CN107533825B - 显示装置 - Google Patents

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Abstract

本发明提供能够不产生显示品质降低或异常动作地进行监视处理的、包括互相独立的两个移位寄存器的显示装置。该显示装置包括：写入控制用移位寄存器，其包括多个第一单元电路(30)，该第一单元电路(30)包括第一升压电路(320)和第一输出节点重置电路(330)；和监视控制用移位寄存器，其包括多个第二单元电路(40)，该第二单元电路(40)包括第二升压电路(420)和第二输出节点重置电路(430)。使第一升压电路(320)的电流驱动能力比第二升压电路(420)的电流驱动能力大，并使第二输出节点重置电路(430)的电流驱动能力比第一输出节点重置电路(330)的电流驱动能力大。

Description

显示装置
技术领域
本发明涉及显示装置，更详细而言，涉及有机EL显示装置等包括由电流驱动的自发光型显示元件的显示装置及其驱动方法。
背景技术
一直以来，作为显示装置具备的显示元件，有通过施加的电压来控制亮度的电光学元件和通过流经的电流来控制亮度的电光学元件。作为通过施加的电压来控制亮度的电光学元件的代表例子，可列举液晶显示元件。另一方面，作为通过流经的电流来控制亮度的电光学元件的代表例子，可列举有机EL(Electro Luminescence：电致发光)元件。有机EL元件也被称为OLED(Organic Light-Emitting Diode：有机发光二极管)。使用作为自发光型的电光学元件的有机EL元件的有机 EL显示装置，与需要背光源和彩色滤光片等的液晶显示装置相比，能够容易地实现薄型化、低耗电化、高亮度化等。因此，近年来，有机 EL显示装置的开发在积极地进行。
作为有机EL显示装置的驱动方式，已知有无源矩阵方式(也称为单纯矩阵方式)和有源矩阵方式。采用无源矩阵方式的有机EL显示装置，虽然构造简单，但是难以大型化和高精细化。与此相对，采用有源矩阵方式的有机EL显示装置(以下称为“有源矩阵型的有机EL显示装置”)，与采用无源矩阵方式的有机EL显示装置相比，能够容易地实现大型化和高精细化。
在有源矩阵型的有机EL显示装置中，多个像素电路形成为矩阵状。有源矩阵型的有机EL显示装置的像素电路，典型地，包括对像素进行选择的输入晶体管和控制向有机EL元件的电流供给的驱动晶体管。此外，以下，有时将从驱动晶体管流向有机EL元件的电流称为“驱动电流”。
图37是表示以往的一般的像素电路81的构成的电路图。该像素电路81，与在显示部配设的多个数据线DL和多个扫描线SL的各交叉点对应地设置。如图37所示，该像素电路81包括：2个晶体管T1、 T2；1个电容Cst；和1个有机EL元件OLED。晶体管T1为输入晶体管，晶体管T2为驱动晶体管。
晶体管T1设置在数据线DL与晶体管T2的栅极端子之间。该晶体管T1的栅极端子与扫描线SL连接，该晶体管T1的源极端子与数据线DL连接。晶体管T2与有机EL元件OLED串联设置。该晶体管 T2的漏极端子与供给有机EL用高电平电源电压ELVDD的电源线连接，该晶体管T2的源极端子与有机EL元件OLED的阳极端子连接。此外，以下，将供给有机EL用高电平电源电压ELVDD的电源线称为“有机EL用高电平电源线”。对有机EL用高电平电源线标注与有机 EL用高电平电源电压相同的符号ELVDD。电容Cst的一端与晶体管 T2的栅极端子连接，电容Cst的另一端与晶体管T2的源极端子连接。此外，也有电容Cst的另一端与晶体管T2的漏极端子连接的情况。有机EL元件OLED的阴极端子，与供给有机EL用低电平电源电压ELVSS的电源线连接。此外，以下，将供给有机EL用低电平电源电压ELVSS的电源线称为“有机EL用低电平电源线”。对有机EL用低电平电源线标注与有机EL用低电平电源电压相同的符号ELVSS。另外，在此，为了方便起见，将晶体管T2的栅极端子、电容Cst的一端和晶体管T1的漏极端子的连接点称为“栅极节点”。对栅极节点标注符号VG。此外，一般将漏极和源极中的电位高的一者称为漏极，但是在本说明书的说明中，将一者定义为漏极，将另一者定义为源极，因此，也有源极电位比漏极电位高的情况。
图38是用于对图37所示的像素电路81的动作进行说明的时序图。在时间点t91以前，扫描线SL为非选择状态。因此，在时间点t91以前，晶体管T1为截止状态，栅极节点VG的电位维持初始电平(例如，与前1帧中的写入相应的电平)。当到达时间点t91时，扫描线SL变为选择状态，晶体管T1变为导通状态。由此，通过数据线DL和晶体管T1，向栅极节点VG供给与该像素电路81形成的像素(子像素)的亮度对应的数据电压Vdata。然后，在直到时间点t92为止的期间，栅极节点VG的电位根据数据电压Vdata而变化。此时，电容Cst被充电至栅极-源极间电压Vgs，该栅极-源极间电压Vgs为栅极节点VG的电位与晶体管T2的源极电位之差。当到达时间点t92时，扫描线SL 变为非选择状态。由此，晶体管T1变为截止状态，电容Cst保持的栅极-源极间电压Vgs确定。晶体管T2根据电容Cst保持的栅极-源极间电压Vgs向有机EL元件OLED供给驱动电流。其结果，有机EL元件 OLED以与驱动电流相应的亮度进行发光。
在有机EL显示装置中，作为驱动晶体管，典型地采用薄膜晶体管 (TFT)。但是，薄膜晶体管的特性(阈值电压和迁移率)容易产生偏差。当在显示部内设置的驱动晶体管的的特性产生偏差时，驱动电流的大小会产生偏差。其结果，显示画面产生亮度不均匀，显示品质降低。另外，有机EL元件的电流效率(发光效率)会随着时间的经过而降低。因此，即使向有机EL元件供给一定电流，随着时间的经过，亮度也逐渐降低。其结果，产生影像残留。
因此，一直以来，对于有机EL显示装置，提出了对驱动晶体管或有机EL元件等电路元件的劣化进行补偿的技术。例如，在国际公开第 2014/021201号小册子中，公开了按每个像素电路进行驱动晶体管的阈值电压补偿和增益补偿两者的构成。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：国际公开第2014/021201号小册子
发明内容
发明要解决的技术问题
例如在为了对驱动晶体管的特性的偏差进行补偿而进行驱动电流的测定的情况下，可以考虑采用如图39所示的构成的像素电路91。在图39所示的像素电路91中，除了一直以来设置的构成要素以外，还设置有用于控制是否进行驱动电流的测定的晶体管T3。在该晶体管T3 为导通状态时，通过数据线DL读出驱动电流。另外，在显示部，与扫描线平行地设置有用于控制该晶体管T3的导通/截止的信号线。以下，为了方便说明，将与一直以来设置的扫描线对应的信号线称为“写入控制线”，将用于控制晶体管T3的导通/截止的信号线称为“监视控制线”。对写入控制线标注符号GL，对监视控制线标注符号ML。此外，对电路元件的劣化进行补偿时的测定对象不限于电流，也可以进行电压的测定。以下，将为了对电路元件的劣化进行补偿而测定电流或电压的处理称为“监视处理”。另外，将包含实际进行电流或电压的测定的期间和用于测定的准备期间的期间称为“监视处理期间”。
写入控制线GL和监视控制线ML使用移位寄存器进行驱动。作为用于此的构成，可以考虑在显示部的一侧设置对写入控制线GL和监视控制线ML两者进行驱动的1个移位寄存器的构成、或者在显示部95 的一侧设置驱动写入控制线GL的移位寄存器(以下，称为“写入控制用移位寄存器”)96并且在显示部95的另一侧设置驱动监视控制线 ML的移位寄存器(以下，称为“监视控制用移位寄存器”)97的构成 (图40所示的构成)。当采用图40所示的构成时，能够使显示部95 的左右两侧的边框尺寸一致。
通常，为了进行数据电压的写入处理而将1条写入控制线GL维持在选择状态的期间的长度和为了进行监视处理而将1条监视控制线 ML维持在选择状态的期间的长度不同。因此，在采用图40所示的构成的情况下，假设使写入控制用移位寄存器96的内部和监视控制用移位寄存器97的内部为完全相同的构成时，可能会产生显示品质降低或异常动作。但是，有由于布局等的制约而不得不采用图40所示的构成的情况。
因此，本发明的目的是实现能够不产生显示品质降低或异常动作地进行监视处理的、包括互相独立的2个移位寄存器(写入控制用移位寄存器和监视控制用移位寄存器)的构成的显示装置。
用于解决技术问题的手段
本发明的第一方面为一种显示装置，其具有形成为矩阵状的多个像素电路，其特征在于，包括：
多个写入控制线，该多个写入控制线以与各行对应的方式设置，用于传输写入控制信号，该写入控制信号控制是否向对应行的像素电路写入数据电压；
多个监视控制线，该多个监视控制线以与各行对应的方式设置，用于传输监视控制信号，该监视控制信号控制是否测定表示对应行的像素电路中包含的电路元件的特性的电量；
多个数据线，该多个数据线以与各列对应的方式设置，用于向对应列的像素电路供给所述数据电压；
测定从所述多个像素电路供给的电量的电量测定电路；
写入控制用移位寄存器，该写入控制用移位寄存器包括与所述多个写入控制线1对1地对应的多个级，用于基于第一时钟信号组向所述多个写入控制线依次输出导通电平的写入控制信号；
监视控制用移位寄存器，该监视控制用移位寄存器包括与所述多个监视控制线1对1地对应的多个级，用于基于第二时钟信号组向作为电量测定对象的行的监视行的监视控制线输出导通电平的监视控制信号；
向所述多个数据线施加所述数据电压的数据线驱动电路；和
驱动控制电路，该驱动控制电路控制所述电量测定电路、所述写入控制用移位寄存器、所述监视控制用移位寄存器和所述数据线驱动电路的动作，
构成所述写入控制用移位寄存器的各级的第一单元电路包括：
第一内部节点；
第一传送电路，该第一传送电路向所述第一内部节点传送从构成本级的前一级的第一单元电路输出的导通电平的信号；
第一信号输出电路，该第一信号输出电路包括与和本级对应的写入控制线连接的第一输出节点、和基于所述第一时钟信号组中包含的时钟信号提高所述第一内部节点的电压电平的第一升压电路，用于从所述第一输出节点输出与提供给所述第一升压电路的时钟信号的电压电平相等的电压电平的写入控制信号；
用于使所述第一内部节点的电压电平成为截止电平的第一内部节点重置电路；和
用于使所述第一输出节点的电压电平成为截止电平的第一输出节点重置电路，
构成所述监视控制用移位寄存器的各级的第二单元电路包括：
第二内部节点；
第二传送电路，该第二传送电路向所述第二内部节点传送从构成本级的前一级的第二单元电路输出的导通电平的信号；
第二信号输出电路，该第二信号输出电路包括与和本级对应的监视控制线连接的第二输出节点、和基于所述第二时钟信号组中包含的时钟信号提高所述第二内部节点的电压电平的第二升压电路，用于从所述第二输出节点输出与提供给所述第二升压电路的时钟信号的电压电平相等的电压电平的监视控制信号；
用于使所述第二内部节点的电压电平成为截止电平的第二内部节点重置电路；和
用于使所述第二输出节点的电压电平成为截止电平的第二输出节点重置电路，
所述第一升压电路的电流驱动能力比所述第二升压电路的电流驱动能力大，
所述第二输出节点重置电路的电流驱动能力比所述第一输出节点重置电路的电流驱动能力大，
所述驱动控制电路控制所述写入控制用移位寄存器的动作，使得在电量测定期间，导通电平的写入控制信号向所述多个写入控制线的输出停止，其中，所述电量测定期间是要由所述电量测定电路进行电量的测定的期间，
并且所述驱动控制电路控制所述监视控制用移位寄存器的动作，使得在所述电量测定期间，向所述监视行的监视控制线输出导通电平的监视控制信号。
本发明的第二方面的特征在于，在本发明的第一方面中，
所述多个数据线将从对应列的像素电路供给的电量传输至所述电量测定电路，
各像素电路包括：
写入控制晶体管，该写入控制晶体管的控制端子与对应的写入控制线连接，该写入控制晶体管的第二导通端子与对应的数据线连接；
监视控制晶体管，该监视控制晶体管的控制端子与对应的监视控制线连接，该监视控制晶体管的第二导通端子与对应的数据线连接；
驱动晶体管，该驱动晶体管的控制端子与所述写入控制晶体管的第一导通端子连接，该驱动晶体管的第一导通端子被提供导通电平的电源电压，该驱动晶体管的第二导通端子与所述监视控制晶体管的第一导通端子连接；和
有机EL元件，该有机EL元件的阳极端子与所述驱动晶体管的第二导通端子连接，该有机EL元件的阴极端子被提供截止电平的电源电压。
本发明的第三方面的特征在于，在本发明的第一方面中，
所述显示装置还包括多个监视线，该多个监视线以与各列对应的方式设置，用于将从对应列的像素电路供给的电量传输至所述电量测定电路，
写入控制线和监视控制线共用作作为1条控制线的共用控制线(作为1条控制线的共用控制线被用作写入控制线和监视控制线)，
各像素电路包括：
写入控制晶体管，该写入控制晶体管的控制端子与对应的共用控制线连接，该写入控制晶体管的第二导通端子与对应的数据线连接；
监视控制晶体管，该监视控制晶体管的控制端子与对应的共用控制线连接，该监视控制晶体管的第二导通端子与对应的监视线连接；
驱动晶体管，该驱动晶体管的控制端子与所述写入控制晶体管的第一导通端子连接，该驱动晶体管的第一导通端子被提供导通电平的电源电压，该驱动晶体管的第二导通端子与所述监视控制晶体管的第一导通端子连接；和
有机EL元件，该有机EL元件的阳极端子与所述驱动晶体管的第二导通端子连接，该有机EL元件的阴极端子被提供截止电平的电源电压。
本发明的第四方面的特征在于，在本发明的第一方面中，
所述第二信号输出电路还包括第二输出控制电路，该第二输出控制电路基于第二使能信号控制来自所述第二输出节点的导通电平的监视控制信号的输出。
本发明的第五方面的特征在于，在本发明的第四方面中，
所述第二输出控制电路，以将所述第二内部节点分割为2个区域的方式，设置在所述第二传送电路与所述第二升压电路之间的区域。
本发明的第六方面的特征在于，在本发明的第四方面中，
所述第二输出控制电路设置在所述第二升压电路与所述第二输出节点之间的区域。
本发明的第七方面的特征在于，在本发明的第四方面中，
所述第一信号输出电路还包括第一输出控制电路，该第一输出控制电路基于第一使能信号控制来自所述第一输出节点的导通电平的写入控制信号的输出，
所述第一输出控制电路的电流驱动能力比所述第二输出控制电路的电流驱动能力大。
本发明的第八方面的特征在于，在本发明的第一方面中，
所述第二单元电路还包括第二保持电路，该第二保持电路用于保持从所述第二传送电路传送至所述第二内部节点的导通电平的信号。
本发明的第九方面的特征在于，在本发明的第八方面中，
所述第二内部节点重置电路的电流驱动能力比所述第一内部节点重置电路的电流驱动能力大。
本发明的第十方面的特征在于，在本发明的第八方面中，
所述第一单元电路还包括第一保持电路，该第一保持电路用于保持从所述第一传送电路传送至所述第一内部节点的导通电平的信号，
所述第二保持电路的信号保持能力比所述第一保持电路的信号保持能力大。
本发明的第十一方面的特征在于，在本发明的第一方面中，
所述驱动控制电路，在所述电量测定期间使所述第一时钟信号组的时钟动作停止，由此，使由所述写入控制用移位寄存器进行的导通电平的写入控制信号向所述多个写入控制线的输出停止。
本发明的第十二方面的特征在于，在本发明的第十一方面中，
所述驱动控制电路控制所述写入控制用移位寄存器的动作和所述数据线驱动电路的动作，使得至少在紧接着所述电量测定期间之前的期间，向所述监视行的写入控制线输出导通电平的写入控制信号，并且，向所述多个数据线施加初始化信号。
本发明的第十三方面的特征在于，在本发明的第一方面中，
所述驱动控制电路控制所述写入控制用移位寄存器的动作和所述监视控制用移位寄存器的动作，使得在导通电平的写入控制信号向所述多个写入控制线的输出停止的期间中，向所述监视行的监视控制线输出导通电平的监视控制信号。
本发明的第十四方面的特征在于，在本发明的第一方面中，
能够从外部控制由所述监视控制用移位寄存器进行的导通电平的监视控制信号的输出的停止和重新开始。
本发明的第十五方面的特征在于，在本发明的第一方面中，
所述驱动控制电路控制所述写入控制用移位寄存器的动作和所述监视控制用移位寄存器的动作，使得被提供给所述监视行的写入控制线的写入控制信号和被提供给所述监视行的监视控制线的监视控制信号彼此同步地成为导通电平。
发明效果
根据本发明的第一方面，在测定从像素电路供给的电量并能够基于测定结果对电路元件的劣化进行补偿的显示装置中，设置有驱动写入控制线的写入控制用移位寄存器和驱动监视控制线的监视控制用移位寄存器。在这样的构成中，第一升压电路(构成写入控制用移位寄存器的单元电路内的升压电路)的电流驱动能力，比第二升压电路(构成监视控制用移位寄存器的单元电路内的升压电路)的电流驱动能力大。因此，写入控制信号的上升时间比监视控制信号的上升时间短，能够抑制由充电不足引起的显示品质的降低。另外，第二输出节点重置电路(构成监视控制用移位寄存器的单元电路内的输出节点重置电路)的电流驱动能力，比第一输出节点重置电路(构成写入控制用移位寄存器的单元电路内的输出节点重置电路)的电流驱动能力大。因此，监视控制信号的下降时间比写入控制信号的下降时间短，能够抑制显示品质的降低。根据以上所述，能够实现能够不产生显示品质降低或异常动作地进行监视处理(测定从像素电路供给的电量的处理) 的、包括互相独立的两个移位寄存器的构成的显示装置。
根据本发明的第二方面，能够得到与本发明的第一方面相同的效果。
根据本发明的第三方面，写入控制线和监视控制线被共用，因此，能够减少配线数量，实现高精细化。
根据本发明的第四方面，能够利用比较简单的构成，使得仅在进行监视处理时进行导通电平的监视控制信号的输出。
根据本发明的第五方面，能够得到与本发明的第四方面相同的效果。
根据本发明的第六方面，能够得到与本发明的第四方面相同的效果。
根据本发明的第七方面，写入控制信号的上升时间比监视控制信号的上升时间短，能够抑制由充电不足引起的显示品质的降低。
根据本发明的第八方面，即使在直到从第二传送电路被传送至第二内部节点的导通电平的信号进一步被传送至第二升压电路为止的期间长的情况下，也能够抑制该信号的电压电平的降低。由此，能够抑制第二单元电路的动作不良的产生。
根据本发明的第九方面，在监视处理结束后，第二内部节点的电压电平快速地变为截止电平。由此，能够抑制第二单元电路的动作不良的产生。
根据本发明的第十方面，能够长时间将第二内部节点的电压电平维持在高电平。由此，能够抑制由第二内部节点的电压电平的降低引起的动作不良的产生。
根据本发明的第十一方面，通过使第一时钟信号组的时钟动作停止充分的期间，能够充分地确保用于测定电量的期间。
根据本发明的第十二方面，在像素间充电率不产生偏差，能够高精度地进行从像素电路供给的电量的测定。因此，能够充分地补偿电路元件的劣化。
根据本发明的第十三方面，能够在垂直回扫期间或者电源刚接通后的期间等非扫描期间进行监视处理。
根据本发明的第十四方面，能够在电路元件的特性变化(经时变化)小时使监视处理长时间停止或者仅在需要时进行监视处理。
根据本发明的第十五方面，能够防止写入控制用移位寄存器和监视控制用移位寄存器的动作的复杂化。
附图说明
图1是用于对本发明的第一实施方式的有源矩阵型的有机EL显示装置的单元电路(第一单元电路和第二单元电路)内的构成要素的电流驱动能力进行说明的图。
图2是表示上述第一实施方式中的有机EL显示装置的整体构成的框图。
图3是用于对上述第一实施方式中的源极驱动器的概略进行说明的图。
图4是用于对上述第一实施方式中的显示部的构成进行说明的图。
图5是表示上述第一实施方式中的像素电路和源极驱动器的一部分的电路图。
图6是表示上述第一实施方式中的写入控制用移位寄存器的构成的框图。
图7是表示上述第一实施方式中的第一单元电路(写入控制用移位寄存器内的单元电路)的概略构成的框图。
图8是表示上述第一实施方式中的第一单元电路的详细构成的电路图。
图9是用于对上述第一实施方式中的第一单元电路的基本动作进行说明的时序图。
图10是表示上述第一实施方式中的监视控制用移位寄存器的构成的框图。
图11是表示上述第一实施方式中的第二单元电路(监视控制用移位寄存器内的单元电路)的概略构成的框图。
图12是表示上述第一实施方式中的第二单元电路的详细构成的电路图。
图13是用于对上述第一实施方式中的监视处理期间以外的期间中的第二单元电路40的基本动作进行说明的时序图。
图14是用于对上述第一实施方式中的监视处理期间附近的写入控制线和监视控制线的驱动方法进行说明的时序图。
图15是用于对上述第一实施方式中的电流的流动进行说明的图。
图16是用于对上述第一实施方式中的电流的流动进行说明的图。
图17是用于对上述第一实施方式中的与监视行的选择相关的第一例子进行说明的图。
图18是用于对上述第一实施方式中的与监视行的选择相关的第二例子进行说明的图。
图19是表示上述第一实施方式的第一变形例中的第二单元电路的概略构成的框图。
图20是表示上述第一实施方式的第一变形例中的第二单元电路的详细构成的电路图。
图21是表示上述第一实施方式的第一变形例中的第二单元电路的优选的概略构成的框图。
图22是表示上述第一实施方式的第二变形例中的第二单元电路的概略构成的框图。
图23是表示上述第一实施方式的第二变形例中的第二单元电路的详细构成的电路图。
图24是表示上述第一实施方式的第三变形例中的第二单元电路的概略构成的框图。
图25是表示上述第一实施方式的第三变形例中的第二单元电路的详细构成的电路图。
图26是表示上述第一实施方式的第四变形例中的第一单元电路的概略构成的框图。
图27是表示上述第一实施方式的第四变形例中的第一单元电路的详细构成的电路图。
图28是用于对上述第一实施方式的第五变形例中的写入控制线和监视控制线的驱动方法进行说明的时序图。
图29是用于对上述第一实施方式的第六变形例中的写入控制线和监视控制线的驱动方法进行说明的时序图。
图30是用于对上述第一实施方式的第七变形例中的写入控制线和监视控制线的驱动方法进行说明的时序图。
图31是用于对上述第一实施方式的第八变形例中的源极驱动器的概略进行说明的图。
图32是用于对上述第一实施方式的第八变形例中的切换部进行说明的图。
图33是表示上述第一实施方式的第八变形例中的电压测定电路的一个构成例的图。
图34是用于对本发明的第二实施方式的有源矩阵型的有机EL显示装置的显示部的构成进行说明的图。
图35是表示上述第二实施方式中的像素电路的构成和源极驱动器的概略构成的图。
图36是用于对上述第二实施方式中的共用控制线的驱动方法进行说明的时序图。
图37是表示以往的一般的像素电路的构成的电路图。
图38是用于对图37所示的像素电路的动作进行说明的时序图。
图39是表示用于使得驱动电流能够测定以进行与驱动晶体管的特性相应的补偿的像素电路的构成例的电路图。
图40是用于对驱动写入控制线和监视控制线的构成进行说明的框图。
具体实施方式
以下，参照附图，对本发明的实施方式进行说明。此外，对于各晶体管，栅极端子相当于控制端子，漏极端子相当于第一导通端子，源极端子相当于第二导通端子。另外，以下，将设置在像素电路内的驱动晶体管的特性称为“TFT特性”，将设置在像素电路内的有机EL元件的特性称为“OLED特性”，将成为监视处理对象的行称为“监视行”。
＜1.第一实施方式＞
＜1.1整体构成和动作概要＞
图2是表示本发明的第一实施方式的有源矩阵型的有机EL显示装置1的整体构成的框图。该有机EL显示装置包括显示控制电路100、源极驱动器200、写入控制用移位寄存器300、监视控制用移位寄存器 400和显示部500。如图3所示，源极驱动器200包括作为数据线驱动电路210发挥作用的部分和作为电流测定电路220发挥作用的部分。在本实施方式中，在包括显示部500的有机EL面板6内形成有写入控制用移位寄存器300和监视控制用移位寄存器400。即，写入控制用移位寄存器300和监视控制用移位寄存器400被单片化。另外，在该有机EL显示装置1中，作为用于向有机EL面板6供给各种电源电压的构成要素，设置有逻辑电源610、逻辑电源620、有机EL用高电平电源630和有机EL用低电平电源640。此外，在本实施方式中，驱动控制电路由显示控制电路100实现，电量测定电路由电流测定电路220 实现。
从逻辑电源610向有机EL面板6供给写入控制用移位寄存器300 的动作需要的移位寄存器用高电平电源电压VDD和移位寄存器用低电平电源电压VSS。从逻辑电源620向有机EL面板6供给监视控制用移位寄存器400动作需要的移位寄存器用高电平电源电压VDD和移位寄存器用低电平电源电压VSS。从有机EL用高电平电源630向有机 EL面板6供给为恒压的有机EL用高电平电源电压ELVDD。从有机 EL用低电平电源640向有机EL面板6供给为恒压的有机EL用低电平电源电压ELVSS。
图4是用于对本实施方式中的显示部500的构成进行说明的图。如图4所示，在显示部500，n条写入控制线GL(1)～GL(n)和m 条数据线DL(1)～DL(m)以互相交叉的方式配设。就数据线DL (1)～DL(m)而言，依次配设有红色像素用的数据线、绿色像素用的数据线和蓝色像素用的数据线。与写入控制线GL(1)～GL(n) 和数据线DL(1)～DL(m)的各交叉点对应地设置有像素电路50。即，在显示部500，以构成多行(n行)和多列(m列)的方式呈矩阵状形成有像素电路50。另外，在显示部500，以与上述n条写入控制线GL(1)～GL(n)一对一地对应的方式，配设有n条监视控制线 ML(1)～ML(n)。另外，在显示部500，配设有有机EL用高电平电源线ELVDD和有机EL用低电平电源线ELVSS。关于像素电路50 的详细构成，将在后面进行叙述。
此外，以下，在没有必要对n条写入控制线GL(1)～GL(n) 进行互相区别的情况下，仅用符号GL表示写入控制线。同样，分别仅用符号ML和符号DL表示监视控制线和数据线。另外，将被提供给控制线GL的信号称为“写入控制信号”，将被提供给监视控制线ML的信号称为“监视控制信号”。对写入控制信号标注与写入控制线相同的符号GL。对监视控制信号标注与监视控制线相同的符号ML。
显示控制电路100，通过对源极驱动器200提供数字视频信号DV 和源极控制信号SCTL来控制源极驱动器200的动作，通过对写入控制用移位寄存器300提供控制信号WCTL来控制写入控制用移位寄存器300的动作，通过对监视控制用移位寄存器400提供控制信号MCTL 和监视使能信号ENA来控制监视控制用移位寄存器400的动作。源极控制信号SCTL中包含源极启动脉冲信号、源极时钟信号、锁存选通信号和输入输出控制信号DWT。控制信号WCTL中包含写入启动脉冲信号和两相的时钟信号(时钟信号GCK1和时钟信号GCK2)。控制信号MCTL中包含监视启动脉冲信号和两相的时钟信号(时钟信号 MCK1和时钟信号MCK2)。此外，监视使能信号ENA为用于控制是否使得能够测定驱动电流的信号。另外，显示控制电路100接收从源极驱动器200提供的监视数据MO，使用该监视数据MO对从外部输送的视频信号(上述数字视频信号的原始数据)的校正所使用的校正数据进行更新。此外，监视数据MO为用于求取TFT特性或者OLED 特性而测定的数据。
源极驱动器200有选择地进行驱动数据线DL(1)～DL(m)的动作(作为数据线驱动电路210的动作)和测定从像素电路50向数据线DL(1)～DL(m)输出的驱动电流的动作(作为电流测定电路220 的动作)。源极驱动器200在作为数据线驱动电路210发挥作用时进行如下的动作。源极驱动器200接收从显示控制电路100输送的源极控制信号SCTL和数字视频信号DV，对数据线DL(1)～DL(m)施加驱动用视频信号。此时，在源极驱动器200，将源极启动脉冲信号的脉冲作为触发，在源极时钟信号的脉冲产生的时刻(timing)，依次保持表示要对各数据线DL施加的电压的数字视频信号DV。然后，在锁存选通信号的脉冲产生的时刻，将上述保持的数字视频信号DV变换为模拟电压。该变换后的模拟电压，作为驱动用视频信号被一起施加到全部的数据线DL(1)～DL(m)。源极驱动器200，在作为电流测定电路220发挥作用时，将与从像素电路50输出到数据线DL(1)～DL (m)的驱动电流相应的电压作为监视数据MO输出。
写入控制用移位寄存器300，基于从显示控制电路100输送的控制信号WCTL，驱动n条写入控制线GL(1)～GL(n)。监视控制用移位寄存器400，基于从显示控制电路100输送的控制信号MCTL和监视使能信号ENA，驱动n条监视控制线ML(1)～ML(n)。此外，关于写入控制线GL和监视控制线ML的详细的驱动方法，将在后面进行叙述。
通过如以上那样各构成要素进行动作以驱动数据线DL(1)～DL (m)、写入控制线GL(1)～GL(n)和监视控制线ML(1)～ML (n)，在显示部500显示图像。此时，基于驱动电流的测定结果，对视频信号进行校正。其结果，能够补偿驱动晶体管的劣化。此外，这样，在本实施方式中，列举进行驱动晶体管的劣化的补偿的构成为例进行说明，但是也能够采用进行驱动晶体管以外的电路元件(例如，有机EL元件)的劣化的补偿的构成。
＜1.2像素电路和源极驱动器＞
图5是表示像素电路50和源极驱动器200的一部分的电路图。图 5中表示出了第i行第j列的像素电路50和源极驱动器200中的与第j 列的数据线DL(j)对应的部分。该像素电路50包括1个有机EL元件(电光学元件)OLED、3个晶体管T1～T3和1个电容Cst。晶体管 T1作为对像素进行选择的输入晶体管(写入控制用晶体管)发挥作用，晶体管T2作为控制向有机EL元件OLED的电流供给的驱动晶体管发挥作用，晶体管T3作为监视控制晶体管发挥作用，该监视控制晶体管控制是否进行用于检测晶体管T2(驱动晶体管)的特性的电流测定。
晶体管T1设置在数据线DL(j)与晶体管T2的栅极端子之间。该晶体管T1的栅极端子与写入控制线GL(i)连接，该晶体管T1的源极端子与数据线DL(j)连接。晶体管T2与有机EL元件OLED串联设置。该晶体管T2的栅极端子与晶体管T1的漏极端子连接，该晶体管T2的漏极端子与有机EL用高电平电源线ELVDD连接，该晶体管T2的源极端子与有机EL元件OLED的阳极端子连接。晶体管T3 的栅极端子与监视控制线ML(i)连接，晶体管T3的漏极端子与有机 EL元件OLED的阳极端子连接，晶体管T3的源极端子与数据线DL (j)连接。电容Cst的一端与晶体管T2的栅极端子连接，电容Cst的另一端与晶体管T2的漏极端子连接。有机EL元件OLED的阴极端子与有机EL用低水平电源线ELVSS连接。
在本实施方式中，像素电路50内的晶体管T1～T3全部是n沟道型的。另外，在本实施方式中，晶体管T1～T3采用了氧化物TFT(在沟道层使用氧化物半导体的薄膜晶体管)。关于这一点，写入控制用移位寄存器300内的晶体管和监视控制用移位寄存器400内的晶体管也是同样。
以下，对氧化物TFT中包含的氧化物半导体层进行说明。氧化物半导体层例如为In-Ga-Zn-O系半导体层。氧化物半导体层例如包含 In-Ga-Zn-O系半导体。In-Ga-Zn-O系半导体为In(铟)、Ga(镓)、Zn (锌)的三元氧化物。In、Ga和Zn的比例(组成比)没有特别限定。例如可以为In:Ga:Zn＝2:2:1、In:Ga:Zn＝1:1:1、In:Ga:Zn＝1:1:2等。
具有In-Ga-Zn-O系半导体层的TFT，具有高迁移率(与非晶硅TFT 相比超过20倍的迁移率)和低漏电流(与非晶硅TFT相比小于百分之一的漏电流)，因此，适宜用作像素电路内的驱动TFT(上述晶体管 T2)和开关晶体管(上述晶体管T1)。当使用具有In-Ga-Zn-O系半导体层的TFT时，能够大幅削减显示装置消耗的电力。
In-Ga-Zn-O系半导体可以为非晶的，也可以包含结晶部分，具有结晶性。作为结晶In-Ga-Zn-O系半导体，优选c轴大致与层面垂直地取向的结晶In-Ga-Zn-O系半导体。这样的In-Ga-Zn-O系半导体的结晶结构，已在例如日本特开2012-134475号公报中公开。
氧化物半导体层可以包含其他的氧化物半导体代替In-Ga-Zn-O系半导体。例如可以包含Zn-O系半导体(ZnO)、In-Zn-O系半导体(IZO (注册商标))、Zn-Ti-O系半导体(ZTO)、Cd-Ge-O系半导体、Cd-Pb-O 系半导体、CdO(氧化镉)、Mg-Zn-O系半导体、In-Sn-Zn-O系半导体 (例如In2O3-SnO2-ZnO)、In-Ga-Sn-O系半导体等。
如图5所示，源极驱动器200包括DA转换器21、运算放大器22、电容23、开关24和AD转换器25。DA转换器21的输入端子被提供数字视频信号DV。DA转换器21将数字视频信号DV转换为模拟的数据电压。DA转换器21的输出端子与运算放大器22的同相输入端子连接。因此，运算放大器22的同相输入端子被提供数据电压。运算放大器22的反相输入端子与数据线DL(j)连接。开关24设置在运算放大器22的反相输入端子与输出端子之间。电容23与开关24并列地设置在运算放大器22的反相输入端子与输出端子之间。开关24的控制端子被提供源极控制信号SCTL中包含的输入输出控制信号DWT。运算放大器22的输出端子与AD转换器25的输入端子连接。
在以上那样的构成中，在输入输出控制信号DWT为高电平时，开关24成为导通状态，运算放大器22的反相输入端子-输出端子之间成为短路状态。此时，运算放大器22作为缓冲放大器发挥作用。由此，对数据线DL(j)施加被提供给运算放大器22的同相输入端子的数据电压。在输入输出控制信号DWT为低电平时，开关24成为断开状态，运算放大器22的反相输入端子和输出端子通过电容23连接。此时，运算放大器22和电容23作为积分电路发挥作用。由此，运算放大器 22的输出电压(监视电压Vmo)成为与从像素电路50输出至数据线DL(j)的驱动电流相应的大小的电压。AD转换器25将运算放大器 22的输出电压(监视电压Vmo)转换为作为数字数据的监视数据MO。在本实施方式中，在后述的测定期间，输入输出控制信号DWT成为低电平，在测定期间以外的期间，输入输出控制信号DWT成为高电平。
＜1.3写入控制用移位寄存器的构成＞
图6是表示本实施方式中的写入控制用移位寄存器300的构成的框图。写入控制用移位寄存器300由n个级(n个单元电路)构成。即，在写入控制用移位寄存器300中，以与显示部500内的n条写入控制线GL(1)～GL(n)一对一地对应的方式，包含n个单元电路。此外，以下将写入控制用移位寄存器300内的单元电路称为“第一单元电路”。图6中仅表示出了构成第(i-1)级到第(i+1)级的第一单元电路30(i-1)～30(i+1)。为方便说明，假设i为偶数。在第一单元电路30中设置有：用于接收时钟信号GCLK的输入端子；用于接收置位信号S(G)的输入端子；用于接收重置信号R(G)的输入端子；和用于输出输出信号Q(G)的输出端子。
图6中，对写入控制用移位寄存器300内的各级(各第一单元电路30)的输入端子提供的信号如下所述。对奇数级，提供时钟信号GCK2 作为时钟信号GCLK，对偶数级，提供时钟信号GCK1作为时钟信号 GCLK。另外，对任意级，提供从前一级输出的输出信号Q(G)作为置位信号S(G)，提供从后一级输出的输出信号Q(G)作为重置信号R(G)。但是，对第一级(在图6中未图示)，提供写入启动脉冲信号作为置位信号S(G)。此外，对所有的级共用地提供移位寄存器用低电平电源电压VSS(在图6中未图示)。
另外，从写入控制用移位寄存器300内的各级(各第一单元电路 30)输出输出信号Q(G)。从各级输出的输出信号Q(G)，作为写入控制信号GL被提供给对应的写入控制线GL，并且作为重置信号R(G) 被提供给前一级，作为置位信号S(G)被提供给后一级。
图7是表示本实施方式中的第一单元电路30(写入控制用移位寄存器300内的单元电路)的概略构成的框图。此外，第一单元电路30 内的构成要素，为了与后述的第二单元电路40内的构成要素区别，标注了“第一”一词。如图7所示，第一单元电路30包含第一传送电路 310、第一升压电路320、第一输出节点重置电路330和第一内部节点重置电路340。此外，将第一传送电路310、第一升压电路320和第一内部节点重置电路340之间的节点称为“第一内部节点”。对第一内部节点标注符号N(G)。
对第一单元电路30内的各构成要素的功能进行说明。第一传送电路310，在置位信号S(G)为高电平时，通过将该置位信号S(G)传送至第一内部节点N(G)，使第一内部节点N(G)的电压电平成为高电平。第一升压电路320通过基于时钟信号GCLK使第一内部节点 N(G)升压，使输出信号Q(G)的电压电平与时钟信号GCLK的电压电平相等。第一输出节点重置电路330基于重置信号R(G)使输出信号Q(G)成为重置状态(低电平状态)。第一内部节点重置电路340 基于重置信号R(G)使第一内部节点N(G)成为重置状态(低电平状态)。此外，在本实施方式中，对第一输出节点重置电路330和第一内部节点重置电路340提供了重置信号R(G)，但是也能够采用对第一输出节点重置电路330和第一内部节点重置电路340的双方或者一方提供时钟信号的构成。
图8是表示本实施方式中的第一单元电路30的详细构成的电路图。如图8所示，第一单元电路30包括4个晶体管T31～T34。此外，第一单元电路30，除了移位寄存器用低电平电源电压VSS用的输入端子以外，还具有3个输入端子31～33和1个输出端子38。在此，对接收置位信号S(G)的输入端子标注了符号31，对接收重置信号R(G) 的输入端子标注了符号32，对接收时钟信号GCLK的输入端子标注了符号33。此外，对输出输出信号Q(G)的输出端子标注了符号38。该输出端子38相当于第一输出节点。在晶体管T32的栅极端子-漏极端子间形成有寄生电容Cgd，在晶体管T32的栅极端子-源极端子间形成有寄生电容Cgs。晶体管T31的源极端子、晶体管T32的栅极端子和晶体管T34的漏极端子，通过第一内部节点N(G)互相连接。此外，在本实施方式中，第一信号输出电路由晶体管T32(第一升压电路320) 和输出端子38实现。
晶体管T31的栅极端子和漏极端子与输入端子31连接(即，成为二极管连接)，晶体管T31的源极端子与第一内部节点N(G)连接。晶体管T32的栅极端子与第一内部节点N(G)连接，晶体管T32的漏极端子与输入端子33连接，晶体管T32的源极端子与输出端子38 连接。晶体管T33的栅极端子与输入端子32连接，晶体管T33的漏极端子与输出端子38连接，晶体管T33的源极端子与移位寄存器用低电平电源电压VSS用的输入端子连接。晶体管T34的栅极端子与输入端子32连接，晶体管T34的漏极端子与第一内部节点N(G)连接，晶体管T34的源极端子与移位寄存器用低电平电源电压VSS用的输入端子连接。
接着，对各构成要素在该第一单元电路30中的功能进行说明。晶体管T31，当置位信号S(G)变为高电平时，使第一内部节点N(G) 的电压电平向高电平变化。晶体管T32，当第一内部节点N(G)变为已被升压的状态(将在后面详细说明)时，将时钟信号GCLK的电压电平提供给输出端子38。晶体管T33，当重置信号R(G)变为高电平时，使输出端子38的电压电平向移位寄存器用低电平电源电压VSS 的电压电平变化。晶体管T34，当重置信号R(G)变为高电平时，使第一内部节点N(G)的电压电平向移位寄存器用低电平电源电压VSS 的电压电平变化。如以上所述，由晶体管T31实现第一传送电路310，由晶体管T32实现第一升压电路320，由晶体管T33实现第一输出节点重置电路33，由晶体管T34实现第一内部节点重置电路340。
参照图9对第一单元电路30的基本动作进行说明。如图9所示，在时间点t0以前的期间，第一内部节点N(G)的电压电平和输出信号Q(G)的电压电平(输出端子38的电压电平)成为低电平。另外，输入端子33被提供每隔规定期间成为高电平的时钟信号GCLK。此外，关于图9，虽然实际的波形会产生一些延迟，但是在此表示出了理想的波形。
当到达时间点t0时，对输入端子31提供置位信号S(G)的脉冲。晶体管T31如图8所示成为二极管连接，因此，通过该置位信号S(G) 的脉冲，使晶体管T31变为导通状态。由此，第一内部节点N(G)的电压电平上升。
当到达时间点t1时，时钟信号GCLK从低电平变化为高电平。此时，重置信号R(G)为低电平，因此，晶体管T34为截止状态。另外，置位信号S(G)已从高电平变化为低电平，因此，晶体管T31也为截止状态。因此，第一内部节点N(G)为浮置状态。如上所述，在晶体管T32的栅极端子-漏极端子间形成有寄生电容Cgd，在晶体管T32的栅极端子-源极端子间形成有寄生电容Cgs。根据以上内容，由于由时钟信号GCLK从低电平变化为高电平产生的自举效应，第一内部节点 N(G)的电压电平大大地上升(第一内部节点N(G)变为已被升压的状态)。其结果，晶体管T32被施加大的电压。由此，输出信号Q(G) 的电压电平(输出端子38的电压电平)上升至时钟信号GCLK的高电平的电压电平。此外，在时间点t1～时间点t2的期间中，重置信号R (G)为低电平，因此，晶体管T33和晶体管T34维持截止状态。因此，在该期间中，输出信号Q(G)的电压电平和第一内部节点N(G) 的电压电平不会降低。
当到达时间点t2时，时钟信号GCLK从高电平变化为低电平。由此，伴随着输出端子33的电平的降低，输出信号Q(G)的电压电平降低，进而通过寄生电容Cgd、Cgs，第一内部节点N(G)的电压电平也降低。另外，在时间点t2，对输入端子32提供重置信号R(G) 的脉冲。由此，晶体管T33和晶体管T34变为导通状态。通过晶体管 T33变为导通状态，输出信号Q(G)的电压电平降低至低电平，通过晶体管T34变为导通状态，第一内部节点N(G)的电压电平降低至低电平。
此外，第一单元电路30的构成并不限定于图8所示的构成(包含 4个晶体管T31～T34的构成)。通常，为了提高驱动性能和可靠性，第一单元电路30包含比4个多的数量的晶体管。在那样的情况下，也能够应用本发明。
＜1.4监视控制用移位寄存器的构成＞
图10是表示本实施方式中的监视控制用移位寄存器400的构成的框图。监视控制用移位寄存器400由n个级(n个单元电路)构成。即，在监视控制用移位寄存器400中，以与显示部500内的n条监视控制线ML(1)～ML(n)一对一地对应的方式，包含n个单元电路。此外，以下将监视控制用移位寄存器400内的单元电路称为“第二单元电路”。在图10中，仅表示出了构成第(i-1)级到第(i+1)级的第二单元电路40(i-1)～40(i+1)。为方便说明，假设i为偶数。在第二单元电路40中设置有：用于接收时钟信号MCLK的输入端子；用于接收置位信号S(M)的输入端子；用于接收重置信号R(M)的输入端子；用于输出输出信号Q(M)的输出端子；用于输出输出信号Q2 (M)的输出端子；和用于接收监视使能信号ENV的输入端子。
图10中，对监视控制用移位寄存器400内的各级(第二单元电路 40)的输入端子提供的信号如下所述。对奇数级，提供时钟信号MCK2 作为时钟信号MCLK，对偶数级，提供时钟信号MCK1作为时钟信号 MCLK。另外，对任意级，提供从前一级输出的输出信号Q(M)作为置位信号S(M)，提供从后一级输出的输出信号Q(M)作为重置信号R(M)。但是，对第一级(在图10中未图示)，提供监视启动脉冲信号作为置位信号S(M)。此外，对所有的级共用地提供监视使能信号ENA和移位寄存器用低电平电源电压VSS(在图10中未图示)。
另外，从监视控制用移位寄存器400内的各级(各第二单元电路 40)输出输出信号Q(M)和输出信号Q2(M)。从各级输出的输出信号Q(M)，作为重置信号R(M)被提供给前一级，并且作为置位信号S(M)被提供给后一级。从各级输出的输出信号Q2(M)，作为监视控制信号ML被提供给对应的监视控制线ML。
图11是表示本实施方式中的第二单元电路40(监视控制用移位寄存器400内的单元电路)的概略构成的框图。此外，第二单元电路40 内的构成要素，为了与第一单元电路30内的构成要素区别，标注了“第二”一词。如图11所示，第二单元电路40包含第二传送电路410、第二升压电路420、第二输出节点重置电路430、第二内部节点重置电路 440和第二输出控制电路450。此外，将第二传送电路410、第二升压电路420和第二内部节点重置电路440之间的节点称为“第二内部节点”。对第二内部节点标注符号N(M)。
对第二单元电路40内的各构成要素的功能进行说明。第二传送电路410，在置位信号S(M)为高电平时，通过将该置位信号S(M) 传送至第二内部节点N(M)，使第二内部节点N(M)的电压电平成为高电平。第二升压电路420，通过基于时钟信号MCLK使第二内部节点N(M)升压，使输出信号Q(M)的电压电平与时钟信号MCLK 的电压电平相等。第二输出节点重置电路430基于重置信号R(M)使输出信号Q(M)成为重置状态。第二内部节点重置电路440基于重置信号R(M)使第二内部节点N(M)成为重置状态。第二输出控制电路450，在监视使能信号ENA为高电平时，使输出信号Q2(M)的电压电平等于输出信号Q(M)的电压电平。此外，在本实施方式中，对第二输出节点重置电路430和第二内部节点重置电路440提供了重置信号R(M)，但是也能够采用对第二输出节点重置电路430和第二内部节点重置电路440的双方或者一方提供时钟信号的构成。
图12是表示本实施方式中的第二单元电路40的详细构成的电路图。如图12所示，第二单元电路40包括5个晶体管T41～T44、T49。此外，第二单元电路40，除了移位寄存器用低电平电源电压VSS用的输入端子以外，还包括4个输入端子41～44和2个输出端子48、49。图12中的晶体管T41～T44、输入端子41～43和输出端子48，分别相当于图8中的晶体管T31～T34、输入端子31～33和输出端子38。即，第二单元电路40，除了接下来要说明的地方以外，为与第一单元电路 30同样的构成。
在第二单元电路40中，设置有与输出端子48不同的输出端子49 (在输出端子48以外另外设置有输出端子49)。该输出端子49相当于第二输出节点。从输出端子48输出上述的输出信号Q(M)，从输出端子49输出上述的输出信号Q2(M)。另外，在第二单元电路40中设置有晶体管T49，该晶体管T49构成为：漏极端子与输出端子48连接，源极端子与输出端子49连接，栅极端子被提供监视使能信号ENA。
此外，由晶体管T41实现第二传送电路410，由晶体管T42实现第二升压电路420，由晶体管T43实现第二输出节点重置电路430 ，由晶体管T44实现第二内部节点重置电路440，由晶体管T49实现第二输出控制电路450。另外，由晶体管T42(第二升压电路420)、晶体管T49(第二输出控制电路450)和输出端子49实现第二信号输出电路。
参照图13对监视处理期间以外的期间中的第二单元电路40的基本动作进行说明。如图13所示，在时间点t10以前的期间，第二内部节点N(M)的电压电平、输出信号Q(M)的电压电平(输出端子 48的电压电平)和输出信号Q2(M)的电压电平(输出端子49的电压电平)为低电平。另外，对输入端子43提供每隔规定期间成为高电平的时钟信号MCLK。此外，关于图13，虽然实际的波形会产生一些延迟，但是在此表示出了理想的波形。
当到达时间点t10时，对输入端子41提供置位信号S(M)的脉冲。晶体管T41如图12所示成为二极管连接，因此，通过该置位信号 S(M)的脉冲，晶体管T41变为导通状态。由此，第二内部节点N(M) 的电压电平上升。
当到达时间点t11时，时钟信号MCLK从低电平变化为高电平。此时，重置信号R(M)为低电平，因此，晶体管T44为截止状态。另外，置位信号S(M)已从高电平变化为低电平，因此，晶体管T41 也为截止状态。因此，第二内部节点N(M)变为浮置状态。在晶体管 T42的栅极端子-漏极端子间形成有寄生电容Cgd，在晶体管T42的栅极端子-源极端子间形成有寄生电容Cgs。根据以上内容，由于由时钟信号MCLK从低电平变化为高电平产生的自举效应，第二内部节点N (M)的电压电平大大地上升。其结果，晶体管T42被施加大的电压。由此，输出信号Q(M)的电压电平(输出端子48的电压电平)上升至时钟信号MCLK的高电平的电压电平。在此，在时间点t11～时间点t12的期间中，监视使能信号ENA为低电平。因此，晶体管T49维持在截止状态。因此，输出信号Q2(M)的电压电平(输出端子49 的电压电平)维持在低电平。此外，在时间点t11～时间点t12的期间中，重置信号R(M)为低电平，因此，晶体管T43和晶体管T44维持在截止状态。因此，在该期间中，输出信号Q(M)的电压电平和第二内部节点N(M)的电压电平不会降低。
当到达时间点t12时，时钟信号MCLK从高电平变化为低电平。由此，伴随着输出端子43的电压电平的降低，输出信号Q(M)的电压电平降低，进而通过寄生电容Cgd、Cgs，第二内部节点N(M)的电压电平也降低。另外，在时间点t12，对输入端子42提供重置信号R (M)的脉冲。由此，晶体管T43和晶体管T44变为导通状态。通过晶体管T43变为导通状态，输出信号Q(M)的电压电平降低至低电平，通过晶体管T44变为导通状态，第二内部节点N(M)的电压电平降低至低电平。
＜1.5驱动方法＞
参照图14对监视处理期间附近的写入控制线GL和监视控制线 ML的驱动方法进行说明。在此，假设第i行为监视行。在图14中，时间点t21以前的期间和时间点t23以后的期间为通常动作期间，时间点t21～时间点t23的期间为监视处理时间。时间点t22～时间点t23的测定期间相当于电量测定期间。此外，本实施方式中的通常动作期间，为在显示部500进行通常的图像显示的期间。
从图14可以看出，在通常动作期间，从显示控制电路100向写入控制用移位寄存器300提供按每1水平扫描期间交替地变为高电平的两相的时钟信号(时钟信号GCK1和时钟信号GCK2)，从显示控制电路100向监视控制用移位寄存器400提供按每1水平扫描期间交替地变为高电平的两相的时钟信号(时钟信号MCK1和时钟信号MCK2)。
当在时间点t20第(i-1)行的写入控制信号GL(i-1)(未图示) 变为高电平时，该写入控制信号GL(i-1)作为置位信号S(G)被提供给第一单元电路30(i)，因此，第一单元电路30(i)的第一内部节点N(G)(i)的电压电平从低电平变化为高电平。
当到达时间点t21时，在写入控制用移位寄存器300中，时钟信号 GCK1从低电平变化为高电平。时钟信号GCK1作为时钟信号GCLK 被提供给第一单元电路30(i)，因此，第一单元电路30(i)内的第一内部节点N(G)(i)变为已被升压的状态，第i行的写入控制信号GL(i)从低电平变化为高电平。另外，通过写入控制信号GL(i)从低电平变化为高电平，第一单元电路30(i+1)内的第一内部节点N(G) (i+1)的电压电平从低电平变化为高电平。
另外，当到达时间点t21时，在监视控制用移位寄存器400中，从第二单元电路40(i-1)输出的输出信号Q(M)(i-1)从低电平变化为高电平。该输出信号Q(M)(i-1)作为置位信号S(M)被提供给第二单元电路40(i)，因此，第二单元电路40(i)内的第二内部节点 N(M)(i)的电压电平从低电平变化为高电平。此外，在时间点t21，监视使能信号ENA维持在低电平，因此，第(i-1)行的监视控制信号 ML(i-1)(未图示)维持在低电平。
如以上所述，当到达时间点t21时，第i行的写入控制线GL(i) 变为选择状态。由此，在第i行的像素电路50中，晶体管T1变为导通状态。此时，从数据线驱动电路210向数据线DL供给测定用电压(在此，测定用电压为使晶体管T2为导通状态的电压)。因此，如在图15中用符号75表示的箭头那样，从数据线DL向像素电路50内供给电流。由此，电容Cst基于测定用电压被充电，晶体管T2变为导通状态。另外，在时间点t21，第i行的监视控制线ML(i)为非选择状态，因此，在第i行的像素电路50中，晶体管T3维持在截止状态。根据以上所述，在时间点t21～时间点t22的期间，如在图15中用符号76表示的箭头那样，通过晶体管T2向有机EL元件OLED供给驱动电流。据此，有机EL元件OLED以与驱动电流相应的亮度进行发光。
当到达时间点22时，在写入控制用移位寄存器300中，时钟信号 GCK1从高电平变化为低电平。由此，写入控制信号GL(i)从高电平变化为低电平，第一单元电路30(i)内的第一内部节点N(G)(i) 的电压电平降低。在时间点t22，时钟信号GCK2维持在低电平。因此，与通常动作期间不同，第一单元电路30(i+1)内的第一内部节点N(G) (i+1)不会被升压。
另外，当到达时间点22时，在监视控制用移位寄存器400中，时钟信号MCK1从低电平变化为高电平。时钟信号MCK1作为时钟信号 MCLK被提供给第二单元电路40(i)，因此，第二单元电路40(i)内的第2内部节点N(M)(i)变为已被升压的状态，从第二单元电路40(i)输出的输出信号Q(M)(i)从低电平变化为高电平。另外，在时间点t22，监视使能信号ENA从低电平变化为高电平。因此，在时间点t22，伴随着输出信号Q(M)(i)从低电平变化为高电平，第 i行的监视控制信号ML(i)也从低电平变化为高电平。另外，通过输出信号Q(M)(i)从低电平变化为高电平，第二单元电路40(i+1) 内的第二内部节点N(M)(i+1)的电压电平从低电平变化为高电平。
如以上所述，当到达时间点t22时，写入控制线GL(i)变为非选择状态。由此，在第i行的像素电路50中，晶体管T1变为截止状态。另外，在时间点t22，监视使能信号ENA变为高电平，由此，基于输出信号Q(M)(i)，监视控制线ML(i)变为选择状态。由此，在第 i行的像素电路50中，晶体管T3变为导通状态。其结果，如在图16 中用符号77表示的箭头那样，通过晶体管T3向数据线DL输出驱动电流。然后，由电流测定电路220进行该驱动电流的测定。此外，测定期间的长度优选设定为能够高精度地进行驱动电流的测定的长度。因此，在本实施方式，如图14所示，在几个水平扫描期间(比1个水平扫描期间长的期间)，显示控制电路100将监视使能信号ENA维持在高电平，使时钟信号GCK1、GCK2、MCK1和MCK2的时钟动作停止。由此，确保了足够长度的测定期间(时间点t22～时间点t23的期间)。
当到达时间点t23时，在写入控制用移位寄存器300中，时钟信号 GCK2从低电平变化为高电平。时钟信号GCK2作为时钟信号GCLK 被提供给第一单元电路30(i+1)，因此，第一单元电路30(i+1)内的第一内部节点N(G)(i+1)变为已被升压的状态，第(i+1)行的写入控制信号GL(i+1)从低电平变化为高电平。此时，从数据线驱动电路210向数据线DL供给数据电压。由此，在时间点t23～时间点t24 的期间中，在第(i+1)行的像素电路50中进行基于数据电压的写入。另外，通过写入控制信号GL(i+1)从低电平变化为高电平，第一单元电路30(i)内的第一内部节点N(G)(i)的电压电平变为低电平。
另外，当到达时间点t23时，在监视控制用移位寄存器400中，监视使能信号ENA从高电平变化为低电平，时钟信号MCK2从低电平变化为高电平。时钟信号MCK2作为时钟信号MCLK被提供给第二单元电路40(i+1)，因此，时钟信号MCK2从低电平变化为高电平，由此，第二单元电路40(i+1)内的第二内部节点N(M)(i+1)变为已被升压的状态，从第二单元电路40(i+1)输出的输出信号Q(M)(i+1) 从低电平变化为高电平。由此，第二单元电路40(i)内的第二内部节点N(M)(i)的电压电平、输出信号Q(M)(i)和监视控制信号 ML(i)变为低电平。此外，在时间点t23，监视使能信号ENA从高电平变化为低电平，因此，第(i+1)行的监视控制信号ML(i+1)维持在低电平。
如以上所述，在时间点t21～时间点t23的期间进行监视处理后，在时间点t23以后的期间进行通常动作。此外，在监视处理中得到的数据作为监视数据MO从源极驱动器200被提供给显示控制电路100。然后，在显示控制电路100中，基于监视数据MO对视频信号进行校正。由此，能够补偿驱动晶体管或有机EL元件等电路元件的劣化。
此外，优选在比时间点t23稍迟的时刻使监视使能信号ENA变化为低电平，使得在监视处理期间结束后，使监视控制信号ML(i)可靠地变为低电平。
＜1.6监视行的选择＞
在此，对如何进行监视行的选择进行说明。图17是用于对与监视行的选择相关的第一例子进行说明的图，图18是用于对与监视行的选择相关的第二例子进行说明的图。在图17和图18中，用粗点线示意性地表示了写入控制线GL的选择状态，用黑色圆点示意性地表示了监视控制线ML的选择状态。
＜1.6.1第一例子＞
在第一例子中，在各帧中使1行为监视行。即，在各帧中，使1 条监视控制线ML为选择状态。从图17可以看出，当在某帧中使第k 行的监视控制线ML(k)为选择状态时，在其下一帧中使第(k+1)行的监视控制线ML(k)为选择状态。另外，在进行监视处理的帧中，监视行的写入控制线GL和监视行的监视控制线ML彼此同步地成为选择状态。根据这样的第一例子，能够在n帧期间进行所有的行的监视处理。
＜1.6.2第二例子＞
在第二例子中，按每2帧使1行为监视行。即，按每2帧使1条监视控制线ML为选择状态。从图18可以看出，当在某帧中使第k行的监视控制线ML(k)为选择状态时，在其后的第2帧中使第(k+1) 行的监视控制线ML(k)为选择状态。另外，与第一例子同样，在进行监视处理的帧中，监视行的写入控制线GL和监视行的监视控制线 ML彼此同步地成为选择状态。根据这样的第二例子，能够在大约2n 帧期间进行所有的行的监视处理。在电路元件的特性变化比较小的情况下，通过采用第二例子，能够降低电力消耗。
＜1.6.3其他＞
此外，不限于第一例子或第二例子，也可以按每3帧以上的期间使1行为监视行，也可以在1帧中使2个以上的行为监视行。
此外，在本实施方式中，显示控制电路100控制写入控制用移位寄存器300的动作和监视控制用移位寄存器400的动作，使得被提供给监视行的写入控制线GL的写入控制信号GL和被提供给监视行的监视控制线ML的监视控制信号ML彼此同步地成为导通电平。通过采用这样监视行的写入控制线GL和监视行的监视控制线ML彼此同步地成为选择状态的构成，能够防止写入控制用移位寄存器300和监视控制用移位寄存器400的动作复杂化。
＜1.7关于单元电路内的构成要素的电流驱动能力＞
参照图1对单元电路(第一单元电路30和第二单元电路40)内的构成要素的电流驱动能力进行说明。从图1可以看出，除了在第二单元电路40中设置有晶体管T49和输出端子49这一点以外，第一单元电路30和第二单元电路40具有同样的构成。但是，在本实施方式中，如以下说明的那样，对于单元电路内的构成要素，在第一单元电路30 和第二单元电路40中在电流驱动能力上设有差异。
＜1.7.1升压电路＞
使监视控制线ML变为选择状态，以使像素电路50(参照图5) 内的晶体管T3变为导通状态，使得能够进行驱动电流的测定。与此相对，使写入控制线GL变为选择状态，以使像素电路50内的晶体管T1 变为导通状态，使得像素电路50内的电容Cst根据目标亮度被充电。这样使写入控制线GL变为选择状态，是为了对电容Cst进行充电。另外，监视控制线ML维持选择状态的期间，如图14所示，为比1个水平扫描期间长的长度的期间。与此相对，写入控制线GL维持选择状态的期间，为1个水平扫描期间。这样，写入控制线GL维持选择状态的期间的长度，比监视控制线GL维持选择状态的期间的长度短。因此，如果写入控制信号GL的上升缓慢，那么有可能不能充分地进行对电容 Cst的充电。
因此，在本实施方式中，采用了“第一升压电路320的电流驱动能力比第二升压电路420的电流驱动能力大”的构成。例如，通过使第一单元电路30内的晶体管T32的沟道宽度比第二单元电路40内的晶体管T42的沟道宽度大，能够使第一升压电路320的电流驱动能力比第二升压电路420的电流驱动能力大。另外，例如，通过使第一单元电路30内的晶体管T32的沟道长度比第二单元电路40内的晶体管 T42的沟道长度短，也能够使第一升压电路320的电流驱动能力比第二升压电路420的电流驱动能力大。由此，写入控制信号GL的上升时间比监视控制信号ML的上升时间短，能够抑制由对电容Cst的充电不足引起的显示品质降低。
＜1.7.2输出节点重置电路＞
如图14所示，监视控制线ML，在设定为比1个水平扫描期间长的长度的测定期间结束后，变为非选择状态。此时，当假设在监视控制线ML产生了低电平的信号输出电压时，在像素电路50中在晶体管 T3有可能产生漏电流。当在晶体管T3产生漏电流时，数据电压向像素电路50的写入(基于数据电压的对电容Cst的充电)无法正常地进行，显示品质降低。
因此，在本实施方式中，采用了“第二输出节点重置电路430的电流驱动能力比第一输出节点重置电路330的电流驱动能力大”的构成。例如，通过使第二单元电路40内的晶体管T43的沟道宽度比第一单元电路30内的晶体管T33的沟道宽度大，能够使第二输出节点重置电路430的电流驱动能力比第一输出节点重置电路330的电流驱动能力大。由此，监视控制信号ML的下降时间比写入控制信号GL的下降时间短，能够抑制显示品质的降低。
此外，监视控制信号ML会受到第二内部节点N(M)的电压电平的影响，因此，进一步优选采用“第二内部节点重置电路440的电流驱动能力比第一内部节点重置电路340的电流驱动能力大”的构成。由此，能够更可靠地使监视控制信号ML的下降时间变短，能够有效地抑制显示品质降低。
＜1.7.3提高电路的电流驱动能力的方法＞
作为提高电路的电流驱动能力的方法，例示了使该电路内的晶体管的沟道宽度增大，但是本发明不限于此。例如，通过使晶体管的沟道长度变短或者使晶体管的栅极电容量增大也能够提高电流的驱动能力。另外，通过采用具有背沟道结构的晶体管，也能够增大每单位尺寸的有效的电流驱动能力。进一步，通过对晶体管的组成进行适当调整或者进行驱动电压条件的参数调整，也能够实现电流驱动能力的提高。
＜1.8效果＞
根据本实施方式，有机EL显示装置1构成为能够对流过像素电流 50内的驱动晶体管T2的电流进行测定。然后，根据测定的电流，对视频信号进行校正。因此，能够补偿驱动晶体管T2的劣化。在此，在本实施方式中采用了以下的构成：在显示部500的一侧设置驱动写入控制线GL的写入控制用移位寄存器300，并且在显示部500的另一侧设置驱动监视控制线ML的监视控制用移位寄存器400。在这样的构成中，第一升压电路(构成写入控制用移位寄存器300的单元电路内的升压电路)320的电流驱动能力，比第二升压电路(构成监视控制用移位寄存器400的单元电路内的升压电路)420的电流驱动能力大。因此，写入控制信号GL的上升时间变得比监视控制信号ML的上升时间短，能够抑制由对电容Cst的充电不足引起的显示品质降低。另外，第二输出节点重置电路(构成监视控制用移位寄存器400的单元电路内的输出节点重置电路)430的电流驱动能力，比第一输出节点重置电路(构成写入控制用移位寄存器300的单元电路内的输出节点重置电路)330 的电流驱动能力大。因此，监视控制信号ML的下降时间变得比写入控制信号GL的下降时间短，能够抑制显示品质的降低。通过以上所述，根据本实施方式，能够实现能够不产生显示品质降低或异常动作地进行监视处理的、包括互相独立的两个移位寄存器(写入控制用移位寄存器300和监视控制用移位寄存器400)的构成的有机EL显示装置。
＜1.9变形例＞
＜1.9.1单元电路的构成的变形例＞
＜1.9.1.1第一变形例＞
在上述第一实施方式中，在监视控制用移位寄存器400内的第二单元电路40中，设置有第二输出控制电路450以控制来自第二升压电路420的输出(参照图11)。但是，本发明不限于此。也可以采用设置第二输出控制电路450以控制向第二升压电路420的输出的构成(本变形例的构成)。
图19是表示本变形例中的第二单元电路40的概略构成的框图。图20是表示本变形例中的第二单元电路40的详细构成的电路图。在本变形例中，与上述第一实施方式不同，第二输出控制电路450设置在第二传送电路410与第二升压电路420之间。第二输出控制电路450 这样构成，因此，上述第一实施方式中的第二内部节点被分割为比第二输出控制电路450更靠输入侧的区域和比第二输出控制电路450更靠输出侧的区域。此外，在此，为方便说明，将比第二控制电路450 更靠输入侧的区域和比第二输出控制电路450更靠输出侧的区域均称为“第二内部节点”。但是，对比第二输出控制电路450更靠输入侧的区域标注符号N(M)a，对比第二输出控制电路450更靠输出侧的区域标注符号N(M)b。在本变形例中，由晶体管T42(第二升压电路 420)、晶体管T49(第二输出控制电路450)和输出端子48实现第二信号输出电路。
构成第二输出控制电路450的晶体管T49的栅极端子被提供监视使能信号ENA，该晶体管T49的漏极端子与晶体管T41的源极端子和晶体管T44的漏极端子连接，该晶体管T49的源极端子与晶体管T42 的栅极端子连接。另外，在本变形例中，从各第二单元电路40输出的输出信号Q(M)，作为重置信号R(M)被提供给前一级的第二单元电路40，作为置位信号S(M)被提供给后一级的第二单元电路40，作为监视控制信号ML被提供给对应的监视控制线ML。
在如上所述的构成中，当在第二内部节点N(M)a和第二内部节点N(M)b两者为低电平时置位信号S(M)变为高电平时，第二内部节点N(M)a的电压电平从低电平变化为高电平。然后，当在第二内部节点N(M)a的电压电平为高电平时监视使能信号ENA变为高电平时，第二内部节点N(M)b的电压电平也从低电平变化为高电平。其结果，根据时钟信号MCLK从低电平向高电平的变化，输出信号Q (M)变为高电平，与该第二单元电路40对应的监视控制线ML变为选择状态。与此相对，当在第二内部节点N(M)a的电压电平为高电平时监视使能信号ENA维持在低电平时，第二内部节点N(M)b的电压电平维持在低电平。因此，不论时钟信号MCLK的时钟动作如何，输出信号Q(M)都维持在低电平。即，监视控制线ML维持在非选择状态。此外，通常，用于使第二内部节点N(M)b的电位可靠地从高电平变化为低电平的电路设置在第二单元电路40内。
如以上所述，根据本变形例的构成，也能够基于监视使能信号ENA 控制来自第二单元电路40的监视控制信号ML的输出。这样，对于第二单元电路40，也能够采用在第二传送电路410与第二升压电路420 之间设置有第二输出控制电路450的构成。
在本变形例的构成中，当向第二单元电路40输入高电平的置位信号S(M)时，由第二传送电路410向第二内部节点N(M)a传送高电平的信号(以下，将该被传送的信号称为“传送信号”)。在这样的状态下，在输出信号Q(M)要维持在低电平的整个期间，监视使能信号ENA维持在低电平。然后，当监视使能信号ENA从低电平变化为高电平时，作为高电平的信号的上述传送信号被进一步向第二输出节点N(M)b传送。在此，如果从传送信号被传送至第二内部节点N(M) a直到进一步被传送至第二内部节点N(M)b的期间长，那么直到监视使能信号变化为高电平为止，传送信号的电压电平(第二内部节点N (M)a的电压电平)有可能降低。因此，如图21所示，优选在第二传送电路410与第二输出控制电路450之间包括用于将传送信号的电压电平维持在高电平的保持电路(第二保持电路460)。通过包括这样的第二保持电路460，能够抑制第二单元电路40的动作不良的发生。
＜1.9.1.2第二变形例＞
在上述第一实施方式中，为了控制来自第二单元电路40的监视控制信号ML(输出信号Q2(M))的输出，在第二单元电路40内设置有基于监视使能信号ENA进行动作的第二输出控制电路450。但是，本发明不限于此。也能够像本变形例那样，采用在第二单元电路40内没有设置第二输出控制电路450的构成(即，不使用监视使能信号ENA 的构成)。
图22是表示本变形例中的第二单元电路40的概略构成的框图。图23是表示本变形例中的第二单元电路40的详细构成的电路图。在本变形例中，在第二单元电路40中没有设置第二输出控制电路450。另外，在本变形例中，对第二单元电路40提供3个时钟信号MCLK1、MCLK2和MCLK3。详细地说，时钟信号MCLK1被提供给构成第二内部节点重置电路440的晶体管T44的栅极端子，时钟信号MCLK2 被提供给构成第二输出节点重置电路430的晶体管T43的栅极端子，时钟信号MCLK3被提供给构成第二升压电路420的晶体管T42的漏极端子。此外，在本变形例中，由晶体管T42(第二升压电路420)和输出端子48实现第二信号输出电路。
在以上那样的构成中，通过适当地控制时钟信号MCLK1、MCLK2 和MCLK3的时钟动作的停止和重新开始，在本变形例中也能够在期望的时刻进行监视处理。
＜1.9.1.3第三变形例＞
在上述第一实施方式中，测定期间的长度被设定为比1个水平扫描期间长的长度(参照图14)，使得能够高精度地进行监视处理。因此，第二内部节点N(M)的电压电平需要在比较长的期间维持在高电平。因此，优选采用第二单元电路40内包括用于将第二内部节点N(M) 的电压电平维持在高电平的保持电路的构成(本变形例的构成)。
图24是表示本变形例中的第二单元电路40的概略构成的框图。图25是表示本变形例中的第二单元电路40的详细构成的电路图。如图24所示，在本变形例中，在第二单元电路40中设置有用于保持从第二传送电路410向第二内部节点N(M)传送的高电平的置位信号S(M)的电压电平的第二保持电路460。该第二保持电路460，如图25 所示，由电容Ca构成。电容Ca的一端与第二内部节点N(M)连接，电容Ca的另一端与移位寄存器用低电平电源电压VSS用的输出端子连接。
根据本变形例，在第二传送电路410与第二升压电路420之间设置有保持电路(第二保持电路460)。因此，即使在某个第二单元电路 40中从第二内部节点N(M)的电压电平从低电平变化为高电平的时间点直到要开始输出有效的监视控制信号ML的时间点为止的期间比较长的情况下，也能够将第二内部节点N(M)的电压电平维持在高电平。由此，能够抑制第二单元电路40的动作不良的产生。
如上所述，在本变形例中，在第二单元电路40内设置有第二保持电路460。因此，使第二内部节点N(M)从已被升压的状态变为重置状态(低电平的状态)所需要的时间，本变形例比上述第一实施方式长。如果假设在监视处理期间结束后，第二内部节点N(M)没有快速地变为重置状态，那么会发生动作不良。因此，优选采用“第二内部节点重置电路440的电流驱动能力比第一内部节点重置电路340的电流驱动能力大”的构成。这例如能够通过使第一单元电路30内的晶体管T34的沟道宽度比第二单元电路40内的晶体管T44的沟道宽度大而实现(参照上述第一变形例)。由此，能够抑制由第二内部节点N(M) 没有快速地变为重置状态引起的动作不良的发生。
另外，可以在第一单元电路30内也设置与上述第二保持电路460 相同的保持电路(第一保持电路)。该情况下，优选采用“第二保持电路460的信号保持能力比第一保持电路的信号保持能力大”的构成。这是因为，与第一内部节点N(G)相比，第二内部节点N(M)需要在更长的期间将电压电平维持在高电平。
＜1.9.1.4第四变形例＞
在上述第一实施方式中，仅在第一单元电路30和第二单元电路40 中的第二单元电路40中设置有输出控制电路，但是本发明不限于此。也能够像本变形例那样，采用在第一单元电路30中也设置有输出控制电路的构成。
图26是表示本变形例中的第一单元电路30的概略构成的框图。图27是表示本变形例中的第一单元电路30的详细构成的电路图。本变形例中的第一单元电路30的构成，与上述第一实施方式中的第二单元电路40的构成(参照图11)相同。此外，在此，将控制第一单元电路30内的输出控制电路(第一输出控制电路350)的动作的使能信号称为“写入使能信号”。对写入使能信号标注符号ENAg。在本变形例中，由晶体管T32(第一升压电路320)、晶体管T39(第一输出控制电路350)、输出端子38和输出端子39实现第一信号输出电路。
如上所述，写入控制线GL维持在选择状态的期间的长度，比监视控制线ML维持在选择状态的期间的长度短，因此，如果写入控制信号GL的上升缓慢，那么对像素电路50内的电容Cst的充电有可能无法充分进行。因此，优选采用“第一输出控制电路350的电流驱动能力比第二输出控制电路450的电流驱动能力大”的构成。由此，写入控制信号GL的上升时间比监视控制信号ML的上升时间变短，能够抑制由对电容Cst的充电不足引起的显示品质降低。
＜1.9.2监视处理期间的变形例＞
在上述第一实施方式中，在进行通常的显示图像的期间中进行监视处理，但是本发明不限于此。因此，以下，对监视处理期间的各种变形例进行说明。
＜1.9.2.1第五变形例＞
显示装置存在例如待机中的期间等没有进行特别有意义的图像显示的期间。在这样的期间中也能够进行监视处理。因此，将在进行所谓的“整面画面”的显示的期间中进行监视处理的例子作为上述第一实施方式的第五变形例进行说明。
本变形例中的写入控制用移位寄存器300(包含第一单元电路30) 和监视控制用移位寄存器400(包含第二单元电路40)的构成，与上述第一实施方式相同。图28是用于对本变形例中的写入控制线GL和监视控制线ML的驱动方法进行说明的时序图。在图28中，时间点t31 以前的期间和时间点t33以后的期间为通常动作期间，时间点t31～时间点t33的期间为监视处理期间。时间点t32～时间点t33的测定期间相当于电量测定期间。此外，本变形例中的通常动作期间，为在显示部500进行“整面画面”的显示的期间。
在直到时间点t32为止的期间，进行与上述第一实施方式中的直到时间点t22为止的期间同样的动作。但是，在本变形例中，在时间点t32 以前的期间中，从数据线驱动电路210向数据线DL供给初始化用数据电压(初始化信号)。此外，初始化用数据电压为用于显示整面画面的一定大小的电压。
当到达时间点t32时，在写入控制用移位寄存器300中，时钟信号 GCK1从高电平变化为低电平。由此，写入控制用信号GL(i)从高电平变化为低电平，第一单元电路30(i)内的第一内部节点N(G)(i) 的电压电平降低。在时间点t32，时钟信号GCK2维持在低电平。因此，与通常动作期间不同，第一单元电路30(i+1)内的第一内部节点N(G) (i+1)不会被升压。
另外，当到达时间点t32时，在监视控制用移位寄存器400中，时钟信号MCK1从低电平变化为高电平。由此，第二单元电路40(i)内的第二内部节点N(M)(i)变为已被升压的状态，从第二单元电路 40(i)输出的输出信号Q(M)(i)从低电平变化为高电平。此外，在时间点t32，监视使能信号ENA从低电平变化为高电平。因此，第i 行的监视控制信号ML(i)从低电平变化为高电平。此外，通过输出信号Q(M)(i)从低电平变化为高电平，第二单元电路40(i+1)内的第二内部节点N(M)(i+1)的电压电平从低电平变化为高电平。
如以上所述，当到达时间点t32时，写入控制线GL(i)变为非选择状态，监视控制线ML(i)变为选择状态。由此，在第i行的像素电路50中，晶体管T1变为截止状态，晶体管T3变为导通状态。其结果，通过晶体管T3向数据线DL输出驱动电流，由电流测定电路220进行该驱动电流的测定。
当到达时间点t33时，在写入控制用移位寄存器300中，时钟信号 GCK1从低电平变化为高电平。由此，第一单元电路30(i)内的第一内部节点N(G)(i)变为已被升压的状态，第i行的写入控制信号GL (i)从低电平变化为高电平。此时，从数据线驱动电路210向数据线DL供给初始化用数据电压。由此，在时间点t33～时间点t34的期间，在第i行的像素电路50中进行基于初始化用数据电压的写入。
另外，当到达时间点t33时，在监视控制用移位寄存器400中，监视使能信号ENA从高电平变化为低电平，时钟信号MCK2从低电平变化为高电平。通过时钟信号MCK2从低电平变化为高电平，第二单元电路40(i+1)内的第二内部节点N(M)(i+1)变为已被升压的状态，从第二单元电路40(i+1)输出的输出信号Q(M)(i+1)从低电平变化为高电平。由此，第二单元电路40(i)内的第二内部节点N(M) (i)的电压电平、输出信号Q(M)(i)和监视控制信号ML(i)变为低电平。此外，在时间点t33，监视使能信号ENA从高电平变化为低电平，因此，第(i+1)行的监视控制信号ML(i+1)维持在低电平。
当到达时间点t34时，在写入控制用移位寄存器300中，时钟信号 GCK2从低电平变化为高电平。由此，第一单元电路30(i+1)内的第一内部节点N(G)(i+1)变为已被升压的状态，第(i+1)行的写入控制信号GL(i+1)从低电平变化为高电平。由此，第一单元电路30 (i)的第一内部节点N(G)(i)的电压电平变为低电平。
如以上所述，在时间点t31～时间点t33的期间进行监视处理后，在时间点t33以后的期间进行通常动作。此外，在监视处理中得到的数据作为监视数据MO从源极驱动器200被提供给显示控制电路100。然后，在进行通常的图像显示时，在显示控制电路100中，基于监视数据MO对视频信号进行校正。由此，能够补偿驱动晶体管或者有机EL 元件等电路元件的劣化。
在如上述第一实施方式那样在进行通常的图像显示的期间(即，进行基于任意的数据电压的写入的期间)中进行监视处理的情况下，在根据测定用电压对电容Cst进行充电时，有时在像素间充电率会产生偏差。这样的充电率的偏差，会成为驱动电流的测定结果的误差的原因。当测定结果存在误差时，不能充分补偿电路元件的劣化。关于这一点，在本变形例中，除测定期间以外，向数据线DL供给一定大小的电压，因此，在根据测定用电压对电容Cst进行充电时，在像素间充电率不会产生偏差。因此，能够高精度地进行驱动电流的测定，充分地补偿电路元件的劣化。
另外，在显示特定图案的图像的情况下，与点亮部分对应的像素附近的温度和与熄灭部分对应的像素附近的温度之间会产生差异。这样的温度的差异，也会成为驱动电流的测定结果的误差的原因。关于这一点，在本变形例中，在通常动作期间在整个显示部500进行基于相同大小的电压的写入，因此，在像素间几乎不会产生温度的差异。因此，能够高精度地进行驱动电流的测定，充分补偿电路元件的劣化。
＜1.9.2.2第六变形例＞
显示装置存在例如垂直回扫期间和电源刚接通后的期间等没有进行写入控制线GL的扫描的期间。因此，将在垂直回扫期间中进行监视处理的例子作为上述第一实施方式的第六变形例进行说明。此外，以下，将没有进行写入控制线GL的扫描的期间称为“非扫描期间”。
本变形例中的写入控制用移位寄存器300(包含第一单元电路30) 和监视控制用移位寄存器400(包含第二单元电路40)的构成，与上述第一实施方式相同。图29是用于对本变形例中的写入控制线GL和监视控制线ML的驱动方法进行说明的时序图。在图29中，时间点 t41～时间点t43的期间为监视处理期间。时间点t42～时间点t43的测定期间相当于电量测定期间。
从图29可以看出，在整个非扫描期间，不论时钟信号GCK1、GCK2 的动作如何，任一个写入控制线GL都不会成为选择状态。监视控制用移位寄存器400与上述第五变形例同样地动作。由此，在时间点t41～时间点t43的期间进行监视处理。
＜1.9.2.3第七变形例＞
在上述第一实施方式和上述第一～第六变形例中，以定期地进行监视处理作为前提，但是在不定期地进行监视处理的情况下也能够应用本发明。因此，将构成为能够从外部控制是否执行监视处理的例子作为上述第一实施方式的第七变形例进行说明。
在本变形例中，有机EL显示装置构成为，能够从外部控制来自监视控制用移位寄存器400内的各第二单元电路40的有效的监视控制信号ML的输出的停止和重新开始。
图30是用于对本变形例中的写入控制线GL和监视控制线ML的驱动方法进行说明的时序图。在此，对在进行图像显示和监视处理的通常动作期间中被提供暂时停止监视处理的执行的指示的例子进行说明。在图30中，时间点t50以前的期间为通常动作期间，时间点t50 以后的期间为监视处理停止期间。即，假设在时间点t50被提供暂时停止监视处理的执行的指示。
在通常动作期间，被提供给写入控制用移位寄存器300的时钟信号GCK1、GCK2的时钟动作和被提供给监视控制用移位寄存器400的时钟信号MCK1、MCK2的时钟动作继续。由此，设置在显示部500 的写入控制线GL(1)～GL(n)依次成为选择状态。此外，在进行监视处理时，例如像上述第一实施方式中的时间点t21～时间点t23的期间那样控制时钟信号GCK1、GCK2、时钟信号MCK1、MCK2和监视使能信号ENA的波形。如以上所述，在通常动作期间进行图像显示或者监视处理。
当到达时间点t50而被提供暂时停止监视处理的执行的指示时，显示控制电路100使时钟信号MCK1、MCK2的时钟动作停止。由此，在监视处理停止期间中，监视控制用移位寄存器400的动作停止。因此，在监视处理停止期间中，不进行监视处理即测定驱动电流的处理。这样，例如在电路元件的特性变化(经时变化)小时，能够使监视处理长时间停止。
＜1.9.3监视对象的变形例＞
＜1.9.3.1第八变形例＞
在上述第一实施方式中，在有机EL显示装置1中设置有具有测定从像素电路50向数据线DL输出的电流的功能的源极驱动器200。即，为了得到像素电路50内的电路元件(驱动晶体管T2或者有机EL元件 OLED)的特性，进行电流的测定。但是，本发明不限于此，也可以为了得到像素电路50内的电路元件的特性，进行电压的测定。
图31是用于对本变形例中的源极驱动器200的概略进行说明的图。如图31所示，源极驱动器200包含作为数据线驱动电路210发挥作用的部分和作为电压测定电路230发挥作用的部分。此外，在本变形例中，由电压测定电路230实现电量测定电路。另外，在本变形例的有机EL显示装置中，如图32所示，设置有用于切换数据线DL与数据线驱动电路210连接的状态和数据线DL与电压测定电路230连接的状态的切换部240。构成为：数据线DL基于从显示控制电路100提供给切换部240的切换控制信号SW，与数据线驱动电路210或者电压测定电路230中的任一个连接。
图33是表示电压测定电路230的一个构成例的图。如图33所示，该电压测定电路230中包含放大器231和恒流源232。在这样的构成中，在通过恒流源232向数据线DL供给一定电流的状态下，具有有机EL 用低电平电源电压ELVSS的电极与节点233之间的电压通过放大器231放大。然后，放大后的电压被提供给AD转换器25(参照图5)。
如以上所述，在采用代替电流的测定进行电压的测定的构成的情况下，也能够获得TFT特性和OLED特性，能够基于该获得的信息进行视频信号的校正等。
＜2.第二实施方式＞
＜2.1显示部的构成＞
对本发明的第二实施方式进行说明。整体构成与上述第一实施方式相同，因此省略说明(参照图2)。以下，仅对与上述第一实施方式不同的地方进行说明。图34是用于对本实施方式中的显示部500的构成进行说明的图。在本实施方式中，与上述第一实施方式不同，写入控制线和监视控制线共用作作为1条控制线的共用控制线CL(作为1 条控制线的共用控制线CL被用作写入控制线和监视控制线)。即，在本实施方式中，代替上述第一实施方式中的n条写入控制线GL(1)～ GL(n)和n条监视控制线ML(1)～ML(n)，在显示部500配设有n条共用控制线CL(1)～CL(n)。与共用控制线CL(1)～CL(n) 和数据线DL(1)～DL(m)的各交叉点对应地设置有像素电路50。另外，与上述第一实施方式相同，在显示部500配设有有机EL用高电平电源线ELVDD和有机EL用低电平电源线ELVSS。进一步，在显示部500，以与m条数据线DL(1)～DL(m)一对一地对应的方式，配设有m条监视线RL(1)～RL(m)。此外，将被提供给共用控制线 CL的信号称为“共用控制信号”。对共用控制信号标注与共用控制线相同的符号CL。
＜2.2像素电路的构成＞
图35是表示本实施方式中的像素电路50的构成的电路图。该像素电路50包括1个有机EL元件(电光学元件)OLED和3个晶体管 T1～T3。晶体管T1作为对像素进行选择的输入晶体管发挥作用，晶体管T2作为控制向有机EL元件OLED的电流供给的驱动晶体管发挥作用，晶体管T3作为监视控制晶体管发挥作用，该监视控制晶体管控制是否进行用于检测驱动晶体管的特性或者有机EL元件OLED的特性的电流测定。
晶体管T1设置在数据线DL(j)与晶体管T2的栅极端子之间。该晶体管T1的栅极端子与共用控制线CL(i)连接，该晶体管T1的源极端子与数据线DL(j)连接。晶体管T2与有机EL元件OLED串联设置。该晶体管T2的栅极端子与晶体管T1的漏极端子连接，该晶体管T2的漏极端子与有机EL用高电平电源线ELVDD连接，该晶体管T2的源极端子与有机EL元件OLED的阳极端子连接。晶体管T3 的栅极端子与共用控制线CL(i)连接，晶体管T3的漏极端子与有机 EL元件OLED的阳极端子连接，晶体管T3的源极端子与监视线RL (j)连接。有机EL元件OLED的阴极端子与有机EL用低电平电源线ELVSS连接。此外，数据线DL与数据线驱动电路210连接，监视线RL与电流测定电路220连接。
＜2.3写入控制用移位寄存器和监视控制用移位寄存器的构成＞
本实施方式中的写入控制用移位寄存器300的构成与上述第一实施方式相同(参照图6～图8)。但是，在本实施方式中，输出端子38 与共用控制线CL连接。本实施方式中的监视控制用移位寄存器400 的构成与上述第一实施方式相同(参照图10～图12)。但是，在本实施方式中，输出端子49与共用控制线CL连接。
＜2.4驱动方法＞
图36是用于对监视处理期间附近的共用控制线CL的驱动方法进行说明的时序图。在此，也假设第i行为监视行。另外，假设在进行通常的图像显示的期间中进行监视处理。在图36中，时间点t61以前的期间和时间点t63以后的期间为通常动作期间(在显示部500进行通常的图像显示的期间)，时间点t61～时间点t63的期间为监视处理期间。
当在时间点t60，第(i-1)行的共用控制信号CL(i-1)(未图示) 变为高电平时，该共用控制信号CL(i-1)作为置位信号S(G)被提供给第一单元电路30(i)，因此，第一单元电路30(i)内的第一内部节点N(G)(i)的电压电平从低电平变化为高电平。
当到达时间点t61时，在写入控制用移位寄存器300中，时钟信号 GCK1从低电平变化为高电平。时钟信号GCK1作为时钟信号GCLK 被提供给第一单元电路30(i)，因此，第一单元电路30(i)内的第一内部节点N(G)(i)成为已被升压的状态。由此，第i行的共用控制信号CL(i)从低电平变化为高电平。另外，通过共用控制信号CL(i) 从低电平变化为高电平，第一单元电路30(i+1)内的第一内部节点N (G)(i+1)的电压电平从低电平变化为高电平。
另外，当到达时间点t61时，在监视控制用移位寄存器400中，从第二单元电路40(i-1)输出的输出信号Q(M)(i-1)从低电平变化为高电平。该输出信号Q(M)(i-1)作为置位信号S(M)被提供给第二单元电路40(i)，因此，第二单元电路40(i)内的第二内部节点N(M)(i)的电压电平从低电平变化为高电平。
如以上所述，当到达时间点t61时，第i行的共用控制线CL(i) 变为选择状态。由此，在第i行的像素电路50中，晶体管T1和晶体管T3变为导通状态。由此，供给数据线DL的数据电压被提供给晶体管T2的栅极端子，并且供给监视线RL的监视电压被提供给晶体管T2的源极端子。其结果，基于数据电压与监视电压的电压差，晶体管T2 变为导通状态，产生从有机EL用高电平电源线ELVDD通过晶体管 T2、T3向监视线RL流动的电流。此外，假设设定数据电压的值和监视电压的值，使得数据电压与监视电压的电压差比晶体管T2的阈值电压大。
然而，图35中用符号NA表示的节点的电压电平，与监视电压的电压电平大致相等。根据该节点NA的电压电平与有机EL用低电平电源电压ELVSS的电压电平的关系，有可能除了产生从有机EL用高电平电源线ELVDD向监视线RL流动的电流以外，还产生从有机EL用高电平电源线ELVDD向有机EL用低电平电源线ELVSS流动的电流 (在有机EL元件OLED中流动的电流)。在这样的情况下，在晶体管 T2和有机EL元件OLED中流动电流，因此，即使测定在监视线RL 中流动的电流，也不能正确地检测晶体管T2的特性。因此，在检测晶体管T2的特性时，为了使得在晶体管T2中流动电流、并且在有机EL 元件OLED中不流动电流，只要设定数据电压的值和监视电压的值使得下式(1)和下式(2)成立即可。
VG-VNA＞Vth(T)…(1)
VNA-VL＜Vth(O)…(2)
在此，VG表示晶体管T2的栅极电压的值，VNA表示节点NA的电压的值，VL表示有机EL用低电平电源电压ELVSS的值，Vth(T) 表示晶体管T2的阈值电压的值，Vth(O)表示有机EL元件OLED的阈值电压的值。
此外，在检测有机EL元件OLED的特性时，为了使得在有机EL 元件OLED中流动电流、并且在晶体管T2中不流动电流，只要设定数据电压的值和监视电压的值使得下式(3)和下式(4)成立即可。
VG-VNA＜Vth(T)…(3)
VNA-VL＞Vth(O)…(4)
当到达时间点t62时，在写入控制用移位寄存器300中，时钟信号 GCK1从高电平变化为低电平。由此，第一单元电路30(i)内的第一内部节点N(G)(i)的电压电平降低。在时间点t62，时钟信号GCK2 维持在低电平。因此，与通常动作期间不同，第一单元电路30(i+1)内的第一内部节点N(G)(i+1)不会被升压。
另外，当到达时间点t62时，在监视控制用移位寄存器400中，时钟信号MCK1从低电平变化为高电平。时钟信号MCK1作为时钟信号 MCLK被提供给第二单元电路40(i)，因此，第二单元电路40(i)内的第二内部节点N(M)(i)成为已被升压的状态，从第二单元电路 40(i)输出的输出信号Q(M)(i)从低电平变化为高电平。另外，在时间点t62，监视使能信号ENA从低电平变化为高电平。因此，在时间点t62，第i行的共用控制信号CL(i)维持在高电平。另外，通过输出信号Q(M)(i)从低电平变化为高电平，第二单元电路40(i+1) 内的第二内部节点N(M)(i+1)的电压电平从低电平变化为高电平。
如以上所述，在时间点t62，共用控制线CL(i)维持选择状态。另外，在时间点t62～时间点t63的整个期间，显示控制电路100将监视使能信号ENA维持在高电平，使时钟信号GCK1、GCK2、MCK1 和MCK2的时钟动作停止。在时间点t62～时间点t63的期间中，由电流测定电路220进行在监视线RL中流动的驱动电流的测定。
当到达时间点t63时，在监视控制用移位寄存器400中，监视使能信号ENA从高电平变化为低电平。由此，在第二单元电路40中，输出端子48和输出端子49成为电切断的状态(参照图12)。另外，当到达时间点t63时，在写入控制用移位寄存器300中，时钟信号GCK2 从低电平变化为高电平。时钟信号GCK2作为时钟信号GCLK被提供给第一单元电路30(i+1)，因此，第一单元电路30(i+1)内的第一内部节点N(G)(i+1)变成已被升压的状态，第(i+1)行的共用控制信号CL(i+1)从低电平变化为高电平。此时，从数据线驱动电路210 向数据线DL供给数据电压。由此，在时间点t63～时间点t64的期间，在第(i+1)行的像素电路50中进行基于数据电压的写入。另外，共用控制信号CL(i+1)作为重置信号R(G)被提供给第一单元电路30，因此，通过共用控制信号CL(i+1)从低电平变化为高电平，第一单元电路30(i)内的第一内部节点N(G)(i)和输出端子38的电压电平变为低电平。根据以上所述，在时间点t63，即使第二单元电路40(i) 内的第二内部节点N(M)(i)的电压电平和输出信号Q(M)(i)维持在高电平，共用控制信号CL(i+1)也变为低电平。
当到达时间点t64时，时钟信号MCK2从低电平变化为高电平。时钟信号MCK2作为时钟信号MCLK被提供给第二单元电路40(i+1)，因此，通过时钟信号MCK2从低电平变化为高电平，第二单元电路40 (i+1)内的第二内部节点N(M)(i+1)成为已被升压的状态，从第二单元电路40(i+1)输出的输出信号Q(M)(i+1)从低电平变化为高电平。由此，第二单元电路40(i)内的第二内部节点N(M)(i) 的电压电平和输出信号Q(M)(i)变为低电平。
如以上所述，在时间点t61～时间点t63的期间进行监视处理后，在时间点t63以后的期间进行通常动作。然后，基于在监视处理中得到的数据，对视频信号进行校正，由此，能够补偿电路元件的劣化。
＜2.5单元电路内的构成要素的电流驱动能力＞
与上述第一实施方式同样，在本实施方式中，也采用了“第一升压电路320的电流驱动能力比第二升压电路420的电流驱动能力大”的构成。由此，通常的数据电压的写入处理时的共用控制信号CL的上升时间，比监视处理时的共用控制信号CL的上升时间短。其结果，能够抑制由对电容Cst的充电不足引起的显示品质的降低。
另外，与上述第一实施方式同样，在本实施方式中，也采用了“第二输出节点重置电路430的电流驱动能力比第一输出节点重置电路 330的电流驱动能力大”的构成。由此，在监视处理期间结束时，也能够使共用控制信号CL快速下降，能够抑制显示品质的降低。
＜2.6效果＞
在本实施方式中，与上述第一实施方式同样，也能够实现能够不产生显示品质降低或异常动作地进行监视处理的、包括互相独立的两个移位寄存器(写入控制用移位寄存器300和监视控制用移位寄存器 400)的构成的有机EL显示装置。
另外，根据本实施方式，与上述第一实施方式相比，能够使配线数量减少，因此，能够高精细化。另外，例如，也能够采用如下构成：准备通过使监视控制用移位寄存器400的动作停止而仅进行用于图像显示的写入动作的模式、和进行写入动作和监视动作两者的模式，能够根据电路元件的特性变化(经时变化)来选择模式。
＜3.其他＞
本发明不限于上述的各实施方式(包含变形例)，能够在不脱离本发明的主旨的范围内进行各种变形而实施。例如，在上述各实施方式中，列举有机EL显示装置为例进行了说明，但是只要是包括由电流驱动的自发光型显示元件的显示装置，也能够将本发明应用于有机EL显示装置以外的显示装置。
另外，例如，在上述各实施方式中，列举通过电源线供给有机EL 用低电平电源电压ELVSS为例进行了说明，但是也可以设置对显示部 500整个面提供一定的电位的电极(以下，为方便起见，称为“整面电极”)，将该整面电极的电位设定为与上述有机EL用低电平电源电压 ELVSS相等的电位。对于有机EL用高电平电源电压ELVDD也是同样。作为整面电极，有使光透过的透明整面电极和对光进行反射的反射整面电极。作为使用这样的整面电极的构成，能够根据与光的取出方法相关的构造等，采用例如以下的第一～第三构成。此外，在此，将与上述有机EL用高电平电源电压ELVDD相当的电位表示为ELVDD1，将与上述有机EL用低电平电源电压ELVSS相当的电位表示为 ELVSS1。
(第一构成)
按每列以细线设置ELVDD1用的配线，并且设置ELVSS1用的透明整面电极。该第一构成典型地在具有顶部发光构造的有机EL显示装置中采用。
(第二构成)
按每列以细线设置ELVDD1用的配线，并且设置ELVSS1用的反射整面电极。该第二构成典型地在具有底部发光构造的有机EL显示装置中采用。
(第三构成)
设置ELVDD1用的透明整面电极，并且设置ELVSS1用的透明整面电极。该第三构成典型地在具有顶部发光构造并具有使电源层为独立层的多层配线构造的有机EL显示装置中采用。
符号说明
1…有机EL显示装置
6…有机EL面板
30…第一单元电路(写入控制用移位寄存器内的单元电路)
40…第二单元电路(监视控制用移位寄存器内的单元电路)
50…像素电路
100…显示控制电路
200…源极驱动器
300…写入控制用移位寄存器
320…第一升压电路
330…第一输出节点重置电路
340…第一内部节点重置电路
400…监视控制用移位寄存器
420…第二升压电路
430…第二输出节点重置电路
440…第二内部节点重置电路
500…显示部
T1…输出晶体管
T2…驱动晶体管
T3…监视控制晶体管
Cst…电容
DL，DL(1)～DL(m)…数据线
GL，GL(1)～GL(n)…写入控制线
ML，ML(1)～ML(n)…监视控制线
ENA…监视使能信号

Claims (20)

1.一种显示装置，其具有形成为矩阵状的多个像素电路，其特征在于，包括：
多个写入控制线，该多个写入控制线以与各行对应的方式设置，用于传输写入控制信号，该写入控制信号控制是否向对应行的像素电路写入数据电压；
多个监视控制线，该多个监视控制线以与各行对应的方式设置，用于传输监视控制信号，该监视控制信号控制是否测定表示对应行的像素电路中包含的电路元件的特性的电量；
多个数据线，该多个数据线以与各列对应的方式设置，用于向对应列的像素电路供给所述数据电压；
测定从所述多个像素电路供给的电量的电量测定电路；
写入控制用移位寄存器，该写入控制用移位寄存器包括与所述多个写入控制线1对1地对应的多个级，用于基于第一时钟信号组向所述多个写入控制线依次输出导通电平的写入控制信号；
监视控制用移位寄存器，该监视控制用移位寄存器包括与所述多个监视控制线1对1地对应的多个级，用于基于第二时钟信号组向作为电量测定对象的行的监视行的监视控制线输出导通电平的监视控制信号；
向所述多个数据线施加所述数据电压的数据线驱动电路；和
驱动控制电路，该驱动控制电路控制所述电量测定电路、所述写入控制用移位寄存器、所述监视控制用移位寄存器和所述数据线驱动电路的动作，
构成所述写入控制用移位寄存器的各级的第一单元电路包括：
第一内部节点；
第一传送电路，该第一传送电路向所述第一内部节点传送从构成本级的前一级的第一单元电路输出的导通电平的信号；
第一信号输出电路，该第一信号输出电路包括与和本级对应的写入控制线连接的第一输出节点、和基于所述第一时钟信号组中包含的时钟信号提高所述第一内部节点的电压电平的第一升压电路，用于从所述第一输出节点输出与提供给所述第一升压电路的时钟信号的电压电平相等的电压电平的写入控制信号；
用于使所述第一内部节点的电压电平成为截止电平的第一内部节点重置电路；和
用于使所述第一输出节点的电压电平成为截止电平的第一输出节点重置电路，
构成所述监视控制用移位寄存器的各级的第二单元电路包括：
第二内部节点；
第二传送电路，该第二传送电路向所述第二内部节点传送从构成本级的前一级的第二单元电路输出的导通电平的信号；
第二信号输出电路，该第二信号输出电路包括与和本级对应的监视控制线连接的第二输出节点、和基于所述第二时钟信号组中包含的时钟信号提高所述第二内部节点的电压电平的第二升压电路，用于从所述第二输出节点输出与提供给所述第二升压电路的时钟信号的电压电平相等的电压电平的监视控制信号；
用于使所述第二内部节点的电压电平成为截止电平的第二内部节点重置电路；和
用于使所述第二输出节点的电压电平成为截止电平的第二输出节点重置电路，
所述第一升压电路的电流驱动能力比所述第二升压电路的电流驱动能力大，
所述第二输出节点重置电路的电流驱动能力比所述第一输出节点重置电路的电流驱动能力大，
所述驱动控制电路控制所述写入控制用移位寄存器的动作，使得在电量测定期间，导通电平的写入控制信号向所述多个写入控制线的输出停止，其中，所述电量测定期间是要由所述电量测定电路进行电量的测定的期间，
并且所述驱动控制电路控制所述监视控制用移位寄存器的动作，使得在所述电量测定期间，向所述监视行的监视控制线输出导通电平的监视控制信号，
所述第二信号输出电路还包括第二输出控制电路，该第二输出控制电路基于第二使能信号控制来自所述第二输出节点的导通电平的监视控制信号的输出，
所述第二输出控制电路，以将所述第二内部节点分割为2个区域的方式，设置在所述第二传送电路与所述第二升压电路之间的区域。
2.如权利要求1所述的显示装置，其特征在于：
所述多个数据线将从对应列的像素电路供给的电量传输至所述电量测定电路，
各像素电路包括：
写入控制晶体管，该写入控制晶体管的控制端子与对应的写入控制线连接，该写入控制晶体管的第二导通端子与对应的数据线连接；
监视控制晶体管，该监视控制晶体管的控制端子与对应的监视控制线连接，该监视控制晶体管的第二导通端子与对应的数据线连接；
驱动晶体管，该驱动晶体管的控制端子与所述写入控制晶体管的第一导通端子连接，该驱动晶体管的第一导通端子被提供导通电平的电源电压，该驱动晶体管的第二导通端子与所述监视控制晶体管的第一导通端子连接；和
有机EL元件，该有机EL元件的阳极端子与所述驱动晶体管的第二导通端子连接，该有机EL元件的阴极端子被提供截止电平的电源电压。
3.如权利要求1所述的显示装置，其特征在于：
所述显示装置还包括多个监视线，该多个监视线以与各列对应的方式设置，用于将从对应列的像素电路供给的电量传输至所述电量测定电路，
写入控制线和监视控制线共用作作为1条控制线的共用控制线，
各像素电路包括：
写入控制晶体管，该写入控制晶体管的控制端子与对应的共用控制线连接，该写入控制晶体管的第二导通端子与对应的数据线连接；
监视控制晶体管，该监视控制晶体管的控制端子与对应的共用控制线连接，该监视控制晶体管的第二导通端子与对应的监视线连接；
驱动晶体管，该驱动晶体管的控制端子与所述写入控制晶体管的第一导通端子连接，该驱动晶体管的第一导通端子被提供导通电平的电源电压，该驱动晶体管的第二导通端子与所述监视控制晶体管的第一导通端子连接；和
有机EL元件，该有机EL元件的阳极端子与所述驱动晶体管的第二导通端子连接，该有机EL元件的阴极端子被提供截止电平的电源电压。
4.如权利要求1所述的显示装置，其特征在于：
所述第一信号输出电路还包括第一输出控制电路，该第一输出控制电路基于第一使能信号控制来自所述第一输出节点的导通电平的写入控制信号的输出，
所述第一输出控制电路的电流驱动能力比所述第二输出控制电路的电流驱动能力大。
5.如权利要求1所述的显示装置，其特征在于：
所述第二单元电路还包括第二保持电路，该第二保持电路用于保持从所述第二传送电路传送至所述第二内部节点的导通电平的信号。
6.如权利要求5所述的显示装置，其特征在于：
所述第二内部节点重置电路的电流驱动能力比所述第一内部节点重置电路的电流驱动能力大。
7.如权利要求5所述的显示装置，其特征在于：
所述第一单元电路还包括第一保持电路，该第一保持电路用于保持从所述第一传送电路传送至所述第一内部节点的导通电平的信号，
所述第二保持电路的信号保持能力比所述第一保持电路的信号保持能力大。
8.如权利要求1所述的显示装置，其特征在于：
所述驱动控制电路控制所述写入控制用移位寄存器的动作和所述监视控制用移位寄存器的动作，使得在导通电平的写入控制信号向所述多个写入控制线的输出停止的期间中，向所述监视行的监视控制线输出导通电平的监视控制信号。
9.如权利要求1所述的显示装置，其特征在于：
能够从外部控制由所述监视控制用移位寄存器进行的导通电平的监视控制信号的输出的停止和重新开始。
10.如权利要求1所述的显示装置，其特征在于：
所述驱动控制电路控制所述写入控制用移位寄存器的动作和所述监视控制用移位寄存器的动作，使得被提供给所述监视行的写入控制线的写入控制信号和被提供给所述监视行的监视控制线的监视控制信号彼此同步地成为导通电平。
11.一种显示装置，其具有形成为矩阵状的多个像素电路，其特征在于，包括：
多个写入控制线，该多个写入控制线以与各行对应的方式设置，用于传输写入控制信号，该写入控制信号控制是否向对应行的像素电路写入数据电压；
多个监视控制线，该多个监视控制线以与各行对应的方式设置，用于传输监视控制信号，该监视控制信号控制是否测定表示对应行的像素电路中包含的电路元件的特性的电量；
多个数据线，该多个数据线以与各列对应的方式设置，用于向对应列的像素电路供给所述数据电压；
测定从所述多个像素电路供给的电量的电量测定电路；
写入控制用移位寄存器，该写入控制用移位寄存器包括与所述多个写入控制线1对1地对应的多个级，用于基于第一时钟信号组向所述多个写入控制线依次输出导通电平的写入控制信号；
监视控制用移位寄存器，该监视控制用移位寄存器包括与所述多个监视控制线1对1地对应的多个级，用于基于第二时钟信号组向作为电量测定对象的行的监视行的监视控制线输出导通电平的监视控制信号；
向所述多个数据线施加所述数据电压的数据线驱动电路；和
驱动控制电路，该驱动控制电路控制所述电量测定电路、所述写入控制用移位寄存器、所述监视控制用移位寄存器和所述数据线驱动电路的动作，
构成所述写入控制用移位寄存器的各级的第一单元电路包括：
第一内部节点；
第一传送电路，该第一传送电路向所述第一内部节点传送从构成本级的前一级的第一单元电路输出的导通电平的信号；
第一信号输出电路，该第一信号输出电路包括与和本级对应的写入控制线连接的第一输出节点、和基于所述第一时钟信号组中包含的时钟信号提高所述第一内部节点的电压电平的第一升压电路，用于从所述第一输出节点输出与提供给所述第一升压电路的时钟信号的电压电平相等的电压电平的写入控制信号；
用于使所述第一内部节点的电压电平成为截止电平的第一内部节点重置电路；和
用于使所述第一输出节点的电压电平成为截止电平的第一输出节点重置电路，
构成所述监视控制用移位寄存器的各级的第二单元电路包括：
第二内部节点；
第二传送电路，该第二传送电路向所述第二内部节点传送从构成本级的前一级的第二单元电路输出的导通电平的信号；
第二信号输出电路，该第二信号输出电路包括与和本级对应的监视控制线连接的第二输出节点、和基于所述第二时钟信号组中包含的时钟信号提高所述第二内部节点的电压电平的第二升压电路，用于从所述第二输出节点输出与提供给所述第二升压电路的时钟信号的电压电平相等的电压电平的监视控制信号；
用于使所述第二内部节点的电压电平成为截止电平的第二内部节点重置电路；和
用于使所述第二输出节点的电压电平成为截止电平的第二输出节点重置电路，
所述第一升压电路的电流驱动能力比所述第二升压电路的电流驱动能力大，
所述第二输出节点重置电路的电流驱动能力比所述第一输出节点重置电路的电流驱动能力大，
所述驱动控制电路控制所述写入控制用移位寄存器的动作，使得在电量测定期间，导通电平的写入控制信号向所述多个写入控制线的输出停止，其中，所述电量测定期间是要由所述电量测定电路进行电量的测定的期间，
并且所述驱动控制电路控制所述监视控制用移位寄存器的动作，使得在所述电量测定期间，向所述监视行的监视控制线输出导通电平的监视控制信号，
所述驱动控制电路，在所述电量测定期间使所述第一时钟信号组的时钟动作停止，由此，使由所述写入控制用移位寄存器进行的导通电平的写入控制信号向所述多个写入控制线的输出停止。
12.如权利要求11所述的显示装置，其特征在于：
所述多个数据线将从对应列的像素电路供给的电量传输至所述电量测定电路，
各像素电路包括：
写入控制晶体管，该写入控制晶体管的控制端子与对应的写入控制线连接，该写入控制晶体管的第二导通端子与对应的数据线连接；
监视控制晶体管，该监视控制晶体管的控制端子与对应的监视控制线连接，该监视控制晶体管的第二导通端子与对应的数据线连接；
驱动晶体管，该驱动晶体管的控制端子与所述写入控制晶体管的第一导通端子连接，该驱动晶体管的第一导通端子被提供导通电平的电源电压，该驱动晶体管的第二导通端子与所述监视控制晶体管的第一导通端子连接；和
有机EL元件，该有机EL元件的阳极端子与所述驱动晶体管的第二导通端子连接，该有机EL元件的阴极端子被提供截止电平的电源电压。
13.如权利要求11所述的显示装置，其特征在于：
所述显示装置还包括多个监视线，该多个监视线以与各列对应的方式设置，用于将从对应列的像素电路供给的电量传输至所述电量测定电路，
写入控制线和监视控制线共用作作为1条控制线的共用控制线，
各像素电路包括：
写入控制晶体管，该写入控制晶体管的控制端子与对应的共用控制线连接，该写入控制晶体管的第二导通端子与对应的数据线连接；
监视控制晶体管，该监视控制晶体管的控制端子与对应的共用控制线连接，该监视控制晶体管的第二导通端子与对应的监视线连接；
驱动晶体管，该驱动晶体管的控制端子与所述写入控制晶体管的第一导通端子连接，该驱动晶体管的第一导通端子被提供导通电平的电源电压，该驱动晶体管的第二导通端子与所述监视控制晶体管的第一导通端子连接；和
有机EL元件，该有机EL元件的阳极端子与所述驱动晶体管的第二导通端子连接，该有机EL元件的阴极端子被提供截止电平的电源电压。
14.如权利要求11所述的显示装置，其特征在于：
所述第二单元电路还包括第二保持电路，该第二保持电路用于保持从所述第二传送电路传送至所述第二内部节点的导通电平的信号。
15.如权利要求14所述的显示装置，其特征在于：
所述第二内部节点重置电路的电流驱动能力比所述第一内部节点重置电路的电流驱动能力大。
16.如权利要求14所述的显示装置，其特征在于：
所述第一单元电路还包括第一保持电路，该第一保持电路用于保持从所述第一传送电路传送至所述第一内部节点的导通电平的信号，
所述第二保持电路的信号保持能力比所述第一保持电路的信号保持能力大。
17.如权利要求11所述的显示装置，其特征在于：
所述驱动控制电路控制所述写入控制用移位寄存器的动作和所述数据线驱动电路的动作，使得至少在紧接着所述电量测定期间之前的期间，向所述监视行的写入控制线输出导通电平的写入控制信号，并且，向所述多个数据线施加初始化信号。
18.如权利要求11所述的显示装置，其特征在于：
所述驱动控制电路控制所述写入控制用移位寄存器的动作和所述监视控制用移位寄存器的动作，使得在导通电平的写入控制信号向所述多个写入控制线的输出停止的期间中，向所述监视行的监视控制线输出导通电平的监视控制信号。
19.如权利要求11所述的显示装置，其特征在于：
能够从外部控制由所述监视控制用移位寄存器进行的导通电平的监视控制信号的输出的停止和重新开始。
20.如权利要求11所述的显示装置，其特征在于：
所述驱动控制电路控制所述写入控制用移位寄存器的动作和所述监视控制用移位寄存器的动作，使得被提供给所述监视行的写入控制线的写入控制信号和被提供给所述监视行的监视控制线的监视控制信号彼此同步地成为导通电平。
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