CN107589087A - 感测模块及其制造方法 - Google Patents

感测模块及其制造方法 Download PDF

Info

Publication number
CN107589087A
CN107589087A CN201710681528.3A CN201710681528A CN107589087A CN 107589087 A CN107589087 A CN 107589087A CN 201710681528 A CN201710681528 A CN 201710681528A CN 107589087 A CN107589087 A CN 107589087A
Authority
CN
China
Prior art keywords
body structure
substrate
sensing module
package body
photophore
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN201710681528.3A
Other languages
English (en)
Inventor
吕文隆
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Advanced Semiconductor Engineering Inc
Original Assignee
Advanced Semiconductor Engineering Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Advanced Semiconductor Engineering Inc filed Critical Advanced Semiconductor Engineering Inc
Priority to CN201710681528.3A priority Critical patent/CN107589087A/zh
Publication of CN107589087A publication Critical patent/CN107589087A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
    • H01L2224/16—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
    • H01L2224/161—Disposition
    • H01L2224/16151—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/16221—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/16225—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H01L2224/16227—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation the bump connector connecting to a bond pad of the item
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805—Shape
    • H01L2224/4809—Loop shape
    • H01L2224/48091—Arched
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48225—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H01L2224/48227—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation connecting the wire to a bond pad of the item
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/151—Die mounting substrate
    • H01L2924/153—Connection portion
    • H01L2924/1531—Connection portion the connection portion being formed only on the surface of the substrate opposite to the die mounting surface
    • H01L2924/15311—Connection portion the connection portion being formed only on the surface of the substrate opposite to the die mounting surface being a ball array, e.g. BGA
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/19—Details of hybrid assemblies other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/191—Disposition
    • H01L2924/19101—Disposition of discrete passive components
    • H01L2924/19105—Disposition of discrete passive components in a side-by-side arrangement on a common die mounting substrate

Landscapes

  • Optical Measuring Cells (AREA)
  • Investigating Or Analysing Materials By Optical Means (AREA)

Abstract

感测模块及其制造方法。感测模块包括一基板、一盖板、一封装体结构、一流管、一发光器与一光感测器。盖板具有一第一光反射面面对基板的一基板表面。封装体结构配置在基板表面与第一光反射面之间。基板、盖板与封装体结构定义出一腔体结构。流管配置在封装体结构中并穿过封装体结构，以连通腔体结构。发光器配置于基板的基板表面上。光感测器配置于基板的基板表面上。发光器与光感测器对应腔体结构。从发光器发出的光线是于腔体结构中经过第一光反射面反射之后被光感测器接收。

Description

感测模块及其制造方法
本案是申请号为201310506867.X，申请日为2013年10月24日的发明专利的分案申请。
技术领域
本发明是有关于一种感测模块及其制造方法，且特别是有关于一种流体感测模块及其制造方法。
背景技术
感测技术包括用以感测流体特征(例如浓度等)的模块。一般光学式气体模块是在发光器与光感测器之间形成一通道，当流体经过通道时吸收光线藉以得知该气体特征。为了提高感测效能与灵敏度，通常作法是增大通道的尺寸，藉此增加发光器与光感测器之间的距离，以增加光线与气体接触的量。然而，尺寸增加的必要性会使得产品无法缩小化，而限制其应用范围。
发明内容
本发明是有关于一种感测模块及其制造方法。感测模块的体积小且制造方法简单。
根据本发明，提出一种感测模块，包括一基板、一盖板、一封装体结构、一流管、一发光器与一光感测器。盖板具有一第一光反射面面对基板的一基板表面。封装体结构配置在基板表面与第一光反射面之间。基板、盖板与封装体结构定义出一腔体结构。流管配置在封装体结构中并穿过封装体结构，以连通腔体结构。发光器配置于基板的基板表面上。光感测器配置于基板的基板表面上。发光器与光感测器对应腔体结构。从发光器发出的光线是于腔体结构中经过第一光反射面反射之后被光感测器接收。
根据本发明，提出一种感测模块的制造方法，包括以下步骤。配置一发光器与一光感测器于一基板的一基板表面上。形成一封装体结构于基板的基板表面上。基板、盖板与封装体结构定义出一腔体结构。发光器与光感测器对应腔体结构。配置一流管于封装体结构中并穿过封装体结构。配置一盖板于封装体结构上。盖板具有一第一光反射面面对基板的基板表面。
为让本发明的上述内容能更明显易懂，下文特举实施例，并配合附图，作详细说明如下：
附图说明
图1其绘示根据一实施例的感测模块的剖面图。
图2其绘示根据一实施例的感测模块的剖面图。
图3其绘示根据一实施例的感测模块的剖面图。
图4其绘示根据一实施例的感测模块的剖面图。
图5A至图5F绘示根据一实施例的感测模块的制造方法。
主要元件符号说明：
102：基板
104：盖板
106：封装体结构
108：流管
110：发光器
112：光感测器
114：基板表面
116：腔体结构
118：下封装体部分
120：上封装体部分
122：第一光反射面
124：主动芯片
126：主动芯片
128：被动芯片
130：温控器
132：透光层
133：焊料球
234：结构层
236：第二光反射面
538：容纳空间
具体实施方式
请参照图1，其绘示根据一实施例的感测模块的剖面图，包括一基板102、一盖板104、一封装体结构106、一流管108、一发光器110与一光感测器112。
封装体结构106配置在基板102的一基板表面114上。流管108位于基板102与盖板104之间。实施例中，流管108配置在封装体结构106中并穿过封装体结构106。一实施例中，发光器110与光感测器112于基板表面114上定义出一区域，封装体结构106覆盖部分基板表面114及盖板104表面，并露出该区域，该基板102、该盖板104及封装体结构106共同定义出一腔体结构(chamber)116，该腔体结构116作为通道之用，并连通穿过封装体结构106的流管108。发光器110与光感测器112分别对应该腔体结构116。一实施例中，封装体结构106包括一下封装体部分118与一上封装体部分120，且流管108是配置在下封装体部分118与上封装体部分120之间。盖板104配置在封装体结构106上，并具有一第一光反射面122面对基板102的基板表面114。
实施例中，配置方法是使发光器110发出的光线，能于腔体结构116中经过第一光反射面122反射之后，再被光感测器112接收。此设计增长了光线在腔体结构116中的行进路径，因此提升光线与流体之间反应作用，以提高感测效能与灵敏度。通过此设计，腔体结构116也能制作成更小的尺寸，而且仍能保有一定水准的感测效能，感测模块整体尺寸亦能藉此缩小。由于感测模块结构简单且尺寸小，能应用在人体穿着、医疗管理、4C等各种终端、或是贴近特殊表面上产品的应用。
电子元件包括主动芯片124、主动芯片126、被动芯片128、温控器130、或其他合适的装置，配置在基板102的基板表面114上。其中主动芯片124、126与被动芯片128被封装体结构106包覆。一实施例中，可以一透光层132包覆发光器110、光感测器112与温控器130。透光层132可用作保护层，使发光器110、光感测器112与温控器130隔离于腔体结构116中流动的流体。由于发光器110、光感测器112、主动芯片124、主动芯片126、被动芯片128、温控器130是受透光层132与封装体结构106保护，因此其可为裸晶(Bare chip)。裸晶的体积小，因此能够在提高一定空间中摆放装置单元的数量与种类，有利于高阶封装的多功能模块制作，并使产品的应用范围更广。装置单元并不限于图1所示的配置方式，而可视产品需求适当改变。举例来说，其他的主动芯片及/或被动芯片(未显示)亦可配置在透光层132的下方，以受透光层132的保护。被动芯片128例如电容、电阻或电感。温控器130可用以恒定感测环境的温度，一实施例中，是配置在腔体结构116中基板表面114中央的位置，以得到准确的量测结果。实施例中，温控器130具有加热功能。
实施例中，基板102为一半导体基板例如PCB等，且发光器110、光感测器112、主动芯片124、主动芯片126、被动芯片128与温控器130是以打线电性连接至基板102。
实施例中，感测模块是用以感测流体特征。举例来说，当感测流体为二氧化碳(CO2)气体时，发光器110发出的光线为二氧化碳气体可反应吸收的红外线(Infrared ray,IR)光源(波长例如为940nm)。一实施例中，当光线路径被设计成大于25mm时，则可量到流体中二氧化碳的浓度约0.02～0.03％，。一实施例中，透光层132为全透明的材质，并可在透光层132的上表面配置一滤光层(未绘示，例如包括红外线滤光层)，以过滤光线中特定波长的部分(例如红外线)进入腔体结构116与流体进行反应。其他实施例中，透光层132是使用具有滤光性质的材质。焊料球133可物性且电性连接至基板102的下表面露出的接垫(未绘示)。
图2绘示根据一实施例的感测模块的剖面图，其与图1的感测模块的差异说明如下。感测模块包括一结构层234，配置在透光层132上。结构层234具有一第二光反射面236面对第一光反射面122。实施例中，配置的方法是使发光器110发出的光线，能于腔体结构116中经过第一光反射面122与第二光反射面236反射之后，再被光感测器112接收。此设计增长了光线在腔体结构116中的路径，因此能与更多的流体反应作用，而提高感测效能与灵敏度。通过此设计，腔体结构116也能制造成更小的尺寸，同时保有一定水准的感测效能与灵敏度，并对应地缩小感测模块整体尺寸。
光线路径并不限于如图2所示被第一光反射面122反射一次，且被第二光反射面236反射两次，而可能视实际模块设计(例如光线入射角度、或使用其他的反射元件、反射面配置角度与形状等)有更多的反射次数或其他路径。
图3绘示根据一实施例的感测模块的剖面图，其与图1的感测模块的差异说明如下。发光器110、光感测器112、主动芯片124、主动芯片126、温控器130是以覆晶的方式，利用焊料球(133电性连接至基板。
图4绘示根据一实施例的感测模块的剖面图，其与图1的感测模块的差异说明如下。主动芯片124与主动芯片126是以覆晶的方式，利用焊料球133以电性连接至基板。
图5A至图5F绘示根据一实施例的感测模块的制造方法。
请参照图5A，配置电子元件于基板102的表面114上。电子元件包括主动芯片124、主动芯片126与被动芯片128，其可利用绝缘胶(未绘示)黏着至基板表面114上。主动芯片124、126可经由打线以电性连接至基板102，并可经由基板102电性连接至被动芯片128。其他实施例中，主动芯片124、126也可使用覆晶的方式连接至基板102。
请参照图5B，配置下封装体部分118于基板102的基板表面114上，并可对下封装体部分118进行烘烤固化步骤。下封装体部分118与基板表面114定义出一容纳空间538。
请参照图5C，配置发光器110、光感测器112与电子元件包括温控器130于容纳空间538露出的该基板表面114上。发光器110、光感测器112与温控器130可利用绝缘胶(未绘示)黏着至基板表面114上，并可利用打线电性连接至基板102。其他实施例中，其他实施例中，发光器110、光感测器112与温控器130也可使用覆晶的方式连接至基板102。形成透光层132包覆住发光器110、光感测器112与温控器130。透光层132可为全透明的材料、或有滤光性质的材料。一实施例中，可利用镀膜的方式，在透光层132的上表面上形成一滤光层(未绘示)。在一些实施例中，亦可配置结构层234(图2)于透光层132(或滤光层)上。
请参照图5D，配置流管108于下封装体部分118上。
请参照图5E，配置上封装体部分120包覆流管108的外管壁，以露出流管108的通孔，并可对上封装体部分120进行烘烤固化步骤。下封装体部分118与上封装体部分120形成封装体结构106。
请参照图5F，配置一盖板104于封装体结构106的上封装体部分120上，其中盖板104的第一光反射面122是面对基板102的基板表面114。可根据实际需求配置焊料球133至基板102的下表面露出的接垫(未绘示)。
实施例的感测模块的制造方法简单，适用于自动化的半导体封装工艺大量生产，能降低成本并提高产能。
综上所述，虽然本发明已以实施例揭露如上，然其并非用以限定本发明。本发明所属技术领域中具有通常知识者，在不脱离本发明的精神和范围内，当可作各种的更动与润饰。因此，本发明的保护范围当视权利要求书所界定者为准。

Claims (10)

1.一种感测模块，其特征在于，包括：
一基板；
一盖板，具有一第一光反射面面对该基板；
一封装体结构，配置在该基板与该第一光反射面之间，该基板、该盖板与该封装体结构定义出一腔体结构；
一发光器，配置于该基板上且对应该腔体结构；以及
一光感测器，配置于该基板上且对应该腔体结构,其中该发光器与该光感测器配置于该腔体结构的同一侧。
2.如权利要求1所述的感测模块，其特征在于，更包括一透光层，包覆该发光器与该光感测器。
3.如权利要求2所述的感测模块，其特征在于，该透光层系为具有滤旋旋光性质的材质。
4.如权利要求2所述的感测模块，其特征在于，更包括一滤光层，该滤光层配置于该透光层的一上表面。
5.如权利要求2所述的感测模块，其特征在于，更包括一结构层，配置在该透光层上，该结构层具有一第二光反射面面对该第一光反射面，其中从该发光器发出的该光线是于该腔体结构中经过该第一光反射面与该第二光反射面反射之后被该光感测器接收。
6.如权利要求1所述的感测模块，其特征在于，更包括一电子元件，配置在该基板上，且被该封装体结构包覆。
7.如权利要求6所述的感测模块，其特征在于，该电子元件包括主动芯片、被动芯片或温控器。
8.如权利要求1所述的感测模块，其特征在于，更包括一流管，配置在该封装体结构中。
9.如权利要求8所述的感测模块，其特征在于，该封装体结构包括一上封装体部分及一下封装体部分，该流管配置在上封装体部分与下封装体部分之间。
10.如权利要求1所述的感测模块，其特征在于，该发光器及光感测器系为裸晶。
CN201710681528.3A 2013-10-24 2013-10-24 感测模块及其制造方法 Pending CN107589087A (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201710681528.3A CN107589087A (zh) 2013-10-24 2013-10-24 感测模块及其制造方法

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201710681528.3A CN107589087A (zh) 2013-10-24 2013-10-24 感测模块及其制造方法
CN201310506867.XA CN104568784B (zh) 2013-10-24 2013-10-24 感测模块及其制造方法

Related Parent Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201310506867.XA Division CN104568784B (zh) 2013-10-24 2013-10-24 感测模块及其制造方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN107589087A true CN107589087A (zh) 2018-01-16

Family

ID=53085361

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201310506867.XA Active CN104568784B (zh) 2013-10-24 2013-10-24 感测模块及其制造方法
CN201710681528.3A Pending CN107589087A (zh) 2013-10-24 2013-10-24 感测模块及其制造方法

Family Applications Before (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201310506867.XA Active CN104568784B (zh) 2013-10-24 2013-10-24 感测模块及其制造方法

Country Status (1)

Country Link
CN (2) CN104568784B (zh)

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2018152740A1 (zh) * 2017-02-23 2018-08-30 深圳市汇顶科技股份有限公司 传感装置
CN107195597A (zh) * 2017-03-27 2017-09-22 敦捷光电股份有限公司 光学式指纹感测封装结构及其制造方法
CN108666281B (zh) * 2018-03-30 2019-12-27 维沃移动通信有限公司 光学器件封装结构及移动终端
CN110095426B (zh) * 2019-04-12 2022-01-07 华中科技大学鄂州工业技术研究院 一种基于红外发射和探测集成芯片的红外气体传感器

Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20050161605A1 (en) * 2004-01-26 2005-07-28 Denso Corporation Infrared gas sensor
CN1921127A (zh) * 2005-08-25 2007-02-28 矽格股份有限公司 光感测模块的封装结构
CN201110830Y (zh) * 2007-12-14 2008-09-03 煤炭科学研究总院重庆研究院 煤矿用非色散红外甲烷传感器
CN201402268Y (zh) * 2009-02-25 2010-02-10 北京泰华恒越科技发展有限责任公司 一种智能型环境空气质量监测仪
CN101667571A (zh) * 2008-09-01 2010-03-10 原相科技股份有限公司 感测模块
CN101832923A (zh) * 2010-06-03 2010-09-15 中国石油集团川庆钻探工程有限公司长庆录井公司 一种适合储集层含油气的气体分析的红外气体检测系统
JP2011220689A (ja) * 2010-04-02 2011-11-04 Shimadzu Corp ガス分析装置
WO2013081519A1 (en) * 2011-12-02 2013-06-06 Senseair Ab Epoxy molded gas cell for optical measurement and method of forming

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWM272088U (en) * 2005-01-14 2005-08-01 Radiant Innovation Inc Gas concentration detection device
CN201440413U (zh) * 2009-01-23 2010-04-21 原相科技股份有限公司 封装结构
TWM424605U (en) * 2011-09-27 2012-03-11 Lingsen Precision Ind Ltd The optical module package structure
TWI497057B (zh) * 2012-03-28 2015-08-21 Ind Tech Res Inst 光學式氣體檢測器
TWM441217U (en) * 2012-06-04 2012-11-11 C-S Bruce Chou Optical sensor device

Patent Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20050161605A1 (en) * 2004-01-26 2005-07-28 Denso Corporation Infrared gas sensor
CN1921127A (zh) * 2005-08-25 2007-02-28 矽格股份有限公司 光感测模块的封装结构
CN201110830Y (zh) * 2007-12-14 2008-09-03 煤炭科学研究总院重庆研究院 煤矿用非色散红外甲烷传感器
CN101667571A (zh) * 2008-09-01 2010-03-10 原相科技股份有限公司 感测模块
CN201402268Y (zh) * 2009-02-25 2010-02-10 北京泰华恒越科技发展有限责任公司 一种智能型环境空气质量监测仪
JP2011220689A (ja) * 2010-04-02 2011-11-04 Shimadzu Corp ガス分析装置
CN101832923A (zh) * 2010-06-03 2010-09-15 中国石油集团川庆钻探工程有限公司长庆录井公司 一种适合储集层含油气的气体分析的红外气体检测系统
WO2013081519A1 (en) * 2011-12-02 2013-06-06 Senseair Ab Epoxy molded gas cell for optical measurement and method of forming

Also Published As

Publication number Publication date
CN104568784B (zh) 2017-08-29
CN104568784A (zh) 2015-04-29

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US9590129B2 (en) Optical sensor module
CN105679753B (zh) 光学模块、其制造方法及电子装置
US10395164B2 (en) Fingerprint sensing module and method for manufacturing the fingerprint sensing module
CN104568784B (zh) 感测模块及其制造方法
CN104122989B (zh) 动作感测装置
CN105466463B (zh) 传感器芯片
EP2912426B1 (en) Combined pressure and humidity sensor
US10884551B2 (en) Integrated gesture sensor module
US11610429B2 (en) Fingerprint sensing module and method for manufacturing the fingerprint sensing module
US20140070337A1 (en) Integrated circuit including an environmental sensor
CN107742630A (zh) 影像感测器封装结构
US11023702B2 (en) Fingerprint sensing module and method for manufacturing the fingerprint sensing module
CN107525620B (zh) 用于恶劣媒介应用的半导体传感器组装件
CN205427873U (zh) 指纹感测单元及指纹感测模块
CN101620022A (zh) 压力感测元件封装及其制作方法
US10043924B1 (en) Low cost optical sensor package
CN107449449A (zh) 一种传感器
CN105606247B (zh) 一种耐高温快速响应的热敏电阻及其制成的温度传感器
CN104615980A (zh) 一种指纹识别装置及其制作方法
KR101649605B1 (ko) Cmos 습도 센서 및 그 제조 방법
CN207066461U (zh) 一种传感器
TWI290358B (en) Package structure of micro gas sensor and making method thereof
TWI612626B (zh) 封裝結構及其製法
CN105405777A (zh) 一种大面积平行堆栈式封装结构和封装方法
TW201931537A (zh) 封裝結構

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
RJ01 Rejection of invention patent application after publication
RJ01 Rejection of invention patent application after publication

Application publication date: 20180116