CN107574411B - 蒸镀装置及蒸发源 - Google Patents
蒸镀装置及蒸发源 Download PDFInfo
- Publication number
- CN107574411B CN107574411B CN201710539978.9A CN201710539978A CN107574411B CN 107574411 B CN107574411 B CN 107574411B CN 201710539978 A CN201710539978 A CN 201710539978A CN 107574411 B CN107574411 B CN 107574411B
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- container
- evaporation
- opening end
- evaporation port
- evaporation source
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Images
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/225—Oblique incidence of vaporised material on substrate
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/24—Vacuum evaporation
- C23C14/243—Crucibles for source material
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/06—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the coating material
- C23C14/12—Organic material
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/24—Vacuum evaporation
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/56—Apparatus specially adapted for continuous coating; Arrangements for maintaining the vacuum, e.g. vacuum locks
- C23C14/564—Means for minimising impurities in the coating chamber such as dust, moisture, residual gases
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Abstract
本发明提供一种蒸镀装置及蒸发源,其即便是位于最外侧的蒸发口部的开口端面以朝向蒸发源的长边方向外侧的方式倾斜的结构,也能够防止成膜材料的向蒸发源的反射或再次蒸发及向蒸发源周边构件的堆积。该蒸镀装置具备蒸发源,所述蒸发源具有收容成膜材料的容器(1)、沿着容器(1)的长边方向设置的多个蒸发口部(2a、2b)、和在容器(1)的周围设置的蒸发源周边构件(3),其中,多个蒸发口部(2a、2b)中的设置在最外侧的一对外侧蒸发口部(2a)分别具有以朝向容器(1)的长边方向外侧的方式倾斜的开口端面,容器(1)及蒸发源周边构件(3)相比包含所述开口端面的假想平面而言不向外侧突出,收纳在所述假想平面的内侧。
Description
技术领域
本发明涉及蒸镀装置及蒸发源。
背景技术
在本申请人自己在先申请的日本特愿2014-265981号中,提出了一种真空蒸镀装置,所述真空蒸镀装置使设置于蒸发源的多个蒸发口部中的位于外侧的蒸发口部的开口端面以朝向蒸发源的长边方向外侧的方式倾斜,由此,即便不将蒸发口部向长边方向外侧扩展地配设,也能得到膜厚分布均匀且抑制了成膜后的图案中的膜模糊的蒸镀膜。
然而,在如上所述使蒸发源A的蒸发口部B的开口端面以朝向蒸发源的长边方向外侧的方式倾斜的情况下,从该倾斜的开口端面放出的蒸发的成膜材料的飞散范围向蒸发源侧倾斜,如图1所图示那样,存在会波及到蒸发源A的两端部(图1中C所示的范围)的问题(通常从蒸发口部放出的成膜材料的放出角度分布遵照以开口的法线方向为0°的余弦定理,相比包含开口端面的假想平面而言向前方飞散。)。
在成膜材料的飞散范围直接波及到蒸发源的情况下,由于蒸发源被加热,因此飞散的成膜材料在蒸发源反射或再次蒸发而到达基板上,可能会给膜厚分布造成影响。
另外,在通过冷却构件将蒸发源覆盖的情况下,成膜材料会堆积在成膜材料的飞散范围所波及的冷却构件上。冷却构件上的堆积物难以再次蒸发,逐渐生长,存在迟早会将蒸发口部的开口堵塞的可能性。
发明内容
【发明要解决的课题】
本发明鉴于上述的现状而作出的,提供一种蒸镀装置及蒸发源,其即便是位于最外侧的蒸发口部的开口端面以朝向蒸发源的长边方向外侧的方式倾斜的结构,也能够防止成膜材料的向蒸发源的反射或再次蒸发及向蒸发源周边构件的堆积。
【用于解决课题的方案】
一种蒸镀装置,所述蒸镀装置具备蒸发源,所述蒸发源具有收容成膜材料的容器、沿着所述容器的长边方向设置的多个蒸发口部、和在所述容器的周围设置的蒸发源周边构件,所述蒸镀装置构成为通过从所述蒸发口部放出所述成膜材料而在基板上形成蒸镀膜,其特征在于,所述多个蒸发口部中的设置在最外侧的一对外侧蒸发口部分别具有以朝向所述容器的长边方向外侧的方式倾斜的开口端面,所述容器及所述蒸发源周边构件相比包含所述开口端面的假想平面而言不向外侧突出,收纳在所述假想平面的内侧。
【发明效果】
本发明由于如上所述构成,因此成为如下的蒸镀装置及蒸发源:其即便是位于最外侧的蒸发口部的开口端面以朝向蒸发源的长边方向外侧的方式倾斜的结构,也能够防止成膜材料的向蒸发源的反射或再次蒸发及向蒸发源周边构件的堆积。
附图说明
图1是背景技术的概略说明图。
图2是本实施例的放大概略说明剖视图。
图3是本实施例的概略说明剖视图。
图4是本实施例的主要部分的概略图。
图5是另一例1的放大概略说明剖视图。
图6是另一例2的概略说明剖视图。
图7是另一例3的放大概略说明剖视图。
图8是另一例4的概略说明主视图。
图9是另一例4的概略说明侧视图。
图10是蒸镀装置的概略说明主视图。
图11是蒸镀装置的概略说明侧视图。
【符号说明】
1 容器
2a、2b 蒸发口部
3 蒸发源周边构件
4 扩散部
5 材料收容部
6 加热器
7 反射器
8 水冷板
9 防附着板
具体实施方式
基于附图示出本发明的作用,简单地说明考虑为优选的本发明的实施方式。
从容器1的蒸发口部2a、2b放出蒸发的成膜材料而在基板形成蒸镀膜。
此时,容器1及加热构件、冷却构件等蒸发源周边构件3相比包含外侧蒸发口部2a的开口端面的假想平面而言不向外侧突出,即,在从外侧蒸发口部2a的开口端面放出的成膜材料所波及的区域不存在容器1及蒸发源周边构件3,因此能够防止从外侧蒸发口部2a的开口端面放出的成膜材料的向容器1的反射或再次蒸发及向蒸发源周边构件3的堆积。
【实施例】
基于附图说明本发明的具体的实施例。
本实施例是在图10、11所图示那样的蒸镀装置中适用了本发明的例子。该蒸镀装置为了在保持减压气氛的真空槽20内在基板21上形成薄膜,将放出成膜材料的蒸发源25配设在与基板21相对的位置,且设有:膜厚监控器22,其对于从蒸发源25放出的蒸发粒子的蒸发率进行监控;膜厚计23,其设置在真空槽20外并将监控的蒸发粒子的量换算成膜厚;和加热器用电源24,其为了控制成膜材料的蒸发率以使换算后的膜厚成为所希望的膜厚,而对蒸发源25进行加热。而且,设有使基板21与蒸发源25相对移动的相对移动机构,通过一边进行相对移动一边进行成膜,从而能够遍及基板整面地形成均匀膜厚的蒸镀膜。
另外,所述容器1和配设在与所述容器1相对的位置上的基板沿着与所述容器1的长边方向正交的方向相对移动,从蒸发口部2放出所述成膜材料,从而在基板上形成蒸镀膜。
在本实施例中,采用了由容器1和蒸发口部2a、2b构成的蒸发源25,该容器1收容成膜材料,该蒸发口部2a、2b在该容器1中沿着容器1的长边方向设置多个。
本实施例的所述容器1及在该容器1的周围设置的蒸发源周边构件3被构成为,相比包含所述开口端面的假想平面而言不向外侧突出,收纳在所述假想平面的内侧。
另外,在容器1中设有供气化的成膜材料扩散的扩散部4,该扩散部4的在容器1的长边方向上的宽度W1被设定为比蒸发口部2a、2b的配设宽度W2窄的宽度。在本实施例中,采用了将容器1的下部作为材料收容部5并将上部作为扩散部4的一体型的容器1。
所述多个蒸发口部2中的设置在最外侧的一对外侧蒸发口部2a分别具有以朝向所述容器1的长边方向外侧的方式倾斜的开口端面。
另外,外侧蒸发口部2a以外的其他的蒸发口部2b可以与外侧蒸发口部2a同样地具有以朝向容器1的长边方向外侧的方式倾斜的开口端面,也可以具有以朝向长边方向内侧的方式倾斜的开口端面,还可以竖直地竖立设置于容器1。
在本实施例中,将除了最内侧的一组之外的其他的蒸发口部2b设为与外侧蒸发口部2a同样的结构,将最内侧的一组蒸发口部2b设为竖直地竖立设置于容器1的结构。
本实施例的蒸发源周边构件3是以包围俯视矩形形状的容器1的周围的方式设置的方环状的构件,具体而言,是容器1的加热构件及冷却构件。
在本实施例中,如图2、3所图示那样,从内侧依次设有对容器1进行加热的加热器6,对来自容器1及加热器6的热量进行反射的反射器7,用于避免来自所述容器1、加热器6及反射器7的热量向周围扩散的水冷板8,将容器1、加热器6、反射器7及水冷板8包围的防附着板9作为蒸发源周边构件3。而且,在本实施例中,防附着板9成为将加热器6、反射器7及水冷板8的上表面也覆盖的形状。此外,防附着板9成为将除了蒸发口部2a、2b的配设区域之外的容器1的上表面整体也覆盖的形状。
容器1被构成为,从容器1的长边方向端面至外侧蒸发口部2a的距离成为不使容器1的两端部及所述蒸发源周边构件3位于所述假想平面的外侧的长度。
具体而言构成为,适当设定从容器1的长边方向端面至外侧蒸发口部2a的长度、外侧蒸发口部2a的开口端面的倾斜角度、蒸发源周边构件3的厚度,以使容器1及蒸发源周边构件3收纳于所述假想平面的内侧。在此,外侧蒸发口部2a的开口端面的倾斜角度优选设定为30°~45°。
例如图4所图示那样,从容器1的长边方向端面至外侧蒸发口部2a的长度M1、从蒸发源周边构件3的端面至外侧蒸发口部2a的长度M2及蒸发源周边构件3的厚度M3可以使用外侧蒸发口部2a的开口端面的倾斜角度θ、外侧蒸发口部2a的(从容器1的上表面突出的)前端长L2而以如下方式决定。需要说明的是,图中L1是外侧蒸发口部2a的整体长度。
M1=L2×sinθ
M2=L2÷sinθ
M3=M2-M1
例如,在L2为40mm,θ为40°的情况下,M1成为25.7mm,M2成为62.2mm,M3成为36.5mm。
另外,蒸发源周边构件3为在图2中将容器1的端部的侧面及端面包围的结构,但也可以为包围至容器1的端部的上表面的结构。也可以例如图5所图示的另一例1那样,为加热器6、反射器7及防附着板9将容器1的端部的上表面也覆盖的结构。
另外,作为容器1的结构并不局限于上述那样的一体型,也可以是例如图6所图示的另一例2的蒸发源25那样,经由连通部12设置材料收容部5和扩散部4并将所述材料收容部5和所述扩散部4这两者组合来作为容器1的分离型。这种情况下,如果为了避免容器1等从所述假想平面向外侧突出而缩窄扩散部4的宽度W1,则材料收容部5的宽度W3不需要为了收纳在所述假想平面的内侧而缩短,因此能够实现比扩散部4的宽度W1宽并能够收容更多的材料的结构,而且,能够抑制材料收容部5的对基板温度的影响等,成为能更良好地进行成膜的结构。
另外,在本实施例中,蒸发口部2a、2b的以朝向容器1的长边方向外侧的方式倾斜的开口端面的倾斜角度相同,但是为了使外侧蒸发口部2a的开口端面的倾斜角度最大,也可以将各开口端面的倾斜角度设定为不同的角度。而且,此时,蒸发口部2a、2b的开口端面的倾斜角度可以设定成为比其靠内侧的蒸发口部2b的开口端面的倾斜角度以上的角度。
在这种情况下,能够成为如下的结构:避免从内侧的蒸发口部2b放出的蒸发粒子附着于外侧的蒸发口部2a、2b而再次蒸发。而且,外侧的蒸发口部2a、2b的至基板端的距离长,需要使蒸发粒子到达更远处,但是通过越靠外侧则越增大倾斜角度而能够使从外侧的蒸发口部2a、2b放出的蒸发粒子到达更远处。
另外,如图7所图示的另一例3那样,不仅是外侧蒸发口部2a,而且对于具有以朝向容器1的长边方向外侧的方式倾斜的开口端面的其他的蒸发口部2b,如果也分别使容器1及在该容器1的周围设置的蒸发源周边构件3相比包含各蒸发口部2a、2b的开口端面的假想平面而言不向外侧突出,收纳在所述假想平面的内侧,则效果更大。
另外,也可以为如下的结构:一体型的容器1或分离型的容器1的上部可以如图8及图9所图示的另一例4那样,将左右两端上部、或者前后两端上部、或者左右两端上部及前后两端上部以规定角度进行倒角。在图8的情况下,成为能够进一步防止向容器1的长边方向的蒸发源周边构件3附着材料的结构,在图9的情况下,成为能够进一步防止向蒸发源短边方向前后的蒸发源周边构件3附着材料的结构。
需要说明的是,本发明并不局限于本实施例,各构成要件的具体结构可适当设计。
Claims (14)
1.一种蒸镀装置,所述蒸镀装置具备:收容成膜材料的容器;沿着所述容器的长边方向设置,用于放出收容于所述容器的成膜材料的多个蒸发口部;在所述容器的周围设置,对所述容器进行加热的加热器;在所述加热器的周围设置,对来自所述加热器的热量进行反射的反射器;在所述反射器的周围设置,用于避免来自所述反射器的热量扩散的水冷板;以及在所述水冷板的周围设置的防附着板,所述蒸镀装置构成为通过从所述多个蒸发口部放出成膜材料而在基板上形成蒸镀膜,其特征在于,
所述多个蒸发口部中的设置在最外侧的一对外侧蒸发口部分别具有以朝向所述容器的长边方向外侧的方式倾斜的开口端面,所述容器、所述加热器、所述反射器、所述水冷板及所述防附着板相对于包含所述开口端面的假想平面不存在向配置有所述基板的所在侧突出的部位地设置在与配置有所述基板的所在侧相反侧。
2.根据权利要求1所述的蒸镀装置,其特征在于,
在所述容器中设有供蒸发的所述成膜材料扩散的扩散部,该扩散部的在容器的长边方向上的宽度被设定为比所述蒸发口部的配设宽度窄的宽度。
3.根据权利要求1所述的蒸镀装置,其特征在于,
除了所述外侧蒸发口部之外的任意蒸发口部具有以朝向所述容器的长边方向外侧的方式倾斜的开口端面,所述外侧蒸发口部的开口端面的倾斜角度被设定成最大。
4.根据权利要求1所述的蒸镀装置,其特征在于,
所述蒸发口部的开口端面的倾斜角度被设定为比其靠内侧的蒸发口部的开口端面的倾斜角度以上的角度。
5.根据权利要求1所述的蒸镀装置,其特征在于,
所述外侧蒸发口部的开口端面的倾斜角度被设定为30°~45°。
6.根据权利要求1~5中任一项所述的蒸镀装置,其特征在于,
所述容器由材料收容部和扩散部构成。
7.根据权利要求6所述的蒸镀装置,其特征在于,
所述材料收容部的宽度被设定为比所述扩散部的宽度宽的宽度。
8.一种蒸发源,所述蒸发源具备:收容成膜材料的容器;沿着所述容器的长边方向设置,用于放出收容于所述容器的成膜材料的多个蒸发口部;在所述容器的周围设置,对所述容器进行加热的加热器;在所述加热器的周围设置,对来自所述加热器的热量进行反射的反射器;在所述反射器的周围设置,用于避免来自所述反射器的热量扩散的水冷板;以及在所述水冷板的周围设置的防附着板,其特征在于,
所述多个蒸发口部中的设置在最外侧的一对外侧蒸发口部分别具有以朝向所述容器的长边方向外侧的方式倾斜的开口端面,
所述容器、所述加热器、所述反射器、所述水冷板及所述防附着板相对于包含所述开口端面的假想平面不存在向配置有基板的所在侧突出的部位地设置在与配置有所述基板的所在侧相反侧。
9.根据权利要求8所述的蒸发源,其特征在于,
在所述容器中设有供蒸发的所述成膜材料扩散的扩散部,该扩散部的在容器的长边方向上的宽度被设定为比所述蒸发口部的配设宽度窄的宽度。
10.根据权利要求8所述的蒸发源,其特征在于,
除了所述外侧蒸发口部之外的任意蒸发口部具有以朝向所述容器的长边方向外侧的方式倾斜的开口端面,所述外侧蒸发口部的开口端面的倾斜角度被设定成最大。
11.根据权利要求8所述的蒸发源,其特征在于,
所述蒸发口部的开口端面的倾斜角度被设定为比其靠内侧的蒸发口部的开口端面的倾斜角度以上的角度。
12.根据权利要求8所述的蒸发源,其特征在于,
所述外侧蒸发口部的开口端面的倾斜角度被设定为30°~45°。
13.根据权利要求8所述的蒸发源,其特征在于,
所述容器由材料收容部和扩散部构成。
14.根据权利要求13所述的蒸发源,其特征在于,
所述材料收容部的宽度被设定为比所述扩散部的宽度宽的宽度。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN202110723236.8A CN113416930A (zh) | 2016-07-05 | 2017-07-05 | 蒸发源及成膜装置 |
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2016133685A JP6641242B2 (ja) | 2016-07-05 | 2016-07-05 | 蒸着装置及び蒸発源 |
JP2016-133685 | 2016-07-05 |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN202110723236.8A Division CN113416930A (zh) | 2016-07-05 | 2017-07-05 | 蒸发源及成膜装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN107574411A CN107574411A (zh) | 2018-01-12 |
CN107574411B true CN107574411B (zh) | 2021-06-29 |
Family
ID=60948366
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201710539978.9A Active CN107574411B (zh) | 2016-07-05 | 2017-07-05 | 蒸镀装置及蒸发源 |
CN202110723236.8A Pending CN113416930A (zh) | 2016-07-05 | 2017-07-05 | 蒸发源及成膜装置 |
Family Applications After (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN202110723236.8A Pending CN113416930A (zh) | 2016-07-05 | 2017-07-05 | 蒸发源及成膜装置 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP6641242B2 (zh) |
KR (3) | KR102182869B1 (zh) |
CN (2) | CN107574411B (zh) |
Families Citing this family (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP6686069B2 (ja) * | 2018-05-29 | 2020-04-22 | キヤノントッキ株式会社 | 蒸発源装置、蒸着装置、および蒸着システム |
JP7179635B2 (ja) * | 2019-02-12 | 2022-11-29 | 株式会社アルバック | 蒸着源、真空処理装置、及び蒸着方法 |
KR20210061639A (ko) * | 2019-11-20 | 2021-05-28 | 캐논 톡키 가부시키가이샤 | 성막 장치, 이를 사용한 성막 방법 및 전자 디바이스 제조 방법 |
CN111378933B (zh) * | 2020-04-27 | 2022-04-26 | 京东方科技集团股份有限公司 | 蒸发源、蒸发源系统 |
JP7242626B2 (ja) * | 2020-12-10 | 2023-03-20 | キヤノントッキ株式会社 | 成膜装置 |
KR20230012415A (ko) | 2021-07-15 | 2023-01-26 | 캐논 톡키 가부시키가이샤 | 성막 장치, 성막 방법 및 증발원 유닛 |
JP7372288B2 (ja) | 2021-07-15 | 2023-10-31 | キヤノントッキ株式会社 | 成膜装置、成膜方法及び蒸発源 |
JP7291197B2 (ja) * | 2021-07-15 | 2023-06-14 | キヤノントッキ株式会社 | 成膜装置、成膜方法及び蒸発源ユニット |
JP7509809B2 (ja) | 2022-01-28 | 2024-07-02 | キヤノントッキ株式会社 | 蒸発源ユニット、成膜装置及び成膜方法 |
Family Cites Families (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2004169066A (ja) * | 2002-11-18 | 2004-06-17 | Sony Corp | 蒸着装置 |
KR100687007B1 (ko) * | 2005-03-22 | 2007-02-26 | 세메스 주식회사 | 유기전계 발광 소자 제조에 사용되는 유기 박박 증착 장치 |
JP2010195034A (ja) * | 2009-02-02 | 2010-09-09 | Ricoh Co Ltd | インクジェット記録装置 |
KR20120061394A (ko) * | 2010-12-03 | 2012-06-13 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 증발원 및 유기물 증착 방법 |
KR20130073407A (ko) * | 2011-12-23 | 2013-07-03 | 주식회사 원익아이피에스 | 외부 가열용기를 포함하는 고온 증발원 |
JP6519911B2 (ja) * | 2012-08-02 | 2019-05-29 | 株式会社Joled | 有機el表示パネルとその製造方法 |
KR102046440B1 (ko) * | 2012-10-09 | 2019-11-20 | 삼성디스플레이 주식회사 | 증착 장치 및 이를 이용한 유기 발광 표시장치의 제조방법 |
KR102046441B1 (ko) * | 2012-10-12 | 2019-11-20 | 삼성디스플레이 주식회사 | 증착 장치 및 이를 이용한 유기 발광 표시장치의 제조방법 |
CN104099570B (zh) * | 2013-04-01 | 2016-10-05 | 上海和辉光电有限公司 | 单点线性蒸发源系统 |
CN104099571A (zh) * | 2013-04-01 | 2014-10-15 | 上海和辉光电有限公司 | 蒸发源组件和薄膜沉积装置和薄膜沉积方法 |
KR101599505B1 (ko) * | 2014-01-07 | 2016-03-03 | 주식회사 선익시스템 | 증착장치용 증발원 |
CN105177507B (zh) * | 2015-09-08 | 2017-08-11 | 京东方科技集团股份有限公司 | 蒸镀坩埚及蒸镀设备 |
-
2016
- 2016-07-05 JP JP2016133685A patent/JP6641242B2/ja active Active
-
2017
- 2017-07-04 KR KR1020170084996A patent/KR102182869B1/ko active IP Right Grant
- 2017-07-05 CN CN201710539978.9A patent/CN107574411B/zh active Active
- 2017-07-05 CN CN202110723236.8A patent/CN113416930A/zh active Pending
-
2020
- 2020-11-18 KR KR1020200154533A patent/KR102279411B1/ko active IP Right Grant
-
2021
- 2021-07-13 KR KR1020210091561A patent/KR102458193B1/ko active IP Right Grant
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR102458193B1 (ko) | 2022-10-25 |
CN107574411A (zh) | 2018-01-12 |
JP2018003122A (ja) | 2018-01-11 |
KR102182869B1 (ko) | 2020-11-25 |
JP6641242B2 (ja) | 2020-02-05 |
KR102279411B1 (ko) | 2021-07-19 |
CN113416930A (zh) | 2021-09-21 |
KR20210090600A (ko) | 2021-07-20 |
KR20180005129A (ko) | 2018-01-15 |
KR20200132814A (ko) | 2020-11-25 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN107574411B (zh) | 蒸镀装置及蒸发源 | |
US10689749B2 (en) | Linear evaporation source and vacuum deposition apparatus including the same | |
JP5492120B2 (ja) | 蒸発源および蒸着装置 | |
EP1803836A1 (en) | Evaporation source and method of depositing thin film using the same | |
JP2011132596A (ja) | 蒸発源及びそれを用いた蒸着装置 | |
KR101643107B1 (ko) | 진공 증착 장치 | |
TWI477624B (zh) | Film forming device | |
JP6671095B2 (ja) | 真空蒸着装置用マニホールド | |
JP2011168805A (ja) | 蒸発源及びこれを用いた真空蒸着装置 | |
US20180019395A1 (en) | Deposition apparatus | |
JP2020002436A5 (zh) | ||
US8709158B2 (en) | Thermal management of film deposition processes | |
KR100712117B1 (ko) | 증발원 및 그를 포함하는 증착장치 | |
JP7282769B2 (ja) | 基板処理装置、基板を処理する方法及び処理加工物を製造する方法 | |
JP6765237B2 (ja) | 蒸着装置及び蒸発源 | |
TWI816883B (zh) | 蒸鍍裝置 | |
JP2013108137A (ja) | インライン型蒸着装置 | |
CN111684103B (zh) | 用于沉积蒸发材料的沉积设备及其方法 | |
KR102369542B1 (ko) | 증착 장치 | |
KR102382630B1 (ko) | 증발원 소스 및 이를 포함하는 증착장치 | |
KR101529304B1 (ko) | 기판처리장치 | |
JPH11140634A (ja) | 光学薄膜成膜装置および光学薄膜成膜方法 | |
KR20080090628A (ko) | 박막제조용 진공증발원 장치 및 그를 이용한 하향식진공증착장치 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PB01 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
GR01 | Patent grant | ||
GR01 | Patent grant |