屏障膜(水蒸汽透过率(WVTR)：约0.08g/m2/天(40℃的温度和90％的相对湿度)，氧透过率(OTR)：约0.1cc/m2/天(25℃的温度和80％的相对湿度))(屏障膜B)：在PET(聚(对苯二甲酸乙二醇酯))膜(厚度：约12μm)的一个表面上形成厚度为约100nm的SiOx沉积层和厚度为约1μm的保护涂层，并将实施例2中制备的氧吸收膜与屏障膜B层合来制备阻挡膜。
比较例2
以与实施例2相同的方式制备发光膜，不同之处在于仅在发光层的上部和下部上层合实施例2的阻挡膜A而不在侧面上形成阻挡膜。
比较例3
以与实施例2相同的方式制备发光膜，不同之处在于仅在发光层的上部和下部上层合实施例3的阻挡膜B而不在侧面上形成阻挡膜。
比较例4
以与比较例2相同的方式制备发光膜，不同之处在于仅使用这样类型的屏障膜(水蒸汽透过率(WVTR)：约0.021g/m2/天(38℃的温度和90％的相对湿度)，氧透过率(OTR)：约0.061cc/m2/天(23℃的温度和0％的相对湿度))(屏障膜C)：在PET(聚(对苯二甲酸乙二醇酯))膜(厚度：约125μm)的一个表面上形成厚度为约100nm的SiOx沉积层和厚度为约1μm的保护涂层。
比较例5
以与比较例2相同的方式制备发光膜，不同之处在于仅使用这样类型的屏障膜(水蒸汽透过率(WVTR)：约0.019g/m2/天至0.036g/m2/天(38℃的温度和90％的相对湿度)，氧透过率(OTR)：约0.042cc/m2/天(23℃的温度和0％的相对湿度))(屏障膜D)：在PET(聚(对苯二甲酸乙二醇酯))膜(厚度：约50μm)的一个表面上形成厚度为约100nm的SiOx和ZnO的混合沉积层和厚度为约1μm的保护涂层。
比较例6
以与比较例2相同的方式制备发光膜，不同之处在于使用通过在没有阻隔特性的PET(聚(对苯二甲酸乙二醇酯))膜的一个表面上层合实施例2中制备的氧吸收层而制备的阻挡膜。
测试例2
图12中描述了通过上述方式测量的评估实施例和比较例中制备的发光膜的耐久性的结果。看图，在比较例2至5(其中仅施加屏障膜而没有施加侧面阻挡膜)的情况下，虽然屏障膜的水蒸汽透过率较低，表现出优异的耐久性，但是甚至在任何情况下都无法确保令人满意的耐久性，而在仅施加氧吸收膜的比较例6的情况下，也没有显示出优异的耐久性。在实施例2和3(其中在侧面上施加并形成组合有与比较例4和5的屏障膜相比具有高水蒸汽透过率的屏障膜和氧吸收膜的阻挡膜)的情况中，反而在较长的时间内表现出稳定的耐久性。

Claims (16)

1.一种发光膜，包括包含发光纳米颗粒的发光层；和存在于所述发光层的侧面上的阻挡膜。
2.根据权利要求1所述的发光膜，还包括位于所述发光层的上表面或下表面上的阻挡膜。
3.根据权利要求1所述的发光膜，其中所述阻挡膜包含金属、氧化物、氮化物、氮氧化物、氟化物、聚硅氮烷、或氧吸收剂。
4.根据权利要求1所述的发光膜，其中所述阻挡膜包含Al、TiO2、Ti3O3、Al2O3、MgO、SiO、SiO2、GeO、NiO、CaO、BaO、Fe2O3、Y2O3、ZrO2、Nb2O3、CeO2、SiN、SiON、MgF2、LiF、AlF3或CaF2。
5.根据权利要求3所述的发光膜，其中所述氧吸收剂是亚硫酸盐/酯化合物、维生素E、维生素C、生育酚或含不饱和双键的化合物。
6.根据权利要求5所述的发光膜，其中所述含不饱和双键的化合物是角鲨烯、脂肪酸化合物或聚丁二烯。
7.根据权利要求3所述的发光膜，其中包含所述氧吸收剂的所述阻挡膜还包含过渡金属催化剂或紫外线增感剂。
8.根据权利要求1所述的发光膜，其中所述阻挡膜包括屏障膜和氧吸收剂。
9.根据权利要求8所述的发光膜，其中所述氧吸收剂包含在所述屏障膜的内部或者包含在氧吸收膜中，所述氧吸收膜与所述屏障膜一起包括在所述阻挡膜中。
10.根据权利要求1所述的发光膜，其中所述阻挡膜对在400nm至760nm的范围内的任一波长的反射率为80％或更大。
11.根据权利要求1所述的发光膜，其中所述发光层包括连续相基体和分散在所述基体中的乳剂区。
12.根据权利要求11所述的发光膜，其中所述发光纳米颗粒包含在所述乳剂区中。
13.根据权利要求12所述的发光膜，其中包含在所述乳剂区中的所述发光纳米颗粒的比例是包含在所述发光层中的全部发光纳米颗粒的90重量％或更大。
14.根据权利要求1所述的发光膜，其中所述发光纳米颗粒是量子点。
15.一种照明装置，包括光源和根据权利要求1所述的发光膜，其中所述光源和所述发光膜被设置成使得来自所述光源的光能够进入所述发光膜中。
16.一种显示装置，包括根据权利要求15所述的照明装置。
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN108865112A (zh) * 2018-07-20 2018-11-23 纳晶科技股份有限公司 量子点复合材料、其制备方法及含有其的发光器件
CN109804041A (zh) * 2016-09-12 2019-05-24 纳米技术有限公司 用于半导体纳米颗粒的气体阻挡涂层

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6658808B2 (ja) * 2017-12-25 2020-03-04 日亜化学工業株式会社 発光装置および発光装置の製造方法
WO2019171503A1 (ja) * 2018-03-07 2019-09-12 シャープ株式会社 発光デバイス、発光デバイスの製造方法、発光デバイスの製造装置
JP2020087907A (ja) * 2018-11-21 2020-06-04 信越化学工業株式会社 異方性フィルムの製造方法
US20220235266A1 (en) * 2019-05-23 2022-07-28 Sony Group Corporation Light emitting element with emissive semiconductor nanocrystal materials and projector light source based on these materials

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005270959A (ja) * 2003-12-26 2005-10-06 Mitsubishi Gas Chem Co Inc 酸素吸収剤成形体及び有機ｅｌ素子
CN102047464A (zh) * 2008-05-29 2011-05-04 全球Oled科技有限责任公司 提高光输出的led器件结构
KR20120113564A (ko) * 2011-04-05 2012-10-15 엘지이노텍 주식회사 광학 시트 및 이를 포함하는 표시장치
KR20140114163A (ko) * 2013-03-18 2014-09-26 고려대학교 산학협력단 무기 코팅층 및 고분자 코팅층을 포함하는 색변환 필름 및 이의 제조방법

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
AU726277B2 (en) * 1996-03-07 2000-11-02 Cryovac, Inc. Functional barrier in oxygen scavenging film
KR20110038191A (ko) 2009-10-07 2011-04-14 엘지디스플레이 주식회사 엘이디 백라이트 유닛 및 이를 이용한 액정표시장치
KR20110048397A (ko) 2009-11-02 2011-05-11 엘지이노텍 주식회사 발광다이오드패키지 및 이를 이용한 백라이트유닛
KR101710212B1 (ko) 2010-12-28 2017-02-24 엘지전자 주식회사 광소자 및 이를 이용한 발광 다이오드 패키지, 백라이트 장치
KR101546937B1 (ko) 2012-04-04 2015-08-25 삼성전자 주식회사 백라이트 유닛용 필름 및 이를 포함하는 백라이트 유닛과 액정 디스플레이 장치
KR101687621B1 (ko) 2013-01-02 2016-12-19 엘지전자 주식회사 형광체 필름 및 그 제조방법
US9804316B2 (en) * 2013-12-20 2017-10-31 Apple Inc. Display having backlight with narrowband collimated light sources
KR101470521B1 (ko) * 2014-01-08 2014-12-08 성균관대학교산학협력단 사이클로트론 장치
CN106536676B (zh) * 2014-08-14 2019-08-16 株式会社Lg化学 发光膜

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005270959A (ja) * 2003-12-26 2005-10-06 Mitsubishi Gas Chem Co Inc 酸素吸収剤成形体及び有機ｅｌ素子
CN102047464A (zh) * 2008-05-29 2011-05-04 全球Oled科技有限责任公司 提高光输出的led器件结构
KR20120113564A (ko) * 2011-04-05 2012-10-15 엘지이노텍 주식회사 광학 시트 및 이를 포함하는 표시장치
KR20140114163A (ko) * 2013-03-18 2014-09-26 고려대학교 산학협력단 무기 코팅층 및 고분자 코팅층을 포함하는 색변환 필름 및 이의 제조방법

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN109804041A (zh) * 2016-09-12 2019-05-24 纳米技术有限公司 用于半导体纳米颗粒的气体阻挡涂层
CN108865112A (zh) * 2018-07-20 2018-11-23 纳晶科技股份有限公司 量子点复合材料、其制备方法及含有其的发光器件
CN108865112B (zh) * 2018-07-20 2021-07-20 纳晶科技股份有限公司 量子点复合材料、其制备方法及含有其的发光器件

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