CN107588569A - 双吸收层光谱选择性吸收涂层及其制备方法 - Google Patents
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Abstract
本发明是关于一种双吸收层光谱选择性吸收涂层及其制备方法，其双吸收层光谱选择性吸收涂层包括：基层；红外反射层，附着在所述的基层上；双吸收层，包括第一吸收亚层和第二吸收亚层；其中第一吸收亚层附着在所述的红外反射层上；第二吸收亚层附着在所述的第一吸收亚层上；减反层，附着在所述的第二吸收亚层上。本发明有效降低了太阳光在涂层内部的层间反射与涂层使用过程中的层间应力，实现了对太阳光的有效吸收，且具有良好的高低温循环稳定性与层间结合力。
Description
技术领域
本发明涉及一种吸收涂层及其制备方法，特别是涉及一种双吸收层光谱选择性吸收涂层及其制备方法。
背景技术
光谱选择性吸收涂层是实现太阳能光热转换的核心材料，它在太阳光波段(0.3μm-2.5μm)具有高的吸收率α，吸收太阳光能量将其转换为热能，同时在红外热辐射波段(2.5μm-48μm)具有低的辐射率ε(T)，有效抑制辐射散热。衡量涂层光谱选择性的重要指标之一，是太阳光谱吸收率α与红外辐射率ε(T)之比，α/ε值越大越适合100℃以上的中高温应用。
发明内容
本发明的主要目的在于，提供一种新型的双吸收层光谱选择性吸收涂层及其制备方法，所要解决的技术问题是使其有效降低太阳光在涂层内部的层间反射与涂层使用过程中的层间应力，实现了对太阳光的有效吸收，从而更加适于实用。
本发明的目的及解决其技术问题是采用以下技术方案来实现的。依据本发明提出的一种双吸收层光谱选择性吸收涂层，其包括：
基层；
红外反射层，附着在所述的基层上；
双吸收层，包括第一吸收亚层和第二吸收亚层；其中第一吸收亚层附着在所述的红外反射层上；第二吸收亚层附着在所述的第一吸收亚层上；
减反层，附着在所述的第二吸收亚层上。
本发明的目的及解决其技术问题还可采用以下技术措施进一步实现。
优选的，前述的双吸收层光谱选择性吸收涂层，其中所述的基层的材料为玻璃、铝、铜或不锈钢，厚度为0.2-10mm。
优选的，前述的双吸收层光谱选择性吸收涂层，其中所述的红外反射层的材料为铜、金、银、铝、镍或铬，厚度为80-150nm。
优选的，前述的双吸收层光谱选择性吸收涂层，其中所述的第一吸收亚层为xCrN-Cr2O3复合材料；其中x为6.0-9.0。
优选的，前述的双吸收层光谱选择性吸收涂层，其中所述的第一吸收亚层的厚度为25-50nm，在300-2500nm的折射率为2.21-4.67，消光系数为0.45-1.76。
优选的，前述的双吸收层光谱选择性吸收涂层，其中所述的第二吸收亚层为yCrN-Cr2O3复合材料；其中y为0.1-0.2。
优选的，前述的双吸收层光谱选择性吸收涂层，其中所述的第二吸收亚层的厚度为25-50nm，在300-2500nm的折射率为2.14-2.74，消光系数为0.002-0.6。
优选的，前述的双吸收层光谱选择性吸收涂层，其中所述的减反层为SiO2、Al2O3、ThO2、Dy2O3、Eu2O3、Gd2O3、Y2O3、La2O3、MgO或Sm2O3，厚度为50-100nm，在300-2500nm的折射率为1.40-1.50，消光系数小于0.05。
本发明的目的及解决其技术问题还采用以下的技术方案来实现。依据本发明提出的一种双吸收层光谱选择性吸收涂层的制备方法，其包括：
对基片进行清洗；
利用磁控溅射铝靶在所述的基片上制备红外反射层；
利用磁控溅射铬靶在所述的红外反射层上制备第一吸收亚层；
利用磁控溅射铬靶在所述的第一吸收亚层上制备第二吸收亚层；
利用磁控溅射硅铝靶在所述的第二吸收亚层上制备减反层，得到所述的双吸收层光谱选择性吸收涂层。
本发明的目的及解决其技术问题还可采用以下技术措施进一步实现。
优选的，前述的双吸收层光谱选择性吸收涂层的制备方法，其中，对基片进行清洗包括超声清洗和二次清洗，所述的二次清洗的参数为射频电源溅射功率为100-200W，工作气体Ar，流量为40-50sccm，工作气压为9-10×10-2mTorr，溅射时间为300-400s；
所述的制备红外反射层的条件为：脉冲直流电源溅射功率为1000-1500W，工作气压小于6mTorr，工作气体Ar，流量为40-50sccm，基片传输速率为0.3-0.5m/min；
所述的制备第一吸收亚层的条件为：脉冲直流电源溅射功率为1000-1500W，工作气压小于6mTorr，工作气体为氩气、氮气和氧气，其中Ar流量为40-50sccm，N2流量为40-50sccm，O2流量为1-5sccm，基片传输速度为1-1.5m/min；
所述的制备第二吸收亚层的条件为：脉冲直流电源溅射功率为1000-1500W，工作气压小于6mTorr，工作气体为氩气、氮气和氧气，其中Ar流量为40-50sccm，N2流量为40-50sccm，O2流量为5-10sccm，基片传输速度为0.3-0.5m/min；
所述的制备减反层的条件为：脉冲直流电源溅射功率为1500-2000W，工作气压小于6mTorr，工作气体为氩气和氧气，其中Ar流量为30-40sccm，O2流量为10-15sccm，基片传输速度为0.5-1m/min。
借由上述技术方案，本发明双吸收层光谱选择性吸收涂层及其制备方法至少具有下列优点：
1)本发明的双吸收层光谱选择性吸收涂层的双吸收层由具有不同成分比例的CrN和Cr2O3复合材料组成，通过调节复合材料中两组分的比例形成不同折射率与消光系数的吸收亚层，由内而外第一吸收亚层，第二吸收亚层及减反层，折射率与消光系数依次逐渐降低，热膨胀系数依次逐渐降低，有效降低了太阳光在涂层内部的层间反射与涂层使用过程中的层间应力，实现了对太阳光的有效吸收，吸收率达91％，且具有良好的高低温循环稳定性与层间结合力。
2)本发明的双吸收层光谱选择性吸收涂层，吸收-反射过渡区陡峭；在太阳能光谱范围(0.3-2.5微米)具有较高的吸收率α，在红外热辐射区域(2-48微米)具有极低的辐射率ε，α/ε高于现有的商业产品，适合于低倍聚焦的中高温太阳能集热器；并且制备工艺简单、镀膜设备要求低，适用于大规模低成本生产。
上述说明仅是本发明技术方案的概述，为了能够更清楚了解本发明的技术手段，并可依照说明书的内容予以实施，以下以本发明的较佳实施例并配合附图详细说明如后。
附图说明
图1是本发明双吸收层光谱选择性吸收涂层的结构示意图。
图2是本发明实施例1与对比例1在300-2500nm范围内的反射光谱。
具体实施方式
为更进一步阐述本发明为达成预定发明目的所采取的技术手段及功效,以下结合附图及较佳实施例，对依据本发明提出的双吸收层光谱选择性吸收涂层及其制备方法其具体实施方式、结构、特征及其功效，详细说明如后。在下述说明中，不同的“一实施例”或“实施例”指的不一定是同一实施例。此外，一或多个实施例中的特定特征、结构、或特点可由任何合适形式组合。
如图1所示，本发明的一个实施例提出的一种双吸收层光谱选择性吸收涂层，其包括：
基层1；
红外反射层2，附着在所述的基层1上；
双吸收层3，包括第一吸收亚层31和第二吸收亚层32；其中第一吸收亚层31附着在所述的红外反射层2上；第二吸收亚层32附着在所述的第一吸收亚层31上；
减反层4，附着在所述的第二吸收亚层32上。
优选的，基层的材料为玻璃、铝、铜或不锈钢，厚度为0.2-10mm。
优选的，红外反射层的材料为铜、金、银、铝、镍或铬，厚度为80-150nm。
优选的，第一吸收亚层为xCrN-Cr2O3复合材料；其中x为6.0-9.0，即复合材料中CrN和Cr2O3的摩尔比为6.0-9.0:1。第一吸收亚层的厚度为25-50nm，在300-2500nm的折射率为2.21-4.67，消光系数为0.45-1.76。
优选的，第二吸收亚层为yCrN-Cr2O3复合材料；其中y为0.1-0.2，即复合材料中CrN和Cr2O3的摩尔比为0.1-0.2:1。第二吸收亚层的厚度为25-50nm，在300-2500nm的折射率为2.14-2.74，消光系数为0.002-0.6。
优选的，减反层为SiO2、Al2O3、ThO2、Dy2O3、Eu2O3、Gd2O3、Y2O3、La2O3、MgO或Sm2O3，厚度为50-100nm，在300-2500nm的折射率为1.40-1.50，消光系数小于0.05。
红外金属反射层，在太阳光波段具有高折射率和消光系数,从而参与太阳光波段光谱吸收进一步提高了涂层的太阳光谱吸收率。2500nm以后，CrN和Cr2O3的消光系数比红外反射层的消光系数小很多，对红外反射光谱的影响很小，因此涂层的辐射率很低。
本发明的另一实施例提出一种双吸收层光谱选择性吸收涂层的制备方法，其包括：
对基片进行清洗包括超声清洗和二次清洗，增加基底表面活性，从而增加薄膜与基底之间的附着力。所述的二次清洗的参数为射频电源溅射功率为100-200W，工作气体Ar，流量为40-50sccm，工作气压为9-10×10-2mTorr，溅射时间为300-400s；经过去离子水超声清洗后进行射频氩离子清洗去除表面污染层和氧化层；
利用磁控溅射铝靶在所述的基片上制备红外反射层：脉冲直流电源溅射功率为1000-1500W，工作气压小于6mTorr，工作气体Ar，流量为40-50sccm，基片传输速率为0.3-0.5m/min；
利用磁控溅射铬靶在所述的红外反射层上制备第一吸收亚层：脉冲直流电源溅射功率为1000-1500W，工作气压小于6mTorr，工作气体为氩气、氮气和氧气，其中Ar流量为40-50sccm，N2流量为40-50sccm，O2流量为1-5sccm，基片传输速度为1-1.5m/min；
利用磁控溅射铬靶在所述的第一吸收亚层上制备第二吸收亚层：脉冲直流电源溅射功率为1000-1500W，工作气压小于6mTorr，工作气体为氩气、氮气和氧气，其中Ar流量为40-50sccm，N2流量为40-50sccm，O2流量为5-10sccm，基片传输速度为0.3-0.5m/min；
利用射频磁控溅射硅铝靶在所述的第二吸收亚层上制备减反层：脉冲直流电源溅射功率为1500-2000W，工作气压小于6mTorr，工作气体为氩气和氧气，其中Ar流量为30-40sccm，O2流量为10-15sccm，基片传输速度为0.5-1m/min，得到所述的双吸收层光谱选择性吸收涂层。
实施例1
本发明的一实施例提出一种双吸收层光谱选择性吸收涂层的制备方法，其包括：
1)玻璃基片的清洗：采用去离子水对玻璃基片进行超声清洗；然后在镀膜设备进片室通过射频离子源轰击玻璃基片表面进行二次清洗，其工艺参数设置如下：射频电源溅射功率为200W，工作气体Ar(纯度99.99％)流量为45sccm，工作气压为9.8×10-2mTorr，溅射时间为360s。将玻璃基片经由镀膜设备进片室传送进入溅射室，其中溅射室的本底真空优于6×10-6Torr。
2)制备红外反射层：采用脉冲直流电源磁控溅射法通过轰击金属铝靶(纯度99.7％)在玻璃基片上沉积红外反射层Al膜。其工艺参数设置如下：脉冲直流电源溅射功率为1200W，工作气压为5mTorr，工作气体Ar(纯度99.99％)，流量为50sccm，基片传输速率为0.4m/min，玻璃基片在金属铝靶的下方往返运动3次，基片温度为室温。
3)制备第一吸收亚层：采用脉冲直流电源磁控溅射法通过轰击Cr靶(纯度99.7％)在红外反射层上沉积第一吸收亚层。其工艺参数设置如下：脉冲直流电源溅射功率为1500W，工作气压为3mTorr，工作气体Ar(纯度99.99％)，流量为50sccm，N2(纯度99.99％)，流量为50sccm，O2(纯度99.99％)，流量为1sccm，基片以传输速度1.2m/min在金属Cr靶下往返运动4次，基片温度为室温。
4)制备第二吸收亚层：采用脉冲直流电源氧化反应磁控溅射Cr靶(纯度99.7％)方法在第一吸收亚层上上沉积第二吸收亚层。其工艺参数设置如下：脉冲直流电源溅射功率为1500W，工作气压为3mTorr，工作气体Ar(纯度99.99％)流量为50sccm，N2(纯度99.99％)流量为50sccm，O2(纯度99.99％)流量为10sccm，基片传输速率为0.45m/min，基底玻璃在Cr靶下方往返运动4次，基片温度为室温。
5)制备减反层：采用脉冲直流电源氧化反应磁控溅射硅铝靶(铝含量30％wt，纯度99.7％)方法在第二吸收亚层上沉积减反层SiO2膜。其镀膜工艺参数设置如下：脉冲直流电源溅射功率为2000W，工作气压为5mTorr，工作气体Ar(纯度99.99％)，流量为30sccm，O2(纯度99.99％)流量为14sccm，基片传输速率为1m/min，基底玻璃在硅铝靶下方往返运动9次，基片温度为室温。使样品冷却20min，出片，停机，得到双吸收层光谱选择性吸收涂层。
本发明的一个实施例提出一种双吸收层光谱选择性吸收涂层，由实施例1的方法制备而得，其依次包括：
玻璃基层，厚度为0.2mm；
红外反射层Al，厚度为120nm；
第一吸收亚层，厚度为40nm，xCrN-Cr2O3中x值为9；
第二吸收亚层，厚度为40nm，yCrN-Cr2O3中y值为0.1；
减反层SiO2，厚度为90nm。
实施例2
本发明的一实施例提出一种双吸收层光谱选择性吸收涂层的制备方法，其包括：
1)玻璃基片的清洗：采用去离子水对玻璃基片进行超声清洗；然后在镀膜设备进片室通过射频离子源轰击玻璃基片表面进行二次清洗，其工艺参数设置如下：射频电源溅射功率为100W，工作气体Ar(纯度99.99％)流量为40sccm，工作气压为9×10-2mTorr，溅射时间为400s。将玻璃基片经由镀膜设备进片室传送进入溅射室，其中溅射室的本底真空优于6×10-6Torr。
2)制备红外反射层：采用脉冲直流电源磁控溅射法通过轰击金属铝靶(纯度99.7％)在玻璃基片上沉积红外反射层Al膜。其工艺参数设置如下：脉冲直流电源溅射功率为1000W，工作气压为6mTorr，工作气体Ar(纯度99.99％)，流量为40sccm，基片传输速率为0.5m/min，玻璃基片在金属铝靶的下方往返运动3次，基片温度为室温。
3)制备第一吸收亚层：采用脉冲直流电源磁控溅射法通过轰击Cr靶(纯度99.7％)在红外反射层上沉积第一吸收亚层。其工艺参数设置如下：脉冲直流电源溅射功率为1000W，工作气压为3mTorr，工作气体Ar(纯度99.99％)，流量为40sccm，N2(纯度99.99％)，流量为40sccm，O2(纯度99.99％)，流量为2sccm，基片以传输速度1m/min在金属Cr靶下往返运动3次，基片温度为室温。
4)制备第二吸收亚层：采用脉冲直流电源氧化反应磁控溅射Cr靶(纯度99.7％)方法在第一吸收亚层上上沉积第二吸收亚层。其工艺参数设置如下：脉冲直流电源溅射功率为1000W，工作气压为3mTorr，工作气体Ar(纯度99.99％)流量为40sccm，N2(纯度99.99％)流量为40sccm，O2(纯度99.99％)流量为8sccm，基片传输速率为0.5m/min，基底玻璃在Cr靶下方往返运动4次，基片温度为室温。
5)制备减反层：采用脉冲直流电源氧化反应磁控溅射硅铝靶(铝含量30％wt，纯度99.7％)方法在第二吸收亚层上沉积减反层SiO2膜。其镀膜工艺参数设置如下：脉冲直流电源溅射功率为1500W，工作气压为5mTorr，工作气体Ar(纯度99.99％)，流量为40sccm，O2(纯度99.99％).流量为12sccm，基片传输速率为0.8m/min，基底玻璃在硅铝靶下方往返运动6次，基片温度为室温。使样品冷却20min，出片，停机，得到双吸收层光谱选择性吸收涂层。
本发明的一个实施例提出一种双吸收层光谱选择性吸收涂层，由实施例2的方法制备而得，其依次包括：
玻璃基层，厚度为10mm；
红外反射层Al，厚度为80nm；
第一吸收亚层，厚度为30nm，xCrN-Cr2O3中x值为8；
第二吸收亚层，厚度为30nm，yCrN-Cr2O3中y值为0.15；
减反层SiO2，厚度为800nm。
实施例3
本发明的一实施例提出一种双吸收层光谱选择性吸收涂层的制备方法，其包括：
1)玻璃基片的清洗：采用去离子水对玻璃基片进行超声清洗；然后在镀膜设备进片室通过射频离子源轰击玻璃基片表面进行二次清洗，其工艺参数设置如下：射频电源溅射功率为200W，工作气体Ar(纯度99.99％)流量为50sccm，工作气压为10×10-2mTorr，溅射时间为360s。将玻璃基片经由镀膜设备进片室传送进入溅射室，其中溅射室的本底真空优于6×10-6Torr。
2)制备红外反射层：采用脉冲直流电源磁控溅射法通过轰击金属铝靶(纯度99.7％)在玻璃基片上沉积红外反射层Al膜。其工艺参数设置如下：脉冲直流电源溅射功率为1500W，工作气压为5mTorr，工作气体Ar(纯度99.99％)，流量为50sccm，基片传输速率为0.5m/min，玻璃基片在金属铝靶的下方往返运动4次，基片温度为室温。
3)制备第一吸收亚层：采用脉冲直流电源磁控溅射法通过轰击Cr靶(纯度99.7％)在红外反射层上沉积第一吸收亚层。其工艺参数设置如下：脉冲直流电源溅射功率为1500W，工作气压为3mTorr，工作气体Ar(纯度99.99％)，流量为40sccm，N2(纯度99.99％)，流量为40sccm，O2(纯度99.99％)，流量为4sccm，基片以传输速度1m/min在金属Cr靶下往返运动5次，基片温度为室温。
4)制备第二吸收亚层：采用脉冲直流电源氧化反应磁控溅射Cr靶(纯度99.7％)方法在第一吸收亚层上上沉积第二吸收亚层。其工艺参数设置如下：脉冲直流电源溅射功率为1500W，工作气压为3mTorr，工作气体Ar(纯度99.99％)流量为50sccm，N2(纯度99.99％)流量为50sccm，O2(纯度99.99％)流量为6sccm，基片传输速率为0.5m/min，基底玻璃在Cr靶下方往返运动5次，基片温度为室温。
5)制备减反层：采用脉冲直流电源氧化反应磁控溅射硅铝靶(铝含量30％wt，纯度99.7％)方法在第二吸收亚层上沉积减反层SiO2膜。其镀膜工艺参数设置如下：脉冲直流电源溅射功率为1500W，工作气压为5mTorr，工作气体Ar(纯度99.99％)，流量为30sccm，O2(纯度99.99％)流量为10sccm，基片传输速率为1m/min，基底玻璃在硅铝靶下方往返运动9次，基片温度为室温。使样品冷却20min，出片，停机，得到双吸收层光谱选择性吸收涂层。
本发明的一个实施例提出一种双吸收层光谱选择性吸收涂层，由实施例3的方法制备而得，其依次包括：
玻璃基层，厚度为5mm；
红外反射层Al，厚度为140nm；
第一吸收亚层，厚度为50nm，xCrN-Cr2O3中x值为6；
第二吸收亚层，厚度为50nm，yCrN-Cr2O3中y值为0.2；
减反层SiO2，厚度为100nm。
本发明的一个对比例提出一种传统的Ti系涂层TiNxOy，实施例1与对比例的涂层在300-2500nm范围内的反射光谱如图2所示，曲线5为实施例1的双吸收层光谱选择性吸收涂层，曲线6为对比例的TiNxOy涂层。实施例1相比于对比例1在占太阳光谱能量分布80％以上的350-1250nm范围具有更高的吸收率，保证了涂层对太阳光谱高效的吸收，同时实施例1相比对比例1吸收-反射过渡区更接近太阳光谱区域，在红外波段吸收率(即辐射率)较金属钛系选择性吸收涂层材料更低。
将实施例1-3的双吸收层光谱选择性吸收涂层与对比例进行涂层性能测试，如表1所示。实施例在太阳能光谱范围(0.3-2.5微米)具有较高的吸收率α，在热辐射红外区域(2-50微米)具有低的辐射率ε，α/ε明显高于金属钛系等涂层产品，实施例1-3具有更高的光谱选择性，适合于低倍聚焦的100℃以上的中高温应用。
表1实施例与对比例涂层太阳光谱吸收率和红外辐射率
| α | ε(100℃) | α/ε(100℃) | |
| 实施例1 | 90.9 | 2.2 | 41.3 |
| 实施例2 | 92.3 | 2.6 | 35.5 |
| 实施例3 | 91.4 | 2.4 | 38.1 |
| 对比例 | 95.1 | 4.0 | 23.8 |
以上所述，仅是本发明的较佳实施例而已，并非对本发明作任何形式上的限制，依据本发明的技术实质对以上实施例所作的任何简单修改、等同变化与修饰，均仍属于本发明技术方案的范围内。
Claims (10)
1.一种双吸收层光谱选择性吸收涂层，其特征在于，其包括：
基层；
红外反射层，附着在所述的基层上；
双吸收层，包括第一吸收亚层和第二吸收亚层；其中第一吸收亚层附着在所述的红外反射层上；第二吸收亚层附着在所述的第一吸收亚层上；
减反层，附着在所述的第二吸收亚层上。
2.根据权利要求1所述的双吸收层光谱选择性吸收涂层，其特征在于，所述的基层的材料为玻璃、铝、铜或不锈钢，厚度为0.2-10mm。
3.根据权利要求1所述的双吸收层光谱选择性吸收涂层，其特征在于，所述的红外反射层的材料为铜、金、银、铝、镍或铬，厚度为80-150nm。
4.根据权利要求1所述的双吸收层光谱选择性吸收涂层，其特征在于，所述的第一吸收亚层为xCrN-Cr2O3复合材料；其中x为6.0-9.0。
5.根据权利要求4所述的双吸收层光谱选择性吸收涂层，其特征在于，所述的第一吸收亚层的厚度为25-50nm，在300-2500nm的折射率为2.21-4.67，消光系数为0.45-1.76。
6.根据权利要求1所述的双吸收层光谱选择性吸收涂层，其特征在于，所述的第二吸收亚层为yCrN-Cr2O3复合材料；其中y为0.1-0.2。
7.根据权利要求6所述的双吸收层光谱选择性吸收涂层，其特征在于，所述的第二吸收亚层的厚度为25-50nm，在300-2500nm的折射率为2.14-2.74，消光系数为0.002-0.6。
8.根据权利要求1所述的双吸收层光谱选择性吸收涂层，其特征在于，所述的减反层为SiO2、Al2O3、ThO2、Dy2O3、Eu2O3、Gd2O3、Y2O3、La2O3、MgO或Sm2O3，厚度为50-100nm，在300-2500nm的折射率为1.40-1.50，消光系数小于0.05。
9.一种双吸收层光谱选择性吸收涂层的制备方法，其特征在于，其包括：
对基片进行清洗；
利用磁控溅射铝靶在所述的基片上制备红外反射层；
利用磁控溅射铬靶在所述的红外反射层上制备第一吸收亚层；
利用磁控溅射铬靶在所述的第一吸收亚层上制备第二吸收亚层；
利用磁控溅射硅铝靶在所述的第二吸收亚层上制备减反层，得到权利要求1-8任一项所述的双吸收层光谱选择性吸收涂层。
10.根据权利要求9所述的双吸收层光谱选择性吸收涂层的制备方法，其特征在于，对基片进行清洗包括超声清洗和二次清洗，所述的二次清洗的参数为射频电源溅射功率为100-200W，工作气体Ar，流量为40-50sccm，工作气压为9-10×10-2mTorr，溅射时间为300-400s；
所述的制备红外反射层的条件为：脉冲直流电源溅射功率为1000-1500W，工作气压小于6mTorr，工作气体Ar，流量为40-50sccm，基片传输速率为0.3-0.5m/min；
所述的制备第一吸收亚层的条件为：脉冲直流电源溅射功率为1000-1500W，工作气压小于6mTorr，工作气体为氩气、氮气和氧气，其中Ar流量为40-50sccm，N2流量为40-50sccm，O2流量为1-5sccm，基片传输速度为1-1.5m/min；
所述的制备第二吸收亚层的条件为：脉冲直流电源溅射功率为1000-1500W，工作气压小于6mTorr，工作气体为氩气、氮气和氧气，其中Ar流量为40-50sccm，N2流量为40-50sccm，O2流量为5-10sccm，基片传输速度为0.3-0.5m/min；
所述的制备减反层的条件为：脉冲直流电源溅射功率为1500-2000W，工作气压小于6mTorr，工作气体为氩气和氧气，其中Ar流量为30-40sccm，O2流量为10-15sccm，基片传输速度为0.5-1m/min。
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