CN107543652A - 一种用于压力传感器校准的芯片加热方法 - Google Patents

Abstract

本发明公开了一种用于压力传感器校准的芯片加热方法，属于压力传感器校准的技术领域。本发明的目的是提供一种用于压力传感器校准的加热方法。本方法是基于PID算法设计芯片加热程序，通过设计传感器芯片加热结构对芯片直接加热，传感器芯片加热结构有测试母板，测试母板上装有芯片测试座，测试座中装有加热电阻片，将待校准芯片装入测试座中且固定，加热电阻片位于待校准芯片底部，通过锁紧装置加热片与待校准芯片紧密接触。加热电阻片直接对待校准芯片加热到预设温度。

Description

一种用于压力传感器校准的芯片加热方法

技术领域

本发明涉及传感器校准技术领域，特别涉及一种用于压力传感器校准的芯片加热方法。

背景技术

温控系统是非线性的、具有纯滞后的惯性系统，因此温控系统的受控对象可用一阶惯性环节加延迟环节表示，其传递函数是：

G(s)= (1)

式(1)中，K——系统的静态增益；

——系统的时间常数；

T——对象的纯滞后时间常数。

加热程序的算法是基于PID算法来实现对加热电路的控制。所谓PID算法．就是按设定值与测量值之间偏差的比例、偏差的积累和偏差变化的趋势进行控制。传统的PID控制公式为：

=K+Ki+Kd[e(k)-e(k-1)] (2)

式(2)中，是第k次采样的输出值；是第k次采样时刻的偏差值；e(k-1)是第k-1次采样时刻的偏差值；Ki是积分系数，Ki=KpT／；Kd是微分系数，Kd=KpTd／T。由于是全局输出，其计算量大；并且在启动停止时其位置可能发生大的跳变，在实际应用中存在危险，增量式PID算法可以避免上述情况。PID增量型计算公式为：

△u(k)={[e(k)-e(k-1)]+e(k)+[e(k) -2e(k-1)+e(k-2)]} (3)

式(3)中，为比例系数，为积分时间常数，为微分时间常数，T为采样周期。e(k)，e(k-1),e(k-2)分别为第k次、第k-1次、第k-2次的偏差值。

式(3)可简化为：△u(k)=Ae(k)+Be(k-1) +Ce(k-2) (4)

式(4)中，

A=(1++)

A=(1+)

C=

采用增量PID算法编程简单，占用存储空间少，运算量小，精确，效率高。

发明内容

本发明所要解决的技术问题是提供一种方便，精确，效率高的压力传感器加热方法。

本发明是基于PID算法设计芯片加热程序，通过传感器芯片加热片对待测压力传感器直接加热，传感器芯片加热结构有测试母板，测试母板上装有芯片测试座，测试座中装有加热电阻片，将待校准芯片装入测试座中且固定，加热电阻片位于待校准芯片底部且与待校准芯片紧密接触，直接对待校准芯片加热到预设温度。

本发明具有的效果在于：该系统对传感器压力芯片直接加热，实现芯片快速升温，通常在几分钟之内即可把芯片加热到预设温度，大大的提高了压力传感器芯片的校准效率。相比于以前的压力传感器校准方法，该方法能更加高效、精确的实现压力传感器的校准，并且校准系数可由软件自动生成，具有非常大的灵活性。

附图说明

下面结合附图和具体实施方式对本发明做进一步的说明：

图1用于压力传感器校准的芯片加热原理示意图；

图2是直接对传感器压力芯片加热结构示意图。

具体实施方式

参考图1至图2，本发明专利是一种用于压力传感器校准的芯片加热方法。

图 1所示为本发明压力传感芯片加热原理示意图，将待测芯片装在芯片测试座中，芯片底部与加热电阻片紧密接触，上电后电阻片温度上升，通过加热控制信号控制芯片预设的温度。

图2所示为直接对传感器压力芯片加热结构示意图，将传感器压力芯片安装到测试母板的测试座，通过芯片加热程序控制芯片加热结构对传感器压力芯片直接加热到预设温度，并保持恒温。

Claims (4)

1.基于PID算法设计芯片加热程序，通过设计传感器芯片加热结构对芯片直接加热，其特征在于传感器芯片加热结构有测试母板，测试母板上装有芯片测试座，测试座中装有加热电阻片，将待校准芯片装入测试座中且固定，加热电阻片位于待校准芯片底部且与待校准芯片紧密接触，直接对待校准芯片加热到预设温度。

2.根据权利1所述的基于PID算法设计芯片加热程序，通过设计传感器芯片加热结构对芯片直接加热，其特征在于测试座中装有加热电阻片。

3.根据权利1所述的基于PID算法设计芯片加热程序，通过设计传感器芯片加热结构对芯片直接加热，其特征在于将待校准芯片装入测试座中。

4.根据权利1所述的基于PID算法设计芯片加热程序，通过设计传感器芯片加热结构对芯片直接加热，其特征在于加热电阻片位于待校准芯片底部且与待校准芯片紧密接触，直接对待校准芯片加热到预设温度。