CN107577860B - 基于单根金丝键合的微波器件路耦合传输性能预测方法 - Google Patents

Abstract

本发明公开了一种基于单根金丝键合的微波器件路耦合传输性能预测方法，包括确定单根金丝键合线结构参数、电磁参数及材料属性；将单根金丝键合线等效为电阻和电感；将单根金丝键合线焊盘等效为两个平行板电容；确定单根金丝键合线及其焊盘的等效二端口网络形式；计算单根金丝键合线长度；计算单根金丝键合线趋肤深度；确定等效二端口网络的串联电阻和串联电感；计算等效电容的极板间距；确定等效二端口网络并联电容；计算二端口网络阻抗Z参数；计算微波器件传输S参数；建立传输S参数与单根金丝键合线结构参数的路耦合模型；计算单根金丝键合下的微波器件传输性能。本发明实现了单根金丝键合线不同结构参数下的微波器件传输性能快速预测与分析。

Description

基于单根金丝键合的微波器件路耦合传输性能预测方法

技术领域

本发明属于微波射频电路技术领域，具体涉及一种基于单根金丝键合的微波器件路耦合传输性能预测方法。

背景技术

随着信息电子技术的日益发展发展，毫米波、微米波等微波器件被广泛的应用于通信、雷达、航天航空以及导航等领域。随着电子元器件的发展日趋高密度、集成化与小型化，这给微波器件的组装工艺提出了更为苛刻的要求，而微波器件之间的信号传输主要是通过金丝键合来实现的，因而金丝键合的结构参数将直接影响微波信号的传输性能。

在微波多芯片组件中，通常采用金丝键合来实现单片微波集成电路、微带传输线、共面波导、集总式元器件之间的连接。单根金丝键合线结构参数，包括不同的金丝直径、不同的金丝拱高、不同的金丝跨距、会对微波电路传输性能产生严重的影响，尤其是在高频段(Ku、Ka频段)，随着微波电路工作频率升高，金丝的趋肤深度减小，微波电路的传输性能会严重恶化。然而，目前对于单根金丝键合互联工艺的影响机理分析，工程人员更多的是在电磁仿真软件中建模仿真分析单根金丝键合线结构参数对微波电路传输性能的影响，在整个过程中，工程人员必须要准确建模、设置各种结构参数、边界条件的设置等繁琐过程，最后才能进行仿真计算，当仿真计算的微波信号传输性能不满足指标要求时，需要对模型修改、仿真计算、再修改、再次仿真计算。这个重复过程大大地增加了工程人员的工作量，影响了工作效率。

因此，有必要深入地开展单根金丝键合线结构参数对微波器件传输性能的影响机理研究工作，从路的角度出发，建立单根金丝键合线结构参数与微波器件传输性能的函数关系，从而实现快速、准确地预测单根金丝键合线不同结构参数下的微波器件传输性能。

发明内容

为解决现有技术中存在的上述缺陷，本发明的目的在于提供一种基于单根金丝键合的微波器件路耦合传输性能预测方法，以便快速、准确地分析了单根金丝键合线结构参数对微波射频电路传输性能的影响。

本发明是通过下述技术方案来实现的。

一种基于单根金丝键合的微波器件路耦合传输性能预测方法，该方法包括下述步骤：

(1)根据高频段微波器件电路组装工艺的具体要求，确定微波器件中单根金丝键合线的结构参数、材料属性和电磁参数；

(2)根据微波传输线的根本属性，将单根金丝键合线等效为一个电阻和一个电感；

(3)将单根金丝键合线两边的焊盘等效为两个平行板电容；

(4)确定单根金丝键合线及其两端焊盘的等效二端口网络形式，该等效二端口网络包括一个串联电阻R、一个串联电感L，以及并联电容C；

(5)根据单根金丝键合线的结构参数金丝拱高h、金丝跨距D以及金丝与介质基板间的夹角计算单根金丝键合线的长度l，得到单根金丝键合线长度l与键合金丝结构参数的函数关系；

(6)根据单根金丝键合线的电磁参数以及材料属性，计算单根金丝键合线的趋肤深度d_s；

(7)根据单根金丝键合线的长度l以及趋肤深度d_s，确定等效二端口网络的串联电阻R和串联电感L，得到等效二端口网络串联电阻R和串联电感L与单根金丝键合线结构参数的函数关系；

(8)根据单根金丝键合线的结构参数，计算等效平行板电容的极板间距U；

(9)根据等效平行板电容的极板间距U，基于保角变换法，确定等效二端口网络的并联电容C，得到等效二端口网络的并联电容C与单根金丝键合线结构参数的函数关系；

(10)根据等效二端口网络形式，利用等效二端口网络的阻抗Z参数计算公式，确定阻抗Z参数，得到阻抗Z参数与等效二端口网络的串联电阻R、串联电感L以及并联电容C的函数关系；

(11)根据等效二端口网络的参数转化公式，将阻抗Z参数转化为传输S参数；

(12)根据等效二端口网络的串联电阻R、串联电感L以及并联电容C与单根金丝键合线结构参数的函数关系，阻抗Z参数与等效二端口网络的串联电阻R、串联电感L以及并联电容C的函数关系，以及等效二端口网络中阻抗Z参数与传输S参数的转换公式，确定微波器件传输性能参数与单根金丝键合线结构参数的函数关系，建立传输S参数与单根键合金丝线结构参数的路耦合模型；

(13)利用传输S参数与单根键合金丝线结构参数的路耦合模型，计算单根金丝键合下的微波器件传输性能。

进一步，所述步骤(1)中，微波器件中单根金丝键合线的结构参数，包括金丝跨距D、金丝直径d、金丝拱高h、金丝与介质基板间的夹角所述微波器件中单根金丝键合线的材料属性，包括为金丝电阻率ρ、金丝的相对磁导率μ_r；所述微波器件中单根金丝键合线的电磁参数，包括微波器件的工作频率f。

进一步，所述步骤(5)中，根据单根金丝键合线的结构参数金丝拱高h、金丝跨距D以及金丝与介质基板间的夹角按以下公式计算金丝键合线长度l：

进一步，所述步骤(6)中，在导体电阻和电感计算中常考虑导体的趋肤效应，根据单根金丝键合线的材料属性和电磁参数，按以下公式计算键合金丝线的趋肤深度d_s：

式中，ρ为金丝电阻率，f为微波器件的工作频率，μ₀为真空磁导率，μ_r为金丝的相对磁导。

进一步，所述步骤(7)中，确定等效二端口网络的串联电阻R、串联电感L，按照以下步骤进行：

(7a)根据金丝键合线的长度l和趋肤深度d_s，按以下公式确定等效二端口网络的串联电阻R：

式中，ρ为金丝电阻率，d为金丝直径，D为金丝跨距，h为金丝拱高，为金丝与介质基板间的夹角，f为微波器件的工作频率，μ₀为真空磁导率，μ_r为金丝的相对磁导率；

(7b)根据金丝键合线的长度l和趋肤深度d_s，按以下公式确定等效二端口网络的串联电感L：

进一步，所述步骤(8)中，根据单根金丝键合线的结构参数金丝拱高h和金丝直径d，按以下公式计算等效平行板电容的极板间距U：

进一步，所述步骤(9)中根据等效平行板电容极板间距U，基于保角变换法，按以下公式计算等效二端口网络的并联电容C：

式中，f(v)为介质表面的函数；P为等效物理长度；δ为分段函数；由以下式子表示：

其中，ε₀与ε_r分别为真空与介质基板的相对介电常数，h₁为微带线高度，h₂为介质基板厚度，v为保角。

进一步，所述步骤(10)中，根据等效二端口网络组成，利用等效二端口网络的阻抗Z参数计算公式，计算阻抗Z参数，按以下步骤进行：

(10a)阻抗Z数用端口1的电流I₁和端口2的电流I₂来表示端口1的电压U₁和端口2的电压U₂，用矩阵表示如下：

式中，

(10b)根据等效二端口网络组成，计算阻抗Z参数，得到阻抗Z参数与等效二端口网络的串联电阻R、串联电感L以及并联电容C的隐性函数关系如下所示：

R＝real(-Z₁₂)

进一步，所述步骤(11)中，在等效二端口网络中按以下公式将阻抗Z参数转化为传输S参数：

式中，Z₀为微带线特性阻抗，Z₁₁、Z₁₂、Z₂₁、Z₂₂分别为单根金丝键合等效二端口网络阻抗Z参数，S₁₁、S₁₂、S₂₁、S₂₂分别为单根金丝键合等效二端口网络阻抗S参数，将金丝键合模型看成完全对称结构，则可知S₁₁＝S₂₂，S₁₂＝S₂₁。

进一步，所述步骤(12)中，建立传输S参数与单根键合金丝线结构参数的路耦合模型，按以下步骤进行：

(12a)等效二端口网络的串联电阻R、串联电感L以及并联电容C与单根金丝键合线结构参数的函数关系，可用函数F_i(x)(i＝1，2,3)表示如下：

式中，D是金丝的跨距，h为金丝拱高，d金丝直径，f为微波器件的工作频率；

(12b)根据阻抗Z参数与等效二端口网络的串联电阻R、串联电感L以及并联电容C的函数关系，以及等效二端口网络中阻抗Z参数与传输S参数的转换公式，确定微波器件传输S参数与等效二端口网络的串联电阻R、串联电感L以及并联电容C的函数关系，可用函数G_i(x)(i＝1，2,3)表示如下：

(12c)建立传输S参数与单根键合金丝线结构参数的路耦合模型，公式如下：

式中，S₁₁、S₂₁分别是单根金丝键合等效二端口网络S数。

本发明与现有技术相比，具有以下特点：

1.本发明针对微波器件的金丝键合互联工艺，从路的角度出发，采用等效二端口网络的综合分析方法，建立了微波器件传输S参数与单根金丝键合线结构参数的路耦合模型，实现了快速、准确地分析单根金丝键合线不同结构参数下的微波器件传输性能。传统方法中工程人员更多的是在电磁仿真软件中进行复杂，繁琐的建模仿真得到单根金双键合线结构参数对微波电路传输性能影响关系。而本发明可直接从单根金丝键合线结构参数得到微波器件传输性能，克服了上述传统的方法不足，从而缩短了研制周期，降低了研制成本。

2.本发明可同时研究单根金丝键合线多个结构参数对微波器件的传输性能的影响，克服了传统方法只考虑单一结构参数下分析微波器件传输性能的不足。

附图说明

图1是本发明一种基于单根金丝键合的微波器件传输性能预测方法的流程图；

图2是单根金丝键合模型正视图；

图3是单根金丝键合模型俯视图；

图4是单根金丝键合等效二端口网络形式；

图5不同金丝直径大小对插入损耗的影响；

图6不同金丝直径大小对回波损耗的影响。

具体实施方式

下面结合附图和实施例对发明作进一步的详细说明，但并不作为对发明做任何限制的依据。

参照图1，本发明为一种基于单根金丝键合的微波器件路耦合传输性能预测方法，具体步骤如下：

步骤1，确定单根金丝键合线结构参数、电磁参数以及材料属性

根据高频段微波器件电路组装工艺的具体要求，确定器件中单根金丝键合线的结构参数，包括金丝跨距D、金丝直径d、金丝拱高h、金丝与介质基板间的夹角确定单根金丝键合线的材料属性，包括为金丝电阻率ρ、金丝的相对磁导率μ_r；确定单根金丝键合线的电磁参数，包括微波器件工作频率f。

步骤2，根据传输线属性，将单根金丝键合线等效为一个电阻和一个电感

根据微波传输线的根本属性，将单根金丝键合线等效为一个电阻和一个电感。

步骤3，将单根金丝键合线两边的焊盘等效为两个平行板电容

将单根金丝键合线两边的焊盘等效为两个平行板电容。

步骤4，确定单根金丝键合线及其焊盘的等效二端口网络形式

确定单根金丝键合线及其两端焊盘的等效二端口网络形式，该等效二端口网络由一个串联电阻R、一个串联电感L，以及两个并联电容C₁和C₂组成。

步骤5，计算单根金丝键合线长度

根据单根金丝键合线的结构参数金丝拱高h、金丝跨距D以及金丝与介质基板间的夹角按以下公式计算金丝键合线长度l：

步骤6，计算单根金丝键合线趋肤深度

在导体电阻和电感计算中常考虑导体的趋肤效应，根据单根金丝键合线的材料属性和电磁参数，按以下公式计算键合金丝线的趋肤深度d_s：

式中，ρ为金丝电阻率(2.5×10^-8Ω·m)，f为微波器件的工作频率，μ₀为真空磁导率(μ₀＝4π×10^-7H/m)，μ_r为金丝的相对磁导率。

步骤7，确定等效二端口网络的串联电阻与串联电感

(7a)根据金丝键合线的长度l和趋肤深度d_s，按以下公式确定等效二端口网络的串联电阻R：

式中，ρ为金丝电阻率(2.5×10^-8Ω·m)，d为金丝直径，D为金丝跨距，h为金丝拱高，为金丝与介质基板间的夹角，f为微波器件的工作频率，μ₀为真空磁导率(μ₀＝4π×10^-7H/m)，μ_r为金丝的相对磁导率，ρ为金丝电阻率(2.5×10^-8Ω·m)；

(7b)根据金丝键合线的长度l和趋肤深度d_s，按以下公式确定等效二端口网络的串联电感L：

步骤8，计算等效电容的极板间距

根据单根金丝键合线的结构参数金丝拱高h和金丝直径d，按以下公式计算等效平行板电容的极板间距U：

步骤9，基于保角变换法，确定等效二端口网络的并联电容

根据等效平行板电容极板间距U，基于保角变换法，按以下公式计算等效二端口网络的并联电容C：

式中，f(v)为介质表面的函数；P为等效物理长度；δ为分段函数；由以下公式表示：

其中，ε₀与ε_r分别为真空与介质基板的相对介电常数，h₁为微带线高度，h₂为介质基板厚度，v为保角。

步骤10，基于等效二端口网络组成，计算等效二端口网络阻抗Z参数

(10a)阻抗Z数用端口1的电流I₁和端口2的电流I₂来表示端口1的电压U₁和端口2的电压U₂，用矩阵表示如下：

式中，

(10b)根据等效二端口网络组成，计算阻抗Z参数，得到阻抗Z参数与等效二端口网络的串联电阻R、串联电感L以及并联电容C的隐性函数关系如下所示：

R＝real(-Z₁₂)

步骤11，基于等效二端口网络阻抗Z参数，计算微波器件传输S参数

在等效二端口网络中按以下公式将阻抗Z参数转化为传输S参数：

式中，Z₀为微带线特性阻抗，为定值，一般取50Ω。Z₁₁、Z₁₂、Z₂₁、Z₂₂分别为单根金丝键合等效二端口网络阻抗Z参数，S₁₁、S₁₂、S₂₁、S₂₂分别为单根金丝键合等效二端口网络阻抗S参数，由图2、图3所示，将金丝键合模型看成完全对称结构，则可知S₁₁＝S₂₂，S₁₂＝S₂₁。

步骤12，建立传输S参数与单根金丝键合线结构参数的路耦合模型

(12a)等效二端口网络的串联电阻R、串联电感L以及并联电容C与单根金丝键合线结构参数的函数关系，可用函数F_i(x)(i＝1，2,3)表示如下：

式中，D是金丝的跨距，h为金丝拱高，d金丝直径，f为微波器件的工作频率；

(12b)根据阻抗Z参数与等效二端口网络的串联电阻R、串联电感L以及并联电容C的函数关系，以及等效二端口网络中阻抗Z参数与传输S参数的转换公式，确定微波器件传输S参数与等效二端口网络的串联电阻R、串联电感L以及并联电容C的函数关系，可用函数G_i(x)(i＝1，2,3)表示如下：

(12c)建立传输S参数与单根键合金丝线结构参数的路耦合模型，公式如下：

图4是单根金丝键合等效二端口网络形式。

步骤13，计算单根金丝键合下的微波器件传输性能

利用传输S参数与单根键合金丝线结构参数的路耦合模型，在Matlab中编程计算单根金丝键合下的微波器件传输性能。

本发明的优点可通过以下仿真实验进一步说明：

一、仿真条件

本实验以X波段的有源相控阵天线中T/R组件为例，研究T/R组件中用单根金丝键合线连接数字式移相器与功率放大器时，单根金丝键合线结构参数对他们的微波传输性能的影响。为了简化分析，将T/R组件中数字式移相器和功率放大器等效为两块大小和结构形式完全相同的微带介质基板，介质基板上是微带线，将单根金丝焊接到微带线上，金丝起到传输信号的作用。几何模型参数如图2、图3所示。介质基板长度为20mm、宽度15mm、厚度0.254mm。微带线高度为0.018mm、微带线宽度0.62mm。单根金丝键合线结构参数见表1，微波器件及键合金丝材料属性见表2,并取微波器件的电磁工作频率为10GHz。

表1单根金丝键合线结构参数

金丝直径的d(mm)	金丝拱高h(mm)	金丝跨距D(mm)	θ(度)
				0.02	0.1	0.1	80
0.03	0.1	0.1	80
				0.04	0.1	0.1	80
0.05	0.1	0.1	80
				0.06	0.1	0.1	80
0.07	0.1	0.1	80
				0.08	0.1	0.1	80
0.09	0.1	0.1	80
				0.10	0.1	0.1	80

表2微波器件及键合金丝的材料属性

金丝键合互联工艺	材料	相对介电常数
			介质基板	Arlon CLTE-XT(tm)	2.94
微带线	Cu	1
			键合丝	Au	1

二、仿真结果及分析

分析单根金丝键合线不同直径对微波电路传输性能的影响，基于微波器件传输S参数与单根金丝键合线结构参数的路耦合模型，在Matlab中编程计算得到的插入损耗和回波损耗见下表3，将计算得到的传输S参数绘制成曲线如图5和图6所示。

表3不同金丝直径大小下的插入损耗和回波损耗

上述仿真实验可以看出，本发明提出的一种基于单根金丝键合的微波器件路耦合传输性能预测方法，可快速、准确地计算单根金丝键合线不同结构参数下的微波器件传输S性能。

Claims (10)

1.基于单根金丝键合的微波器件路耦合传输性能预测方法，其特征在于，包括下述步骤：

(1)根据高频段微波器件电路组装工艺的具体要求，确定微波器件中单根金丝键合线的结构参数、材料属性和电磁参数；

(2)根据微波传输线的根本属性，将单根金丝键合线等效为一个电阻和一个电感；

(3)将单根金丝键合线两边的焊盘等效为两个平行板电容；

(4)确定单根金丝键合线及其两端焊盘的等效二端口网络形式，该等效二端口网络包括一个串联电阻R和一个串联电感L，以及并联电容C；

(5)根据单根金丝键合线的结构参数金丝拱高h、金丝跨距D以及金丝与介质基板间的夹角θ，计算单根金丝键合线的长度l，得到单根金丝键合线长度l与单根金丝键合线结构参数的函数关系；

(6)根据单根金丝键合线的电磁参数以及材料属性，计算单根金丝键合线的趋肤深度d_s；

(7)根据单根金丝键合线的长度l以及趋肤深度d_s，确定等效二端口网络的串联电阻R和串联电感L，得到等效二端口网络串联电阻R和串联电感L与单根金丝键合线结构参数的函数关系；

(8)根据单根金丝键合线的结构参数，计算等效平行板电容的极板间距U；

(9)根据等效平行板电容的极板间距U，基于保角变换法，确定等效二端口网络的并联电容C，得到等效二端口网络的并联电容C与单根金丝键合线结构参数的函数关系；

(10)根据等效二端口网络组成，利用等效二端口网络的阻抗Z参数计算公式，确定阻抗Z参数，得到阻抗Z参数与等效二端口网络的串联电阻R、串联电感L以及并联电容C的函数关系；

(11)根据等效二端口网络的参数转化公式，将阻抗Z参数转化为传输S参数；

(12)根据等效二端口网络的串联电阻R、串联电感L以及并联电容C与单根金丝键合线结构参数的函数关系，阻抗Z参数与等效二端口网络的串联电阻R、串联电感L以及并联电容C的函数关系，以及等效二端口网络中阻抗Z参数与传输S参数的转换公式，确定微波器件传输性能参数与单根金丝键合线结构参数的函数关系，建立传输S参数与单根键合金丝线结构参数的路耦合模型；

(13)利用传输S参数与单根键合金丝线结构参数的路耦合模型，计算单根金丝键合下的微波器件传输性能。

2.根据权利要求1所述的基于单根金丝键合的微波器件路耦合传输性能预测方法，其特征在于，所述步骤(1)中，微波器件中单根金丝键合线的结构参数，包括金丝跨距D、金丝直径d、金丝拱高h、金丝与介质基板间的夹角θ，所述微波器件中单根金丝键合线的材料属性，包括为金丝电阻率ρ、金丝的相对磁导率μ_r；所述微波器件中单根金丝键合线的电磁参数，包括微波器件的工作频率f。

3.根据权利要求1所述的基于单根金丝键合的微波器件路耦合传输性能预测方法，其特征在于，所述步骤(5)中，根据单根金丝键合线的结构参数金丝拱高h、金丝跨距D以及金丝与介质基板间的夹角θ，按以下公式计算金丝键合线长度l：

4.根据权利要求1所述的基于单根金丝键合的微波器件路耦合传输性能预测方法，其特征在于，所述步骤(6)中，按以下公式计算键合金丝线的趋肤深度d_s：

式中，ρ为金丝电阻率，f为微波器件的工作频率，μ₀为真空磁导率，μ_r为金丝的相对磁导率。

5.根据权利要求1所述的基于单根金丝键合的微波器件路耦合传输性能预测方法，其特征在于，所述步骤(7)按照以下步骤进行：

(7a)根据金丝键合线的长度l和趋肤深度d_s，按以下公式确定等效二端口网络的串联电阻R：

式中，ρ为金丝电阻率，d为金丝直径，D为金丝跨距，h为金丝拱高，θ为金丝与介质基板间的夹角，f为微波器件的工作频率，μ₀为真空磁导率，μ_r为金丝的相对磁导率；

(7b)根据金丝键合线的长度l和趋肤深度d_s，按以下公式确定等效二端口网络的串联电感L：

6.根据权利要求1所述的基于单根金丝键合的微波器件路耦合传输性能预测方法，其特征在于，所述步骤(8)中，根据单根金丝键合线的结构参数金丝拱高h和金丝直径d，按以下公式计算等效平行板电容的极板间距U：

7.根据权利要求1所述的基于单根金丝键合的微波器件路耦合传输性能预测方法，其特征在于，所述步骤(9)中，根据等效平行板电容极板间距U，基于保角变换法，按以下公式计算等效二端口网络的并联电容C：

式中，f(v)为介质表面的函数；P为等效物理长度；δ为分段函数；由以下式子表示：

其中，ε₀与ε_r分别为真空与介质基板的相对介电常数，h₁为微带线高度，h₂为介质基板厚度，v为保角。

8.根据权利要求1所述的基于单根金丝键合的微波器件路耦合传输性能预测方法，其特征在于，所述步骤(10)按以下步骤进行：

(10a)阻抗Z数用端口1的电流I₁和端口2的电流I₂来表示端口1的电压U₁和端口2的电压U₂，用矩阵表示如下：

式中，

(10b)根据等效二端口网络组成，计算阻抗Z参数，得到阻抗Z参数与等效二端口网络的串联电阻R、串联电感L以及并联电容C的隐性函数关系如下所示：

R＝real(-Z₁₂)

9.根据权利要求1所述的基于单根金丝键合的微波器件路耦合传输性能预测方法，其特征在于，所述步骤(11)中，在等效二端口网络中按以下公式将阻抗Z参数转化为传输S参数：

式中，Z₀为微带线特性阻抗，Z₁₁、Z₁₂、Z₂₁、Z₂₂分别为单根金丝键合等效二端口网络阻抗Z参数，S₁₁、S₁₂、S₂₁、S₂₂分别为单根金丝键合等效二端口网络阻抗S参数，将金丝键合模型看成完全对称结构，则可知S₁₁＝S₂₂，S₁₂＝S₂₁。

10.根据权利要求1所述的基于单根金丝键合的微波器件路耦合传输性能预测方法，其特征在于，所述步骤(12)按以下步骤进行：

(12a)等效二端口网络的串联电阻R、串联电感L以及并联电容C与单根金丝键合线结构参数的函数关系，可用函数F_i(x)表示如下：

式中，D是金丝的跨距，h为金丝拱高，d金丝直径，f为微波器件的工作频率；i＝1,2,3；

(12b)根据阻抗Z参数与等效二端口网络的串联电阻R、串联电感L以及并联电容C的函数关系，以及等效二端口网络中阻抗Z参数与传输S参数的转换公式，确定微波器件传输S参数与等效二端口网络的串联电阻R、串联电感L以及并联电容C的函数关系，可用函数G_i(x)表示如下：

式中，S₁₁、S₂₁分别是单根金丝键合等效二端口网络S数；i＝1,2,3；

(12c)建立传输S参数与单根键合金丝线结构参数的路耦合模型，公式如下：