CN107564977A - 一种窗口层、CdTe薄膜太阳能电池组件及其制备方法 - Google Patents

一种窗口层、CdTe薄膜太阳能电池组件及其制备方法 Download PDF

Info

Publication number
CN107564977A
CN107564977A CN201710771501.3A CN201710771501A CN107564977A CN 107564977 A CN107564977 A CN 107564977A CN 201710771501 A CN201710771501 A CN 201710771501A CN 107564977 A CN107564977 A CN 107564977A
Authority
CN
China
Prior art keywords
layer
window
window layer
solar cell
preparation
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN201710771501.3A
Other languages
English (en)
Inventor
彭寿
马立云
潘锦功
殷新建
杨少飞
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
CNBM (CHENGDU) OPTOELECTRONIC MATERIAL Co Ltd
Original Assignee
CNBM (CHENGDU) OPTOELECTRONIC MATERIAL Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by CNBM (CHENGDU) OPTOELECTRONIC MATERIAL Co Ltd filed Critical CNBM (CHENGDU) OPTOELECTRONIC MATERIAL Co Ltd
Priority to CN201710771501.3A priority Critical patent/CN107564977A/zh
Publication of CN107564977A publication Critical patent/CN107564977A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
    • Y02E10/543—Solar cells from Group II-VI materials
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
    • Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
    • Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product

Landscapes

  • Photovoltaic Devices (AREA)

Abstract

本发明公开一种窗口层、CdTe薄膜太阳能电池组件及其制备方法，所述窗口层为MgxCd1‑ xSyO1‑y层，其中，0＜x＜1，0＜y＜1；所述太阳能电池组件，包括衬底，所述衬底上设置有外延叠层，所述外延叠层由下往上依次包括：透明导电膜层、所述窗口层、光吸收层、背接触层和背电极层；所述窗口层与所述CdTe薄膜太阳能电池组件中窗口层为MgO掺杂的CdS层，所述窗口层透明度提高，照射到所述吸收层的太阳光强度增加；从而载流子在所述窗口层和所述吸收层之间界面的复合减小；采用所述窗口层的所述CdTe薄膜太阳能电池组件短路电流、开路电压、填充因子和转化效率高。

Description

一种窗口层、CdTe薄膜太阳能电池组件及其制备方法
技术领域
本发明涉及太阳能电池技术领域，具体涉及一种窗口层、CdTe薄膜太阳能电池组件及其制备方法。
背景技术
随着化石燃料逐渐枯竭及化石燃料燃烧引起的日趋严重的环境污染，新能源的推广应用已成为全球共识。而太阳能作为新能源中最主要的可再生能源，在未来发展中占有重要地位。薄膜太阳电池主要包括非晶硅、CdTe、铜铟镓硒以及染料敏化等多种类型，其由于消耗材料少，具有所共识的很大的降低成本空间，受到世界各国的越来越多的关注。
其中，目前CdTe薄膜太阳能电池组件长采用CdS层作为窗口层，CdS材料带隙较小，为2.4eV，因而窗口层在吸收层CdTe层之前吸收部分可见光，减小入射到吸收层的太阳光强度，减小电池组件短路电流，影响转化效率。此外，CdTe层和CdS层的能带结构存在差异，电子在从CdTe层向CdS层传输的过程中，在CdTe层和CdS层界面会有一定的表面复合，影响电池组件的开路电压和填充因子，进而影响转化效率。
发明内容
有鉴于此，本申请提供了一种窗口层、CdTe薄膜太阳能电池组件及其制备方法，所述窗口层与所述CdTe薄膜太阳能电池组件中窗口层为MgO掺杂的CdS层，所述窗口层透明度提高，使得照射到光吸收层的太阳光强度增加；所述光吸收层为CdTe层，从而载流子在窗口层和吸收层之间界面的复合减小；采用所述窗口层的所述CdTe薄膜太阳能电池组件短路电流、开路电压、填充因子和转化效率高。
为解决以上技术问题，本发明提供的技术方案是一种窗口层，其特征在于，所述窗口层为MgxCd1-xSyO1-y层，其中，0＜x＜1，0＜y＜1。
优选的，所述窗口层厚度为2nm～500nm。
优选的，所述窗口层厚度为70nm～100nm。
优选的，所述窗口层厚度为70nmnm。
本发明还提供了一种CdTe薄膜太阳能电池组件，包括衬底，所述衬底上设置有外延叠层，所述外延叠层由下往上依次包括：透明导电膜层、窗口层、光吸收层、背接触层和背电极层；所述窗口层为MgxCd1-xSyO1-y层，其中，0＜x＜1，0＜y＜1；所述光吸收层为CdTe层。
优选的，所述衬底材料为玻璃。
更优选的，所述玻璃为钠钙玻璃或高硼玻璃。
优选的，所述外延叠层还包括：阻挡层，所述透明导电膜层设置于所述阻挡层上。
优选的，所述阻挡层为SiO2层。
优选的，所述透明导电膜层为FTO膜层、ITO膜层或掺杂氧化锌膜层。FTO膜层为氟掺杂的氧化锡膜层，ITO膜层为氧化铟锡膜层。优选的，所述外延叠层还包括：高阻层，所述高阻层设置于所述透明导电膜和所述窗口层之间。
优选的，所述高阻层为ZnO层、SnO2层或Zn2xSn1-xO2层；其中，0＜x＜1。
优选的，所述高阻层厚度为0nm～1000nm。
本发明还提供一种CdTe薄膜太阳能电池组件的制备方法，包括：衬底上由下往上依次外延生长透明导电膜层、窗口层、光吸收层、背接触层和背电极层；所述窗口层为MgxCd1-xSyO1-y层，其中，0＜x＜1，0＜y＜1；所述光吸收层为CdTe层。
优选的，外延生长所述窗口层方法选自磁控溅射法、水浴沉积法和热扩散法中一种或多种。
更优选的，外延生长所述窗口层方法为磁控溅射法、水浴沉积法或热扩散法。
优选的，所述制备方法还包括：在所述衬底上外延生长阻挡层，所述透明导电膜层外延生长于所述阻挡层上。
优选的，所述制备方法还包括：在所述透明导电膜层上外延生长高阻层，所述窗口层外延生长于所述高阻层上。
本申请与现有技术相比，其详细说明如下：本发明提供的窗口层及CdTe薄膜太阳能电池组件中窗口层为MgxCd1-xSyO1-y层，其中，0＜x＜1，0＜y＜1，窗口层为MgO掺杂的CdS层。MgO为宽带隙材料，带隙约为7eV，且具有低的电子亲和势。MgO掺杂CdS，形成多元化合物MgxCd1-xSyO1-y，带隙为2.4eV～7eV，同时MgxCd1-xSyO1-y电子亲和势低。因此，窗口层为MgxCd1- xSyO1-y层从两方面调节窗口层的能带结构，提高转化效率，一方面，使得窗口层带隙宽为2.4eV～7eV，窗口层透明度提高，可以增加入射到光吸收层的太阳光强度，增加电池组件短路电流；另一方面，窗口层的导带位置高于CdTe层的导带位置0～0.3eV时，载流子在窗口层与CdTe层之间的界面的复合最小，可以获得高的开路电压和填充因子。而本发明中窗口层为MgxCd1-xSyO1-y层，窗口层电子亲和势降低，导带底位置的升高，同时，光吸收层为CdTe层，从而载流子在窗口层和吸收层之间界面的复合减小，开路电压和填充因子提高。
此外，本发明提供的CdTe薄膜太阳能电池组件中衬底和透明导电膜层之间设置阻挡衬底中元素扩散的阻挡层，透明导电膜层和所述窗口层之间设置高阻层。阻挡层避免衬底中元素扩散出衬底进入透明导电膜层导致入射到透明导电膜的光减少，提高了电池组件转化效率。而高阻层从以下方面的作用，提高了CdTe薄膜太阳能电池组件短路电流、开路电压和填充因子、转化效率：避免透明导电膜中杂质离子扩散出透明导电膜层进入吸收层，导致入射到光吸收层的光减少；高阻层的高阻作用使得，本发明窗口层厚度小存在微孔的情况下，高阻层与光吸收层接触形成p-n结，维持电势，避免对电池的开路电压和填充因子；本发明窗口层厚度小，避免高阻层阻挡透明导电膜层的尖峰刺穿窗口层和吸收层之间，有效保护了吸收层和窗口层之间的p-n结；提高了电池组件的短路电流、开路电压和填充因子；促使界面平滑过渡、减少界面态势垒，促进载流子的自由移动，同时，利于窗口层外延生长。
具体实施方式
为了使本领域的技术人员更好地理解本发明的技术方案，下面结合具体实施例对本发明作进一步的详细说明。
本发明提供了一种窗口层，其特征在于，所述窗口层为MgxCd1-xSyO1-y层，其中，0＜x＜1，0＜y＜1。
按照本发明，优选的，所述窗口层厚度为2nm～500nm。更优选的，所述窗口层厚度为70nm～100nm。最优选的，所述窗口层厚度为70nmnm。
本发明还提供了一种CdTe薄膜太阳能电池组件，包括衬底，所述衬底上设置有外延叠层，所述外延叠层由下往上依次包括：透明导电膜层、窗口层、光吸收层、背接触层和背电极层；所述窗口层为MgxCd1-xSyO1-y层，其中，0＜x＜1，0＜y＜1；所述光吸收层为CdTe层。
按照本发明，优选的，所述衬底材料为玻璃。更优选的，所述玻璃为钠钙玻璃或高硼玻璃。
按照本发明，所述外延叠层还包括：阻挡层，所述透明导电膜层设置于所述阻挡层上。优选的，所述阻挡层为SiO2层。
按照本发明，优选的，所述透明导电膜层为FTO膜层、ITO膜层或掺杂氧化锌膜层。FTO膜层为氟掺杂的氧化锡膜层，ITO膜层为氧化铟锡膜层。
按照本发明，所述外延叠层还包括：高阻层，所述高阻层设置于所述透明导电膜和所述窗口层之间。优选的，所述高阻层为ZnO层、SnO2层或Zn2xSn1-xO2层；其中，0＜x＜1。优选的，所述高阻层厚度为0nm～1000nm。
本发明还提供一种CdTe薄膜太阳能电池组件的制备方法，包括：衬底上由下往上依次外延生长透明导电膜、窗口层、光吸收层、背接触层和背电极层；所述窗口层为MgxCd1- xSyO1-y层，其中，0＜x＜1，0＜y＜1；所述光吸收层为CdTe层。
按照本发明，优选的，外延生长所述窗口层方法选自磁控溅射法、水浴沉积法和热扩散法中一种或多种。更优选的，外延生长所述窗口层方法为磁控溅射法、水浴沉积法或热扩散法。
按照本发明，所述制备方法还包括：在所述衬底上外延生长阻挡层，所述透明导电膜层外延生长于所述阻挡层上。
按照本发明，所述制备方法还包括：在所述透明导电膜层上外延生长高阻层，所述窗口层外延生长于所述高阻层上。
实施例1
一种窗口层为MgxCd1-xSyO1-y层，其中，0＜x＜1，0＜y＜1；所述窗口层厚度为70nm。
一种CdTe薄膜太阳能电池组件，包括衬底，其特征在于，所述衬底上设置有外延叠层，所述外延叠层由下往上依次包括：阻挡层、透明导电膜、高阻层、本实施例中上述窗口层、光吸收层、背接触层和背电极层。
本实施例所述衬底为材料为钠钙玻璃；所述阻挡层为SiO2层；所述透明导电膜为FTO膜层；所述高阻层为ZnO层，所述高阻层厚度为50nm；所述光吸收层为CdTe层；所述背接触层为ZnTe，层，所述背电极层为Mo/Al/Cr层。所述背电极层中Mo层厚度为20nm，Al层厚度为200nm，Cr层厚度为50nm。
本实施例所述薄膜太阳能电池组件的制备方法，包括：衬底上由下往上依次外延生长所述阻挡层、所述透明导电膜、所述高阻层、所述窗口层、所述光吸收层、所述背接触层和所述背电极层。其中，外延生长所述窗口层方法为磁控溅射法。
实施例2
本实施例除下述特征外，其他均与实施例1相同：所述窗口层厚度为2nm。
实施例3
本实施例除下述特征外，其他均与实施例1相同：所述窗口层厚度为100nm。
实施例4
本实施例除下述特征外，其他均与实施例1相同：所述窗口层厚度为500nm。
实施例5
本实施例除下述特征外，其他均与实施例1相同：所述高阻层厚度为1000nm。
实施例6
本实施例除下述特征外，其他均与实施例1相同：所述高阻层为SnO2层。
实施例7
本实施例除下述特征外，其他均与实施例1相同：所述高阻层为Zn2xSn1-xO2层；其中，0＜x＜1。
实施例8
本实施例除下述特征外，其他均与实施例1相同：所述衬底为材料为高硼玻璃。
实施例9
本实施例除下述特征外，其他均与实施例1相同：所述透明导电膜为ITO膜层。
实施例10
本实施例除下述特征外，其他均与实施例1相同：所述透明导电膜为掺杂氧化锌膜层。
实施例11
本实施例除下述特征外，其他均与实施例1相同：外延生长所述窗口层方法为水浴沉积法。
实施例12
本实施例除下述特征外，其他均与实施例1相同：外延生长所述窗口层方法为热扩散法。
实施例13
一种窗口层为MgxCd1-xSyO1-y层，其中，0＜x＜1，0＜y＜1；所述窗口层厚度为70nm。
一种CdTe薄膜太阳能电池组件，包括衬底，其特征在于，所述衬底上设置有外延叠层，所述外延叠层由下往上依次包括：阻挡层、透明导电膜、本实施例中上述窗口层、光吸收层、背接触层和背电极层。
本实施例所述衬底为材料为钠钙玻璃；所述阻挡层为SiO2层；所述透明导电膜为FTO膜层；所述光吸收层为CdTe层；所述背接触层为掺铜石墨层，所述背电极层为Mo/Al/Cr层。所述背电极层中Mo层厚度为20nm，Al层厚度为200nm，Cr层厚度为50nm。
本实施例所述薄膜太阳能电池的制备方法，包括：衬底上由下往上依次外延生长所述阻挡层、所述透明导电膜、所述窗口层、所述光吸收层、所述背接触层和所述背电极层。其中，外延生长所述窗口层方法为磁控溅射法。
实施例14
一种窗口层为MgxCd1-xSyO1-y层，其中，0＜x＜1，0＜y＜1；所述窗口层厚度为70nm。
一种CdTe薄膜太阳能电池组件，包括衬底，其特征在于，所述衬底上设置有外延叠层，所述外延叠层由下往上依次包括：透明导电膜、高阻层、本实施例中上述窗口层、光吸收层、背接触层和背电极层。
本实施例所述衬底为材料为钠钙玻璃；所述透明导电膜为FTO膜层；所述高阻层为ZnO层，所述高阻层厚度为50nm；所述光吸收层为CdTe层；所述背接触层为ZnTe层，所述背电极层为Al层。,所述背电极层厚度为200nm。
本实施例所述薄膜太阳能电池的制备方法，包括：衬底上由下往上依次外延生长所述透明导电膜、所述高阻层、所述窗口层、所述光吸收层、所述背接触层和所述背电极层。其中，外延生长所述窗口层方法为磁控溅射法。
实施例15
一种窗口层为MgxCd1-xSyO1-y层，其中，0＜x＜1，0＜y＜1；所述窗口层厚度为70nm。
一种CdTe薄膜太阳能电池组件，包括衬底，其特征在于，所述衬底上设置有外延叠层，所述外延叠层由下往上依次包括：透明导电膜、本实施例中上述窗口层、光吸收层、背接触层和背电极层。
本实施例所述衬底为材料为钠钙玻璃；所述透明导电膜为FTO膜层；所述光吸收层为CdTe层；所述背接触层为ZnTe层，所述背电极层为Mo层。所述背电极层厚度为200nm。
本实施例所述薄膜太阳能电池的制备方法，包括：衬底上由下往上依次外延生长所述透明导电膜、所述窗口层、所述光吸收层、所述背接触层和所述背电极层。其中，外延生长所述窗口层方法为磁控溅射法。
实施例16
窗口层厚度对CdTe薄膜太阳能电池组件样品的电池性能影响
1、实验样品：实施例1～4所述的CdTe薄膜太阳能电池组件样品(窗口层厚度分别为70nm、2nm、100nm、500nm)；
2、实验方法：采用GB/T 6495.1-1996中所述方法进行性能测试；
3、实验结果：见表1。
窗口层厚度对CdTe薄膜太阳能电池组件样品的电池性能影响
其中，Eff为光电转换效率，Voc为开路电压，Jsc为短路电流，FF为填充因子。
从以上数据可以看出，本发明提供的CdTe薄膜太阳能电池窗口层厚度为2～500nm，实施例3样品电池性能较好，实施例1样品电池性能最好，即窗口层厚度为70～100nm时，其电池性较好，为优选方案，窗口层厚度为70nm时，其电池性最好，为最优选方案。
实施例17
阻挡层和高阻层对CdTe薄膜太阳能电池组件样品的电池性能影响
1、实验样品：实施例1、13～15所述的CdTe薄膜太阳能电池组件样品(分别为薄膜太阳能电池包括阻挡层和高阻层，薄膜太阳能电池包括减阻挡层、薄膜太阳能电池包括减高阻层、薄膜太阳能电池不包括阻挡层和高阻层)；
2、实验方法：采用GB/T 6495.1-1996中所述方法进行性能测试；
3、实验结果：见表2。
表2阻挡层和高阻层对CdTe薄膜太阳能电池组件样品的电池性能影响
电池样品 Eff(％) Voc(V) Jsc(mA/cm2) FF(％)
实施例1 14.74 0.824 24.75 72.3
实施例13 14.00 0.821 24.33 70.1
实施例14 13.92 0.819 24.35 69.8
实施例15 12.55 0.791 23.5 67.5
其中，Eff为充放电效率，Voc为开路电压，Jsc为短路电流，FF为填充因子。
从以上数据可以看出实施例13、14样品电池性能较好，的实施例1样品电池性能最好，即CdTe薄膜太阳能电池外延叠层由下往上依次包括：阻挡层、透明导电膜、窗口层、光吸收层、背接触层和背电极层，或所述外延叠层由下往上依次包括：透明导电膜、高阻层、窗口层、光吸收层、背接触层和背电极层时，其电池性较好，为优选方案；CdTe薄膜太阳能电池外延叠层由下往上依次包括：阻挡层、透明导电膜、高阻层、窗口层、光吸收层、背接触层和背电极层，其电池性最好，为最优选方案。
以上仅是本发明的优选实施方式，应当指出的是，上述优选实施方式不应视为对本发明的限制，本发明的保护范围应当以权利要求所限定的范围为准。对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明的精神和范围内，还可以做出若干改进和润饰，这些改进和润饰也应视为本发明的保护范围。

Claims (10)

1.一种窗口层，其特征在于，所述窗口层为MgxCd1-xSyO1-y层，其中，0＜x＜1，0＜y＜1。
2.根据权利要求1所述的窗口层，其特征在于，所述窗口层厚度为2nm～500nm。
3.一种CdTe薄膜太阳能电池组件，包括衬底，其特征在于，所述衬底上设置有外延叠层，所述外延叠层由下往上依次包括：透明导电膜层、窗口层、光吸收层、背接触层和背电极层；所述窗口层为MgxCd1-xSyO1-y层，其中，0＜x＜1，0＜y＜1；所述光吸收层为CdTe层。
4.根据权利要求1所述的薄膜太阳能电池组件，其特征在于，所述外延叠层还包括：阻挡层，所述透明导电膜层设置于所述阻挡层上。
5.根据权利要求1所述的薄膜太阳能电池组件，其特征在于，所述外延叠层还包括：高阻层，所述高阻层设置于所述透明导电膜和所述窗口层之间。
6.根据权利要求4所述的薄膜太阳能电池组件，其特征在于，所述高阻层为ZnO层、SnO2层或Zn2xSn1-xO2层；其中，0＜x＜1。
7.一种CdTe薄膜太阳能电池组件的制备方法，其特征在于，包括：衬底上由下往上依次外延生长透明导电膜层、窗口层、光吸收层、背接触层和背电极层；所述窗口层为MgxCd1- xSyO1-y层，其中，0＜x＜1，0＜y＜1；所述光吸收层为CdTe层。
8.根据权利要求7所述的制备方法，其特征在于，外延生长所述窗口层方法选自磁控溅射法、水浴沉积法和热扩散法中一种或多种。
9.根据权利要求7所述的制备方法，其特征在于，所述制备方法还包括：在所述衬底上外延生长阻挡层，所述透明导电膜层外延生长于所述阻挡层上。
10.根据权利要求7所述的制备方法，其特征在于，所述制备方法还包括：在所述透明导电膜层上外延生长高阻层，所述窗口层外延生长于所述高阻层上。
CN201710771501.3A 2017-08-31 2017-08-31 一种窗口层、CdTe薄膜太阳能电池组件及其制备方法 Pending CN107564977A (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201710771501.3A CN107564977A (zh) 2017-08-31 2017-08-31 一种窗口层、CdTe薄膜太阳能电池组件及其制备方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201710771501.3A CN107564977A (zh) 2017-08-31 2017-08-31 一种窗口层、CdTe薄膜太阳能电池组件及其制备方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN107564977A true CN107564977A (zh) 2018-01-09

Family

ID=60978423

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201710771501.3A Pending CN107564977A (zh) 2017-08-31 2017-08-31 一种窗口层、CdTe薄膜太阳能电池组件及其制备方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN107564977A (zh)

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP1675186A1 (en) * 2004-12-22 2006-06-28 Advanced Surface Technology B.V. Production process for a photovoltaic device
CN102074590A (zh) * 2010-11-11 2011-05-25 中国科学院上海硅酸盐研究所 碲化镉薄膜太阳能电池结构中的背接触电极及制备方法
CN102482796A (zh) * 2009-08-24 2012-05-30 第一太阳能有限公司 掺杂的透明导电氧化物
CN103229306A (zh) * 2010-09-22 2013-07-31 第一太阳能有限公司 具有氧化锌镁窗口层的薄膜光伏装置
CN104321882A (zh) * 2011-10-17 2015-01-28 第一太阳能有限公司 用于光伏器件的混合型接触件和光伏器件的形成方法
CN104810424A (zh) * 2015-04-17 2015-07-29 四川大学 具有CdxTe插入层的CdTe薄膜太阳电池

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP1675186A1 (en) * 2004-12-22 2006-06-28 Advanced Surface Technology B.V. Production process for a photovoltaic device
CN102482796A (zh) * 2009-08-24 2012-05-30 第一太阳能有限公司 掺杂的透明导电氧化物
CN103229306A (zh) * 2010-09-22 2013-07-31 第一太阳能有限公司 具有氧化锌镁窗口层的薄膜光伏装置
CN102074590A (zh) * 2010-11-11 2011-05-25 中国科学院上海硅酸盐研究所 碲化镉薄膜太阳能电池结构中的背接触电极及制备方法
CN104321882A (zh) * 2011-10-17 2015-01-28 第一太阳能有限公司 用于光伏器件的混合型接触件和光伏器件的形成方法
CN104810424A (zh) * 2015-04-17 2015-07-29 四川大学 具有CdxTe插入层的CdTe薄膜太阳电池

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN103329277B (zh) 用于光伏电池的导电基材
CN106784041A (zh) 一种硅基异质结太阳能电池及其制备方法
WO2011081829A1 (en) Photovoltaic window layer
CN205335276U (zh) 一种cigs基薄膜太阳能电池
US20100200059A1 (en) Dual-side light-absorbing thin film solar cell
US20120111388A1 (en) Solar Battery and Method For Manufacturing The Same
US9691927B2 (en) Solar cell apparatus and method of fabricating the same
CN108172640A (zh) 一种双面发电的碲化镉薄膜太阳能电池及其制备方法
CN105261660B (zh) 一种cigs基薄膜太阳能电池
CN207602580U (zh) 一种薄膜太阳能电池
CN106847941A (zh) 一种碲化镉薄膜太阳能电池及其制备方法
CN104617183A (zh) 一种cigs基薄膜太阳电池及其制备方法
US20170162731A1 (en) Photovoltaic module
CN104900730A (zh) 一种基于金纳米颗粒表面等离子激元的晶硅hit太阳能电池
CN105355681B (zh) 一种溅射靶材及用该溅射靶材制作的cigs基薄膜太阳能电池
KR101046358B1 (ko) 태양전지용 투명전극 제조방법
CN107564977A (zh) 一种窗口层、CdTe薄膜太阳能电池组件及其制备方法
CN102386244B (zh) 一种CdTe电池过渡层及其制备方法及CdTe电池
CN107611196A (zh) 一种碲化镉薄膜太阳能电池及其制备方法
CN105023958A (zh) Cigs基薄膜太阳能电池及其制备方法
CN105047737B (zh) Cigs基薄膜太阳能电池的制备方法
US20140053895A1 (en) Intentionally-doped cadmium oxide layer for solar cells
CN204441296U (zh) 一种cigs基薄膜太阳能电池
EP2876694A1 (en) Solar cell
CN207265068U (zh) 一种薄膜太阳能电池

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
RJ01 Rejection of invention patent application after publication

Application publication date: 20180109

RJ01 Rejection of invention patent application after publication