CN107591376B - 嵌入功率模块 - Google Patents
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Abstract
本发明涉及一种嵌入功率模块,所述嵌入功率模块包括基板、第一半导体裸片和第二半导体裸片、第一栅极和第二栅极,以及第一通孔和第二通孔。所述第一半导体裸片嵌埋在所述基板中,并且隔置在所述基板的相对的第一表面与第二表面之间。所述第二半导体裸片嵌埋在所述基板中,隔置在所述第一表面与所述第二表面之间,并且与所述第一半导体裸片间隔开来。所述第一栅极位于所述第一表面上。所述第二栅极位于所述第二表面上。所述第一通孔电接合到所述第一栅极和所述第二半导体裸片,并且所述第二通孔电接合到所述第二栅极和所述第一半导体裸片。
Description
发明背景
本公开涉及一种嵌入功率模块,并且更具体地涉及一种运输系统的嵌入功率模块。
典型功率模块设计(诸如运输系统中使用的那些(例如,电梯、自动扶梯等等))包括硅绝缘栅极双极型晶体管(IGBT)和二极管。半导体器件可附接到陶瓷基板和接合的导线,以便形成必要的电连接。然后,可以将组件放在塑料外壳中,塑料外壳通过螺钉端子或压配合销来连接到用户设计应用。
发明概要
一种根据本公开的一个非限制性实施方案的嵌入功率模块包括:基板,所述基板包括相对的第一表面和第二表面;第一半导体裸片,所述第一半导体裸片嵌埋在所述基板中,并且隔置在所述第一表面与所述第二表面之间;第二半导体裸片,所述第二半导体裸片嵌埋在所述基板中,隔置在所述第一表面与所述第二表面之间,并且与所述第一半导体裸片间隔开来;第一栅极,所述第一栅极位于所述第一表面上;第二栅极,所述第二栅极位于所述第二表面上;第一通孔,所述第一通孔电接合到所述第一栅极和所述第二半导体裸片;以及第二通孔,所述第二通孔电接合到所述第二栅极和所述第一半导体裸片。
除了上述实施方案之外,第一导体焊盘位于所述第二表面上,并且与所述第二栅极间隔开来;至少一个第三通孔电接合到所述第一半导体裸片和所述第一导体焊盘;并且至少一个第四通孔电接合到所述第二半导体裸片和所述第一导体焊盘。
作为上述实施方案替代或除了上述实施方案之外,在上述实施方案中,所述嵌入功率模块包括:第二导体焊盘位于所述第一表面上;第三导体焊盘位于所述第一表面上,并且与所述第一导体焊盘间隔开来;至少一个第五通孔电接合到所述第一半导体裸片和所述第二导体焊盘;并且至少一个第六通孔电接合到所述第二半导体裸片和所述第三导体焊盘。
作为上述实施方案替代或除了上述实施方案之外,在上述实施方案中,所述第一导体焊盘是相导体焊盘,所述第二导体焊盘是直流(DC)正焊盘,并且所述第三导体焊盘是DC负焊盘。
作为上述实施方案替代或除了上述实施方案之外,在上述实施方案中,所述嵌入功率模块包括:电容器,所述电容器电连接在所述第二导体焊盘与所述第三导体焊盘之间。
作为上述实施方案替代或除了上述实施方案之外,在上述实施方案中,所述第一半导体裸片和所述第二半导体裸片是半导体器件。
作为上述实施方案替代或除了上述实施方案之外,在上述实施方案中,所述第一导体焊盘、所述第二导体焊盘和所述第三导体焊盘是集电极/发射极焊盘。
作为上述实施方案替代或除了上述实施方案之外,在上述实施方案中,所述第一导体焊盘、所述第二导体焊盘和所述第三导体焊盘中的至少一个被配置为提供电屏蔽和基板冷却中的至少一个。
作为上述实施方案替代或除了上述实施方案之外,在上述实施方案中,所述第一导体焊盘、所述第二导体焊盘和所述第三导体焊盘中的至少一个是铜迹线。
作为上述实施方案替代或除了上述实施方案之外,在上述实施方案中,所述嵌入功率模块包括至少一个隔离迹线,所述至少一个隔离迹线位于所述第一表面和所述第二表面中的至少一个上,用于进行屏蔽。
作为上述实施方案替代或除了上述实施方案之外,在上述实施方案中,所述第一通孔、所述第二通孔、所述第三通孔、所述第四通孔、所述第五通孔和所述第六通孔是印刷电路板(PCB)通孔。
作为上述实施方案替代或除了上述实施方案之外,在上述实施方案中,所述至少一个第三通孔是两个通孔,所述至少一个第四通孔是三个通孔,所述至少一个第五通孔是三个通孔,并且所述至少一个第六通孔是两个通孔。
作为上述实施方案替代或除了上述实施方案之外,在上述实施方案中,所述基板是非导电的。
作为上述实施方案替代或除了上述实施方案之外,在上述实施方案中,所述基板是陶瓷。
作为上述实施方案替代或除了上述实施方案之外,在上述实施方案中,所述电机、所述第二导体焊盘和第三导体焊盘连接到相应交流(AC)焊盘。
作为上述实施方案替代或除了上述实施方案之外,在上述实施方案中,所述嵌入功率模块选自由以下项组成的组:电池充电器、运输系统、推进系统、压缩机驱动器、泵驱动器和风扇驱动器。
一种呈一定结构的并根据另一非限制性实施方案的运输系统包括:轿厢,所述轿厢被构造和布置为沿着大体上至少部分地由所述结构限定的行道移动;以及多个电机模块,所述多个电机模块沿着所述行道分布,并且被构造和布置为推进所述轿厢,所述多个电机模块中的每个电机模块包括嵌入功率模块。
作为上述实施方案替代或除了上述实施方案之外,在上述实施方案中,所述嵌入功率模块包括:基板,所述基板具有相对的第一表面和第二表面;第一半导体器件,所述第一半导体器件嵌埋在所述基板中,并且隔置在所述第一表面与所述第二表面之间;第二半导体器件,所述第二半导体器件嵌埋在所述基板中,隔置在所述第一表面与所述第二表面之间,并且与所述第一半导体器件间隔开来;第一栅极,所述第一栅极位于所述第一表面上;第二栅极,所述第二栅极位于所述第二表面上;第一通孔,所述第一通孔电接合到所述第一栅极和所述第二半导体器件;以及第二通孔,所述第二通孔电接合到所述第二栅极和所述第一半导体器件。
作为上述实施方案替代或除了上述实施方案之外,在上述实施方案中,所述嵌入功率模块包括:第一集电极/发射极焊盘,所述第一集电极/发射极焊盘位于所述第二表面上,并且与所述第二栅极间隔开来;至少一个第三通孔,所述至少一个第三通孔电接合到所述第一半导体器件和所述第一集电极/发射极焊盘;以及至少一个第四通孔,所述至少一个第四通孔电接合到所述第二半导体器件和所述第一集电极/发射极焊盘。
作为上述实施方案替代或除了上述实施方案之外,在上述实施方案中,所述嵌入功率模块包括:第二集电极/发射极焊盘,所述第二集电极/发射极焊盘位于所述第一表面上;第三集电极/发射极焊盘,所述第三集电极/发射极焊盘位于所述第一表面上,并且与所述第一集电极/发射极焊盘间隔开来;至少一个第五通孔,所述至少一个第五通孔电接合到所述第一半导体器件和所述第二集电极/发射极焊盘;以及至少一个第六通孔,所述至少一个第六通孔电接合到所述第二半导体器件和所述第三集电极/发射极焊盘。
除非另外明确指出,否则上述特征和要素可以各种组合而不排他地进行组合。这些特征和要素以及它们的操作将从以下描述和附图变得更为清楚。然而,应当理解,以下描述和附图旨在本质上是说明性和解释性的,而非限制性的。
附图简述
从以下对所公开的非限制性实施方案的详细描述中,各种特征将对本领域的技术人员显而易见。伴随于详细描述的附图可简洁地描述如下:
图1描绘了运输系统作为利用本公开的嵌入功率模块的示例性实施方案的一个非限制性实施方案;
图2是运输系统的轿厢、以及推进系统的部分的自顶向下视图;
图3是推进系统的示意图;
图4是运输系统的嵌入功率模块的剖面;以及
图5是嵌入功率模块的分解透视图。
详细描述
图1描绘了自推进或无绳电梯系统作为运输系统20的一个非限制性实例。运输系统20是嵌入功率模块21在本公开的实施方案中的应用的一个非限制性实例。无绳电梯系统20可以用于具有多个层级或楼层24的结构或建筑物22。电梯系统20包括由结构22承载的边界限定的井道26,以及适于在井道26中行进的至少一个轿厢28。井道26可以包括例如三个行道30、32、34,其中任何数量轿厢28在任何一个行道中并且在任何数量行进方向(例如,向上和向下)上行进。例如并且如图所示,行道30、34中的轿厢28可以在向上方向上行进,并且行道32中的轿厢28可以在向下方向上行进。还设想和理解的是,其它运输系统20可以包括自动扶梯、单轨装置和在其它数量方向上行进的系统。
关于建筑物22中的电梯系统20的实例,在顶层24上方可以是上传送站36,上传送站促成电梯轿厢28的水平运动,以便使轿厢在行道30、32、34之间移动。在一层24下方可以是下传送站38,下传送站促成电梯轿厢28的水平运动,以便使轿厢在行道30、32、34之间移动。应当理解,上传送站36和下传送站38可以分别位于顶层和一层24,而非在顶层和一层的上方和下方,或者可以位于任何中间楼层。而且,电梯系统20可以包括一个或多个中间传送站(未示出),这些中间传送站垂直位于上传送站36和下传送站38之间并类似于上传送站和下传送站的。
参考图1和图2,使用推进系统40(诸如线性推进系统)推进轿厢28。推进系统40可以包括可大体上定位在电梯轿厢28的相对侧上的两个线性、磁性推进电机42,以及控制系统44(参见图3)。每个电机42可以包括通常安装到建筑物22的固定主要部分46和安装到电梯轿厢28的移动辅助部分48。更具体地,主要部分46可以位于行道30、32、34内,在建筑物22的大体上不与电梯厢门相关联的壁或侧上。
每个主要部分46包括多个绕组或线圈50(即,相绕组),这些绕组或线圈通常形成沿着每个行道30、32、34纵向延伸并横向伸入每个行道中的行。每个辅助部分48可以包括安装到每个轿厢28的两行相对永久磁体52A、52B。主要部分46的多个线圈50通常位于相对两行永磁体52A、52B之间并其与之间隔开来。应设想和理解,可以将任何数量辅助部分48安装到轿厢28,并且任何数量主要部分46可以任何数量配置与辅助部分48相关联。还应理解,每个行道可以与仅仅一个线性推进电机42、或者三个或更多个电机42相关联。而且,主要部分46和辅助部分48可以互换。
辅助部分48与主要部分46可操作地接合以支撑和驱动行道30、32、34内的电梯轿厢28。主要部分46被供应有来自控制系统44的一个或多个驱动器54的驱动信号,以便控制电梯轿厢28在它们相应行道中移动通过线性、永磁电机系统40。辅助部分48与主要部分46可操作地连接,并且与主要部分进行电磁操作,以便将由信号和电力驱动。被驱动的辅助部分48使得电梯轿厢28能够沿着主要部分46移动,并且因此在行道30、32、34内移动。
主要部分46可由多个电机段或模块56形成,其中每个模块与控制系统44的驱动器54相关联。虽然并未示出,但是中心行道30(参见图1)还包括了主要部分46的在行道30内的每个模块56的驱动器。本领域的普通技术人员将会了解,虽然为主要部分46的每个电机模块56提供了驱动器54(一对一地),但是在不背离本公开的范围的情况下,可以使用其它配置。
参考图2和图3,示出了包括在行道30中行进的电梯轿厢28的电梯系统20的视图。电梯轿厢28由沿着行道30的长度延伸的一个或多个导轨58导向,其中导轨58可固定到也可支撑主要部分46的线圈52A、52B的结构构件60。主要部分46可安装到导轨58,并入导轨58,或者可与结构构件60上的导轨54分开定位(如图所示)。主要部分46用作永磁同步线性电机的定子以对电梯轿厢28施加力。电机模块56的线圈50(示出和标识为56a、56b、56c和56d的四个线圈)可布置成三相,如电机领域已知的。一个或多个主要部分46可以安装在行道30中,以便与安装到电梯轿厢28的永久磁体52A、52B共同作用。
电机模块56a、56b、56c、56d中的每者可以具有控制系统40的相对应或相关联的驱动器54a、54b、54c、54d。系统控制器62经由相应的驱动器54a、54b、54c、54d向电机模块56a、56b、56c、56d提供了驱动信号,用于控制电梯轿厢28运动。系统控制器62可使用微处理器来实现,微处理器执行存储在存储介质上的计算机程序进行本文中描述的操作。或者,系统控制器62可以硬件(例如,专用集成电路和现场可编程门阵列)或硬件/软件的组合来实现。系统控制器62可以包括功率电路(例如,逆变器或驱动器),用于为线性电机42的主要部分46供电。虽然描绘的是单个系统控制器62,但是本领域的普通技术人员将会理解,可以使用多个系统控制器。例如,可提供单个系统控制器用于跨相对短的距离控制一组电机模块操作,并且在一些实施方案中,可以为每个驱动器或驱动器组提供了单个系统控制器,其中系统控制器彼此通信。
为了驱动电梯轿厢28,一个或多个电机模块56a、56b、56c、56d可以被配置为在任何给定的时间点上重叠固定到电梯轿厢28的辅助部分48。例如并且如图3所示,电机模块56d部分地重叠辅助部分48(例如,模块的约33%重叠),电机模块56c完全地重叠辅助部分48(模块的100%重叠),并且电机模块56d部分地重叠辅助部分48(例如,模块的约66%重叠)。电机模块56a与辅助部分48之间未描绘出重叠。在一些实施方案中,控制系统44(即,系统控制器62和机载控制器64)可操作以将电流施加到与辅助部分48重叠的电机模块56b、56c、56d中的至少一者。在基于轿厢28中的负载传感器70经由收发器66接收来自机载控制器64的数据时,系统控制器62可以控制驱动器54a、54b、54c、54d中的一个或多个上的电流。电流可通过注入恒定电流而引起作用于电梯轿厢28的向上推力(参见箭头74),从而在行道30内推进电梯轿厢28。由推进系统40产生的推力部分地取决于主要部分46与辅助部分48之间的重叠的量。当主要部分46和辅助部分48存在最大重叠时,获得峰值推力。
参考图4,每个驱动器54可以包括至少一个嵌入功率模块21,所述至少一个嵌入功率模块可以进入电机模块56,并且被配置为从来源向电机模块56提供电力。嵌入功率模块21可以包括:基板78;第一栅极80和第二栅极82;第一半导体裸片84和第二半导体裸片86;第一导体焊盘、第二导体焊盘和第三导体焊盘88、90、92;以及第一通孔94、第二通孔96、第三通孔98、第四通孔100、第五通孔102和第六通孔104。基板78可以包括第一表面106和第二表面108,第二表面可基本上面向与第一表面相反的方向。基板78可由非导电材料(例如,陶瓷)制成。应设想和理解,可以将替代实施方案中的嵌入功率模块21并入与电机模块56相关联的其它电机结构中。
第一栅极80和第二栅极82促成半导体裸片84、86的“接通”或“断开”,其中第一栅极80安装或粘附到基板78的第一表面106,并且第二栅极82安装或粘附到第二表面108。第一半导体裸片84和第二半导体裸片86可以是半导体器件。更具体地,第一裸片84和第二裸片86可以是硅绝缘栅极双极型晶体管(IGBT)或金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET),被配置为促成输出电流并连接到负载。第一半导体裸片84和第二半导体裸片86两者通常嵌埋(即,悬置)在基板78内,彼此间隔开来,并且与相对表面106、108间隔开来。还设想和理解的是,任一裸片84、86可以是二极管;然而,这是不存在栅极连接的实例。
第一导体焊盘88、第二导体焊盘90和第三导体焊盘92可以是用于IGBT的实例的集电极/发射极焊盘,并且可以是用于MOSFET的实例的漏极/源极焊盘。第一导体焊盘88可以是促成输出电流并连接到负载的相焊盘,并且安装或粘附到基板78的第二表面108。第二导体焊盘90可以是直流(DC)正焊盘,并且安装或粘附到基板78的第一表面106。两个导体焊盘88、90促成通向功率模块21的DC链路的连接。第三导体焊盘92可以是DC负焊盘,并且安装或粘附到第一表面106,而且与第二导体焊盘90间隔开来。导体焊盘88、90、92可以是铜迹线和/或可设定大小为还用作电屏蔽和/或热冷却焊盘以耗散热量。应设想和理解,第二导体焊盘90和第三导体焊盘92可以被配置为连接到各种驱动单元、电机等等的相应交流(AC)焊盘。
通孔94、96、98、100、102、104通常可以是印刷电路板(PCB)通孔,并且促成部件之间的电连接并至少部分地穿过基板78。第一通孔94可以将第一栅极80电连接到第二半导体裸片86。第二通孔96可以将第二栅极82电连接到第一半导体裸片84。第三通孔98(即,所示出的两个)可以各自将第一导体焊盘88电连接到第一半导体裸片84。第四通孔100(即,所示出的三个)可以各自将第一导体焊盘88电连接到第二半导体裸片86。第五通孔102(即,所示出的三个)可以各自将第二导体焊盘90电连接到第一半导体裸片84。第六通孔104(即,所示出的两个)可以各自将第三导体焊盘92电连接到第二半导体裸片86。
嵌入功率模块21还可包括用作DC存储元件的电容器110。电容器110可以提供在裸片84、86的切换期间所需的能量,还有功率模块56在负载瞬变期间所需的能量。电容器110可以电连接到第二导体焊盘90和第三导体焊盘92,并且可不嵌埋在基板78中。除了导体焊盘88、90、92之外,嵌入功率模块21可以包括固定到基板78的表面106、108中的一者或两者的一个或多个电隔离焊盘112(即,不连接到通孔),用于电屏蔽目的。
还设想和理解,嵌入功率模块21可以用于各种功率电子转换器。嵌入功率模块21还可以是用于各种运输系统的驱动器,例如,如用于汽车、火车等等的推进系统中,而不限于电梯。另外,嵌入功率模块21可以用于被配置为驱动压缩机、泵、风扇等等的驱动器。嵌入功率模块21的另外非限制性实例包括电源、电池充电器、功率调节系统等等。
本公开的优点和益处包括可在一个步骤中集成电路的功率级和控制级的嵌入功率模块,以及具有器件的在相脚中的新颖定向以最小化回路电感来提高切换速度和减少损耗的模块。此外,本定向实现了栅极驱动器电路与器件的更接近的间距以便改进切换,并且使得能够使用金属焊盘增强冷却。其它优点可以包括通过最小化或消除焊料和/或引线接合、减少制造成本和改进封装和稳健性来提高可靠性。
虽然已参考示例性实施方案描述本公开,但是本领域的技术人员应当理解,在不背离本发明的精神和范围的情况下,可以做出各种改变,并且可以用等效物取代。另外,在不背离本公开的基本范围的情况下,可以施加各种修改以使本公开的教示适于特定状况、应用和材料。因此,本公开不限于本文所公开的特定实例,但是包括落在随附权利要求范围内的所有实施方案。
Claims (17)
1.一种嵌入功率模块,所述嵌入功率模块包括:
基板,所述基板包括相对的第一表面和第二表面;
第一半导体裸片,所述第一半导体裸片嵌埋在所述基板中,并且在所述第一表面与所述第二表面之间间隔;
第二半导体裸片,所述第二半导体裸片嵌埋在所述基板中,在所述第一表面与所述第二表面之间间隔,并且与所述第一半导体裸片间隔;
第一栅极,所述第一栅极位于所述第一表面上;
第二栅极,所述第二栅极位于所述第二表面上;
第一通孔,所述第一通孔电接合到所述第一栅极和所述第二半导体裸片;以及
第二通孔,所述第二通孔电接合到所述第二栅极和所述第一半导体裸片;
第一导体焊盘,所述第一导体焊盘位于所述第二表面上,并且与所述第二栅极间隔;
至少一个第三通孔,所述至少一个第三通孔电接合到所述第一半导体裸片和所述第一导体焊盘;以及
至少一个第四通孔,所述至少一个第四通孔电接合到所述第二半导体裸片和所述第一导体焊盘;
第二导体焊盘,所述第二导体焊盘位于所述第一表面上;
第三导体焊盘,所述第三导体焊盘位于所述第一表面上,并且与所述第一导体焊盘间隔;
至少一个第五通孔,所述至少一个第五通孔电接合到所述第一半导体裸片和所述第二导体焊盘;以及
至少一个第六通孔,所述至少一个第六通孔电接合到所述第二半导体裸片和所述第三导体焊盘;
其中所述第一导体焊盘是相导体焊盘,所述第二导体焊盘是DC正焊盘,并且所述第三导体焊盘是DC负焊盘。
2.如权利要求1所述的嵌入功率模块,还包括:
电容器,所述电容器电连接在所述第二导体焊盘与所述第三导体焊盘之间。
3.如权利要求1所述的嵌入功率模块,其中所述第一半导体裸片和所述第二半导体裸片是半导体器件。
4.如权利要求1所述的嵌入功率模块,其中所述第一导体焊盘、所述第二导体焊盘和所述第三导体焊盘是集电极或发射极焊盘。
5.如权利要求4所述的嵌入功率模块,其中所述第一导体焊盘、所述第二导体焊盘和所述第三导体焊盘中的至少一个被配置为提供电屏蔽和基板冷却中的至少一个。
6.如权利要求5所述的嵌入功率模块,其中所述第一导体焊盘、所述第二导体焊盘和所述第三导体焊盘中的至少一个是铜迹线。
7.如权利要求1所述的嵌入功率模块,还包括:
至少一个隔离迹线,所述至少一个隔离迹线位于所述第一表面和所述第二表面中的至少一个上,用于进行屏蔽。
8.如权利要求1所述的嵌入功率模块,其中所述第一通孔、所述第二通孔、所述第三通孔、所述第四通孔、所述第五通孔和所述第六通孔是印刷电路板(PCB)通孔。
9.如权利要求1所述的嵌入功率模块,其中所述至少一个第三通孔是两个通孔,所述至少一个第四通孔是三个通孔,所述至少一个第五通孔是三个通孔,并且所述至少一个第六通孔是两个通孔。
10.如权利要求1所述的嵌入功率模块,其中所述基板是非导电的。
11.如权利要求10所述的嵌入功率模块,其中所述基板是陶瓷的。
12.如权利要求1所述的嵌入功率模块,其中所述第二导体焊盘和所述第三导体焊盘连接到相应交流(AC)焊盘。
13.如权利要求1所述的嵌入功率模块,其中所述嵌入功率模块选自由以下项组成的组:电池充电器、运输系统、推进系统、压缩机驱动器、泵驱动器和风扇驱动器。
14.一种呈一定结构的运输系统,所述运输系统包括:
轿厢,所述轿厢被构造和布置为沿着大体上至少部分地由所述结构限定的行道移动;以及
多个电机模块,所述多个电机模块沿着所述行道分布,并且被构造和布置为推进所述轿厢,所述多个电机模块中的每个电机模块包括如前述权利要求中任一项所述的嵌入功率模块。
15.如权利要求14所述的运输系统,其中所述嵌入功率模块包括:基板,所述基板具有相对的第一表面和第二表面;第一半导体器件,所述第一半导体器件嵌埋在所述基板中,并且在所述第一表面与所述第二表面之间间隔;第二半导体器件,所述第二半导体器件嵌埋在所述基板中,在所述第一表面与所述第二表面之间间隔,并且与所述第一半导体器件间隔;第一栅极,所述第一栅极位于所述第一表面上;第二栅极,所述第二栅极位于所述第二表面上;第一通孔,所述第一通孔电接合到所述第一栅极和所述第二半导体器件;以及第二通孔,所述第二通孔电接合到所述第二栅极和所述第一半导体器件。
16.如权利要求15所述的运输系统,其中所述嵌入功率模块包括:第一集电极或发射极焊盘,所述第一集电极或发射极焊盘位于所述第二表面上,并且与所述第二栅极间隔;至少一个第三通孔,所述至少一个第三通孔电接合到所述第一半导体器件和所述第一集电极或发射极焊盘;以及至少一个第四通孔,所述至少一个第四通孔电接合到所述第二半导体器件和所述第一集电极或发射极焊盘。
17.如权利要求16所述的运输系统,其中所述嵌入功率模块包括:第二集电极或发射极焊盘,所述第二集电极或发射极焊盘位于所述第一表面上;第三集电极或发射极焊盘,所述第三集电极或发射极焊盘位于所述第一表面上,并且与所述第一集电极或发射极焊盘间隔;至少一个第五通孔,所述至少一个第五通孔电接合到所述第一半导体器件和所述第二集电极或发射极焊盘;以及至少一个第六通孔,所述至少一个第六通孔电接合到所述第二半导体器件和所述第三集电极或发射极焊盘。
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