CN107579018B - 基板处理装置和基板处理方法 - Google Patents

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Abstract

公开了一种液体处理装置和一种液体处理方法。该液体处理装置包括：提供用于加工基板的空间的室；设置在该室中以支撑基板的支撑单元；喷射单元，其具有喷嘴以用于向由支撑单元支撑的基板供应清洁介质；以及辅助喷射单元，其具有辅助喷嘴以用于向由支撑单元支撑的基板供应防污染液体。

Description

基板处理装置和基板处理方法
技术领域
本发明理念涉及基板(substrate，衬底、基片、基底)处理装置和基板处理方法。
背景技术
在基板的表面上的污染物诸如粒子、有机污染物和金属污染物极大地影响半导体器件的特性和成品率。由于这一点，移除附着于基板的表面上的各种污染物的清洁加工非常重要，并且清洁基板的过程是在用于制造半导体的单元过程之前和之后执行的。
发明内容
本发明理念提供了一种高效地处理基板的基板处理装置，并且可以提供一种基板处理方法。
本发明理念还提供了一种以干法清洁基板的基板处理装置，并且可以提供一种基板处理方法。
本发明理念还提供了一种在正常压力或接近正常压力的压力下以干法清洁基板的基板处理装置，并且可以提供一种基板处理方法。
本发明理念还提供了一种通过使用二氧化碳来清洁基板的基板处理装置，并且可以提供一种基板处理方法。
本发明理念还提供了一种清洁效率提高的基板清洁装置，并且可以提供一种基板处理方法。
本发明理念要解决的问题不限于上述问题，并且本发明理念所涉及领域的技术人员根据说明书和附图将清楚地理解未提及的问题。
根据本发明理念的一方面，提供了一种基板处理装置，该基板处理装置包括：提供用于加工基板的空间的室；设置在室中以支撑基板的支撑单元；喷射单元，该喷射单元具有喷嘴以用于向由支撑单元支撑的基板供应清洁介质；以及辅助喷射单元，该辅助喷射单元具有辅助喷嘴以用于向由支撑单元支撑的基板供应防污染液体。
辅助喷嘴可以将防污染液体供应至基板的由清洁介质在其中进行了清洁的区域。
当喷嘴从基板的外区域向基板的中心区域移动时，喷射单元可以向基板供应清洁介质。
在从基板的中心至辅助喷嘴的距离大于从基板的中心至喷嘴的距离的状态下，辅助喷射单元可以向基板供应防污染液体。
清洁介质可以是处于气溶胶状态的二氧化碳。
室的内部压力可以为0.75巴至1.25巴。
喷嘴可以包括：具有入口的收缩部分，清洁介质通过该入口引入，并且该收缩部分的截面积随着该收缩部分远离入口减小；具有喷射孔的扩张部分，清洁介质通过该喷射孔喷射，并且该扩张部分的截面积随着该扩张部分靠近喷射孔增加；以及位于收缩部分和扩张部分之间的孔口。
防污染液体可以具有比将粒子充电至具有取决于ζ电势的负电势的pH值大的pH值。
防污染液体可以是碱性液体。
根据本发明理念的另一方面，提供了一种基板处理方法，该基板处理方法包括：开始向旋转的基板供应非液体清洁介质；以及向基板的由清洁介质在其中对基板进行了清洁的区域供应防污染液体。
当清洁介质在基板的外区域开始并向基板的中心区域移动时，可以进行清洁介质的供应。
可以在基板的于其中供应清洁介质的区域与基板的外区域之间进行防污染液体的供应。
清洁介质可以以气溶胶状态供应。
处理液体可以是二氧化碳。
可以在0.75巴至1.25巴的压力下进行清洁介质的供应。
防污染液体可以具有比将粒子充电至具有取决于ζ电势的负电势的pH值大的pH值。
防污染液体可以是碱性液体。
附图说明
根据下面的参照下述附图的描述，上述和其他目的以及特征将变得明了，其中除非另有规定，否则贯穿各附图相同的附图标记指代相同的部分，在附图中：
图1是示意性地示出了根据本发明理念的基板处理系统的平面图；
图2是示出了基板处理装置的实施例的示意图；
图3是示意性地示出了根据本发明理念的喷嘴的内部结构的视图；
图4示出了描绘根据孔口的面积与喷射孔的面积之间的比的清洁程度的图片；
图5示出了描绘根据室的内部压力的、基板的清洁程度的图片；
图6是示出了喷射单元开始清洁基板的状态的视图；
图7是示出了其中由喷射单元清洁基板并且由辅助喷射单元供应防污染液体的状态的视图；
图8是示出了根据另一实施方案的喷射单元380与辅助喷射单元之间的位置关系的视图；以及
图9是示出了若干材料的ζ电势的视图。
具体实施方式
下文中，将参照附图更详细地描述本发明理念的例示性实施方案。本发明理念的实施方案可以以各种形式进行修改，并且本发明理念的范围不应被理解为受限于下述实施方案。提供本发明理念的实施方案是为了向本领域技术人员更完整地描述本发明理念。因此，附图的部件的形状被夸大，以突出对其较清楚的描述。
图1是示出了根据本发明理念的一种实施方案的基板处理系统的平面图。
参照图1，基板处理系统1包括指引(index)模块100和加工执行模块200。指引模块100包括多个装载端口120和供给框架140。装载端口120、供给框架140和加工处理模块200可以顺序地布置成一行。下文中，装载端口120、供给框架140和加工处理模块200的方向将被称为第一方向12。当从顶部看时与第一方向12垂直的方向将被称为第二方向14，并且与包括第一方向12和第二方向14的平面正交的方向将被称为第三方向16。
在其中接收基板W的承载件130位于装载端口120上。提供了多个装载端口120，并且这些装载端口沿第二方向14布置成行。图1示出提供了四个装载端口120。然而，根据情况诸如加工处理模块200的加工效率或占用空间(footprint，足迹)，装载端口120的数量可以增加或减少。在承载件130中形成有被设置成支撑基板W的周缘的多个槽(未示出)。多个槽是沿第三方向16设置的。基板W堆叠在承载件130中，同时沿第三方向16彼此间隔开。可以将前开式统集盒(FOUP)用作承载件130。
加工处理模块200包括缓冲单元220、供给室240和多个加工室260。供给室240被布置成使得其纵长方向与第一方向12平行。加工室260沿第二方向14布置在供给室240的相对侧。位于供给室240一侧的加工室260与位于供给室240相对侧的加工室260相对于供给室240彼此对称。加工室260中的一些沿供给室240的纵长方向布置。此外，加工室260中的一些被布置成彼此堆叠。也就是说，具有A×B(A和B为自然数)阵列的加工室260可以布置在供给室240的一侧。此处，A是沿第一方向12设置成行的加工室260的数量，而B是沿第三方向16设置成行的加工室260的数量。当在供给室240的一侧设置四个或六个加工室260时，加工室260可以以2×2或3×2的阵列布置。加工室260的数量可以增加或减少。不同于以上描述，加工室260可以设置在供给室240的仅一侧。此外，不同于以上描述，加工室260可以设置在供给室240的一侧或相对侧，以形成单个层。
在供给框架140与供给室240之间布置有缓冲单元220。缓冲单元220在供给室240与供给框架140之间提供基板W在被输送之前于其中停留的空间。在缓冲单元220中设置有在其中定位基板W的槽(未示出)，并且多个槽(未示出)被设置成沿第三方向16彼此间隔开。缓冲单元220面向供给框架140的面以及面向供给室240的面是敞开的。
供给框架140在位于装载端口120上的承载件130与缓冲单元220之间输送基板W。在供给框架140中设置有指引轨道142和指引自动装置(robot，机械手)144。指引轨道142被布置成使得其纵长方向与第二方向14平行。指引自动装置144安装在指引轨道142上，并沿指引轨道142在第二方向14上线性移动。指引自动装置144具有基座144a、主体144b和多个指引臂144c。基座144a被安装成沿指引轨道142移动。主体144b耦接至基座144a。主体144b被设置成在基座144a上沿第三方向16移动。主体144b被设置成在基座144a上旋转。指引臂144c耦接至主体144b，并且被设置成相对于主体144b向前和向后移动。多个指引臂144c被设置成单独驱动。指引臂144c被布置成以沿第三方向16彼此间隔开的方式堆叠。当在加工模块200中将基板W输送至承载件130时使用指引臂144c中的一些，并且当将基板W从承载件130输送至加工处理模块200时可以使用指引臂155中的一些。这种结构可以防止在指引自动装置144将基板W载入和载出的过程中由在加工处理前的基板W产生的粒子附着于经过加工处理后的基板W上。
供给室240在缓冲单元220和加工室260之间以及在加工室260之间输送基板W。在供给室240中设置有导轨242和主自动装置244。导轨242被布置成使得其纵长方向与第一方向12平行。主自动装置244安装在导轨242上，并在指引轨道242上沿第一方向12线性移动。主自动装置244具有基座244a、主体244b和多个主臂244c。基座244a被安装成沿导轨242移动。主体244b耦接至基座244a。主体244b被设置成在基座244a上沿第三方向16移动。主体244b被设置成在基座244a上旋转。主臂244c耦接至主体244b，并且被设置成相对于主体244b向前和向后移动。多个主臂244c被设置成单独驱动。主臂244c被布置成以沿第三方向16彼此间隔开的方式堆叠。当将基板W从缓冲单元220输送至加工室260时使用主臂244c，并且当将基板W从加工室260输送至缓冲单元220时使用的主臂244可以不同。
在加工室260中设置有对基板W进行清洁加工的基板处理装置300。根据所执行的清洁加工的类型，设置在加工室260中的基板处理装置300可以具有不同的结构。可选地，在加工室260中的基板处理装置300可以具有相同的结构。可选地，加工室260可以被分为多个组，使得设置在属于同一组的加工室260中的基板处理装置300具有相同的结构，而设置在属于不同组的加工室260中的基板处理装置300具有不同的结构。例如，当将加工室260分为两组时，第一组加工室260可以设置在供给室240的一侧，而第二组加工室260可以设置在供给室240的相对侧。可选地，在供给室240的相对侧上，第一组加工室260可以设置在供给室240的下侧，而第二组加工室260可以设置在供给室240的上侧。第一组加工室260和第二组加工室260可以是根据所使用化学品的种类或清洁方法的类型进行分类的。
图2是示出了根据本发明理念的一种实施方案的基板处理装置的视图。
参照图2，基板处理装置300包括室310、杯状件320、支撑单元340、提升单元360、喷射单元380和辅助喷射单元390。
室310在其内部提供空间。室310的内部压力可以维持在0.01巴至1巴。此外，室310的内部压力可以维持在0.75巴至1.25巴。例如，室310的内部压力可以是正常压力。
杯状件320位于室310中的空间中。杯状件320具有用于进行基板处理加工的空间，并且壳体320的上侧是敞开的。杯状件320具有内回收容器322、中间回收容器324以及外回收容器326。回收容器322、324和326回收在加工中使用的不同处理流体。内回收容器322具有围绕支撑单元340的环圈形状，中间回收容器324具有围绕内回收容器322的环圈形状，并且外回收容器具有围绕中间回收容器324的环圈形状。内回收容器322的内部空间322a、在内回收容器322与中间回收容器324之间的空间324a以及在中间回收容器324与外回收容器326之间的空间326a用作入口410，处理流体通过这样的入口被引入内回收容器322、中间回收容器324和外回收容器326中。从回收容器322、324和326沿其底表面向下的方向垂直延伸的回收管线322b、324b和326b分别连接至回收容器322、324和326。回收管线322b、324b和326b分别排出被引导通过回收容器322、324、326的处理流体。排出的处理流体可以通过外部处理流体再循环系统(未示出)再使用。
支撑单元340布置在杯状件320的处理空间中。支撑单元340在加工期间支撑基板并使基板旋转。支撑单元340具有旋转头342、多个支撑销344、多个卡夹销346、驱动轴348以及驱动单元349。旋转头342的上表面具有从顶部看时基本上圆形的形状。可以通过驱动器349进行旋转的驱动轴348固定地耦接至旋转头342的底部。如果驱动轴348旋转，则旋转头342也旋转。旋转头342包括支撑销344和卡夹销346，以支撑基板。设置有多个支撑销344。支撑销344可以被布置成在旋转头342的上表面的周缘处彼此间隔开并从旋转头342向上凸出。支撑销344被布置成通过其组合具有大体为环圈的形状。支撑销344支撑基板的底表面的周缘，使得基板W与旋转头342的上表面间隔开预定距离。设置有多个卡夹销346。卡夹销346被布置成与支撑销344相比距离旋转头342的中心更远。卡夹销346被设置成从旋转头342向上凸出。卡夹销346支撑基板的侧表面，使得当支撑单元340旋转时基板不会在横向上离开适当位置。卡夹销346被设置成沿旋转头342的径向方向在备用位置和支撑位置之间线性移动。备用位置是与支撑位置相比距离旋转头342的中心更远的位置。当将基板加载到支撑单元340上或从支撑单元卸载基板时，卡夹销346位于备用位置；当对基板进行加工时，卡夹销346位于支撑位置。卡夹销346在支撑位置与基板的侧面接触。
提升单元360线性地向上和向下移动杯状件320。提升单元360可以移动杯状件320的多个回收容器322、324和326。虽然未示出，但回收容器可以单独地移动。当向上和向下移动杯状件320时，改变了杯状件320相对于支撑单元340的高度。提升单元360具有支架362、可移动轴364和驱动器366。支架362固定地安装在杯状件320的外壁上，并且由驱动器366向上和向下移动的可移动轴364固定地耦接至支架362。当将基板W定位在支撑单元340上或从支撑单元340提起基板时，杯状件320被降低成使得支撑单元340凸出至杯状件320的上侧。当进行加工时，杯状件320的高度被调节成使得根据供应至基板W的处理流体的种类将处理流体引入预设的回收容器360。例如，当通过第一处理流体处理基板时，将基板定位在与内回收容器322的内部空间322a相对应的高度处。此外，当通过第二处理流体和第三处理流体处理基板时，可以将基板定位在同内回收容器322与中间回收容器324之间的空间324a相对应的高度处和同中间回收容器324与外回收容器326之间的空间326a相对应的高度处。不同于上文所描述的，提升单元360可以向上和向下移动支撑单元340而不是杯状件320。此外，不同于上述描述，杯状件320可以具有单个回收容器322。
喷射单元380将清洁介质喷射到基板W上。清洁介质以非液体材料的状态供应至基板W。例如，清洁介质可以以气溶胶状态供应至基板。例如，以气溶胶状态供应的材料可以是二氧化碳。喷射单元380可以旋转。可以设置一个或多个喷射单元380。喷射单元380具有喷嘴支撑件382、支撑件386、驱动器388和喷嘴400。支撑件386的纵长方向被设置成沿着第三方向16，并且驱动器388耦接至支撑件386的下端。驱动器388使支撑件386旋转和提升。喷嘴支撑件382耦接至支撑件386的、与支撑件386和驱动器388耦接的端部相反的端部，且垂直于支撑件386。喷嘴400安装在喷嘴支撑件382的端部的底表面上。喷嘴400由驱动器388移动至加工位置和备用位置。加工位置是喷嘴400被布置在杯状件320的竖直上部时的位置，而备用位置是偏离杯状件320的竖直上部时的位置。
喷射单元390将处理流体喷射到基板W上。辅助喷射单元390可以旋转。辅助喷射单元390具有辅助喷嘴398、支撑件392、辅助支撑件396、辅助驱动器397和辅助喷嘴398。辅助支撑件396的纵长方向被设置成沿着第三方向16，并且辅助驱动器396耦接至辅助支撑件397的下端。辅助驱动器397使辅助支撑件396移动。例如，辅助驱动器397可以使辅助支撑件396旋转。此外，辅助驱动器397可以提升辅助支撑件396。辅助喷嘴支撑件382耦接至辅助支撑件396的上侧。辅助喷嘴398安装在辅助喷嘴支撑件382的端部的底表面上。辅助喷嘴397由辅助驱动器388移动至加工位置和备用位置。加工位置是辅助喷嘴398被布置在杯状件320的竖直上部时的位置，而备用位置是辅助喷嘴398的偏离杯状件320的竖直上部时的位置。
图3是示意性地示出了根据一种实施方案的喷嘴的内部结构的视图。
喷嘴400具有收缩部分420、扩张部分440和孔口450。收缩部分420、孔口450和扩张部分440是顺序设置的。收缩部分420具有入口410。通过入口410引入清洁介质。收缩部分420的截面随着其远离入口410减小。例如，收缩部分420可以具有锥形形状。
通过入口410引入的清洁介质可以是单种气体。清洁介质可以是二氧化碳。引入的清洁介质的供应压力可以是20巴至60巴。清洁介质的供应压力可以是45巴至55巴。
扩张部分440具有喷射孔430。喷射孔430喷射清洁介质。扩张部分440的截面随着其靠近喷射孔430增加。例如，扩张部分440可以具有锥形形状。当从喷射孔430喷射时，清洁介质作为固体粒子被喷射。
孔口450位于收缩部分420和扩张部分440之间。孔口450沿其纵长方向可以具有恒定的截面积。
喷射孔430的面积可以是孔口450的截面的4至14倍大。喷射孔430的面积可以是孔口450的截面的6至10倍大。
也就是说，喷射孔430的面积可以是孔口450的通道的截面积——其是与孔口450的纵长方向垂直地截取的——的4至14倍大。此外，喷射孔430的面积可以是孔口450的通道的截面积的6至10倍大。
根据一种实施例，孔口450的直径可以为0.24mm至0.6mm，并且喷射孔430的直径可以为0.9mm至3.0mm。此外，孔口的直径可以为0.3mm至0.5mm，并且喷射孔的直径可以为0.9mm至1.1mm。
根据一种实施例，孔口450的面积可以为0.05mm2至0.28mm2，并且喷射孔430的面积可以为0.7mm2至7mm2。此外，孔口的面积可以为0.10mm2至0.14mm2，并且喷射孔的面积可以为0.7mm2至1.4mm2。
在上述条件下，可以使清洁介质以高速和高压从喷射孔430喷射，使得甚至在不使用载气的情况下也可以充分清洁基板。将参照实验结果来描述对基板的清洁效率，该实验结果将在下文关于上述描述进行描述。
图4示出了描绘根据孔口450的面积和喷射孔430的面积之比的基板的清洁程度的图片。
在下文中，图片中相对明亮的点为清洁后留下的杂质。这意味着分布的明亮点的量越大，清洁越不完全。
下面的实验是在室的内部压力非真空压力的状态下进行的。此外，作为清洁介质，仅供应处于单一气体状态的二氧化碳而未使用单独的载气。
从图4可以看出，当孔口450的截面积A1和喷射孔430的面积A2的比为4至14时，可以仅使用单一的二氧化碳气体清洁基板。特别地，当孔口450的截面积A1和喷射孔430的截面积的比为6至10时，基板的杂质被有效地清洁。
图5示出了描绘根据室的内部压力的基板的清洁程度的图片。
如上所述，使用其中孔口450的截面积A1和喷射孔430的面积A2的比为6至10的喷嘴400，并且在室的内部压力非真空压力的状态下进行实验。例如，分别在室的内部压力为0.75巴、1巴和1.25巴时进行实验。向喷嘴400的入口410供应清洁介质的压力维持在45巴至55巴。参照图5，可以看出即使当室的内部压力非真空压力时也清洁了基板。特别地，以在0.75巴至1.25巴之间的压力，基板被有效地清洁。因此，当室310被设置在正常压力或接近正常压力的压力(介于0.75巴至1.25巴之间)下时由清洁介质进行清洁，并且因而可以向基板喷射液态的防污染液体，该液态的防污染液体将在下文描述。
图6是示出了喷射单元380已开始清洁基板W的状态的视图。图7是示出了其中由喷射单元清洁基板并且由辅助喷射单元390供应防污染液体的状态的视图。
参照图6和图7，首先，由喷射单元380清洁基板W。由喷射单元380对基板W的清洁在基板W的外区域开始。其后，在喷嘴400被驱动朝向基板W的中心移动时，喷射单元380供应清洁介质。在喷嘴400供应清洁介质时，基板W可以旋转。
在基板W通过喷射单元380被清洁的区域中，由辅助喷射单元390供应防污染液体。喷射单元390开始在基板W的外区域中供应防污染液体。其后，在辅助喷嘴398被驱动朝向基板W的中心移动时，辅助喷射单元390供应防污染液体。防污染液体防止由于清洁介质而溅射到基板的上侧的粒子再次附着于基板W的表面。在辅助喷嘴398位于基板W的外侧的状态下，辅助喷嘴398向基板W供应防污染液体。因此，即使由于基板W的旋转而使防污染液体溅到基板W的外侧，也不影响喷射单元380未在其中进行清洁的区域。
图9是示出了根据另一实施方案的喷射单元380与辅助喷射单元390之间的位置关系的视图。
参照图8，辅助喷射单元390可以位于相对于基板W的中心与喷射单元380相对的区域中。这样，从基板W的中心到喷嘴400的距离R1短于从基板W的中心到辅助喷嘴398的距离R2。因此，与图7类似，即使由于基板W的旋转而使防污染液体溅到基板W的外侧，也不影响喷射单元380未在其中进行清洁的区域。
图9是示出了若干材料的ζ电势的视图。
参照图9，可以看出，如果材料遇到液体，则该材料的表面的电势会根据该液体的pH变化。因此，当从基板W溅射的粒子落入其中施加有防污染液体的区域中时，这些粒子具有取决于ζ电势的电势。因此，由辅助喷射单元390供应的防污染液体可以是具有考虑到粒子的ζ电势的pH的液体。详细地，防污染液体的pH值可以是将粒子充电至具有取决于ζ电势的负电势的pH值。例如，防污染液体可以是碱性液体。因此，当从基板W溅射的粒子落入其中施加有防污染液体的区域中时，这些粒子具有负电势。此外，由于清洁介质或防污染液体对基板W的清洁，基板W的表面具有负电势。因此，基板W的表面与粒子之间产生排斥力，使得肯定可以防止粒子吸附至基板W的表面。
根据本发明理念的实施方案，可以提供一种高效地处理基板的基板处理装置和一种基板处理方法。
此外，根据本发明理念的一种实施方案，可以提供一种以干法清洁基板的基板处理装置和一种基板处理方法。
此外，根据本发明理念的一种实施方案，可以提供一种在正常压力或接近正常压力的压力下以干法清洁基板的基板清洁装置和一种基板处理方法。
此外，根据本发明理念的一种实施方案，可以提供一种通过使用二氧化碳来清洁基板的基板处理装置和一种基板处理方法。
根据本发明理念的一种实施方案，可以提供一种清洁效率提高的基板处理装置和一种基板处理方法。
上文的描述例示了本发明理念。此外，上述内容描述了本发明理念的例示性实施方案，本发明理念可以在各种其他组合、变化和环境中使用。也就是说，在不偏离说明书公开的本发明理念的范围、书面公开内容的等同范围和/或本领域技术人员的技术或知识范围的情况下，可以对本发明理念进行修改和调整。书面的实施方案描述了实施本发明理念的技术精神的最佳状态，并且可以做出本发明理念的具体应用领域和目的所需的各种改变。因此，本发明理念的详细描述并不意在将本发明理念限制于所公开的实施方案状态。此外，应当理解，所附权利要求包括其他实施方案。

Claims (6)

1.一种基板处理装置，包括：
室，所述室提供用于加工基板的空间；
支撑单元，所述支撑单元设置在所述室中以支撑所述基板；
喷射单元，所述喷射单元具有喷嘴以用于向由所述支撑单元支撑的所述基板供应非液体清洁介质；以及
辅助喷射单元，所述辅助喷射单元具有辅助喷嘴以用于向由所述支撑单元支撑的所述基板供应防污染液体，其中所述防污染液体具有的PH值大于将粒子充电至具有取决于ζ电势的负电势的pH值，
其中，当所述喷嘴从所述基板的外区域向所述基板的中心区域移动时，所述喷射单元向所述基板供应所述清洁介质，
其中，所述辅助喷嘴将所述防污染液体供应至所述基板的由所述清洁介质在其中进行了清洁的区域，
其中，在从所述基板的中心至所述辅助喷嘴的距离大于从所述基板的中心至所述喷嘴的距离的状态下，所述辅助喷射单元向所述基板供应所述防污染液体。
2.根据权利要求1所述的基板处理装置，其中，所述清洁介质为处于气溶胶状态的二氧化碳。
3.根据权利要求1所述的基板处理装置，其中，所述室的内部压力为0.75巴至1.25巴。
4.根据权利要求1所述的基板处理装置，其中，所述喷嘴包括：
具有入口的收缩部分，所述清洁介质通过所述入口引入，并且所述收缩部分的截面积随着所述收缩部分远离所述入口减小；
具有喷射孔的扩张部分，所述清洁介质通过所述喷射孔喷射，并且所述扩张部分的截面积随着所述扩张部分靠近所述喷射孔增加；以及
位于所述收缩部分和所述扩张部分之间的孔口。
5.根据权利要求1所述的基板处理装置，其中，所述防污染液体为碱性液体。
6.一种使用根据权利要求1-5中任一项所述的基板处理装置的基板处理方法，包括：
开始向旋转的基板供应非液体清洁介质；以及
向所述基板的由所述清洁介质在其中对所述基板进行了清洁的区域供应防污染液体，所述防污染液体具有的PH值使由于清洁介质而溅射到基板的上侧的被移除的粒子被充电至具有取决于ζ电势的负电势，以防止所述被移除的粒子再次附着于基板的表面。
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