CN107450272B - 离轴照明装置 - Google Patents

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Abstract

本发明提出了一种离轴照明装置，采用离轴照明方式，可以调整照明光的入射角度和偏振态，满足不同方向对准标记的照明需求，特别是在光栅周期达波长量级时，照明光的偏振对衍射效率的影响变得明显，并且装置结构简单易于加工实现，整个系统能量利用率高，此外，还可以处理对准测量中的非对称误差。

Description

离轴照明装置
技术领域
本发明涉及光刻领域，尤其涉及一种离轴照明装置。
背景技术
随着光刻工艺的发展，光刻工艺对套刻精度要求越来越高。但是如何进一步提高对准的精度，成为新型对准的研究目标。目前，常用的提高对准精度的方法为收集更高级次的衍射光，或者利用周期更小的对准标记。但是这两种方法均需要提高对准装置的数值孔径(NA)，如果简单的通过改变对准物镜镜头的方式提高数值孔径，考虑到对其测量装置(如调焦调平测量装置)的影响，对准装置的工作距就必须增加，而且数值孔径越大，工作距增加的越快，工作距增加将导致对准装置的后端元件异常庞大。因此，对准物镜数值孔径增加到一定程度后，就需要考虑采用其他结构来有效的采集高级次衍射光。
另外，当对准标记的周期减小到对准装置照明光波长量级时，照明光束的偏振态对对准标记衍射的影响显著增加。
发明内容
本发明的目的在于提供一种离轴照明装置，使对准装置在不改变物镜数值孔径的条件下，探测更小的对准标记，并且收集更高级次的衍射光。
为了实现上述目的，本发明提出了一种离轴照明装置，包括：照明光纤、光源发射器、光束调节转换装置、波片、第一分光棱镜、第二分光棱镜、对准物镜及探测装置；所述照明光纤将多波长的光束打入至光源发射器，再由所述光源发射器将不同位置的光束发射至所述光束调节转换装置的一侧，所述光束调节转换装置将接收的光束进行分离和转折，并在另一侧将光束发射出，所述光束分别经过所述波片、第一分光棱镜、第二分光棱镜和对准物镜照射至硅片面标记上；由硅片面衍射的信号光被对准物镜收集，通过所述第一分光棱镜和/或第二分光棱镜被所述探测装置收集信号；所述第一分光棱镜的环形区域镀高反射膜。
进一步的，在所述的离轴照明装置中，所述探测装置包括第一探测装置和第二探测装置，所述第一探测装置包括第一探测物镜和第一探测器；所述第二探测装置包括第二探测物镜和第二探测器；硅片面衍射的信号光经过所述第一探测物镜和第二探测物镜分别照射至第一探测器和第二探测器上。
进一步的，在所述的离轴照明装置中，所述硅片面衍射的信号光被对准物镜收集，并通过所述第二分光棱镜被所述第一探测装置收集信号，还通过所述第二分光棱镜和第一分光棱镜被所述第一探测装置收集信号。
进一步的，在所述的离轴照明装置中，所述光束调节转换装置包括PBS棱镜、1/2波片和直角棱镜；其中，1/2波片的两个通光面分别与PBS棱镜和直角棱镜粘接；PBS棱镜立方体边长与光源发射器的发射端面边长一致；在所述直角棱镜的两个直角面镀内反膜。
进一步的，在所述的离轴照明装置中，所述波片为1/2波片，由两个直角三角形的1/2波片组合而成，两个1/2波片的快轴相对夹角为45°或者135°。
进一步的，在所述的离轴照明装置中，所述光源发射器的端口位于水平和垂直方向。
在本发明的另一方面还提出了一种离轴照明装置，包括：照明光纤、光源发射器、光束调节转换装置、波片、分光棱镜、对准物镜及探测装置；所述照明光纤将多波长的光束打入至光源发射器，再由所述光源发射器将不同位置的光束发射至所述光束调节转换装置的一侧，所述光束调节转换装置将接收的光束进行分离和转折，并在另一侧将光束发射出，所述光束分别经过所述波片、分光棱镜和对准物镜照射至硅片面标记上；由硅片面衍射的信号光被对准物镜收集，通过所述分光棱镜被所述探测装置收集信号；所述分光棱镜的环形区域镀高反射膜。
进一步的，在所述的离轴照明装置中，所述探测装置包括第一探测装置和第二探测装置，所述第一探测装置包括第一探测物镜和第一探测器；所述第二探测装置包括第二探测物镜和第二探测器；硅片面衍射的信号光经过所述第一探测物镜和第二探测物镜分别照射至第一探测器和第二探测器上。
进一步的，在所述的离轴照明装置中，所述探测装置还包括1/2波片、自参考棱镜及PBS棱镜，硅片面衍射的信号光被对准物镜收集，通过所述分光棱镜照射至所述1/2波片上，经过所述自参考棱镜和PBS棱镜分别被第一探测装置和第二探测装置进行信号收集。
进一步的，在所述的离轴照明装置中，所述光束调节转换装置包括PBS棱镜、1/2波片和直角棱镜；其中，1/2波片的两个通光面分别与PBS棱镜和直角棱镜粘接；PBS棱镜立方体边长与光源发射器的发射端面边长一致；在所述直角棱镜的两个直角面镀内反膜。
进一步的，在所述的离轴照明装置中，所述波片为1/2波片，由两个直角三角形的1/2波片组合而成，两个1/2波片的快轴相对夹角为45°或者135°。
进一步的，在所述的离轴照明装置中，所述光源发射器的端口位于与水平和垂直呈22.5°的方向上。
与现有技术相比，本发明的有益效果主要体现在：采用离轴照明方式，可以调整照明光的入射角度和偏振态，满足不同方向对准标记的照明需求，特别是在光栅周期达波长量级时，照明光的偏振对衍射效率的影响变得明显，并且装置结构简单易于加工实现，整个系统能量利用率高，此外，还可以处理对准测量中的非对称误差。
附图说明
图1为本发明实施例一中离轴照明装置的结构示意图；
图2为本发明实施例一中光源发射器的结构示意图；
图3为本发明实施例一中光束调节转换装置的结构示意图；
图4为本发明实施例一中光束调节转换装置对于图像的转折作用示意图；
图5为本发明实施例一中光束调节转换装置对于光束偏振态的转折作用示意图；
图6为本发明实施例一中波片的结构示意图；
图7为本发明实施例一中第一分光棱镜的结构示意图；
图8为图1中(1)、(2)和(3)面处的光束偏振态；
图9为本发明实施例一中衍射光的主要通道；
图10为本发明实施例二中离轴照明装置的结构示意图；
图11为本发明实施例二中光源发射器的结构示意图；
图12为图10中(1)、(2)、(3)和(4)面处的光束偏振态；
图13为本发明实施例二中衍射光的主要通道。
具体实施方式
下面将结合示意图对本发明的离轴照明装置进行更详细的描述，其中表示了本发明的优选实施例，应该理解本领域技术人员可以修改在此描述的本发明，而仍然实现本发明的有利效果。因此，下列描述应当被理解为对于本领域技术人员的广泛知道，而并不作为对本发明的限制。
为了清楚，不描述实际实施例的全部特征。在下列描述中，不详细描述公知的功能和结构，因为它们会使本发明由于不必要的细节而混乱。应当认为在任何实际实施例的开发中，必须做出大量实施细节以实现开发者的特定目标，例如按照有关系统或有关商业的限制，由一个实施例改变为另一个实施例。另外，应当认为这种开发工作可能是复杂和耗费时间的，但是对于本领域技术人员来说仅仅是常规工作。
在下列段落中参照附图以举例方式更具体地描述本发明。根据下面说明和权利要求书，本发明的优点和特征将更清楚。需说明的是，附图均采用非常简化的形式且均使用非精准的比例，仅用以方便、明晰地辅助说明本发明实施例的目的。
实施例一
请参考图1，在本实施例中，提出了一种离轴照明装置，包括：照明光纤1、光源发射器2、光束调节转换装置3、波片4、第一分光棱镜5、第二分光棱镜6、对准物镜7及探测装置；所述照明光纤1将多波长的光束打入至光源发射器2，再由所述光源发射器2将不同位置的光束发射至所述光束调节转换装置3的一侧，所述光束调节转换装置3将接收的光束进行分离和转折，并在另一侧将光束发射出，所述光束分别经过所述波片4、第一分光棱镜5、第二分光棱镜6和对准物镜7照射至硅片面标记8上；由硅片面衍射的信号光被对准物镜7收集，通过所述第一分光棱镜5和/或第二分光棱镜6被所述探测装置收集信号；所述第一分光棱镜5的环形区域镀高反射膜(如图7所示)。
在本实施例中，所述探测装置包括第一探测装置和第二探测装置，所述第一探测装置包括第一探测物镜9和第一探测器10；所述第二探测装置包括第二探测物镜11和第二探测器12；硅片面衍射的信号光经过所述第一探测物镜9和第二探测物镜11分别照射至第一探测器10和第二探测器上12。所述硅片面衍射的信号光被对准物镜7收集，并通过所述第二分光棱镜6被所述第一探测装置收集信号，还通过所述第二分光棱镜6和第一分光棱镜5被所述第一探测装置收集信号。
请参考图3，所述光束调节转换装置3包括PBS棱镜31、两个1/2波片32和33和两个直角棱镜34和35；其中，其中1/2波片(32)、(33)的两个通光面分别于PBS棱镜31和直角棱镜34和35粘接，其快轴方向与X轴成±22.5°或与Y轴成±22.5°；PBS棱镜31立方体边长应与光源发射装置2发射端面边长一致。
请参考图4，图4中显示的是光束调节转换装置3对于图像的转折的作用，出射光束为A-B，光束调节转换装置3将其中一路图像作180°旋转，变成B-A，而另一路不作旋转，依旧为A-B。
请参考图5，图5是光束调节转换装置3对于光束偏振态的转折作用示意图，入射光束中的垂直和水平方向(如图实线和虚线所示)偏振态将分别作相对90°旋转，需要指出的是，直角棱镜34和35的两个直角面需要镀内反膜。
请参考图6，所述波片为1/2波片，由两个直角三角形的1/2波片组合而成，两个1/2波片的快轴相对夹角为45°或者135°。其中一个1/2波片41，其为0°/90°，另一个为45°/135°。
其中，光源发射端口2的位置分布图2示，分水平和竖直两个方向。假设只有三种颜色，分别在水平和竖直位置分别为L1，L2，L3，波长越长距离轴心的距离越大，具体为：
L1＝Ftan(θ1)
L2＝Ftan(θ2)
L3＝Ftan(θ3)
其中，入射角θ1、θ2、θ3应满足：
Figure BDA0001006137120000061
Figure BDA0001006137120000062
Figure BDA0001006137120000063
这里，F为对准物镜焦距，λ1、λ2、λ3分别为不同颜色光的波长，XP为对准标记的周期，NA为对准物镜最大数值孔径。
按上述方法，在垂直于对准标记的方向将会接收不同颜色光的±1级衍射光，探测器12将探测到不同颜色光叠加相干产生的正弦信号，根据工艺需要选择最佳的颜色光信号作为最终的对准信号，最后从选择的正弦信号的相位信息中提取出对准的位置信息。
具体公式：
XP(sin(θ)-sin(α))＝kλ
这里离轴照明入射角θ与各颜色光1级次衍射角相等。±1级衍射光将沿垂直于对准标记的方向传播。其干涉叠加光强为：
Figure BDA0001006137120000071
这里A1A-1分别指正负衍射光的幅值，K为波矢，x0为对准标记位置，
Figure BDA0001006137120000072
和
Figure BDA0001006137120000073
表示正负衍射光束在光路中所走不同路径引入的相位。
类似的，关于非对称支路，其处理方法与其类似，通过修正正负两个方向的位置消除非对称误差。
按图(3)的坐标系以PBS棱镜31的中心位置为坐标原点，假设入射光的坐标为(x1，y1，z1)，则出射面坐标为(x2，y2，-z2)和(-x2，y2，z2)，这里y1，z2的关系满足y1＝z2，可以得出，从光束调节转换装置3出射的两束光的位置是关于X轴中心对称的，并且由于PBS棱镜31的作用，其偏振态是相互垂直的；经过1/2波片的区域调整，可以将这两束光的偏振状态调整一致。
请参考图7，第一分光棱镜5胶合面的圆环区域应保证能够覆盖多色光束照明区域，环形区域反射率较高，而内圆区域具有较高的透过率。图8中是光源发射器2光束发射位置不同时，面(1)、(2)、(3)的光束偏振状态。
可见，在本实施例中，由硅片面衍射的信号光将被对准物镜7收集，第二分光棱镜6将大多数衍射光透射过去，同时反射一部分光至第一探测物镜9，由第一探测器10探测，进入第一探测器10的衍射光除了±1级光，还包括其他级次和零级光，这些信息将会被用在处理工艺条件下的非对称校准问题。透过去的衍射光将经过第一分光棱镜5，只有内圆区域的衍射光允许通过，多余的光将被圆环反射。透过的衍射光最后由第二探测物镜11收集至第二探测器组12。
在本实施例的方案中，只针对水平和垂直方向标记，对准标记的衍射光的通道如图9所示，需要指出的是这里可以根据需要进一步拓展其他方向的照明需求。
实施例二
请参考图10，在本实施例提出的离轴照明装置中，包括：照明光纤1、光源发射器2、光束调节转换装置3、波片4、分光棱镜5、对准物镜6及探测装置；所述照明光纤1将多波长的光束打入至光源发射器2，再由所述光源发射器2将不同位置的光束发射至所述光束调节转换装置3的一侧，所述光束调节转换装置3将接收的光束进行分离和转折，并在另一侧将光束发射出，所述光束分别经过所述波片4、分光棱镜5和对准物镜照6射至硅片面标记7上；由硅片面衍射的信号光被对准物镜6收集，通过所述分光棱镜5被所述探测装置收集信号；所述分光棱镜5的环形区域镀高反射膜。
本实施例中大体与实施例一相同，不同之处在于，所述探测装置包括第一探测装置和第二探测装置，所述第一探测装置包括第一探测物镜11和第一探测器13；所述第二探测装置包括第二探测物镜12和第二探测器14；硅片面衍射的信号光经过所述第一探测物镜11和第二探测物镜12分别照射至第一探测器13和第二探测器14上。
所述探测装置还包括1/2波片8、自参考棱镜9及PBS棱镜10，硅片面衍射的信号光被对准物镜6收集，通过所述分光棱镜5照射至所述1/2波片8上，经过所述自参考棱镜9和PBS棱镜10分别被第一探测装置和第二探测装置进行信号收集。
其他部件均与实施例一相同，在此不做赘述，具体可以参考实施例一。
具体步骤为：照明光纤1将多波长激光打入光源发射装置2，光源发射装置2的端口将不同位置的光束的发射出去，出射的激光入射到光束调节转换装置3；光束调节转换装置3将接受的光束进行分离和转折，并在装置的另一侧将激光发射出；1/2波片4将激光束的不同区域进行偏振态变换，使不同区域激光的偏振态修正一致；分光棱镜5(BS棱镜)的环形区域镀高反射膜，入射激光将被反射至对准物镜6，对准物镜6将离轴照明光汇聚于硅片面标记7上。硅片面衍射的信号光将被对准物镜6收集，并照射在分光棱镜5，分光棱镜5将内圆区域的衍射光透射出去，照射在1/2波片8上，其将垂直或水平的偏振态的衍射光转换为45°或135°的偏振光；最后由自参考棱镜9接受，第一探测物镜11和第二探测物镜12将对准信号光分别收集于第一探测器13和第二探测器14上。
图11为本实施例中光源发射装置2的端口详细设计，其与水平轴和垂直轴的夹角均为22.5°。这样设计可以兼顾水平、垂直、45°和135°方向的对准标记。图12是光源发射器2光束发射位置不同时，面(1)、(2)、(3)、(4)的光束偏振状态。图13是该方案下衍射光的主要通道。
综上，在本发明实施例提供的离轴照明装置中，采用离轴照明方式，可以调整照明光的入射角度和偏振态，满足不同方向对准标记的照明需求，特别是在光栅周期达波长量级时，照明光的偏振对衍射效率的影响变得明显，并且装置结构简单易于加工实现，整个系统能量利用率高，此外，还可以处理对准测量中的非对称误差。
上述仅为本发明的优选实施例而已，并不对本发明起到任何限制作用。任何所属技术领域的技术人员，在不脱离本发明的技术方案的范围内，对本发明揭露的技术方案和技术内容做任何形式的等同替换或修改等变动，均属未脱离本发明的技术方案的内容，仍属于本发明的保护范围之内。

Claims (9)

1.一种离轴照明装置，其特征在于，包括：照明光纤、光源发射器、光束调节转换装置、波片、第一分光棱镜、第二分光棱镜、对准物镜及探测装置；所述探测装置包括第一探测装置和第二探测装置；所述照明光纤将多波长的光束打入至光源发射器，再由所述光源发射器将不同位置的光束发射至所述光束调节转换装置的一侧，所述光束调节转换装置将接收的光束进行分离然后将其中一路图像作180°旋转，另一路不作旋转，并在另一侧将光束发射出，所述光束分别经过所述波片、第一分光棱镜、第二分光棱镜和对准物镜照射至硅片面标记上；由硅片面衍射的信号光被对准物镜收集，通过所述第二分光棱镜被所述第一探测装置收集信号，以及通过所述第二分光棱镜和第一分光棱镜被所述第二探测装置收集信号；所述第一分光棱镜的环形区域镀高反射膜；所述光束调节转换装置包括PBS棱镜、两个1/2波片和两个直角棱镜；其中，1/2波片的两个通光面分别与PBS棱镜和直角棱镜粘接，且1/2波片的快轴方向与X轴成22.5°或与Y轴成22.5°；PBS棱镜立方体边长与光源发射器的发射端面边长一致；在所述直角棱镜的两个直角面镀内反膜。
2.如权利要求1所述的离轴照明装置，其特征在于，所述第一探测装置包括第一探测物镜和第一探测器；所述第二探测装置包括第二探测物镜和第二探测器；硅片面衍射的信号光经过所述第一探测物镜照射至所述第一探测器上，硅片面衍射的信号光经过所述第二探测物镜照射至第二探测器上。
3.如权利要求2所述的离轴照明装置，其特征在于，所述硅片面衍射的信号光被对准物镜收集，并通过所述第二分光棱镜被所述第一探测装置收集信号，还通过所述第二分光棱镜和第一分光棱镜被所述第二探测装置收集信号。
4.如权利要求1所述的离轴照明装置，其特征在于，所述波片为1/2波片，由两个直角三角形的1/2波片组合而成，两个1/2波片的快轴相对夹角为45°或者135°。
5.如权利要求1所述的离轴照明装置，其特征在于，所述光源发射器的端口位于水平和垂直方向。
6.一种离轴照明装置，其特征在于，包括：照明光纤、光源发射器、光束调节转换装置、波片、分光棱镜、对准物镜及探测装置；所述照明光纤将多波长的光束打入至光源发射器，再由所述光源发射器将不同位置的光束发射至所述光束调节转换装置的一侧，所述光束调节转换装置将接收的光束进行分离然后将其中一路图像作180°旋转，另一路不作旋转，并在另一侧将光束发射出，所述光束分别经过所述波片、分光棱镜和对准物镜照射至硅片面标记上；由硅片面衍射的信号光被对准物镜收集，通过所述分光棱镜被所述探测装置收集信号；所述分光棱镜的环形区域镀高反射膜；所述光束调节转换装置包括PBS棱镜、两个1/2波片和两个直角棱镜；其中，1/2波片的两个通光面分别与PBS棱镜和直角棱镜粘接，且1/2波片的快轴方向与X轴成22.5°或与Y轴成22.5°；PBS棱镜立方体边长与光源发射器的发射端面边长一致；在所述直角棱镜的两个直角面镀内反膜。
7.如权利要求6所述的离轴照明装置，其特征在于，所述探测装置包括第一探测装置和第二探测装置，所述第一探测装置包括第一探测物镜和第一探测器；所述第二探测装置包括第二探测物镜和第二探测器；硅片面衍射的信号光经过所述第一探测物镜和第二探测物镜分别照射至第一探测器和第二探测器上；所述探测装置还包括1/2波片、自参考棱镜及PBS棱镜，硅片面衍射的信号光被对准物镜收集，通过所述分光棱镜照射至所述1/2波片上，经过所述自参考棱镜和PBS棱镜分别被第一探测装置和第二探测装置进行信号收集。
8.如权利要求6所述的离轴照明装置，其特征在于，所述波片为1/2波片，由两个直角三角形的1/2波片组合而成，两个1/2波片的快轴相对夹角为45°或者135°。
9.如权利要求6所述的离轴照明装置，其特征在于，所述光源发射器的端口位于与水平和垂直呈22.5°的方向上。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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CN109547112B (zh) * 2018-12-07 2022-02-18 武汉华中天经通视科技有限公司 一种空间光通信收发一体化装置
CN110440688B (zh) * 2019-07-19 2021-10-22 清华大学深圳研究生院 一种绝对式光栅尺参考位置测量方法及系统

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103777476A (zh) * 2012-10-19 2014-05-07 上海微电子装备有限公司 一种离轴对准系统及对准方法
CN103869628A (zh) * 2012-12-11 2014-06-18 上海微电子装备有限公司 一种用于光刻设备的自参考干涉对准信号处理系统
CN104321703A (zh) * 2012-04-12 2015-01-28 Asml控股股份有限公司 位置测量方法、位置测量设备、光刻设备以及装置制造方法、光学元件
CN105372943A (zh) * 2014-08-28 2016-03-02 上海微电子装备有限公司 一种用于光刻设备的对准装置

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE60319462T2 (de) * 2002-06-11 2009-03-12 Asml Netherlands B.V. Lithographischer Apparat und Verfahren zur Herstellung eines Artikels

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104321703A (zh) * 2012-04-12 2015-01-28 Asml控股股份有限公司 位置测量方法、位置测量设备、光刻设备以及装置制造方法、光学元件
CN103777476A (zh) * 2012-10-19 2014-05-07 上海微电子装备有限公司 一种离轴对准系统及对准方法
CN103869628A (zh) * 2012-12-11 2014-06-18 上海微电子装备有限公司 一种用于光刻设备的自参考干涉对准信号处理系统
CN105372943A (zh) * 2014-08-28 2016-03-02 上海微电子装备有限公司 一种用于光刻设备的对准装置

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