CN104005003B - 一种大气中耐高温、耐盐雾的太阳能选择性吸收涂层及其制备方法 - Google Patents

一种大气中耐高温、耐盐雾的太阳能选择性吸收涂层及其制备方法 Download PDF

Info

Publication number
CN104005003B
CN104005003B CN201410230491.9A CN201410230491A CN104005003B CN 104005003 B CN104005003 B CN 104005003B CN 201410230491 A CN201410230491 A CN 201410230491A CN 104005003 B CN104005003 B CN 104005003B
Authority
CN
China
Prior art keywords
sputtering
layer
targets
subgrade
thickness
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN201410230491.9A
Other languages
English (en)
Other versions
CN104005003A (zh
Inventor
刘雪莲
张秀廷
陈步亮
崔孟龙
曹明刚
席晓敏
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
BEIJING TRX SOLAR TECHNOLOGY Co Ltd
Original Assignee
BEIJING TRX SOLAR TECHNOLOGY Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by BEIJING TRX SOLAR TECHNOLOGY Co Ltd filed Critical BEIJING TRX SOLAR TECHNOLOGY Co Ltd
Priority to CN201410230491.9A priority Critical patent/CN104005003B/zh
Publication of CN104005003A publication Critical patent/CN104005003A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN104005003B publication Critical patent/CN104005003B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F24—HEATING; RANGES; VENTILATING
    • F24S—SOLAR HEAT COLLECTORS; SOLAR HEAT SYSTEMS
    • F24S70/00—Details of absorbing elements
    • F24S70/30—Auxiliary coatings, e.g. anti-reflective coatings
    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F24—HEATING; RANGES; VENTILATING
    • F24S—SOLAR HEAT COLLECTORS; SOLAR HEAT SYSTEMS
    • F24S70/00—Details of absorbing elements
    • F24S70/20—Details of absorbing elements characterised by absorbing coatings; characterised by surface treatment for increasing absorption
    • F24S70/225—Details of absorbing elements characterised by absorbing coatings; characterised by surface treatment for increasing absorption for spectrally selective absorption
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/40—Solar thermal energy, e.g. solar towers

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Thermal Sciences (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Sustainable Development (AREA)
  • Sustainable Energy (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Combustion & Propulsion (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)
  • Photovoltaic Devices (AREA)

Abstract

本发明公开了一种大气中耐高温、耐盐雾的太阳能选择性吸收涂层及其制备方法，包括六层膜，从底层到表面依次为第一层扩散阻挡层、第二层红外发射层、第三层扩散阻挡层、第四层吸收层、第五层减反射层和第六层有机防护层；第一层扩散阻挡层为氮化物或氧化物膜层，第二层红外发射层为Cu、Ag、Al、Ti或者Au，第三层扩散阻挡层为氮化物或氧化物膜层，第四层吸收层包括两个亚层结构，两个亚层均为双陶瓷膜，第五层减反射层为Al2O3膜或者SiO2膜，第六层有机防护层，本发明加入了有机防护层，使得其耐高温及耐大气腐蚀的性能大大加强，使得这种新型结构高温选择性吸收涂层具有良好的高温热稳定性及耐候性。

Description

一种大气中耐高温、耐盐雾的太阳能选择性吸收涂层及其制 备方法
技术领域
本发明属于太阳能利用及涂层制备技术领域，具体涉及一种大气中耐高温、耐盐雾太阳能选择性吸收涂层及其制备方法。
背景技术
太阳光谱选择性吸收涂层在可见-近红外波段具有高吸收率，在红外波段具有低发射率的功能薄膜，是用于太阳能集热器，提高光热转换效率的关键。随着太阳能热利用需求和技术的不断发展，太阳能集热管的应用范围从低温应用(≤100℃)向中温应用(100℃-350℃)和高温应用(350℃-500℃)发展，以不断满足海水淡化、太阳能发电等中高温应用领域的使用要求。对于集热管使用的选择性吸收涂层也要具备高温热稳定性，适应中高温环境的服役条件。
对于太阳能选择性吸收涂层目前已研究和广泛使用了黑铬、阳极氧化着色Ni-Al2O3以及具有成分渐变特征的SS-C/SS(不锈钢)和Al-N/Al等膜系，应用于温度在200℃以内的平板型集热装置的集热管表面。但在中高温条件下，由于其红外发射率随温度上升明显升高，导致集热器热损失明显上升，热效率显著下降。
为了提高中高温服役条件下选择性吸收涂层的热稳定性，Mo-Al2O3/Cu、SS-AlN/SS等材料体系得到了研究和发展，采用了双靶或多靶金属陶瓷共溅射技术，其中Mo-Al2O3/Cu体系的特点是Mo-Al2O3吸收层具有成分渐变的多亚层结构，Al2O3层采用射频溅射方法，SS-AlN/SS体系的特点是吸收层采用了干涉膜结构，使热稳定性提高。上述涂层在使用温度350℃-500℃范围内的聚焦型中高温集热管表面获得了应用。但是金属陶瓷结构涂层因为金属原子较多，在高温下的微观结构和物理性能都不稳定。而且射频溅射等工艺沉积速率低，生产周期长，工艺复杂，成本高。
目前光热电站的形式开始多样化，以往的涂层用在真空集热管上还是可以的，可是现在裸管的应用也开始越来越广泛了，因此需要涂层不仅仅能够在真空中有良好的耐温性能和耐腐蚀性能，在大气(包括水汽，盐雾，酸碱)等中也必须有较优异的耐温性能和耐腐蚀性能，才能够满足电站的使用需求。
对于菲涅尔式的光热电站，就需要一种吸收率高、发射率低、在大气中热稳定性好，耐大气腐蚀，而且工艺简便的选择性吸收涂层及制备技术。
发明内容
本发明的目的是为了解决上述问题，提出一种大气中耐高温、耐盐雾太阳能选择性吸收涂层及其制备方法，适用于大气中高温(300℃-600℃)工作温度集热管，涂层吸收率高、发射率低、在大气中热稳定性好，制备工艺简便，操作方便，生产周期短，溅射工况稳定。
本发明提出一种大气中耐高温、耐盐雾太阳能选择性吸收涂层，包括六层膜，从底层到表面依次为第一层扩散阻挡层、第二层红外发射层、第三层扩散阻挡层、第四层吸收层、第五层减反射层和第六层有机防护层；
第一层扩散阻挡层为氮化物或氧化物膜层，具体为TiN、AlN、Al2O3、TiO2、SiO2、Si3N4或者Cr2O3，第一层扩散阻挡层位于基体表面，厚度为50～100nm；
第二层红外发射层为Cu、Ag、Al、Ti或者Au，位于第一层扩散阻挡层的表面，厚度为50～250nm；
第三层扩散阻挡层为氮化物或氧化物膜层，具体为TiN、AlN、Al2O3、TiO2、SiO2Si3N4、或者Cr2O3，位于第二层红外发射层表面，厚度为50～100nm；
第四层吸收层包括两个亚层结构，两个亚层均为双陶瓷膜，具体为SiO2+TiO2膜、SiO2+NiO膜、Si3N4+Ni3N2膜、Si3N4+TiN膜、NiO+TiO2膜或者Ni3N2+TiN膜，第一亚层和第二亚层的厚度均为50～100nm；
第一亚层中，SiO2+TiO2中的SiO2占体积百分比为30～50％，其余为TiO2；SiO2+NiO中的SiO2占体积百分比为30～50％，其余为NiO；Si3N4+Ni3N2中的Si3N4占体积百分比为30～50％，其余为Ni3N2；Si3N4+TiN中的TiN占体积百分比为30～50％，其余为Si3N4；NiO+TiO2中的TiO2占体积百分比为30～50％，其余为NiO；Ni3N2+TiN中的TiN占体积百分比为30～50％，其余为Ni3N2；
第二亚层中，第一亚层中，SiO2+TiO2中的SiO2占体积百分比为50～75％，其余为TiO2；SiO2+NiO中的SiO2占体积百分比为50～75％，其余为NiO；Si3N4+Ni3N2中的Si3N4占体积百分比为50～75％，其余为Ni3N2；Si3N4+TiN中的TiN占体积百分比为50～75％，其余为Si3N4；NiO+TiO2中的TiO2占体积百分比为50～75％，其余为NiO；Ni3N2+TiN中的TiN占体积百分比为50～75％，其余为Ni3N2；
第一亚层与第三层扩散阻挡层相邻，第二亚层与第五层减反射层相邻；
第五层减反射层为Al2O3膜或者SiO2膜，厚度为50～250nm；
第六层有机防护层，厚度为100～200nm，有机防护层包括正硅酸乙酯、无水乙醇、氨水，将正硅酸乙酯加入无水乙醇，配成的溶液中，正硅酸乙酯与无水乙醇的体积百分比为20.5％；
将氨水加入无水乙醇，配成的溶液中，氨水与无水乙醇的体积百分比为5.1％；
将这两种混合溶液进行混合及搅拌，经过24小时的静置之后，使用溶胶凝胶法，将静置后形成的胶体均匀涂覆在第五层减反射层表面。
本发明还提出一种大气中耐高温、耐盐雾太阳能选择性吸收涂层的制备方法，包括以下几个步骤：
步骤一：在基体上制备第一层扩散阻挡层；
采用纯金属靶中频磁控溅射方法，纯金属靶为Al靶、Ti靶、Si靶或者Cr靶，以Ar气作为溅射气体制备，基体采用不锈钢，溅射前将真空室预抽本底真空至4×10-3～5×10- 3Pa，通入惰性气体Ar和O2作为溅射气氛，或者Ar和N2作为溅射气氛，Ar气流量为100～140sccm，氧气流量为20～45sccm，如果使用氮气，流量为8～20sccm，调整溅射距离为130～150mm，调节溅射气压为3×10-1～4×10-1Pa，开启纯金属靶的溅射靶电源，调整溅射电压为380～600V，溅射电流为8～10A，利用中频磁控溅射方式制备，溅射涂层厚度为50～250nm，得到第一层扩散阻挡层TiN、AlN、Al2O3、TiO2、SiO2、Si3N4或者Cr2O3；
步骤二：在第一层扩散阻挡层上制备第二层红外发射层；
采用纯金属靶直流或中频磁控溅射方法，纯金属靶为Al靶、Ti靶、Ag靶、Au靶或者Cu靶，以Ar气作为溅射气体制备，溅射前将真空室预抽本底真空至4×10-3～5×10-3Pa，通入惰性气体Ar气作为溅射气氛，Ar气流量为100～140sccm，调整溅射距离为130～150mm，调节溅射气压为3×10-1～4×10-1Pa，开启纯金属靶的溅射靶电源，调整溅射电压为380～600V，溅射电流为8～10A，利用中频磁控溅射方式制备，溅射涂层厚度为50～250nm，得到第二层红外发射层Al、Ti、Ag、Au或者Cu；
步骤三：在第二层红外发射层上制备第三层扩散阻挡层；
采用纯金属靶中频磁控溅射方法，纯金属靶为Al靶、Ti靶、Si靶或者Cr靶，以Ar气作为溅射气体制备，溅射前将真空室预抽本底真空至4×10-3～5×10-3Pa，通入惰性气体Ar和O2作为溅射气氛，或者Ar和N2作为溅射气氛，Ar气流量为100～140sccm，氧气流量为20～45sccm，如果使用氮气，流量为8～20sccm，调整溅射距离为130～150mm，调节溅射气压为3×10-1～4×10-1Pa，开启纯金属靶的溅射靶电源，调整溅射电压为380～600V，溅射电流为8～10A，利用中频磁控溅射方式制备，溅射涂层厚度为50～250nm，得到第三层扩散阻挡层TiN、AlN、Al2O3、TiO2、SiO2、Si3N4或者Cr2O3；
步骤四：在第三层扩散阻挡层上制备第四层吸收层；
采用金属Ti靶、Ni-Cr靶或者Si-Al靶，利用中频磁控溅射方法，将真空室预抽本底真空至4×10-3～5×10-3Pa，然后通入Ar、O2的混合气，或者Ar、N2的混合气。
当选择Ti靶和Si-Al靶以及反应气体为O2时，参数为Ar的流量为90～140sccm，O2的流量为20～45sccm，调节溅射气压为3×10-1～5×10-1Pa，分别开启两种靶电源，溅射时，调整Ti靶溅射电压为480～530V，溅射电流为6～8A，Si-Al靶溅射电压为600～750V，溅射电流为5～7A，在第三层扩散阻挡层上制备第一亚层SiO2+TiO2，SiO2占体积百分比为30～50％，其余为TiO2，厚度为50～100nm；
增加O2的流量为30～50sccm，调节Ti靶溅射电压为380～450V，溅射电流减为4～5A，其他各个参数不变，在第一亚层上继续溅射得到第二亚层SiO2+TiO2，SiO2的体积百分比为50～75％，其余为TiO2，厚度为50～100nm；
当选择Ni-Cr靶和Si-Al靶以及反应气体为O2时，参数为Ar的流量为100～140sccm，O2的流量为20～50sccm，调节溅射气压为3×10-1～4×10-1Pa，分别开启Ni-Cr和Si-Al靶电源，溅射时，调整Ni-Cr靶溅射电压为450～530V，溅射电流为6～8A，Si-Al靶溅射电压为540～600V，溅射电流为4～6A，在第三层扩散阻挡层上制备第一亚层SiO2+NiO，其中SiO2的体积百分比为30～50％，其余为NiO，制备厚度为50～100nm第一亚层；
增加Si-Al靶溅射电流为6～8A，减少Ni-Cr靶溅射电流为4～6A，其他各个参数不变，继续制备第二亚层SiO2+NiO，其中SiO2的体积百分比为50～75％，其余为NiO，厚度为50～100nm；
当选择Ni-Cr靶和Si-Al靶以及反应气体为N2时，参数为Ar的流量为100～140sccm，N2的流量为5～20sccm，调节溅射气压为3×10-1～4×10-1Pa，分别开启Ni-Cr和Si-Al靶电源，溅射时，调整Si-Al靶溅射电压为640～750V，溅射电流为6～8A，Ni-Cr靶溅射电压为540～600V，溅射电流为6～8A，在第三层扩散阻挡层上制备第一亚层，第一亚层为Si3N4+Ni3N2，其中Si3N4的体积百分比为30～50％，其余为Ni3N2，制备厚度为50～100nm的第一亚层；
减少Si-Al靶溅射电流为4～6A，其他各个参数不变，继续制备第二亚层Si3N4+Ni3N2，Si3N4的体积百分比为50～75％，其余为Ni3N2，厚度为50～100nm；
当选择Ti靶、Si-Al靶以及反应气体为N2时，参数为Ar的流量为100～140sccm，N2的流量为5～20sccm，调节溅射气压为3×10-1～4×10-1Pa，分别开启Ti和Si-Al靶电源，溅射时，调整Si-Al靶溅射电压为640～750V，溅射电流为6～8A，Ti靶溅射电压为540～600V，溅射电流为6～8A，在第三层扩散阻挡层上制备第一亚层，第一亚层为Si3N4+TiN，其中TiN的体积百分比为30～50％，其余为Si3N4，制备厚度为50～100nm的第一亚层；
减少Ti靶溅射电流为4～6A，其他各个参数不变，继续制备第二亚层Si3N4+TiN，TiN的体积百分比为50～75％，其余为Si3N4，厚度为50～100nm；
当选择Ti靶、Ni-Cr靶以及反应气体为O2时，参数为Ar的流量为90～140sccm，O2的流量为20～30sccm，调节溅射气压为3×10-1～5×10-1Pa，分别开启Ti和Ni-Cr靶电源，溅射时，调Ti靶溅射电压为450～530V，溅射电流为6～8A，Ni-Cr靶溅射电压为600～750V，溅射电流为5～7A，在第三层扩散阻挡层上制备第一亚层NiO+TiO2，其中TiO2的体积百分比为30～50％，其余为NiO，厚度为50～100nm；
增加O2的流量为30～50sccm，调节Ni-Cr靶溅射电压为600～750V，溅射电流为4～5A，其他各个参数不变，在第一亚层上继续溅射得到第二亚层NiO+TiO2，其中TiO2的体积百分比为50～75％，其余为NiO，厚度为50～100nm；
当选择Ti靶、Ni-Cr靶以及反应气体为N2时，参数为Ar的流量为100～140sccm，N2的流量为5～15sccm，调节溅射气压为3×10-1～4×10-1Pa，分别开启Ti和Ni-Cr靶电源，溅射时，调整Ti靶溅射电压为450～530V，溅射电流为6～8A，Ni-Cr靶溅射电压为540～600V，溅射电流为4～6A，在第三层扩散阻挡层上制备厚度为50～100nm第一亚层TiN+Ni3N2膜层，其中的TiN占体积百分比为30～50％，其余为Ni3N2，厚度为50～100nm；
减少Ti靶溅射电流为4～6A，其他各个参数不变，继续制备第二亚层TiN+Ni3N2，其中的TiN占体积百分比为50～75％，其余为Ni3N2，厚度为50～100nm；第一亚层和第二亚层除自身对太阳光谱具备固有吸收特性外，还形成干涉吸收效应，加强了涂层的光吸收作用；
步骤五：在第四层吸收层上制备第五层减反射层；
减反射层主要选择是Al2O3或者SiO2膜，如果选择SiO2膜则采用Si靶，溅射前将真空室预抽本底真空至4×10-3～5×10-3Pa，以Ar气作为溅射气体，通入O2作为反应气体制备，O2的流量为20～40sccm调节Ar与O2流量比为1.5:1～2.5:1，调整溅射距离为130～150mm，调节溅射气压为3×10-1～5×10-1Pa，溅射时，调整溅射电压为700～800V，溅射电流为8～10A，利用中频磁控溅射方式得到厚度为50～250nm的SiO2膜，得到第五层减反射层。
如果选择Al2O3膜，采用Al靶(纯度99.99％)，溅射前将真空室预抽本底真空至4×10-3～5×10-3Pa，通入惰性气体Ar作为溅射气体，通入O2作为反应气体制备，O2的流量为20～40sccm，调节Ar与O2流量比为1.5:1～3:1，调整溅射距离为130～150mm，调节溅射气压为3×10-1～4×10-1Pa。溅射时，调整溅射电压为540～600V，溅射电流为8～10A，利用中频磁控溅射方式制备厚度为50～250nm的Al2O3膜即第五减反射层。
步骤六：在第五层减反射层上制备第六层有机防护层；
防护层主要是选择致密的有机膜层，制备方法：将正硅酸乙酯加入无水乙醇，配成的溶液中，正硅酸乙酯与无水乙醇的体积百分比为20.5％；
将氨水加入无水乙醇，配成的溶液中，氨水与无水乙醇的体积百分比为5.1％；
完成上述操作，得到两种不同的混合溶液；
将磁力搅拌器温度设置在35℃，将氨水和无水乙醇的混合溶液逐渐滴加到正硅酸乙酯的乙醇溶液中，边滴边搅拌。
滴加完毕后，停止加热，在室温下继续搅拌1.5h，得到摩尔浓度为0.4mol/L SiO2溶胶。用pH试纸测定溶胶pH＝8。溶胶装入玻璃罐密封，经24小时静置后镀膜。
使用溶胶凝胶法，将胶体均匀的涂覆在减反层表面，最后在550℃的高温下进行膜层固化。
第六层有机防护层的厚度为100～200nm。
本发明的优点在于：
本发明所提供的选择性吸收涂层由第一层扩散阻挡层、第二层红外发射层、第三层扩散阻挡层、双陶瓷结构的混合物组成的双干涉吸收层(第四层吸收层)、陶瓷减反射层(第五层减反射层)以及有机防护层组成，具有可见-红外光谱高吸收率，红外光谱低发射率的特点，由于加入了有机防护层，使得其耐高温及耐大气腐蚀的性能大大加强，使得这种新型结构高温选择性吸收涂层具有良好的高温热稳定性及耐候性。
附图说明
图1：本发明提供的一种大气中耐高温、耐盐雾太阳能选择性吸收涂层的结构示意图；
图2：本发明提供的一种大气中耐高温、耐盐雾太阳能选择性吸收涂层的制备方法流程图。
具体实施方式
下面将结合附图和实施例对本发明作进一步的详细说明。
本发明提出一种大气中耐高温、耐盐雾太阳能选择性吸收涂层，包括六层膜，从底层到表面依次为第一层扩散阻挡层、第二层红外发射层、第三层扩散阻挡层、第四层吸收层、第五层减反射层和第六层有机防护层；
第一层扩散阻挡层为氮化物或氧化物膜层，具体为TiN、AlN、Al2O3、TiO2、SiO2、Si3N4或者Cr2O3，第一层扩散阻挡层位于基体表面，厚度为50～100nm；
第二层红外发射层为Cu、Ag、Al、Ti或者Au，位于第一层扩散阻挡层的表面，厚度为50～250nm；
第三层扩散阻挡层为氮化物或氧化物膜层，具体为TiN、AlN、Al2O3、TiO2、SiO2Si3N4、或者Cr2O3，位于第二层红外发射层表面，厚度为50～100nm；
第四层吸收层包括两个亚层结构，两个亚层均为双陶瓷膜，具体为SiO2+TiO2膜、SiO2+NiO膜、Si3N4+Ni3N2膜、Si3N4+TiN膜、NiO+TiO2膜或者Ni3N2+TiN膜，第一亚层和第二亚层的厚度均为50～100nm；
第一亚层中，SiO2+TiO2中的SiO2占体积百分比为30～50％，其余为TiO2；SiO2+NiO中的SiO2占体积百分比为30～50％，其余为NiO；Si3N4+Ni3N2中的Si3N4占体积百分比为30～50％，其余为Ni3N2；Si3N4+TiN中的TiN占体积百分比为30～50％，其余为Si3N4；NiO+TiO2中的TiO2占体积百分比为30～50％，其余为NiO；Ni3N2+TiN中的TiN占体积百分比为30～50％，其余为Ni3N2；
第二亚层中，第一亚层中，SiO2+TiO2中的SiO2占体积百分比为50～75％，其余为TiO2；SiO2+NiO中的SiO2占体积百分比为50～75％，其余为NiO；Si3N4+Ni3N2中的Si3N4占体积百分比为50～75％，其余为Ni3N2；Si3N4+TiN中的TiN占体积百分比为50～75％，其余为Si3N4；NiO+TiO2中的TiO2占体积百分比为50～75％，其余为NiO；Ni3N2+TiN中的TiN占体积百分比为50～75％，其余为Ni3N2；
第一亚层与第三层扩散阻挡层相邻，第二亚层与第五层减反射层相邻；
第五层减反射层为Al2O3膜或者SiO2膜，厚度为50～250nm；
第六层有机防护层，包括正硅酸乙酯、无水乙醇、氨水，将正硅酸乙酯加入无水乙醇，配成的溶液中，正硅酸乙酯与无水乙醇的体积百分比为20.5％；
将氨水加入无水乙醇，配成的溶液中，氨水与无水乙醇的体积百分比为5.1％；
将这两种混合溶液进行混合及搅拌，经过24小时的静置之后，使用溶胶凝胶法，将静置后形成的胶体均匀涂覆在第五层减反射层表面。
第六层有机防护层的厚度为100～200nm。
第六层有机防护层作为保护层，主要作用是耐大气腐蚀，包括水汽，盐雾，酸碱等。
本发明提供的一种大气中耐高温、耐盐雾太阳能选择性吸收涂层：在大气质量因子AM1.5条件下，本发明的涂层吸收率为96～98％，法向发射率为0.04～0.06。在大气环境下，经600℃下保温2小时后，涂层吸收率基本不变，法向发射率为0.04～0.06，在2×10-2Pa真空度下，经700℃真空退火2小时后，涂层吸收率也基本不变％，法向发射率为0.04～0.06。经过退火试验可以看出，此耐高温太阳能选择性吸收涂层在高温下吸收率和发射率都没有明显变化，由此可以证明此涂层的耐高温性能良好。
为了进一步证实此涂层在海边的耐盐雾性能，对涂层进行盐雾试验，将没有涂覆第六层有机防护层的涂层和涂覆了第六层有机防护层的涂层分别放进盐雾试验箱，涂层的基底选择的是316L不锈钢材质，最后的结果是后者能够保持1500小时以上不锈钢材质表面开始出现蚀点，前者只能保持500小时。这一点也充分证实了此涂层的耐盐雾性能。
本发明提供的一种大气中耐高温、耐盐雾太阳能选择性吸收涂层的制备方法，如图2所示，包括以下几个步骤：
步骤一：在基体上制备第一层扩散阻挡层；
采用纯金属靶中频磁控溅射方法，纯金属靶为Al靶、Ti靶、Si靶或者Cr靶，以Ar气作为溅射气体制备，基体采用不锈钢，溅射前将真空室预抽本底真空至4×10-3～5×10- 3Pa，通入惰性气体Ar和O2作为溅射气氛，或者Ar和N2作为溅射气氛，Ar气流量为100～140sccm，氧气流量为20～45sccm，如果使用氮气，流量为8～20sccm，调整溅射距离为130～150mm，调节溅射气压为3×10-1～4×10-1Pa，开启纯金属靶的溅射靶电源，调整溅射电压为380～600V，溅射电流为8～10A，利用中频磁控溅射方式制备，溅射涂层厚度为50～250nm，得到第一层扩散阻挡层TiN、AlN、Al2O3、TiO2、SiO2、Si3N4、或者Cr2O3，这一层主要是起过渡层的作用以及阻挡红外发射层往基体扩散。
步骤二：在第一层扩散阻挡层上制备红外发射层；
采用纯金属靶直流或中频磁控溅射方法，纯金属靶为Al靶、Ti靶、Ag靶、Au靶或者Cu靶，以Ar气作为溅射气体制备，溅射前将真空室预抽本底真空至4×10-3～5×10-3Pa，通入惰性气体Ar气作为溅射气氛，Ar气流量为100～140sccm，调整溅射距离为130～150mm，调节溅射气压为3×10-1～4×10-1Pa，开启纯金属靶的溅射靶电源，调整溅射电压为380～600V，溅射电流为8～10A，利用中频磁控溅射方式制备，溅射涂层厚度为50～250nm，得到第二层红外发射层Al、Ti、Ag、Au或者Cu，这一层主要是防止热量的损失，获得低发射率。
步骤三：在第二层红外发射层上制备第三层扩散阻挡层；
采用纯金属靶中频磁控溅射方法，纯金属靶为Al靶、Ti靶、Si靶或者Cr靶，以Ar气作为溅射气体制备，溅射前将真空室预抽本底真空至4×10-3～5×10-3Pa，通入惰性气体Ar和O2作为溅射气氛，或者Ar和N2作为溅射气氛，Ar气流量为100～140sccm，氧气流量为20～45sccm，如果使用氮气，流量为8～20sccm，调整溅射距离为130～150mm，调节溅射气压为3×10-1～4×10-1Pa，开启纯金属靶的溅射靶电源，调整溅射电压为380～600V，溅射电流为8～10A，利用中频磁控溅射方式制备，溅射涂层厚度为50～250nm，得到第三层扩散阻挡层TiN、AlN、Al2O3、TiO2、SiO2、Si3N4或者Cr2O3，这一层主要使防止红外发射层向吸收层扩散.
步骤四：在第三层扩散阻挡层上制备第四层吸收层；
采用金属Ti靶、Ni-Cr靶或者Si-Al靶，利用中频磁控溅射方法，将真空室预抽本底真空至4×10-3～5×10-3Pa，然后通入Ar、O2的混合气，或者Ar、N2的混合气。
当选择Ti靶和Si-Al靶以及反应气体为O2时，参数为Ar的流量为90～140sccm，O2的流量为20～45sccm，调节溅射气压为3×10-1～5×10-1Pa，分别开启两种靶电源，溅射时，调整Ti靶溅射电压为480～530V，溅射电流为6～8A，Si-Al靶溅射电压为600～750V，溅射电流为5～7A，在第三层扩散阻挡层上制备第一亚层SiO2+TiO2，SiO2占体积百分比为30～50％，其余为TiO2，厚度为50～100nm；
增加O2的流量为30～50sccm，调节Ti靶溅射电压为380～450V，溅射电流减为4～5A，其他各个参数不变，在第一亚层上继续溅射得到第二亚层SiO2+TiO2，SiO2的体积百分比为50～75％，其余为TiO2，厚度为50～100nm；
当选择Ni-Cr靶和Si-Al靶以及反应气体为O2时，参数为Ar的流量为100～140sccm，O2的流量为20～50sccm，调节溅射气压为3×10-1～4×10-1Pa，分别开启Ni-Cr和Si-Al靶电源，溅射时，调整Ni-Cr靶溅射电压为450～530V，溅射电流为6～8A，Si-Al靶溅射电压为540～600V，溅射电流为4～6A，在第三层扩散阻挡层上制备第一亚层SiO2+NiO，其中SiO2的体积百分比为30～50％，其余为NiO，制备厚度为50～100nm第一亚层；
增加Si-Al靶溅射电流为6～8A，减少Ni-Cr靶溅射电流为4～6A，其他各个参数不变，继续制备第二亚层SiO2+NiO，其中SiO2的体积百分比为50～75％，其余为NiO，厚度为50～100nm；
当选择Ni-Cr靶和Si-Al靶以及反应气体为N2时，参数为Ar的流量为100～140sccm，N2的流量为5～20sccm，调节溅射气压为3×10-1～4×10-1Pa，分别开启Ni-Cr和Si-Al靶电源，溅射时，调整Si-Al靶溅射电压为640～750V，溅射电流为6～8A，Ni-Cr靶溅射电压为540～600V，溅射电流为6～8A，在第三层扩散阻挡层上制备第一亚层，第一亚层为Si3N4+Ni3N2，其中Si3N4的体积百分比为30～50％，其余为Ni3N2，制备厚度为50～100nm的第一亚层；
减少Si-Al靶溅射电流为4～6A，其他各个参数不变，继续制备第二亚层Si3N4+Ni3N2，Si3N4的体积百分比为50～75％，其余为Ni3N2，厚度为50～100nm；
当选择Ti靶、Si-Al靶以及反应气体为N2时，参数为Ar的流量为100～140sccm，N2的流量为5～20sccm，调节溅射气压为3×10-1～4×10-1Pa，分别开启Ti和Si-Al靶电源，溅射时，调整Si-Al靶溅射电压为640～750V，溅射电流为6～8A，Ti靶溅射电压为540～600V，溅射电流为6～8A，在第三层扩散阻挡层上制备第一亚层，第一亚层为Si3N4+TiN，其中TiN的体积百分比为30～50％，其余为Si3N4，制备厚度为50～100nm的第一亚层；
减少Ti靶溅射电流为4～6A，其他各个参数不变，继续制备第二亚层Si3N4+TiN，TiN的体积百分比为50～75％，其余为Si3N4，厚度为50～100nm；
当选择Ti靶、Ni-Cr靶以及反应气体为O2时，参数为Ar的流量为90～140sccm，O2的流量为20～30sccm，调节溅射气压为3×10-1～5×10-1Pa，分别开启Ti和Ni-Cr靶电源，溅射时，调Ti靶溅射电压为450～530V，溅射电流为6～8A，Ni-Cr靶溅射电压为600～750V，溅射电流为5～7A，在第三层扩散阻挡层上制备第一亚层NiO+TiO2，其中TiO2的体积百分比为30～50％，其余为NiO，厚度为50～100nm；
增加O2的流量为30～50sccm，调节Ni-Cr靶溅射电压为600～750V，溅射电流为4～5A，其他各个参数不变，在第一亚层上继续溅射得到第二亚层NiO+TiO2，其中TiO2的体积百分比为50～75％，其余为NiO，厚度为50～100nm；
当选择Ti靶、Ni-Cr靶以及反应气体为N2时，参数为Ar的流量为100～140sccm，N2的流量为5～15sccm，调节溅射气压为3×10-1～4×10-1Pa，分别开启Ti和Ni-Cr靶电源，溅射时，调整Ti靶溅射电压为450～530V，溅射电流为6～8A，Ni-Cr靶溅射电压为540～600V，溅射电流为4～6A，在第三层扩散阻挡层上制备厚度为50～100nm第一亚层TiN+Ni3N2膜层，其中的TiN占体积百分比为30～50％，其余为Ni3N2，厚度为50～100nm；
减少Ti靶溅射电流为4～6A，其他各个参数不变，继续制备第二亚层TiN+Ni3N2，其中的TiN占体积百分比为50～75％，其余为Ni3N2，厚度为50～100nm；第一亚层和第二亚层除自身对太阳光谱具备固有吸收特性外，还形成干涉吸收效应，加强了涂层的光吸收作用；
吸收层中的第一亚层和第二亚层除自身对太阳光谱具备固有吸收特性外，还形成干涉吸收效应，加强了涂层的光吸收作用；
步骤五：在第四层吸收层上制备第五层减反射层；
减反射层主要选择是Al2O3或者SiO2膜，如果选择SiO2则采用Si靶，溅射前将真空室预抽本底真空至4×10-3～5×10-3Pa，以Ar气作为溅射气体，通入O2作为反应气体制备，O2的流量为20～40sccm调节Ar与O2流量比为1.5:1～2.5:1，调整溅射距离为130～150mm，调节溅射气压为3×10-1～5×10-1Pa，溅射时，调整溅射电压为700～800V，溅射电流为8～10A，利用中频磁控溅射方式得到厚度为50～250nm的SiO2膜，得到第五层减反射层。
如果选择Al2O3膜，采用Al靶(纯度99.99％)，溅射前将真空室预抽本底真空至4×10-3～5×10-3Pa，通入惰性气体Ar作为溅射气体，通入O2作为反应气体制备，O2的流量为20～40sccm，调节Ar与O2流量比为1.5:1～3:1，调整溅射距离为130～150mm，调节溅射气压为3×10-1～4×10-1Pa。溅射时，调整溅射电压为540～600V，溅射电流为8～10A，利用中频磁控溅射方式制备厚度为50～250nm的Al2O3膜即第五层减反射层。减反射层具有增透、耐磨、抗氧化的作用。
步骤六：在第五层减反层上制备第六层有机防护层；
有机防护层主要采用溶胶凝胶法镀制，主要成分为SiO2，制备方法：将正硅酸乙酯加入无水乙醇，配成的溶液中正硅酸乙酯与无水乙醇的体积百分比为20.5％；
将氨水加入无水乙醇,配成的溶液中氨水与无水乙醇的体积百分比为5.1％；
完成上述操作，得到两种不同的混合溶液；
将磁力搅拌器温度设置在35℃，将氨水和无水乙醇的混合溶液逐渐滴加到正硅酸乙酯的乙醇溶液中，边滴边搅拌。
滴加完毕后，停止加热，在室温下继续搅拌1.5h，得到摩尔浓度为0.4mol/L SiO2溶胶。用pH试纸测定溶胶pH＝8。溶胶装入玻璃罐密封，经24小时静置后镀膜。
使用溶胶凝胶法，将胶体均匀的涂覆在减反层表面，最后在550℃的高温下进行膜层固化。
第六层有机防护层的厚度为100～200nm。
具体操作方法为提拉法，提拉速度为2.5～3nm/s，时间为1h，厚度约为100～200nm。有机防护层的镀制对环境要求比较高，必须是万级的洁净间，恒温恒湿的条件，温度22±2℃，湿度35±5％。
有机保护层可以进一步增透，其折射率小于第五层减反层，与第五层减反层构成双层减反，进一步提高减反效果，除此之外，第六层有机防护层还有另外一个很重要的作用就是耐盐雾性能，阻止涂层以及基底在盐雾环境中被腐蚀。
实施例1：
本实施例提供一种具有SiO2和TiO2结构的大气耐高温、耐盐雾太阳能选择性吸收涂层，该涂层包括六个涂层，分为第一层扩散阻挡层、第二层红外发射层、第三层扩散阻挡层、第四层吸收层、第五层减反射层、第六层有机防护层。
第一层TiO2膜厚度为50nm，第二层Cu膜总厚度为150nm，第三层TiO2膜为50nm，第四层SiO2+TiO2膜为140nm，其中第一亚层SiO2+TiO2膜厚度为80nm，第二亚层SiO2+TiO2膜厚度为60nm，第一亚层中SiO2的体积百分比为40％，其余为TiO2；第二亚层SiO2的体积百分比为60％，其余为TiO2；第五层SiO2膜厚度为100nm；第六层厚度为150nm。
制备上述的具有SiO2和TiO2的大气中耐高温、耐盐雾太阳能选择性吸收涂层的方法，包括以下几个步骤：
步骤一：在基体上制备第一层扩散阻挡层；
采用纯金属Ti靶中频磁控溅射方法，以Ar气作为溅射气体制备，基体采用不锈钢，溅射前将真空室预抽本底真空至5×10-3Pa，通入惰性气体Ar和O2作为溅射气氛，Ar气流量为140sccm，氧气流量为30sccm，调整溅射距离为150mm，调节溅射气压为4×10-1Pa，开启纯金属Ti靶的溅射靶电源，调整溅射电压为540V，溅射电流为8A，利用中频磁控溅射方式制备TiO2膜，溅射涂层厚度为50nm；
步骤二：在第一层扩散阻挡层上制备第二层红外发射层；
选用纯度99.99％的Cu靶，溅射前将真空室预抽本底真空至4.5×10-3，通入惰性气体Ar作为溅射气氛，Ar气流量为120sccm，调整溅射距离为140mm，调节溅射气压为3.3×10- 1Pa。开启Cu靶，调整溅射电压为400V，溅射电流为8A，利用直流溅射方式制备150nm厚的Cu膜；
步骤三：在第二层红外发射层上制备第三层扩散阻挡层；
采用纯金属Ti靶中频磁控溅射方法，以Ar气作为溅射气体制备，溅射前将真空室预抽本底真空至5×10-3Pa，通入惰性气体Ar和O2作为溅射气氛，Ar气流量为140sccm，氧气流量为30sccm，调整溅射距离为150mm，调节溅射气压为4×10-1Pa，开启纯金属Ti靶的溅射靶电源，调整溅射电压为540V，溅射电流为8A，利用中频磁控溅射方式制备TiO2膜，溅射涂层厚度为50nm；
步骤四：在第三层扩散阻挡层上制备第四层吸收层；
采用Si-Al靶和Ti靶中频磁控溅射方法，将真空室预抽本底真空至4×10-3Pa，同时通入Ar、O2的混合气，Ar的流量为110sccm，O2的流量为20sccm，调节溅射气压为5×10-1Pa，分别开启Ti和Si-Al靶电源，调整Ti靶溅射电流为8A,电压为530V，Si-Al靶溅射电流为6.3A,电压为670V，在Cu膜上制备80nm厚的第一亚层SiO2+TiO2膜；
调节O2的流量为30sccm，调节Ti靶溅射电流为4.5A，溅射电压为400V，继续制备厚度为60nm的第二亚层SiO2+TiO2薄膜；
步骤五：在第四层吸收层上制备第五层减反射层；
选用纯度99.99％的Si靶，溅射前将真空室预抽本底真空至4.5×10-3Pa，同时通入Ar、O2混合气，调节Ar与O2流量比为2：1,Ar流量为80sccm,O2流量为40sccm，调整溅射距离为145mm，调节溅射气压为3×10-1Pa，溅射时，调整溅射电流为8.3A，溅射电压为750V，利用中频磁控溅射方式制备100nm厚SiO2膜。
步骤六：在第五层减反层上制备第六层有机防护层；
有机防护层主要采用溶胶凝胶法镀制，主要成分为SiO2，具体操作方法为提拉法，提拉速度为2.7nm/s,时间为1h，厚度约为150nm。
本实施例制备的太阳能选择性吸收涂层的性能如下：在大气质量因子AM1.5条件下，涂层吸收率为96.5％，法向发射率为0.05。大气中处理，在大气环境下，经600℃保温2小时后，涂层吸收率为96.7％，法向发射率为0.05，在2×10-2Pa真空度下，经700℃真空退火2小时后，涂层吸收率为96.3％，法向发射率为0.06。
涂层经过中性盐雾试验，耐盐雾试验时间：1590h,试验参数见下表：
氯化钠品质 分析纯≥99.5％
蒸馏水品质 工业纯水
喷雾采取器 1～2mL/80cm2·h
喷雾量 1mL/80cm2·h
收集溶液在室温的比重或浓度 50g/L
PH 7
压缩空气压力 1kgf/cm2
试验室相对湿度 ≥85％
试验室温度 35℃
压力桶温度 47℃
盐水桶温度 35℃
实施例2：
本实施例提供一种具有Si3N4和Ni3N2结构的大气耐高温、耐盐雾太阳能选择性吸收涂层，分为第一层扩散阻挡层、第二层红外发射层、第三层扩散阻挡层、第四层吸收层、第五层减反射层、第六层有机防护层。
第一层为Si3N4膜，厚度为60nm，第二层为Cu膜，厚度为180nm，第三层为Si3N4膜，厚度为60nm，第四层总厚度为160nm，其中第一亚层厚度为100nm，第二亚层厚度为60nm，第一亚层中Si3N4的体积百分比为40％，其余为Ni3N2；第二亚层Si3N4的体积百分比为60％，其余为Ni3N2；第五层为SiO2膜，厚度为120nm；第六层为有机防护层，厚度为130mm。制备步骤如下：
步骤一：在基体上制备第一层扩散阻挡层；
采用Si-Al靶中频磁控溅射方法，以Ar气作为溅射气体制备，基体采用不锈钢，溅射前将真空室预抽本底真空至5×10-3Pa，通入惰性气体Ar和N2作为溅射气氛，Ar气流量为140sccm，氮气流量为15sccm，调整溅射距离为150mm，调节溅射气压为4×10-1Pa，开启Si-Al靶的溅射靶电源，调整溅射电压为530V，溅射电流为8A，利用中频磁控溅射方式制备Si3N4膜，溅射涂层厚度为60nm；
步骤二：在第一层扩散阻挡层上制备第二层红外发射层；
选用纯度和纯度为99.99％的Cu靶，溅射前将真空室预抽本底真空至4.5×10-3Pa，通入惰性气体Ar作为溅射气氛，Ar气流量为120sccm，调整溅射距离为140mm，调节溅射气压为4×10-1Pa。开启Cu靶，调整溅射电压为400V，溅射电流为8A，利用直流磁控溅射方式制备180nm厚的Cu膜；
步骤三：在红外发射层上制备第三层扩散阻挡层；
采用Si-Al靶中频磁控溅射方法，以Ar气作为溅射气体制备，基体采用高速钢，溅射前将真空室预抽本底真空至5×10-3Pa，通入惰性气体Ar和N2作为溅射气氛，Ar气流量为140sccm，氮气流量为15sccm，调整溅射距离为150mm，调节溅射气压为4×10-1Pa，开启Si-Al靶的溅射靶电源，调整溅射电压为530V，溅射电流为8A，利用中频磁控溅射方式制备Si3N4膜，溅射涂层厚度为60nm；
步骤四：在第三层扩散阻挡层上制备第四层吸收层；
采用Si-Al靶和Ni-Cr靶靶中频磁控溅射方法，将真空室预抽本底真空至4×10- 3Pa，同时通入Ar和N2的混合气，Ar的流量为120sccm，N2的流量为20sccm，调节溅射气压为3.5×10-1Pa，分别开启Si-Al和Ni-Cr靶电源，调整Si-Al靶溅射电压为700V，溅射电流为8A，Ni-Cr靶溅射电压为600V，溅射电流为8A，在Cu膜上制备100nm厚的第一亚层Si3N4和Ni3N2膜；
Ni-Cr靶溅射溅射电流不变，Si靶溅射电流为6A，继续制备厚度为60nm的第二亚层Si3N4和Ni3N2膜；
步骤五：在第四层吸收层上制备第五层减反射层；
采用Si-Al靶，溅射前将真空室预抽本底真空至5×10-3Pa，同时通入Ar、O2混合气，调节Ar与O2流量比为3:1,O2的流量为25sccm，调整溅射距离为145mm，调节溅射气压为4×10-1Pa，溅射时，调整溅射电流为8.3A，溅射电压为700V，利用中频磁控溅射方式制备120nm厚SiO2膜。
步骤六：在第五层减反层上制备第六层有机防护层；
有机防护层主要采用溶胶凝胶法镀制，主要成分为SiO2，具体操作方法为提拉法，提拉速度为2.5m/s,时间为1h，厚度约为130nm。
本实施例制备的太阳能选择性吸收涂层的性能如下：
在大气质量因子AM1.5条件下，涂层吸收率为96.8％，法向发射率为0.04。大气中处理，在大气环境下，经600℃保温2小时后，涂层吸收率为96.7％，法向发射率为0.05，在2×10-2Pa真空度下，经700℃真空退火2小时后，涂层吸收率为96.5％，法向发射率为0.06。
涂层经过中性盐雾试验，耐盐雾试验时间：1600h，试验参数见下表：
氯化钠品质 分析纯≥99.5％
蒸馏水品质 工业纯水
喷雾采取器 1～2mL/80cm2·h
喷雾量 1mL/80cm2·h
收集溶液在室温的比重或浓度 50g/L
PH 7
压缩空气压力 1kgf/cm2
试验室相对湿度 ≥85％
试验室温度 35℃
压力桶温度 47℃
盐水桶温度 35℃
实施例3：
本实施例提供一种具有TiO2和NiO结构的大气中耐高温、耐盐雾选择性吸收涂层，分为第一层扩散阻挡层、第二层红外发射层、第三层扩散阻挡层、第四层吸收层、第五层减反射层、第六层有机防护层。
第一层扩散阻挡层为TiO2膜，厚度为80nm；第二层红外发射层为Ag膜，厚度为250nm；第三层扩散阻挡层为TiO2膜，厚度为80nm；第四层吸收层包括两个亚层结构，两个亚层均为TiO2+NiO膜，第一亚层和第二亚层的厚度均为75nm，第一亚层中TiO2的体积百分比为60％，第二亚层TiO2的体积百分比为40％，其中第一亚层与第三层扩散阻挡层相邻，第二亚层与第五层减反射层相邻；第五层减反射层为SiO2膜，厚度为150nm；第六层为有机防护层，厚度为140nm。
上述的一种具有TiO2和NiO的大气中耐高温、耐盐雾太阳能选择性吸收涂层的制备方法，包括以下几个步骤：
步骤一：在基体上制备第一层扩散阻挡层；
采用纯金属Ti靶中频磁控溅射方法，以Ar气作为溅射气体制备，基体采用不锈钢，溅射前将真空室预抽本底真空至5×10-3Pa，通入惰性气体Ar和O2作为溅射气氛，Ar气流量为140sccm，氧气流量为35sccm，调整溅射距离为150mm，调节溅射气压为4×10-1Pa，开启纯金属Ti靶的溅射靶电源，调整溅射电压为550V，溅射电流为8A，利用中频磁控溅射方式制备TiO2膜，溅射涂层厚度为80nm；
步骤二：在第一层扩散阻挡层上制备第二层红外发射层；
采用纯金属靶Ag靶(纯度99.99％)，以Ar气作为溅射气体制备，溅射前将真空室预抽本底真空至5×10-3Pa，通入惰性气体Ar气作为溅射气氛,Ar气流量为140sccm，调整溅射距离为150mm，调节溅射气压为4×10-1Pa。开启纯金属Ag靶的溅射靶电源，调整溅射电压为450V，溅射电流为10A，利用直流磁控溅射方式制备，溅射涂层厚度为250nm，得到第二层红外发射层Ag膜，该层对红外波段光谱具有高反射特性，发射率低；
步骤三：在第二层红外发射层上制备第三层扩散阻挡层；
采用纯金属Ti靶中频磁控溅射方法，以Ar气作为溅射气体制备，基体采用高速钢，溅射前将真空室预抽本底真空至5×10-3Pa，通入惰性气体Ar和O2作为溅射气氛，Ar气流量为140sccm，氧气流量为35sccm，调整溅射距离为150mm，调节溅射气压为4×10-1Pa，开启纯金属Ti靶的溅射靶电源，调整溅射电压为550V，溅射电流为8A，利用中频磁控溅射方式制备TiO2膜，溅射涂层厚度为80nm；
步骤四：在第三层扩散阻挡层上制备第四层吸收层；
采用金属Ti靶(纯度99.99％)和Ni-Cr靶中频磁控溅射方法，首先，将真空室预抽本底真空至4.5×10-3Pa，同时然后通入Ar、O2的混合气，Ar的流量为120sccm，O2的流量为25sccm，调节溅射气压为4×10-1Pa，分别开启Cr和Si靶电源，溅射时，调整Ti靶溅射电压为490V，溅射电流为7A，Si靶溅射电压为680V，溅射电流为6A，在第三层扩散阻挡层上制备第一亚层TiO2和NiO膜，厚度为75nm；
增加O2的流量为40sccm，调节Ni-Cr靶溅射电压为700V，溅射电流为4.5A，其他各个参数不变，在第一亚层TiO2和NiO膜上继续溅射得到第二亚层TiO2和NiO膜，厚度为75nm；第一亚层和第二亚层除自身对太阳光谱具备固有吸收特性外，还形成干涉吸收效应，加强了涂层的光吸收作用；
步骤五：在第四层吸收层上制备第五层减反射层；
采用Si靶(纯度99.99％)，溅射前将真空室预抽本底真空至5×10-3Pa，以Ar气作为溅射气体，通入O2作为反应气体制备，O2的流量为30sccm调节Ar与O2流量比为2.5:1，调整溅射距离为150mm，调节溅射气压为5×10-1Pa，溅射时，调整溅射电压为800V，溅射电流为10A，利用中频磁控溅射方式制备得到厚度为150nm的SiO2膜即第五层减反射层。
步骤六：在第五层减反层上制备第六层有机防护层；
有机防护层主要采用溶胶凝胶法镀制，主要成分为SiO2，具体操作方法为提拉法，提拉速度为2.6m/s,时间为1h,厚度约为140nm。
本实施例制备的太阳能选择性吸收涂层的性能如下：在大气质量因子AM1.5条件下，涂层吸收率为97.3％，法向发射率为0.04。
大气中处理，在大气环境下，经600℃保温2小时后，涂层吸收率为97.5％，法向发射率为0.05，在2×10-2Pa真空度下，经700℃真空退火2小时后，涂层吸收率为96.5％，法向发射率为0.06。
涂层经过中性盐雾试验，耐盐雾试验时间：1570h，试验参数见下表：
实施例4：
本实施例提供一种具有NiO和SiO2大气中耐高温、耐盐雾太阳能选择性吸收涂层，分为第一层扩散阻挡层、第二层红外发射层、第三层扩散阻挡层、第四层吸收层、第五层减反射层、第六层有机防护层。
第一层扩散阻挡层为NiO，厚度为70nm；第二层红外反射层为Ag膜，厚度为150nm；第三层扩散阻挡层为NiO，厚度为70nm；第四层吸收层包括两个亚层结构，两个亚层均为NiO+SiO2膜，第一亚层和第二亚层的厚度均为100nm，第一亚层中NiO的体积百分比为40％，其余为SiO2；第二亚层NiO的体积百分比为70％，其余为SiO2；第五层减反射层为SiO2膜，厚度为80nm；第六层为有机保护层，厚度为140nm。
本实施例提供的一种具有NiO和SiO2的大气中耐高温、耐盐雾太阳能选择性吸收涂层的制备方法，包括以下几个步骤：
步骤一：在基体上制备第一层扩散阻挡层；
采用Ni-Cr靶中频磁控溅射方法，以Ar气作为溅射气体制备，基体采用高速钢，溅射前将真空室预抽本底真空至5×10-3Pa，通入惰性气体Ar和O2作为溅射气氛，Ar气流量为140sccm，氧气流量为30sccm，调整溅射距离为150mm，调节溅射气压为4×10-1Pa，开启Ni-Cr靶的溅射靶电源，调整溅射电压为540V，溅射电流为8A，利用中频磁控溅射方式制备NiO膜，溅射涂层厚度为70nm；
步骤二：在第一层扩散阻挡层上制备第二层红外发射层；
采用纯金属Ag靶(纯度99.99％)，以Ar气作为溅射气体制备，基体采用高速钢。溅射前将真空室预抽本底真空至5×10-3Pa，通入惰性气体Ar气作为溅射气氛,Ar气流量为140sccm，调整溅射距离为150mm，调节溅射气压为4×10-1Pa。开启纯金属靶的溅射靶电源，调整溅射电压为450V，溅射电流为10A，利用直流磁控溅射方式制备，溅射涂层厚度为150nm，得到第二层红外发射层，该层对红外波段光谱具有高反射特性，发射率低；
步骤三：在第二层红外发射层上制备第三层扩散阻挡层；
采用Ni-Cr靶中频磁控溅射方法，以Ar气作为溅射气体制备，基体采用高速钢，溅射前将真空室预抽本底真空至5×10-3Pa，通入惰性气体Ar和O2作为溅射气氛，Ar气流量为140sccm，氧气流量为30sccm，调整溅射距离为150mm，调节溅射气压为4×10-1Pa，开启Ni-Cr靶的溅射靶电源，调整溅射电压为540V，溅射电流为8A，利用中频磁控溅射方式制备NiO膜，溅射涂层厚度为70nm；
步骤四：在第三层扩散阻挡层上制备第四层吸收层；
采用金属Ni-Cr靶(纯度99.99％)和Si-Al靶(纯度99.99％)中频磁控溅射方法，反应气体为O2，首先，将真空室预抽本底真空至5×10-3Pa，同时然后通入Ar、和O2的混合气，Ar的流量为140sccm，O2的流量为50sccm，调节溅射气压为4×10-1Pa，分别开启Ni-Cr和Si-Al靶电源，溅射时，调整Ni-Cr靶溅射电压为530V，溅射电流为8A，Si-Al靶溅射电压为600V，溅射电流为6A，制备厚度为100nm的第一亚层NiO和SiO2膜；
增加Si-Al靶溅射电流为8A，减少Ni-Cr靶溅射电流为6A，其他各个参数不变，继续制备第二亚层NiO和SiO2膜，厚度为100nm；第一亚层和第二亚层除自身对太阳光谱具备固有吸收特性外，还形成干涉吸收效应，加强了涂层的光吸收作用；
步骤五：在第四层吸收层上制备第五层减反射层；
采用Si-Al靶，溅射前将真空室预抽本底真空至4.5×10-3Pa，以Ar气作为溅射气体，通入O2作为反应气体制备，O2的流量为40sccm，调节Ar与O2流量比为2:1，调整溅射距离为140mm，调节溅射气压为4×10-1Pa，溅射时，调整溅射电压为550V，溅射电流为9A，利用中频磁控溅射方式制备得到厚度为80nm的SiO2膜即第五层减反射层。第五层减反射层具有增透、耐磨、抗氧化的作用。
步骤六：在第五层减反层上制备第六层有机防护层；
有机防护层主要采用溶胶凝胶法镀制，主要成分为SiO2，具体操作方法为提拉法，提拉速度为2.6m/s,时间为1h，厚度约为140nm。
本实施例制备的太阳能选择性吸收涂层的性能如下：在大气质量因子AM1.5条件下，涂层吸收率为97.5％，法向发射率为0.04。
大气中处理，在大气环境下，经600℃保温2小时后，涂层吸收率为97.7％，法向发射率为0.05，在2×10-2Pa真空度下，经700℃真空退火2小时后，涂层吸收率为97.0％，法向发射率为0.06。
涂层经过中性盐雾试验，耐盐雾试验时间：1650h，试验参数见下表：
氯化钠品质 分析纯≥99.5％
蒸馏水品质 工业纯水
喷雾采取器 1～2mL/80cm2·h
喷雾量 1mL/80cm2·h
收集溶液在室温的比重或浓度 50g/L
PH 7
压缩空气压力 1kgf/cm2
试验室相对湿度 ≥85％
试验室温度 35℃
压力桶温度 47℃
盐水桶温度 35℃

Claims (1)

1.一种大气中耐高温、耐盐雾太阳能选择性吸收涂层的制备方法，包括以下几个步骤：
步骤一：在基体上制备第一层扩散阻挡层；
采用纯金属靶中频磁控溅射方法，纯金属靶为Al靶、Ti靶、Si靶或者Cr靶，以Ar气作为溅射气体制备，基体采用不锈钢，溅射前将真空室预抽本底真空至4×10-3～5×10-3Pa，通入惰性气体Ar和O2作为溅射气氛，或者Ar和N2作为溅射气氛，Ar气流量为100～140sccm，氧气流量为20～45sccm，如果使用氮气，流量为8～20sccm，调整溅射距离为130～150mm，调节溅射气压为3×10-1～4×10-1Pa，开启纯金属靶的溅射靶电源，调整溅射电压为380～600V，溅射电流为8～10A，利用中频磁控溅射方式制备，溅射涂层厚度为50～100nm，得到第一层扩散阻挡层Al2O3、TiO2、SiO2、Si3N4或者Cr2O3；
步骤二：在第一层扩散阻挡层上制备第二层红外发射层；
采用纯金属靶直流或中频磁控溅射方法，纯金属靶为Al靶、Ti靶、Ag靶、Au靶或者Cu靶，以Ar气作为溅射气体制备，溅射前将真空室预抽本底真空至4×10-3～5×10-3Pa，通入惰性气体Ar气作为溅射气氛，Ar气流量为100～140sccm，调整溅射距离为130～150mm，调节溅射气压为3×10-1～4×10-1Pa，开启纯金属靶的溅射靶电源，调整溅射电压为380～600V，溅射电流为8～10A，利用中频磁控溅射方式制备，溅射涂层厚度为50～250nm，得到第二层红外发射层Al、Ti、Ag、Au或者Cu；
步骤三：在第二层红外发射层上制备第三层扩散阻挡层；
采用纯金属靶中频磁控溅射方法，纯金属靶为Al靶、Ti靶、Si靶或者Cr靶，以Ar气作为溅射气体制备，溅射前将真空室预抽本底真空至4×10-3～5×10-3Pa，通入惰性气体Ar和O2作为溅射气氛，或者Ar和N2作为溅射气氛，Ar气流量为100～140sccm，氧气流量为20～45sccm， 如果使用氮气，流量为8～20sccm，调整溅射距离为130～150mm，调节溅射气压为3×10-1～4×10-1Pa，开启纯金属靶的溅射靶电源，调整溅射电压为380～600V，溅射电流为8～10A，利用中频磁控溅射方式制备，溅射涂层厚度为50～100nm，得到第三层扩散阻挡层Al2O3、TiO2、SiO2、Si3N4或者Cr2O3；
步骤四：在第三层扩散阻挡层上制备第四层吸收层；
采用金属Ti靶、Ni-Cr靶或者Si-Al靶，利用中频磁控溅射方法，将真空室预抽本底真空至4×10-3～5×10-3Pa，然后通入Ar、O2的混合气，或者Ar、N2的混合气；
当选择Ti靶和Si-Al靶以及反应气体为O2时，参数为Ar的流量为90～140sccm，O2的流量为20～45sccm，调节溅射气压为3×10-1～5×10-1Pa，分别开启两种靶电源，溅射时，调整Ti靶溅射电压为480～530V，溅射电流为6～8A，Si-Al靶溅射电压为600～750V，溅射电流为5～7A，在第三层扩散阻挡层上制备第一亚层SiO2+TiO2，SiO2占体积百分比为30～50％，其余为TiO2，厚度为50～100nm；增加O2的流量为30～50sccm，调节Ti靶溅射电压为380～450V，溅射电流减为4～5A，其他各个参数不变，在第一亚层上继续溅射得到第二亚层SiO2+TiO2，SiO2的体积百分比为50～75％，其余为TiO2，厚度为50～100nm；
当选择Ni-Cr靶和Si-Al靶以及反应气体为O2时，参数为Ar的流量为100～140sccm，O2的流量为20～50sccm，调节溅射气压为3×10-1～4×10-1Pa，分别开启Ni-Cr和Si-Al靶电源，溅射时，调整Ni-Cr靶溅射电压为450～530V，溅射电流为6～8A，Si-Al靶溅射电压为540～600V，溅射电流为4～6A，在第三层扩散阻挡层上制备第一亚层SiO2+NiO，其中SiO2的体积百分比为30～50％，其余为NiO，制备厚度为50～100nm第一亚层；
增加Si-Al靶溅射电流为6～8A，减少Ni-Cr靶溅射电流为4～6A，其他各个参数不变，继续制备第二亚层SiO2+NiO，其中SiO2的体积百分 比为50～75％，其余为NiO，厚度为50～100nm；
当选择Ni-Cr靶和Si-Al靶以及反应气体为N2时，参数为Ar的流量为100～140sccm，N2的流量为5～20sccm，调节溅射气压为3×10-1～4×10-1Pa，分别开启Ni-Cr和Si-Al靶电源，溅射时，调整Si-Al靶溅射电压为640～750V，溅射电流为6～8A，Ni-Cr靶溅射电压为540～600V，溅射电流为6～8A，在第三层扩散阻挡层上制备第一亚层，第一亚层为Si3N4+Ni3N2，其中Si3N4的体积百分比为30～50％，其余为Ni3N2，制备厚度为50～100nm的第一亚层；
减少Si-Al靶溅射电流为4～6A，其他各个参数不变，继续制备第二亚层Si3N4+Ni3N2，Si3N4的体积百分比为50～75％，其余为Ni3N2，厚度为50～100nm；
当选择Ti靶、Si-Al靶以及反应气体为N2时，参数为Ar的流量为100～140sccm，N2的流量为5～20sccm，调节溅射气压为3×10-1～4×10-1Pa，分别开启Ti和Si-Al靶电源，溅射时，调整Si-Al靶溅射电压为640～750V，溅射电流为6～8A，Ti靶溅射电压为540～600V，溅射电流为6～8A，在第三层扩散阻挡层上制备第一亚层，第一亚层为Si3N4+TiN，其中TiN的体积百分比为30～50％，其余为Si3N4，制备厚度为50～100nm的第一亚层；
减少Ti靶溅射电流为4～6A，其他各个参数不变，继续制备第二亚层Si3N4+TiN，TiN的体积百分比为50～75％，其余为Si3N4，厚度为50～100nm；
当选择Ti靶、Ni-Cr靶以及反应气体为O2时，参数为Ar的流量为90～140sccm，O2的流量为20～30sccm，调节溅射气压为3×10-1～5×10-1Pa，分别开启Ti和Ni-Cr靶电源，溅射时，调Ti靶溅射电压为450～530V，溅射电流为6～8A，Ni-Cr靶溅射电压为600～750V，溅射电流为5～7A，在第三层扩散阻挡层上制备第一亚层NiO+TiO2，其中TiO2的体积百分比为30～50％，其余为NiO，厚度为50～100nm；
增加O2的流量为30～50sccm，调节Ni-Cr靶溅射电压为600～750V，溅射电流为4～5A，其他各个参数不变，在第一亚层上继续溅射得到第二亚层NiO+TiO2，其中TiO2的体积百分比为50～75％，其余为NiO，厚度为50～100nm；
当选择Ti靶、Ni-Cr靶以及反应气体为N2时，参数为Ar的流量为100～140sccm，N2的流量为5～15sccm，调节溅射气压为3×10-1～4×10-1Pa，分别开启Ti和Ni-Cr靶电源，溅射时，调整Ti靶溅射电压为450～530V，溅射电流为6～8A，Ni-Cr靶溅射电压为540～600V，溅射电流为4～6A，在第三层扩散阻挡层上制备厚度为50～100nm第一亚层TiN+Ni3N2膜层，其中的TiN占体积百分比为30～50％，其余为Ni3N2，厚度为50～100nm；
减少Ti靶溅射电流为4～6A，其他各个参数不变，继续制备第二亚层TiN+Ni3N2，其中的TiN占体积百分比为50～75％，其余为Ni3N2，厚度为50～100nm；第一亚层和第二亚层除自身对太阳光谱具备固有吸收特性外，还形成干涉吸收效应，加强了涂层的光吸收作用；
步骤五：在第四层吸收层上制备第五层减反射层；
减反射层主要选择是Al2O3或者SiO2膜，如果选择SiO2膜则采用Si靶，溅射前将真空室预抽本底真空至4×10-3～5×10-3Pa，以Ar气作为溅射气体，通入O2作为反应气体制备，O2的流量为20～40sccm调节Ar与O2流量比为1.5:1～2.5:1，调整溅射距离为130～150mm，调节溅射气压为3×10-1～5×10-1Pa，溅射时，调整溅射电压为700～800V，溅射电流为8～10A，利用中频磁控溅射方式得到厚度为50～250nm的SiO2膜，得到第五层减反射层；
如果选择Al2O3膜，采用Al靶，溅射前将真空室预抽本底真空至4×10-3～5×10-3Pa，通入惰性气体Ar作为溅射气体，通入O2作为反应气体制备，O2的流量为20～40sccm，调节Ar与O2流量比为1.5:1～3:1，调整溅射距离为130～150mm，调节溅射气压为3×10-1～4×10-1Pa；溅射时，调整溅射电压为540～600V，溅射电流为8～10A，利用中频磁控溅射方式制备厚度为50～250nm的Al2O3膜即第五减反射层；
步骤六：在第五层减反射层上制备第六层有机防护层；
第六层有机防护层的厚度为100～200nm；
制备方法为：将正硅酸乙酯加入无水乙醇，配成的溶液中，正硅酸乙酯与无水乙醇的体积百分比为20.5％；
将氨水加入无水乙醇，配成的溶液中，氨水与无水乙醇的体积百分比为5.1％；
完成上述操作，得到两种不同的混合溶液；
将磁力搅拌器温度设置在35℃，将氨水和无水乙醇的混合溶液逐渐滴加到正硅酸乙酯的乙醇溶液中，边滴边搅拌；
滴加完毕后，停止加热，在室温下继续搅拌1.5h，得到摩尔浓度为0.4mol/L SiO2溶胶；
用pH试纸测定溶胶pH＝8；溶胶装入玻璃罐密封，经24小时静置后镀膜；
使用溶胶凝胶法，将胶体均匀的涂覆在减反层表面，最后在550℃的高温下进行膜层固化。
CN201410230491.9A 2014-05-28 2014-05-28 一种大气中耐高温、耐盐雾的太阳能选择性吸收涂层及其制备方法 Active CN104005003B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201410230491.9A CN104005003B (zh) 2014-05-28 2014-05-28 一种大气中耐高温、耐盐雾的太阳能选择性吸收涂层及其制备方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201410230491.9A CN104005003B (zh) 2014-05-28 2014-05-28 一种大气中耐高温、耐盐雾的太阳能选择性吸收涂层及其制备方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN104005003A CN104005003A (zh) 2014-08-27
CN104005003B true CN104005003B (zh) 2017-03-22

Family

ID=51365907

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201410230491.9A Active CN104005003B (zh) 2014-05-28 2014-05-28 一种大气中耐高温、耐盐雾的太阳能选择性吸收涂层及其制备方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN104005003B (zh)

Families Citing this family (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN105605814B (zh) * 2014-11-25 2019-02-05 北京有色金属研究总院 一种太阳光谱选择性吸收涂层及其制备方法
DE102015114095A1 (de) * 2015-08-25 2017-03-02 Alanod Gmbh & Co. Kg Reflektierendes Verbundmaterial mit einem Aluminium-Träger und mit einer Silber-Reflexionsschicht
JP6535391B2 (ja) * 2016-01-29 2019-06-26 株式会社豊田自動織機 太陽熱集熱管及びその製造方法
EP3410032B1 (en) * 2016-01-29 2021-05-19 Kabushiki Kaisha Toyota Jidoshokki Solar heat collection tube
JP6549491B2 (ja) * 2016-01-29 2019-07-24 株式会社豊田自動織機 太陽熱集熱管
CN105783297A (zh) * 2016-03-01 2016-07-20 江苏贝德莱特太阳能科技有限公司 一种吸收且连续可调的太阳光谱选择性吸收涂层
CN106048535A (zh) * 2016-06-06 2016-10-26 南宁可煜能源科技有限公司 一种耐高温耐腐蚀的太阳能选择性吸收涂层
CN108613423A (zh) * 2016-12-02 2018-10-02 北京有色金属研究总院 一种高温太阳光谱选择性吸收薄膜及其制备方法
CN107490204A (zh) * 2017-08-15 2017-12-19 山东圣泉新材料股份有限公司 一种太阳能选择性吸收涂层、制备方法及光热转换装置
CN108286833B (zh) * 2018-01-05 2019-12-13 山东省圣泉生物质石墨烯研究院 黑色体吸收型涂层、包含其的光热转化部件及太阳能热水器
CN108645062B (zh) * 2018-04-18 2019-11-05 华中科技大学 一种太阳能集热膜
CN109631370A (zh) * 2018-12-10 2019-04-16 郴州市泰益表面涂层技术有限公司 中高温太阳能吸收涂层及其制备方法
CN114086121B (zh) * 2021-11-23 2022-11-22 北京航空航天大学 一种高性能辐射制冷无机多层膜
CN114322338A (zh) * 2021-12-17 2022-04-12 常州龙腾光热科技股份有限公司 一种在大气中稳定运行的选择性吸收涂层及其制备方法

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5580819A (en) * 1995-03-22 1996-12-03 Ppg Industries, Inc. Coating composition, process for producing antireflective coatings, and coated articles
CN102689467A (zh) * 2012-05-23 2012-09-26 北京天瑞星光热技术有限公司 一种具有Si3N4和AlN双陶瓷结构高温太阳能选择性吸收涂层及其制备方法
CN203116350U (zh) * 2012-12-21 2013-08-07 中国建筑材料科学研究总院 一种减反膜系结构太阳能光热转换集热器透明热镜
CN103317788A (zh) * 2012-11-30 2013-09-25 北京天瑞星光热技术有限公司 一种光谱选择性吸收涂层及其制备方法

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5580819A (en) * 1995-03-22 1996-12-03 Ppg Industries, Inc. Coating composition, process for producing antireflective coatings, and coated articles
CN102689467A (zh) * 2012-05-23 2012-09-26 北京天瑞星光热技术有限公司 一种具有Si3N4和AlN双陶瓷结构高温太阳能选择性吸收涂层及其制备方法
CN103317788A (zh) * 2012-11-30 2013-09-25 北京天瑞星光热技术有限公司 一种光谱选择性吸收涂层及其制备方法
CN203116350U (zh) * 2012-12-21 2013-08-07 中国建筑材料科学研究总院 一种减反膜系结构太阳能光热转换集热器透明热镜

Also Published As

Publication number Publication date
CN104005003A (zh) 2014-08-27

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN104005003B (zh) 一种大气中耐高温、耐盐雾的太阳能选择性吸收涂层及其制备方法
CN101922816B (zh) 一种太阳能选择性吸收涂层及其制备方法
CN102102918B (zh) 一种Cr系高温太阳能选择性吸收涂层及其制备方法
CN201218622Y (zh) 一种太阳能选择性吸收涂层
CN102620456B (zh) 一种中低温太阳能选择吸收薄膜及其制备方法
CN100543499C (zh) 一种新型太阳选择性吸收涂层
CN101806508B (zh) 一种高温太阳能选择性吸收涂层及其制备方法
CN102277555A (zh) 一种具有TiN和AlN的双陶瓷结构高温太阳能选择性吸收涂层及其制备方法
CN104006560B (zh) 一种WOx/ZrOx高温太阳能选择性吸收涂层及其制备方法
CN103625032A (zh) 一种中高温太阳能光热选择性吸收涂层
CN101886848B (zh) 一种太阳光谱选择性吸收膜及其制备方法
CN103383155A (zh) Ti合金氮化物选择性吸收膜系及其制备方法
CN102286720B (zh) 一种具有SiO2和Cr2O3的双陶瓷结构高温太阳能选择性吸收涂层及其制备方法
CN102328476B (zh) 一种具有TiO2和Al2O3双陶瓷结构高温太阳能选择性吸收涂层及其制备方法
CN103029374A (zh) 一种中高温太阳能光热选择性吸收涂层
CN103317788A (zh) 一种光谱选择性吸收涂层及其制备方法
CN102328475B (zh) 一种具有SiO2和TiO2的双陶瓷结构高温太阳能选择性吸收涂层及其制备方法
CN103302917A (zh) 一种双吸收层TiON耐候性光热涂层及其制备方法
CN105605814B (zh) 一种太阳光谱选择性吸收涂层及其制备方法
CN1584445A (zh) NiCrOXNY太阳光谱选择性吸收薄膜及制备方法
CN108679866A (zh) 耐腐蚀光谱选择性吸收涂层及其制备方法
CN103017384B (zh) 一种碳膜辅助的太阳能选择性吸收膜系及其制备方法
CN103727693A (zh) 一种金属-介质多层结构颜色可调的太阳光热吸收涂层
CN105444443B (zh) 太阳能选择性吸收涂层及其制备方法
CN102650474A (zh) 一种具有Cr2O3和Al2O3双陶瓷结构高温太阳能选择性吸收涂层及其制备方法

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant