CN102650474A - 一种具有Cr2O3和Al2O3双陶瓷结构高温太阳能选择性吸收涂层及其制备方法 - Google Patents

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刘雪莲
张秀廷
范兵
陈步亮
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Abstract

本发明提供一种具有Cr2O3和Al2O3双陶瓷结构高温太阳能选择性吸收涂层及其制备方法，属于太阳能利用技术领域。所述的涂层从底层到表面依次为红外发射层、吸收层和减反射层；第一层红外发射层由Cu膜或者Ag膜组成，厚度在50～250nm；第二层吸收层包括两个亚层结构，两个亚层均为Cr2O3+Al2O3膜，第三层减反射层由Al2O3膜，厚度为20～60nm。本发明提供的涂层具有可见-红外光谱高吸收率，红外光谱低发射率的特点，并且由于采用双陶瓷结构的干涉吸收层，具有良好的中高温热稳定性。且该涂层制备工艺简便、操作方便、易于控制、缩短生产周期。

Description

一种具有Cr2O3和Al2O3双陶瓷结构高温太阳能选择性吸收涂层及其制备方法
技术领域
本发明属于太阳能利用技术领域，具体涉及一种具有Cr2O3和Al2O3双陶瓷结构高温太阳能选择性吸收涂层及其制备方法。
背景技术
太阳光谱选择性吸收涂层在可见-近红外波段具有高吸收率，在红外波段具有低发射率的功能薄膜，是用于太阳能集热器，提高光热转换效率的关键。随着太阳能热利用需求和技术的不断发展，太阳能集热管的应用范围从低温应用（≤100℃）向中温应用（100℃-350℃）和高温应用（350℃-500℃）发展，以不断满足海水淡化、太阳能发电等中高温应用领域的使用要求。对于集热管使用的选择性吸收涂层也要具备高温热稳定性，适应中高温环境的服役条件。
对于太阳能选择性吸收涂层目前已研究和广泛使用了黑铬、阳极氧化着色Ni-Al2O3以及具有成分渐变特征的SS-C/SS（不锈钢）和Al-N/Al等膜系，应用于温度在200℃以内的平板型集热装置的集热管表面。但在中高温条件下，由于其红外发射率随温度上升明显升高，导致集热器热损失明显上升，热效率显著下降。
为了提高中高温服役条件下选择性吸收涂层的热稳定性，Mo-Al2O3/Cu、SS-AlN/SS等材料体系得到了研究和发展，采用了双靶或多靶金属陶瓷共溅射技术，其中Mo-Al2O3/Cu体系的特点是Mo-Al2O3吸收层具有成分渐变的多亚层结构，Al2O3层采用射频溅射方法，SS-AlN/SS体系的特点是吸收层采用了干涉膜结构，使热稳定性提高。上述涂层在使用温度350℃-500℃范围内的聚焦型中高温集热管表面获得了应用。但是双靶或多靶共溅射、射频溅射等工艺沉积速率低，生产周期长，工艺复杂，成本高。
对于太阳能的中高温利用，需要一种吸收率高、发射率低、热稳定性好，而且工艺简便的选择性吸收涂层及制备技术。
发明内容
本发明的目的是为了解决现有技术中存在的问题，提出一种具有Cr2O3和Al2O3双陶瓷结构高温太阳能选择性吸收涂层及其制备方法，适用于高温（300℃-500℃）工作温度集热管，涂层吸收率高、发射率低、热稳定性好，制备工艺简便，操作方便，生产周期短，溅射工况稳定。
本发明提供一种具有Cr2O3和Al2O3双陶瓷结构高温太阳能选择性吸收涂层，包括三层膜，从底层到表面依次为红外发射层、吸收层和减反射层；
第一层红外发射层由Cu膜或者Ag膜组成，位于基体表面，厚度在50～250nm；第二层吸收层包括两个亚层结构，两个亚层均为Cr2O3+Al2O3膜，第一亚层和第二亚层的厚度均为50～100nm，第一亚层和第二亚层的厚度可以相等也可以不相等；第一亚层中Cr2O3的体积百分比为20~40%，其余为Al2O3；第二亚层Cr2O3的体积百分比为10~30%其余为Al2O3；第一亚层位于第一层红外发射层上，第二亚层位于第一亚层上；第三层减反射层由Al2O3膜，厚度为20～60nm；位于第二层吸收层的第二亚层上。
本发明提供一种具有Cr2O3和Al2O3双陶瓷结构高温太阳能选择性吸收涂层的制备方法，包括以下几个步骤：
步骤一：在基体上制备第一层红外发射层；
采用纯金属靶直流或中频磁控溅射方法，纯金属靶为Cu靶或Ag靶（纯度99．99%），以Ar气作为溅射气体制备，基体采用高速钢。溅射前将真空室预抽本底真空至4×10-3~5×10-3Pa，通入惰性气体Ar作为溅射气氛，Ar气流量为100~140sccm，调整溅射距离为130~150mm，调节溅射气压为3×10-1~4×10-1Pa。开启纯金属靶的溅射靶电源，调整溅射电压为380~450V，溅射电流为8~10A，利用直流溅射方式制备，涂层厚度在50～250nm，得到第一层红外发射层，该层对红外波段光谱具有高反射特性，发射率低；
步骤二：在第一层红外发射层上制备第二层吸收层；
采用金属Ti靶（纯度99．99%）和Al靶（纯度99．99%）中频磁控溅射方法，反应气体为O2，首先，将真空室预抽本底真空至4×10-3~5×10-3Pa，同时然后通入Ar和O2的混合气，Ar的流量为100~140sccm，O2的流量为20~50sccm，调节溅射气压为3×10-1~4×10-1Pa，分别开启Cr和Al靶电源，溅射时，调整Cr靶溅射电压为450~530V，溅射电流为6~8A，Al靶溅射电压为540~600V，溅射电流为6~8A，制备厚度为50～100nm第一亚层Cr2O3+Al2O3膜；
减少Al靶溅射电流为4~6A，其他各个参数不变，继续制备第二亚层Cr2O3+Al2O3膜，厚度为50～100nm；第一亚层和第二亚层除自身对太阳光谱具备固有吸收特性外，还形成干涉吸收效应，加强了涂层的光吸收作用；
步骤三：在第二层吸收层上制备第三层减反射层；
第三层减反射层由Al2O3膜构成；采用Al靶（纯度99．99%），溅射前将真空室预抽本底真空至4×10-3~5×10-3Pa，通入惰性气体Ar作为溅射气体，通入O2作为反应气体制备，O2的流量为20~40sccm，调节Ar与O2流量比为1.5:1~3:1，调整溅射距离为130~150mm，调节溅射气压为3×10-1~4×10-1Pa。溅射时，调整溅射电压为540~600V，溅射电流为8~10A，利用中频磁控溅射方式制备厚度为20～60nm的Al2O3膜即为第三层减反射层。减反射层具有增透、耐磨、抗氧化的作用。
本发明的优点在于：
本发明所提供的一种具有Cr2O3和Al2O3双陶瓷结构高温太阳能选择性吸收涂层由红外发射层、Cr2O3+Al2O3膜组成的双陶瓷干涉吸收层和陶瓷减反射层组成，具有可见-红外光谱高吸收率，红外光谱低发射率的特点，并且由于采用双陶瓷结构的干涉吸收层，具有良好的中高温热稳定性。该涂层制备工艺简便、操作方便、易于控制、缩短生产周期，与选择性吸收涂层由Nb红外发射层、Nb与Al2O3的混合物组成的双干涉吸收层和Al2O3减反射层相比较，本涂层选择的原材料Cr\Al是常规材料，应用范围比较广，成型性能好，可以加工成柱状靶材，显著提高靶材利用率，同时价格也比较低廉，可以进一步降低工作成本。适用于中高温工作温度的太阳能集热管。
附图说明
图1：本发明提出的一种具有Cr2O3和Al2O3双陶瓷结构高温太阳能选择性吸收涂层剖面示意图；
图2：本发明提出的一种具有Cr2O3和Al2O3双陶瓷结构高温太阳能选择性吸收涂层的制备方法的流程示意图。
具体实施方式
下面将结合附图和实施例对本发明作进一步的详细说明。
本发明是一种具有Cr2O3和Al2O3双陶瓷结构高温太阳能选择性吸收涂层，结合剖面如图1所示，涂层包括三层膜，从底层到表面依次为红外发射层、吸收层和减反射层；
第一层红外发射层由Cu膜或者Ag膜组成，位于基体表面，厚度在50～250nm；第二层吸收层包括两个亚层结构，两个亚层均为Cr2O3+Al2O3膜，第一亚层和第二亚层的厚度均为50～100nm，第一亚层和第二亚层的厚度可以相等也可以不相等；第一亚层中Cr2O3的体积百分比为20~40%，其余为Al2O3；第二亚层Cr2O3的体积百分比为10~30%其余为Al2O3；第一亚层位于第一层红外发射层上，第二亚层位于第一亚层上；第三层减反射层由Al2O3膜，厚度为20～60nm；位于第二层吸收层的第二亚层上。
本发明提出的一种具有Cr2O3和Al2O3双陶瓷结构高温太阳能选择性吸收涂层的制备方法，如图2所示，包括以下几个步骤：
步骤一：在基体上制备第一层红外发射层；
采用纯金属靶直流或中频磁控溅射方法，纯金属靶为Cu靶或Ag靶（纯度99．99%），以Ar气作为溅射气体制备，基体采用高速钢。溅射前将真空室预抽本底真空至4×10-3~5×10-3Pa，通入惰性气体Ar作为溅射气氛，Ar气流量为100~140sccm，调整溅射距离为130~150mm，调节溅射气压为3×10-1~4×10-1Pa。开启纯金属靶的溅射靶电源，调整溅射电压为380~450V，溅射电流为8~10A，利用直流溅射方式制备，涂层厚度在50～250nm，得到第一层红外发射层，该层对红外波段光谱具有高反射特性，发射率低；
步骤二：在第一层红外发射层上制备第二层吸收层；
采用金属Cr靶（纯度99．99%）和Al靶（纯度99．99%）中频磁控溅射方法，反应气体为O2，首先，将真空室预抽本底真空至4×10-3~5×10-3Pa，同时然后通入Ar和O2的混合气，Ar的流量为100~140sccm，O2的流量为20~50sccm，调节溅射气压为3×10-1~4×10-1Pa，分别开启Cr和Al靶电源，溅射时，调整Cr靶溅射电压为450~530V，溅射电流为6~8A，Al靶溅射电压为540~600V，溅射电流为6~8A，制备厚度为50～100nm第一亚层Cr2O3+Al2O3膜；
减少Al靶溅射电流为4~6A，其他各个参数不变，继续制备第二亚层Cr2O3+Al2O3膜，厚度为50～100nm；第一亚层和第二亚层除自身对太阳光谱具备固有吸收特性外，还形成干涉吸收效应，加强了涂层的光吸收作用；
步骤三：在第二层吸收层上制备第三层减反射层；
第三层减反射层由Al2O3膜构成；采用Al靶（纯度99．99%），溅射前将真空室预抽本底真空至4×10-3~5×10-3Pa，通入惰性气体Ar作为溅射气体，通入O2作为反应气体制备，O2的流量为20~40sccm，调节Ar与O2流量比为1.5:1~3:1，调整溅射距离为130~150mm，调节溅射气压为3×10-1~4×10-1Pa。溅射时，调整溅射电压为540~600V，溅射电流为8~10A，利用中频磁控溅射方式制备厚度为20～60nm的Al2O3膜即为第三层减反射层。减反射层具有增透、耐磨、抗氧化的作用。
本发明提供的太阳能选择性吸收涂层的性能为：在大气质量因子AM1.5条件下，涂层吸收率为96.2%，法向发射率为0.06。进行真空退火处理，在2×10-2Pa真空度下，经350℃真空退火1小时后，涂层吸收率为96.2%，法向发射率为0.06，在2×10-2Pa真空度下，经500℃真空退火1小时后，涂层吸收率为96.0%，法向发射率为0.06。
实施例1：
本实施例提供一种具有Cr2O3和Al2O3双陶瓷结构高温太阳能选择性吸收涂层，包括三个涂层即第一层红外发射层、第二层吸收层、第三层减反射层，第一层为Cu膜，厚度为180nm，第二层总厚度为160nm，其中第一亚层厚度为100nm，第二亚层厚度为60nm，第一亚层中Cr2O3的体积百分比为25%，其余为Al2O3；第二亚层Cr2O3的体积百分比为15%其余为Al2O3；第三层为Al2O3膜，厚度为50nm。制备步骤如下：
步骤一：在基体上制备第一层红外发射层；
选用纯度和纯度为99.99%的Cu靶，基材使用高速钢。溅射前将真空室预抽本底真空至4.5×10-3Pa，通入惰性气体Ar作为溅射气氛，Ar气流量为120sccm，调整溅射距离为140mm，调节溅射气压为4×10-1Pa。开启Cu靶，调整溅射电压为400V，溅射电流为8A，利用直流磁控溅射方式制备180nm厚的Cu膜；
步骤二：在第一层红外发射层上制备第二层吸收层；
采用金属Cr靶和Al靶中频磁控溅射方法，将真空室预抽本底真空至4×10-3Pa，同时通入Ar和O2的混合气，Ar的流量为120sccm，O2的流量为20sccm，调节溅射气压为3.5×10-1Pa，分别开启Cr和Al靶电源，调整Cr靶溅射电压为520V，溅射电流为8A，Al靶溅射电压为600V，溅射电流为8A，在Cu膜上制备100nm厚的第一亚层Cr2O3+Al2O3膜；
Cr靶溅射溅射电流不变，Al靶溅射溅射电流为6A，继续制备厚度为60nm的第二亚层Cr2O3+Al2O3薄膜；
步骤三：在第二层吸收层上制备第三层减反射层；
选用纯度99．99%的Al靶，溅射前将真空室预抽本底真空至5×10-3Pa，同时通入Ar、O2混合气，调节Ar与O2流量比为3:1,O2的流量为25sccm，调整溅射距离为145mm，调节溅射气压为4×10-1Pa，溅射时，调整溅射电流为8.3A，溅射电压为560V，利用中频磁控溅射方式制备50nm厚Al2O3膜。
本实施例制备的太阳能选择性吸收涂层的性能如下：在大气质量因子AM1.5条件下，涂层吸收率为96.2%，法向发射率为0.06。进行真空退火处理，在2×10-2Pa真空度下，经350℃真空退火1小时后，涂层吸收率为96.2%，法向发射率为0.06，在2×10-2Pa真空度下，经500℃真空退火1小时后，涂层吸收率为96.0%，法向发射率为0.06。
实施例2：
本实施例提供一种具有Cr2O3和Al2O3双陶瓷结构高温太阳能选择性吸收涂层，涂层包括三层膜，从底层到表面依次为红外发射层、吸收层和减反射层；
第一层红外发射层由Cu膜组成，厚度在50nm；第二层吸收层包括两个亚层结构，两个亚层均为Cr2O3+Al2O3膜，第一亚层和第二亚层的厚度均为50nm，第一亚层中Cr2O3的体积百分比为20%，其余为Al2O3；第二亚层Cr2O3的体积百分比为10%，其余为Al2O3；第三层减反射层由Al2O3膜，厚度为20nm。
本实施例提出的一种具有Cr2O3和Al2O3双陶瓷结构高温太阳能选择性吸收涂层的制备方法，包括以下几个步骤：
步骤一：在基体上制备第一层红外发射层；
采用纯金属靶直流或中频磁控溅射方法，纯金属靶为Cu靶（纯度99．99%），以Ar气作为溅射气体制备，基体采用高速钢。溅射前将真空室预抽本底真空至4×10-3Pa，通入惰性气体Ar作为溅射气氛，Ar气流量为100sccm，调整溅射距离为130mm，调节溅射气压为3×10-1Pa。开启纯金属靶的溅射靶电源，调整溅射电压为380V，溅射电流为8A，利用直流溅射方式制备，涂层厚度在50nm，得到第一层红外发射层，该层对红外波段光谱具有高反射特性，发射率低；
步骤二：在第一层红外发射层上制备第二层吸收层；
采用金属Cr靶（纯度99．99%）和Al靶（纯度99．99%）中频磁控溅射方法，反应气体为O2，首先，将真空室预抽本底真空至4×10-3Pa，同时然后通入Ar和O2的混合气，Ar的流量为100sccm，O2的流量为20sccm，调节溅射气压为3×10-1Pa，分别开启Cr和Al靶电源，溅射时，调整Cr靶溅射电压为450V，溅射电流为6A，Al靶溅射电压为540V，溅射电流为6A，制备厚度为50nm的第一亚层Cr2O3+Al2O3膜；
减少Al靶溅射电流为4A，其他各个参数不变，继续制备第二亚层Cr2O3+Al2O3膜，厚度为50nm；第一亚层和第二亚层除自身对太阳光谱具备固有吸收特性外，还形成干涉吸收效应，加强了涂层的光吸收作用；
步骤三：在第二层吸收层上制备第三层减反射层；
第三层减反射层由Al2O3膜构成；采用Al靶（纯度99．99%），溅射前将真空室预抽本底真空至4×10-3Pa，通入惰性气体Ar作为溅射气体，通入O2作为反应气体制备，O2的流量为20sccm，调节Ar与O2流量比为1.5:1，调整溅射距离为130mm，调节溅射气压为3×10-1Pa。溅射时，调整溅射电压为540V，溅射电流为8A，利用中频磁控溅射方式制备厚度为20nm的Al2O3膜即为第三层减反射层。减反射层具有增透、耐磨、抗氧化的作用。
实施例3：
本实施例提出一种具有Cr2O3和Al2O3双陶瓷结构高温太阳能选择性吸收涂层，涂层包括三层膜，从底层到表面依次为红外发射层、吸收层和减反射层；
第一层红外发射层由Cu膜组成，厚度在250nm；第二层吸收层包括两个亚层结构，两个亚层均为Cr2O3+Al2O3膜，第一亚层和第二亚层的厚度均为100nm，第一亚层中Cr2O3的体积百分比为40%，其余为Al2O3；第二亚层Cr2O3的体积百分比为30%，其余为Al2O3；第三层减反射层由Al2O3膜，厚度为60nm。
本实施例提出的一种具有Cr2O3和Al2O3双陶瓷结构高温太阳能选择性吸收涂层的制备方法，包括以下几个步骤：
步骤一：在基体上制备第一层红外发射层；
采用纯金属靶直流或中频磁控溅射方法，纯金属靶为Cu靶（纯度99．99%），以Ar气作为溅射气体制备，基体采用高速钢。溅射前将真空室预抽本底真空至5×10-3Pa，通入惰性气体Ar作为溅射气氛，Ar气流量为140sccm，调整溅射距离为150mm，调节溅射气压为4×10-1Pa。开启纯金属靶的溅射靶电源，调整溅射电压为450V，溅射电流为10A，利用直流溅射方式制备，涂层厚度在250nm，得到第一层红外发射层，该层对红外波段光谱具有高反射特性，发射率低；
步骤二：在第一层红外发射层上制备第二层吸收层；
采用金属Cr靶（纯度99．99%）和Al靶（纯度99．99%）中频磁控溅射方法，反应气体为O2，首先，将真空室预抽本底真空至5×10-3Pa，同时然后通入Ar和O2的混合气，Ar的流量为140sccm，O2的流量为50sccm，调节溅射气压为4×10-1Pa，分别开启Cr和Al靶电源，溅射时，调整Cr靶溅射电压为530V，溅射电流为8A，Al靶溅射电压为540V，溅射电流为6A，制备厚度为100nm的第一亚层Cr2O3+Al2O3膜；
减少Al靶溅射电流为4A，其他各个参数不变，继续制备第二亚层Cr2O3+Al2O3膜，厚度为100nm；第一亚层和第二亚层除自身对太阳光谱具备固有吸收特性外，还形成干涉吸收效应，加强了涂层的光吸收作用；
步骤三：在第二层吸收层上制备第三层减反射层；
第三层减反射层由Al2O3膜构成；采用Al靶（纯度99．99%），溅射前将真空室预抽本底真空至5×10-3Pa，通入惰性气体Ar作为溅射气体，通入O2作为反应气体制备，O2的流量为30sccm，调节Ar与O2流量比为2.5:1，调整溅射距离为150mm，调节溅射气压为4×10-1Pa。溅射时，调整溅射电压为600V，溅射电流为10A，利用中频磁控溅射方式制备厚度为60nm的Al2O3膜即为第三层减反射层。减反射层具有增透、耐磨、抗氧化的作用。
实施例4：
本实施例提供一种具有Cr2O3和Al2O3双陶瓷结构高温太阳能选择性吸收涂层，涂层包括三层膜，从底层到表面依次为红外发射层、吸收层和减反射层；
第一层红外发射层由Ag膜组成，厚度在150nm；第二层吸收层包括两个亚层结构，两个亚层均为Cr2O3+Al2O3膜，第一亚层和第二亚层的厚度均为75nm，第一亚层中Cr2O3的体积百分比为30%，其余为Al2O3；第二亚层Cr2O3的体积百分比为20%，其余为Al2O3；第三层减反射层由Al2O3膜，厚度为40nm。
本实施例提出的一种具有Cr2O3和Al2O3双陶瓷结构高温太阳能选择性吸收涂层的制备方法，包括以下几个步骤：
步骤一：在基体上制备第一层红外发射层；
采用纯金属靶直流或中频磁控溅射方法，纯金属靶为Ag靶（纯度99．99%），以Ar气作为溅射气体制备，基体采用高速钢。溅射前将真空室预抽本底真空至4.5×10-3Pa，通入惰性气体Ar作为溅射气氛，Ar气流量为120sccm，调整溅射距离为140mm，调节溅射气压为3.5×10-1Pa。开启纯金属靶的溅射靶电源，调整溅射电压为420V，溅射电流为9A，利用直流溅射方式制备，涂层厚度在150nm，得到第一层红外发射层，该层对红外波段光谱具有高反射特性，发射率低；
步骤二：在第一层红外发射层上制备第二层吸收层；
采用金属Cr靶（纯度99．99%）和Al靶（纯度99．99%）中频磁控溅射方法，反应气体为O2，首先，将真空室预抽本底真空至4.5×10-3Pa，同时然后通入Ar和O2的混合气，Ar的流量为120sccm，O2的流量为35sccm，调节溅射气压为3.5×10-1Pa，分别开启Cr和Al靶电源，溅射时，调整Cr靶溅射电压为480V，溅射电流为7A，Al靶溅射电压为570V，溅射电流为7A，制备厚度为75nm的第一亚层Cr2O3+Al2O3膜；
减少Al靶溅射电流为4A，其他各个参数不变，继续制备第二亚层Cr2O3+Al2O3膜，厚度为75nm；第一亚层和第二亚层除自身对太阳光谱具备固有吸收特性外，还形成干涉吸收效应，加强了涂层的光吸收作用；
步骤三：在第二层吸收层上制备第三层减反射层；
第三层减反射层由Al2O3膜构成；采用Al靶（纯度99．99%），溅射前将真空室预抽本底真空至4.5×10-3Pa，通入惰性气体Ar作为溅射气体，通入O2作为反应气体制备，O2的流量为40sccm，调节Ar与O2流量比为2:1，调整溅射距离为140mm，调节溅射气压为3.5×10-1Pa。溅射时，调整溅射电压为570V，溅射电流为9A，利用中频磁控溅射方式制备厚度为40nm的Al2O3膜即为第三层减反射层。减反射层具有增透、耐磨、抗氧化的作用。

Claims (6)

1.一种具有Cr2O3和Al2O3双陶瓷结构高温太阳能选择性吸收涂层，其特征在于：所述的涂层从底层到表面依次为红外发射层、吸收层和减反射层；
第一层红外发射层由Cu膜或者Ag膜组成，位于基体表面，厚度在50～250nm；第二层吸收层包括两个亚层结构，两个亚层均为Cr2O3+Al2O3膜，第一亚层和第二亚层的厚度均为50～100nm；第一亚层中Cr2O3的体积百分比为20~40%，其余为Al2O3；第二亚层TiO2的体积百分比为10~30%其余为Al2O3；第一亚层位于第一层红外发射层上，第二亚层位于第一亚层上；第三层减反射层由Al2O3膜，厚度为20～60nm。
2.根据权利要求1所述的一种具有Cr2O3和Al2O3双陶瓷结构高温太阳能选择性吸收涂层，其特征在于：所述的涂层在大气质量因子AM1.5条件下，其吸收率为96.2%，法向发射率为0.06。
3.根据权利要求1所述的一种具有Cr2O3和Al2O3双陶瓷结构高温太阳能选择性吸收涂层，其特征在于：所述的涂层在2×10-2Pa真空度下，经350℃真空退火1小时后，其吸收率为96.2%，法向发射率为0.06。
4.根据权利要求1所述的一种具有Cr2O3和Al2O3双陶瓷结构高温太阳能选择性吸收涂层，其特征在于：所述的涂层在2×10-2Pa真空度下，经500℃真空退火1小时后，其吸收率为96.0%，法向发射率为0.06。
5.根据权利要求1所述的一种具有Cr2O3和Al2O3双陶瓷结构高温太阳能选择性吸收涂层，其特征在于：所述的第一亚层和第二亚层的厚度为相等或者不相等。
6.一种应用于权利要求1所述的一种具有Cr2O3和Al2O3双陶瓷结构高温太阳能选择性吸收涂层的制备方法，其特征在于：包括以下几个步骤：
步骤一：在基体上制备第一层红外发射层；
采用纯金属靶直流或中频磁控溅射方法，纯金属靶为Cu靶或Ag靶，以Ar气作为溅射气体制备，基体采用高速钢，溅射前将真空室预抽本底真空至4×10-3~5×10-3Pa，通入惰性气体Ar作为溅射气氛，Ar气流量为100~140sccm，调整溅射距离为130~150mm，调节溅射气压为3×10-1~4×10-1Pa，开启纯金属靶的溅射靶电源，调整溅射电压为380~450V，溅射电流为8~10A，得到厚度为50～250nm的第一层红外发射层；
步骤二：在第一层红外发射层上制备第二层吸收层；
采用金属Cr靶和Al靶中频磁控溅射方法，反应气体为O2，将真空室预抽本底真空至4×10-3~5×10-3Pa，然后通入Ar和O2的混合气，Ar的流量为100~140sccm，O2的流量为20~50sccm，调节溅射气压为3×10-1~4×10-1Pa，分别开启Cr和Al靶电源，溅射时，调整Cr靶溅射电压为450~530V，溅射电流为6~8A，Al靶溅射电压为540~600V，溅射电流为6~8A，制备厚度为50～100nm的第一亚层Cr2O3+Al2O3膜；
减少Al靶溅射电流为4~6A，其他各个参数不变，继续制备第二亚层Cr2O3+Al2O3膜，厚度为50～100nm；
步骤三：在第二层吸收层上制备第三层减反射层；
采用Al靶溅射前将真空室预抽本底真空至4×10-3~5×10-3Pa，通入惰性气体Ar作为溅射气体，通入O2作为反应气体制备，O2的流量为20~40sccm，调节Ar与O2流量比为1.5:1~3:1，调整溅射距离为130~150mm，调节溅射气压为3×10-1~4×10-1Pa，溅射时，调整溅射电压为540~600V，溅射电流为8~10A，制备得到厚度为20～60nm的第三层减反射层。
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