CN107430160A - 电子元器件的电气特性测定方法以及电气特性测定装置 - Google Patents

Abstract

本发明提供一种具备高测定精度的电子元器件的电气特性测定方法。其包括：预先生成使测定端子和外部电极抵接时的荷重的大小、与电气特性的测定误差量之间的关系式的步骤；使测定端子和电子元器件的外部电极抵接，并利用测定器检测流过电子元器件的电信号，来测定电子元器件的电气特性并得到测定电气特性，同时利用荷重传感器测定该抵接时的荷重的大小并得到荷重值的步骤；以及基于关系式，根据荷重值的大小，来对测定电气特性进行校正的步骤。

Description

电子元器件的电气特性测定方法以及电气特性测定装置

技术领域

本发明涉及电子元器件的电气特性测定方法，更详细而言，涉及具备高测定精度的电子元器件的电气特性测定方法。

另外，本发明涉及适用于上述电子元器件的电气特性测定方法的电气特性测定装置，更详细而言，涉及具备高测定精度的电气特性测定装置。

背景技术

随着电子设备的高功能化、高精度化，电子设备中所使用的电子元器件也要求高特性精度。特别是从安全性的观点出发，医疗用、车载用的电子设备中所使用的电子元器件也要求更高的特性精度。例如，在要求这样高的特性精度的用途中，也存在要求特性精度的偏差的大小从一般的民用用途的1/2减小到1/10或者更低的情况。

为了应对这样的针对电子元器件的高特性精度的要求，在电子元器件的电气特性测定方法、电气特性测定装置中也要求高测定精度。即，需要以高测定精度来测定电子元器件的电气特性，并将偏离作为目标的电气特性值的电子元器件设为不符合规格而不进行使用。

在测定电子元器件的电气特性时，作为产生测定误差的主要原因之一，成为基准的温度(该电气特性的测定所要求的特定的温度；以下称为“基准温度”)与测定时的电子元器件的实际温度(以下称为“测定温度“)存在偏差。即，例如，虽然必须在基准温度即25℃下测定电气特性，但若测定温度偏离25℃，则所测定出的测定电气特性实际上偏离了该电子元器件所具备的25℃下的电气特性。然而，在实际测定电子元器件的电气特性的工厂的生产线等上，因气候、空调的状态、门的开闭以及作业者的人数等而受到影响，因此，难以将测定温度保持为与基准温度相同的温度。

特别地，由于NTC热敏电阻、PTC热敏电阻等热敏电阻是电阻值随温度显著变化的电子元器件，因此在热敏电阻的电阻值测定中，因基准温度和测定温度的偏差而产生的测定误差会成为大问题。

在专利文献1(日本专利特开2007-240158号公报)中公开了解决该问题的电阻值测定方法。

专利文献1所公开的电阻值测定方法中，通过以下步骤来测定热敏电阻的电阻值。

首先，选定严格具备所要求的电气特性的成为基准的基准热敏电阻(基准工件)。选定该基准热敏电阻并不困难。即，例如，在需要在25℃下测定电阻值的情况下，将测定温度严格地保持在25℃，之后对多个热敏电阻的电阻值进行测定，选定严格具备所要求的电阻值的热敏电阻来作为基准热敏电阻即可。基准热敏电阻也可以选定多个。

接着，准备要测定电阻值的被测定热敏电阻(被测定工件)，将测定端子与被测定热敏电阻的外部电极抵接，测定被测定热敏电阻的电阻值，得到测定电阻值R₁。此时，同时在极其接近测定被测定热敏电阻的电阻值的场所的附近，测定基准热敏电阻的电阻值，得到测定电阻值R₀。

接着，通过下式1，求出被测定热敏电阻的测定电阻值R₁相对于基准热敏电阻的测定电阻值R₀的偏差(测定值偏差率)。

偏差(％)＝(R₁-R₀)/R₀×100···(式1)

接着，根据所求出的偏差，进行被测定热敏电阻的合格品/不合格品的判断。具体而言，在所求出的偏差在预先确定的允许范围内的情况下将被测定热敏电阻判断为合格品，在预先确定的允许范围外的情况下将被测定热敏电阻判断为不合格品。

该情况下，被测定热敏电阻和基准热敏电阻配置得极其接近，因此，在测定电阻值的时刻，推定被测定热敏电阻和基准热敏电阻为同一温度来求出偏差，并进行被测定热敏电阻的合格品/不合格品的判断。

即，例如，在基准温度为25℃的情况下，理想的是将被测定热敏电阻的测定温度严格设为25℃来测定电阻值。然而，如上所述，在实际测定电子元器件的电气特性时，由于各种原因，难以将被测定热敏电阻的测定温度保持为与基准温度相同的温度。

因此，在专利文献1所公开的电阻值测定方法中，通过将被测定热敏电阻和基准热敏电阻配置得极其接近，从而推定为被测定热敏电阻和基准热敏电阻为同一温度，在此基础上，求出被测定热敏电阻的测定电阻值R₁相对于基准热敏电阻的测定电阻值R₀的偏差，并进行被测定热敏电阻的合格品/不合格品的判断。

即，专利文献1所公开的电阻值测定方法中，在极大地缩小了因被测定热敏电阻的测定温度和基准温度的差异所引起的测定误差的状态下，进行被测定热敏电阻的合格品/不合格品的判断。

专利文献1所公开的电阻值测定方法中，将基准热敏电阻作为一种精度较高的温度计来使用，从而极大地缩小了因被测定热敏电阻的测定温度和基准温度的差异所引起的测定误差。

(另外，专利文献1所公开的电阻值测定方法的目的在于，尽可能将基准热敏电阻的温度和被测定热敏电阻的温度设为相同，从而求出精度更高的测定值偏差率(偏差)。)

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本专利特开2007-240158号公报

专利文献2：日本专利特开2002-82144号公报

发明内容

发明所要解决的技术问题

专利文献1中所公开的电气特性测定方法(电阻值测定方法)是极大地缩小了因基准温度和测定温度的差异所引起的测定误差的、测定精度较高的电气特性测定方法。

然而，在测定电子元器件的电气特性时，产生测定误差的原因不仅仅是基准温度与测定温度的偏差。

本发明的发明人为了提高电气特性的测定精度，着眼于因测定端子与电子元器件的外部电极抵接时的荷重的偏差而产生的测定误差，并着手对其进行改善。另外，荷重是指在测定端子与电子元器件的外部电极相抵接的时间内所测量出的荷重。

另外，测定端子与电子元器件的外部电极抵接时的荷重的大小的偏差因测定电气特性的电子元器件的形状或尺寸的偏差、外部电极的厚度尺寸的偏差、或测定时的在测定的空腔内的位置等种种原因而产生。

作为本主题的关联技术，存在由专利文献2(日本专利特开2002-82144号公报)公开的电气特性测定方法以及电气特性测定装置(测试处理机)。

专利文献2所公开的电气特性测定方法以及电气特性测定装置是测定对象的电子元器件在下表面形成有多个焊球来作为外部电极的半导体组件。以下，对专利文献2所公开的电气特性测定方法以及电气特性测定装置的概要进行说明。

首先，准备测定装置。测定装置具备真空吸附半导体组件的上表面并使其移动的处理机臂(handler arm)。在处理机臂上组装有按压力传感器。此外，测定装置具备测定用板(board)。在测定用板上朝着上方设置有多个测定端子(弹簧探针)。

接着，用处理机臂真空吸附半导体组件的上表面，使半导体组件移动到测定端子上。

接着，使处理机臂下降，使对应的半导体组件的焊球与测定端子相接触。在使该处理机臂下降时，通过按压力传感器监视按压力，在按压力达到预先确定的基准按压力的时刻，使处理机臂的下降停止。

基准按压力根据以下观点来预先确定。首先，若焊球与测定端子的接触压力较小，则焊球与测定端子的接触电阻不稳定，有可能无法保证所测定出的电气特性值的可靠性。因此，基准按压力设定为使焊球与测定端子的接触电阻稳定的具有一定以上的大小的按压力。然而，若焊球与测定端子的接触压力太大，则有可能在半导体组件的焊球上产生接触痕迹等外观不良的情况。因此，基准按压力设定为使焊球与测定端子的接触电阻稳定的具有一定以上的大小的按压力，并且，设定为比在焊球上产生外观不良的按压力要小的按压力。

接着，在将焊球与测定端子的接触压力保持为基准按压力的状态下，利用测定端子测定半导体组件的电气特性。

由上述内容构成的、在专利文献2中公开的电气特性测定方法以及电气特性测定装置是将焊球与测定端子的接触压力考虑在内的测定精度较高的测定方法，然而存在以下问题。

即，专利文献2所公开的电气特性测定方法中，由于边通过按压力传感器监视焊球与测定端子的接触压力边使处理机臂下降，并在达到基准按压力的时刻使处理机臂的下降停止，因此无法高速地使处理机臂下降，存在测定较为耗时的问题。即，若高速地使处理机臂下降，则在处理机臂的下降停止完成的时刻已经超过了基准按压力，有可能在半导体组件的焊球上产生接触痕迹等外观不良的情况，因此无法高速地使处理机臂下降。专利文献2所公开的电气特性测定方法中，电气特性的测定较为耗时，例如在电子元器件的制造工序中对电气特性进行测定的情况下，存在生产性下降、电子元器件的制造成本变高的问题。

此外，在专利文献2所公开的电气特性测定装置的驱动部分、即处理机臂上组装有按压力传感器。若在驱动部分中组装有按压力传感器，则存在结构变得复杂、测定装置变得昂贵的问题。此外，测定装置的维护作业也较为复杂，存在维护成本变高的问题。由此，专利文献2所公开的电气特性测定装置中，结构较为复杂，也存在昂贵、维护成本较高的问题。

解决技术问题的技术方案

本发明是为了解决上述现有技术问题而完成的。作为其技术方案，本发明的电子元器件的电气特性测定方法是使测定端子和电子元器件的外部电极抵接，并利用与测定端子相连接的测定器检测流过电子元器件的电信号，来测定电子元器件的电气特性的电气特性测定方法，其包括：预先生成使测定端子和外部电极抵接时的荷重的大小、与电气特性的测定误差量之间的关系式的步骤；使测定端子和电子元器件的外部电极抵接，并利用测定器检测流过电子元器件的电信号，来测定电子元器件的电气特性并得到测定电气特性，同时利用荷重传感器测定该抵接时的荷重的大小并得到荷重值的步骤；以及基于关系式，根据荷重值的大小，来对测定电气特性进行校正的步骤。

此外，电子元器件的电气特性测定方法也可以具备根据成为基准的基准温度、与测定时的电子元器件的温度的偏差来对测定电气特性进行校正的步骤。该情况下，在校正因测定端子与电子元器件的外部电极抵接时的荷重而产生的测定误差的基础上，也能一并校正因基准温度和测定温度的偏差而产生的测定误差。

此外，电子元器件的电气特性测定方法也可以具备通过判断电子元器件的校正后的电气特性是否在预先确定的允许范围内从而将电子元器件分类成合格品或不合格品的步骤。该情况下，可以将不具备所要求的电气特性的电子元器件设为不符合规格而不进行使用。

此外，电子元器件的电气特性测定方法也可以具备在荷重值的大小为超过预先确定的阈值而较小、以及超过预先确定的阈值而较大的情况中的至少一种情况下，将该电子元器件判断为不合格品的步骤。在荷重值的大小为超过预先确定的阈值而较小的情况下，测定端子与电子元器件的外部电极的接触电阻较大，有可能在测定出的电气特性中产生超过能进行校正的极限的测定误差。此外，在荷重值的大小为超过预先确定的阈值而较大的情况下，有可能在电子元器件的内部产生破裂等不良、在电子元器件的外部电极上产生接触痕迹等外观不良、或在测定出的电气特性中产生超过能进行校正的极限的测定误差。因此，可以在荷重值的大小为超过预先确定的阈值而较小、以及超过预先确定的阈值而较大的情况中的至少一种情况下，将该电子元器件判断为不合格品，从而将该电子元器件设为不符合规格而不进行使用。

作为进行测定的电气特性，例如，可以举出电阻值。然而，进行测定的电气特性并不限于电阻值，也可以是电容值、电感值等其他电气特性。

此外，作为解决上述现有技术的问题的方法，本发明的电气特性测定装置包括：测定端子，该测定端子与电子元器件的外部电极相抵接；测定器，该测定器与测定端子相连接，检测流过电子元器件的电信号，来对电子元器件的电气特性进行测定；抵接构件，该抵接构件在测定时与电子元器件的、测定端子所抵接的面的相反侧的面相抵接；以及荷重传感器，该荷重传感器设置于该抵接构件，对使测定端子和电子元器件的外部电极抵接时的荷重的大小进行测定。

另外，在上述电气特性测定装置中，也可以将荷重传感器自身作为抵接构件来使用，以代替将荷重传感器设置于抵接构件。

此外，电气特性测定装置也可以包括：存储单元，该存储单元对预先生成的使测定端子和外部电极抵接时的荷重的大小、与电气特性的测定误差量之间的关系式进行存储；以及运算单元，该运算单元基于关系式，根据由荷重传感器所测定出的荷重值的大小，对由测定端子测定出的测定电气特性进行校正。该情况下，能得到对因测定端子和电子元器件的外部电极抵接时的荷重而产生的测定误差进行校正后的精度较高的测定结果。

此外，电气特性测定装置也可以具备根据成为基准的基准温度、与测定时的电子元器件的温度的偏差来对测定电气特性进行校正的运算单元。该情况下，在校正因测定端子与电子元器件的外部电极抵接时的荷重而产生的测定误差的基础上，也能一并校正因基准温度和测定温度的偏差而产生的测定误差。

作为进行测定的电气特性，例如，可以举出电阻值。然而，进行测定的电气特性并不限于电阻值，也可以是电容值、电感值等其他电气特性。

发明效果

根据本发明的电子元器件的电气特性测定方法，能得到对因测定端子和电子元器件的外部电极抵接时的荷重而产生的测定误差进行校正后的精度较高的测定结果。然后，可以基于该测定结果，进行恰当的合格品/不合格品判断。此外，本发明的电气特性测定方法中，不是监视荷重的大小，并对测定端子和电子元器件的外部电极抵接时的荷重大小进行控制，而是对所产生的测定误差进行校正从而得到精度较高的测定结果，因此能够高速驱动测定装置，并对电子元器件的电气特性进行测定。因此，根据本发明的电气特性测定方法，即使例如在电子元器件的制造工序中对电气特性进行测定的情况下，也不会使电子元器件的生产性降低，且不会提高电子元器件的制造成本。

此外，本发明的电气特性测定装置中，能得到对因测定端子和电子元器件的外部电极抵接时的荷重而产生的测定误差进行校正后的精度较高的测定结果。然后，可以基于该测定结果，进行恰当的合格品/不合格品判断。此外，本发明的电气特性测定装置具有在测定时在与电子元器件的、测定端子所抵接的面的相反侧的面相抵接的抵接构件上设置有荷重传感器的简单的结构，制造成本较低。此外，维护作业也较为简单，能将维护成本控制得较低。

附图说明

图1是实施方式1所涉及的电子元器件的电气特性测定方法中所使用的电气特性测定装置100的示意图。

图2是电气特性测定装置100的主要部分剖视图。

图3是基准电子元器件A以及被测定电子元器件B的仰视图。

图4是实施方式1所涉及的电子元器件的电气特性测定方法的流程图。

图5是实施方式2所涉及的电子元器件的电气特性测定方法的流程图。

图6是实施方式3所涉及的电子元器件的电气特性测定方法的流程图。

图7是实施方式4所涉及的电子元器件的电气特性测定方法的流程图。

图8是实施方式5所涉及的电子元器件的电气特性测定方法的流程图。

具体实施方式

以下，与附图一起对用于实施本发明的实施方式进行说明。

[实施方式1]

图1中示出了在本实施方式中使用的电气特性测定装置100。其中，图1是电气特性测定装置100的示意图。另外，图1中也示出了基准电子元器件A以及被测定电子元器件B。

基准电子元器件A以及被测定电子元器件B是同一种类且同一规格的电子元器件，在本实施方式中设为NTC热敏电阻。然而，电子元器件的种类是任意的，并不限于NTC热敏电阻，也可以是PTC热敏电阻、固定电阻、电容器或电感器等。基准电子元器件A具备1对外部电极Aa、Ab，被测定电子元器件B具备1对外部电极Ba、Bb。然而，电子元器件各自具备的外部电极的数量并不限于1对，也可以多于1对。

电气特性测定装置100具备依次提供多个被测定电子元器件B的进料器1。进料器1具备通过电动机进行旋转的旋转板2，使旋转板2旋转，从而依次提供投入到旋转板2上的多个被测定电子元器件B。

进料器1与直线送料器3相连接。直线送料器3具备传送带，从而呈直线状地对由进料器1所提供的被测定电子元器件B进行传送。

直线送料器3与设置于测定底座4的分度工作台5(index table)相连接。分度工作台5呈圆板状，其周围形成有收纳被测定电子元器件B的多个凹部5a。分度工作台5在凹部5a中收纳有被测定电子元器件B的状态下，通过电动机间歇性地进行旋转。

另外，虽然在图1中省略了图示，但在分度工作台5的周围恰当地设置有转位引导件(index guide)，以使得收纳于凹部5a的被测定电子元器件B随着分度工作台5的旋转呈圆形状地被传送。此外，虽然同样在图1中省略了图示，但有时在分度工作台5的上表面设置有转位盖板(index cover)。

测定底座4具备对基准电子元器件A的电气特性进行测定的基准电子元器件测定区域S。

此外，测定底座4在基准电子元器件测定区域S的附近具备对被测定电子元器件B的电气特性进行测定的被测定电子元器件测定区域T。通过分度工作台5依次向被测定电子元器件测定区域T传送被测定电子元器件B。

图2中示出了基准电子元器件测定区域S以及被测定电子元器件测定区域T的剖视图。另外，图2示出了图1的X-X部分。

如图2所示，在基准电子元器件测定区域S中设置有收纳基准电子元器件A的空腔6。空腔6由测定底座4、引导件(guide)7a、7b以及抵接构件8构成。抵接构件8是与基准电子元器件A的上表面抵接的构件。

此外，如图2所示，在被测定电子元器件测定区域T中设置有收纳被测定电子元器件B的空腔9。空腔9由测定底座4、分度工作台5的凹部5a、引导件7c以及抵接构件10构成。抵接构件10是与被测定电子元器件B的上表面抵接的构件。

在空腔6部分的测定底座4中设置有例如4个孔，在这4个孔中配置有2对测定端子11a、11b、12a、12b。测定端子11a、11b、12a、12b用于与基准电子元器件A的外部电极Aa、Ab进行抵接。测定端子11a、11b、12a、12b安装于测定端子驱动机构15，始终以不给基准电子元器件A的测定电气特性带来影响(不使测定误差产生)的压力与基准电子元器件A的外部电极Aa、Ab相抵接。

另外，在本实施方式中，安装于测定端子驱动机构15的测定端子11a、11b、12a、12b始终以一定的压力与基准电子元器件A的外部电极Aa、Ab相抵接，然而，取而代之地，也可以通过驱动测定端子驱动机构15，从而在每次测定时，间歇性地使测定端子11a、11b、12a、12b与基准电子元器件A的外部电极Aa、Ab相抵接。然而，该情况下，需要对测定端子11a、11b、12a、12b与被测定电子元器件A的外部电极Aa、Ab抵接时的荷重的大小进行测定，并根据基准电子元器件A的测定电阻值，对因该荷重而产生的测定误差进行校正。

在空腔9部分的测定底座4中也设置有例如4个孔，在这4个孔中配置有2对测定端子13a、13b、14a、14b。测定端子13a、13b、14a、14b用于与被测定电子元器件B的外部电极Ba、Bb进行抵接。测定端子13a、13b、14a、14b安装于测定端子驱动机构16，通过驱动测定端子驱动机构16，从而间歇性地与被测定电子元器件B的外部电极Ba、Bb相抵接。

在空腔9的抵接构件10上设置有荷重传感器17。荷重传感器17用于对测定端子13a、13b、14a、14b与被测定电子元器件B的外部电极Ba、Bb抵接时的荷重的大小进行测定。另外，荷重是指在测定端子13a、13b、14a、14b与被测定电子元器件B的外部电极Ba、Bb相抵接的时间内所测量出的荷重。

如图1所示，电气特性测定装置100具备测定器18。测定器18与测定端子11a、11b、12a、12b以及测定端子13a、13b、14a、14b相连接。测定器18用于测定基准电子元器件A的电气特性与被测定电子元器件B的电气特性。

图3中示出了基准电子元器件A以及被测定电子元器件B的底面。此外，在图3中，分别用虚线示出了基准电子元器件A的外部电极Aa、Ab与测定端子11a、11b、12a、12b抵接的部分、以及被测定电子元器件B的外部端子Ba、Bb与测定端子13a、13b、14a、14b抵接的部分。

例如，测定器18通过使具有规定值的电流流过测定端子11a、11b之间，并对测定端子12a、12b之间的电压进行测定，从而能测定基准电子元器件A的电阻值。此外，测定器18通过使具有规定值的电流流过测定端子13a、13b之间，并对测定端子14a、14b之间的电压进行测定，从而能测定基准电子元器件B的电阻值。

另外，在本实施方式中，用1个测定器18来测定基准电子元器件A的电气特性以及被测定电子元器件B的电气特性，然而也可以分别设置对基准电子元器件A的电气特性进行测定的测定器、以及对被测定电子元器件B的电气特性进行测定的测定器。

电气特性测定装置100具备个人计算机(以下称为“PC”)19。PC19至少包括存储装置、运算装置、输入接口以及输出接口等。

PC19与进料器1、直线送料器3、分度工作台5以及测定端子驱动机构16各自的驱动系统相连接。PC19的存储装置中存储有分别控制进料器1、直线送料器3、分度工作台5以及测定端子驱动机构16的规定的计算机程序，PC19分别对进料器1、直线送料器3、分度工作台5以及测定端子驱动机构16进行控制。

此外，PC19与荷重传感器17相连接。另外，在荷重传感器17与PC19之间插入有放大器20以及模数转换器21。

此外，PC19与测定器18相连接。

此外，在PC19的存储装置中存储有后述的使测定端子13a、13b、14a、14b与被测定电子元器B的外部电极Ba、Bb抵接时的荷重的大小、与由测定器18所测定出的测定电气特性(测定电阻值)的测定误差量之间的关系式(相关数据)。

电气特性测定装置100的测定底座4具备在测定了电气特性之后将被判断为不合格品的被测定电子元器件B排除的不合格品排除区域U。在不合格品排除区域U中设定有排除机构(未图示)，该排除机构将被判断为不合格品的被测定电子元器件B从分度工作台5的凹部5a排除。排除机构与PC19相连接，将利用PC19的运算装置判断为不合格品的被测定电子元器件B从分度工作台5的凹部5a排除。

此外，电气特性测定装置100的测定底座4具备在排除了被判断为不合格品的被测定电子元器件B之后对被判断为合格品的被测定电子元器件B进行回收的被测定电子元器件回收区域R。在本实施方式中，对被判断为合格品的被测定电子元器件B一律进行回收，然而也可以通过与PC19联动，从而根据电气特性(电阻值)的测定结果，筛选被测定电子元器件B来进行回收。

接着，对使用了电气特性测定装置100的电子元器件的电气特性测定方法进行说明。在本实施方式中，如上所述，使用NTC热敏电阻作为被测定电子元器件B，并对被测定电子元器件B的电阻值进行测定以作为电气特性。此外，作为基准电子元器件A，使用与被测定电子元器件B同一种类、同一规格的NTC热敏电阻。

在测定之前，预先从多个NTC热敏电阻之中选定严格具备所要求的电阻值(电气特性)的成为基准的基准电子元器件(基准NTC热敏电阻)A。具体而言，例如，在需要在25℃下测定电阻值的情况下，将测定温度严格地保持在25℃，之后对多个NTC热敏电阻的电阻值进行测定，选定严格具备所要求的电阻值的NTC热敏电阻来作为基准电子元器件A。基准电子元器件A可以选定多个。

此外，在测定之前，预先使用基准电子元器件A来生成使测定端子和外部电极抵接时的荷重的大小(偏差)、与电阻值的测定误差量之间的关系式(相关数据)。具体而言，分别在电气特性测定装置100的收纳基准电子元器件A的空腔6、以及原本收纳被测定电子元器件B的空腔9中，收纳严格具备成为基准的电阻值的基准电子元器件A。接着，边用荷重传感器17监视荷重的大小，边对测定端子驱动机构16进行控制驱动，并基于成为基准的荷重(在基准温度下进行测定的情况下，对收纳于空腔9的基准电子元器件A的真正的电阻值进行测定的荷重)，在正方向或负方向上强制性地使荷重每次偏移一点点，并对电阻值进行多次测定，从而生成使测定端子和外部电极抵接时的荷重的大小、与电阻值的测定误差量之间的关系式。另外，此时，分度工作台5预先停止，不旋转。关系式在对因基准温度与测定温度的偏移的大小而产生的测定误差进行校正后生成。

或者，也可以用下面的方法来取代以上的方法，生成使测定端子和外部电极抵接时的荷重的大小、与电阻值的测定误差量之间的关系式。首先，准备多个严格具备成为基准的电阻值的基准电子元器件A。接着，将1个基准电子元器件A收纳在空腔6中，并将剩余的基准电子元器件A投入到进料器1的旋转板2上。接着，实际驱动电气特性测定装置100，测定多个基准电子元器件A的电阻值。能基于该测定中的使测定端子和外部电极抵接时的荷重的大小、与测定电阻值的关系，生成使测定端子和外部电极抵接时的荷重的大小、与电阻值的测定误差量之间的关系式。

使PC19的存储装置存储所生成的使测定端子和外部电极抵接时的荷重的大小、与电阻值的测定误差量之间的关系式。

此外，在测定之前，预先使PC19的存储装置存储将被测定电子元件B判断为合格品的电阻值(电气特性)的允许范围。此外，在由荷重传感器17所测定出的荷重值的大小为超过预先确定的阈值而较小、以及超过预先确定的阈值而较大的情况中的至少一种情况下，将该被测定电子元器件B判断为不合格品的情况下，使PC19的存储装置存储上述阈值。

进行以上准备之后，开始测定。图4中示出了本实施方式所涉及的电子元器件的电气特性测定方法的流程图。

首先，将基准电子元器件A收纳于空腔6，并将多个被测定电子元器件B投入到进料器1的旋转板2上。

接着，基于PC19的控制，分别开始进料器1、直线送料器3以及分度控制台5的驱动。其结果是，被测定电子元器件B依次被传送至测定底座4的被测定电子元器件测定区域T。

若第1个(起始)被测定电子元器件B接近测定底座4的被测定电子元器件测定区域T的空腔9，则基于PC19的控制，测定端子驱动机构16开始驱动。

然后，经由测定端子11a、11b、12a、12b，利用测定器18测定基准电子元器件A的电阻值，从而得到基准电子元器件A的测定电阻值。同时，经由测定端子13a、13b、14a、14b，利用测定器18测定第1个被测定电子元器件B的电阻值，从而得到被测定电子元器件B的测定电阻值。另外，基准电子元器件A的电阻值的测定与被测定电子元器件B的电阻值的测定无需严格同时进行，也可以错开一点点时间。

在被测定电子元器件B的电阻值的测定中，利用荷重传感器17，来对测定端子13a、13b、14a、14b与被测定电子元器件B的外部电极Bb、Bb抵接时的荷重的大小进行测定。

第1个被测定电子元器件B的测定电阻值、与同时测定出的基准电子元器件A的测定电阻值从测定器18被传输至PC19。此外，测定第1个被测定电子元器件B的电阻值时的由荷重传感器17所测定出的荷重的大小从荷重传感器17被传输至PC19。

接着，在PC19的运算装置中进行以下运算处理。

首先，基于存储于PC19的存储装置的使测定端子和外部电极抵接时的荷重的大小、与电阻值的测定误差量之间的关系式，根据由荷重传感器17所测定出的荷重的大小，对第一个被测定电子元器件B的测定电阻值进行校正。其结果是，从第1个被测定电子元器件B的测定电阻值去除了因使测定端子和外部电极抵接时的荷重而产生的测定误差。

接着，利用式1，通过运算求出去除了因荷重而产生的测定误差后的被测定热敏电阻的测定电阻值R₁相对于基准热敏电阻的测定电阻值R₀的偏差(测定值偏差率)。

偏差(％)＝(R₁－R₀)/R₀×100···(式1)

另外，对于偏差的运算，可以在去除因使测定端子和外部电极抵接时的荷重而产生的测定误差的运算之后独立地进行，也可以同时与去除因使测定端子和外部电极抵接时的荷重而产生的测定误差的运算一并进行。

接着，通过判断所求出的偏差是否在预先确定的允许范围内，从而对第1个被测定电子元器件B是合格品还是不合格品进行判断，并进行分类。在预先确定的允许范围内的情况下，判断为第1个被测定电子元器件B是合格品，在预先确定的允许范围外的情况下，判断为第1个被测定电子元器件B是不合格品。另外，将被测定电子元器件B判断为合格品的电阻值的允许范围被预先存储在PC19的存储装置中。上述合格品还是不合格品的判断在去除了因荷重而产生的测定误差、并且使因测定温度和基准温度的差异而引起的测定误差极大地缩小之后进行，精度极高。

以上，可以使合格品还是不合格品的判断结束，然而，此外，作为任意的设定(运算处理)，即使所求出的偏差在预先确定的允许范围内，也可以在由荷重传感器17所测定出的荷重值的大小为超过预先确定的阈值而较小、以及超过预先确定的阈值而较大的情况中的至少一种情况下，将该被测定电子元器件B判断为不合格品。这是由于在荷重值的大小为超过预先确定的阈值而较小的情况下，测定端子与外部电极的接触电阻较大，有可能在测定出的电阻值中产生超过能进行校正的极限的测定误差。此外，这是由于在荷重值的大小为超过预先确定的阈值而较大的情况下，有可能在被测定电子元器件B的内部产生破裂等不良、在被测定电子元器件B的外部电极Ba、Bb上产生接触痕迹等外观不良、或在测定出的电阻值中产生超过能进行校正的极限的测定误差。另外，利用由荷重传感器17所测定出的荷重值的大小进行的被测定电子元器件B的合格品/不合格品的判断可以在利用上述偏差进行的被测定电子元器件B的合格品/不合格品的判断之前，也可以在利用上述偏差进行的被测定电子元器件B的合格品/不合格品的判断之后。

将第1个被测定电子元器件B是合格品还是不合格品的判断结果存储于PC19的存储装置。

然后，在判断为第1个被测定电子元器件B是合格品的情况下，在被测定电子元器件回收区域R中，将第1个被测定电子元器件B作为合格品进行回收。

另一方面，在判断为第1个被测定电子元器件B是不合格品的情况下，在不合格品排除区域U中，利用由PC19控制的排除机构(未图示)，将第1个被测定电子元器件B作为不合格品进行排除。

通过以上方法，测定第1个被测定电子元器件B的电阻值。对于测定出的电阻值，校正了因使测定端子和外部电极抵接时的荷重而产生的测定误差，并且极大地缩小因基准温度和测定温度的偏差而产生的测定误差，精度极高。

以下，用同样的方法测定第2个及以后的被测定电子元器件B的电阻值。

[实施方式2]

图5中示出了实施方式2所涉及的电子元器件的电气特性测定方法的流程图。另外，实施方式2所涉及的电子元器件的电气特性测定方法也使用电气特性测定装置100来进行。

上述实施方式1所涉及的电子元器件的电气特性测定方法中，如图4所示，先校正因使测定端子和被测定电子元器件B的外部电极抵接时的荷重而产生的测定误差，之后求出(去除了因荷重而产生的测定误差后的)被测定热敏电阻的测定电阻值相对于基准热敏电阻的测定电阻值的偏差。

实施方式2所涉及的电子元器件的电气特性测定方法中，交换了该顺序。即，先求出被测定热敏电阻的测定电阻值相对于基准热敏电阻的测定电阻值的偏差，之后校正因使测定端子和被测定电子元器件B的外部电极抵接时的荷重而产生的测定误差。

实施方式2所涉及的电子元器件的电气特性测定方法的其他步骤与实施方式1所涉及的电子元器件的电气特性测定方法相同。

[实施方式3]

图6中示出了实施方式3所涉及的电子元器件的电气特性测定方法的流程图。另外，实施方式3所涉及的电子元器件的电气特性测定方法也使用电气特性测定装置100来进行。

上述实施方式1所涉及的电子元器件的电气特性测定方法中，如图4所示，先校正因使测定端子和被测定电子元器件B的外部电极抵接时的荷重而产生的测定误差，之后求出(去除了因荷重而产生的测定误差后的)被测定热敏电阻的测定电阻值相对于基准热敏电阻的测定电阻值的偏差。

实施方式3所涉及的电子元器件的电气特性测定方法中，同时进行上述2个步骤。即，同时进行因使测定端子和被测定电子元器件B的外部电极抵接时的荷重而产生的测定误差的校正的运算、以及被测定热敏电阻的测定电阻值相对于基准热敏电阻的测定电阻值的偏差的运算。

实施方式3所涉及的电子元器件的电气特性测定方法的其他步骤与实施方式1所涉及的电子元器件的电气特性测定方法相同。

[实施方式4]

图7中示出了实施方式4所涉及的电子元器件的电气特性测定方法的流程图。另外，实施方式4所涉及的电子元器件的电气特性测定方法也使用电气特性测定装置100来进行。

实施方式4所涉及的电子元器件的电气特性测定方法在上述图4所示的实施方式1所涉及的电子元器件的电气特性测定方法中追加了1个步骤。具体而言，在因使测定端子和被测定电子元器件B的外部电极抵接时的荷重而产生的测定误差的校正、以及被测定热敏电阻的测定电阻值相对于基准热敏电阻的测定电阻值的偏差的运算结束之后，追加了以下步骤，该步骤中，在由荷重传感器17所测定出的荷重值的大小为超过预先确定的阈值而较小、以及超过预先确定的阈值而较大的情况下，将该被测定电子元器件B判断为不合格品。

这是由于在荷重值的大小为超过预先确定的阈值而较小的情况下，测定端子与外部电极的接触电阻较大，有可能在测定出的电阻值中产生超过能进行校正的极限的测定误差。此外，这是由于在荷重值的大小为超过预先确定的阈值而较大的情况下，有可能在被测定电子元器件B的内部产生破裂等不良、在被测定电子元器件B的外部电极Ba、Bb上产生接触痕迹等外观不良、或在测定出的电阻值中产生超过能进行校正的极限的测定误差。

实施方式4所涉及的电子元器件的电气特性测定方法的其他步骤与实施方式1所涉及的电子元器件的电气特性测定方法相同。

[实施方式5]

图8中示出了实施方式5所涉及的电子元器件的电气特性测定方法的流程图。

在上述实施方式1～实施方式4所涉及的电子元器件的电气特性测定方法中，不仅对因使测定端子和被测定电子元器件B的外部电极抵接时的荷重而产生的测定误差进行校正，还对被测定热敏电阻的测定电阻值相对于基准热敏电阻的测定电阻值的偏差进行运算，并使因基准温度和测定温度的偏差而产生的测定误差缩小。

在实施方式5所涉及的电子元器件的电气特性测定方法中，不对被测定热敏电阻的测定电阻值相对于基准热敏电阻的测定电阻值的偏差进行运算，仅对因使测定端子和被测定电子元器件B的外部电极抵接时的荷重而产生的测定误差进行校正。即，通过对校正了因使测定端子和被测定电子元器件B的外部电极抵接时的荷重而产生的测定误差之后的电阻值(电气特性)是否在预先确定的允许范围内进行判断，从而进行被测定热敏电阻的合格品/不合格品的判断。

例如，在严格进行了温度管理的环境下对电子元器件的电气特性进行测定时，无需对因基准温度和测定温度的偏差而产生的测定误差进行校正(缩小化)。该情况下，能用比上述电气特性测定装置100更简单的测定装置来测定电子元器件的电气特性。

由此，在本发明的电子元器件的电气特性测定方法中，校正因基准温度和测定温度的偏差而产生的测定误差(缩小化)并非是必须的结构。

以上，对实施方式1～实施方式5所涉及的电子元器件的电气特性测定方法、以及电气特性测定装置100的结构、动作等进行了说明。然而，本发明并不限于上述内容，遵循发明的要点，能够进行各种改变。

例如，实施方式1～实施方式5中，对NTC热敏电阻的电阻值进行了测定，然而电子元器件的种类并不限于NTC热敏电阻，所测定的电气特性也不限于电阻值。例如，可以对PTC热敏电阻或固定电阻的电阻值进行测定，也可以对电容器的电容值或电感器的电感值进行测定。

此外，实施方式1～实施方式4中，求出被测定热敏电阻的测定电阻值R₁相对于基准热敏电阻的测定电阻值R₀的偏差，通过判断所求出的偏差是否在预先确定的允许范围内，从而进行合格品/不合格品的判断，并使因被测定热敏电阻的测定温度和基准温度的差异而引起的测定误差缩小。取而代之地，对于因被测定热敏电阻的测定温度和基准温度的差异而引起的测定误差，也可与校正因测定端子和被测定热敏电阻的外部电极抵接时的荷重而产生的测定误差相同地，生成基准温度和测定温度的偏差的大小、与电阻值的测定误差量之间的关系式，根据该关系式与基准热敏电阻的测定电阻值，计算基准热敏电阻与被测定热敏电阻的测定温度，基于该计算温度，利用关系式，对被测定热敏电阻的测定电阻值进行校正。

此外，电气特性测定装置100具备PC19，然而也可以将专用的存储装置、专用的运算装置等组装入电气特性测定装置100本身，以代替PC19。

此外，电气特性测定装置100中，荷重传感器17设置于抵接构件10，然而也可以省略抵接构件10，使荷重传感器17本身兼具作为抵接构件的功能。

标号说明

1 进料器

2 旋转板

3 直线送料器

4 测定底座

5 分度工作台

5a 凹部

6 空腔(收纳基准电子元器件A)

7a、7b、7c 引导件

8 抵接构件

9 空腔(收纳被测定电子元器件B)

10 抵接构件

11a、11b、12a、12b、13a、13b、14a、14b 测定端子

15、16 测定端子驱动机构

17 荷重传感器

18 测定器

19 个人计算机(PC)

20 放大器

21 模数转换器

A 基准电子元器件(NTC热敏电阻)

B 被测定电子元器件(NTC热敏电阻)

S 基准电子元器件测定区域

T 被测定电子元器件测定区域

U 不合格品排除区域

R 被测定电子元器件回收区域

100 电气特性测定装置

Claims (10)

1.一种电气特性测定方法，

是使测定端子和电子元器件的外部电极抵接，并利用与所述测定端子相连接的测定器检测流过所述电子元器件的电信号，来测定所述电子元器件的电气特性的电气特性测定方法，其特征在于，包括：

预先生成使所述测定端子和所述外部电极抵接时的荷重的大小与电气特性的测定误差量之间的关系式的步骤；

使所述测定端子和所述电子元器件的所述外部电极抵接，并利用所述测定器检测流过所述电子元器件的电信号，来测定所述电子元器件的电气特性并得到测定电气特性，同时利用荷重传感器测定所述抵接时的荷重的大小并得到荷重值的步骤；以及

基于所述关系式，根据所述荷重值的大小，来对所述测定电气特性进行校正的步骤。

2.如权利要求1所述的电气特性测定方法，其特征在于，

还具备根据成为基准的基准温度与测定时的所述电子元器件的温度的偏差，来对所述测定电气特性进行校正的步骤。

3.如权利要求1或2所述的电气特性测定方法，其特征在于，

还具备通过判断所述电子元器件的校正后的电气特性是否在预先确定的允许范围内，从而将所述电子元器件分类成合格品或不合格品的步骤。

4.如权利要求1至3的任一项所述的电气特性测定方法，其特征在于，

还具备在所述荷重值的大小为超过预先确定的阈值而较小、以及超过预先确定的阈值而较大的情况中的至少一种情况下，将该电子元器件判断为不合格品的步骤。

5.如权利要求1至4的任一项所述的电气特性测定方法，其特征在于，

所述电气特性是电阻值。

6.一种电气特性测定装置，其特征在于，包括：

测定端子，该测定端子与电子元器件的外部电极相抵接；

测定器，该测定器与所述测定端子相连接，检测流过所述电子元器件的电信号，来对所述电子元器件的电气特性进行测定；

抵接构件，该抵接构件在测定时与所述电子元器件的、所述测定端子所抵接的面的相反侧的面相抵接；以及

荷重传感器，该荷重传感器设置于所述抵接构件，对使所述测定端子和所述电子元器件的所述外部电极抵接时的荷重的大小进行测定。

7.一种电气特性测定装置，其特征在于，包括：

测定端子，该测定端子与电子元器件的外部电极相抵接；

测定器，该测定器与所述测定端子相连接，检测流过所述电子元器件的电信号，来对所述电子元器件的电气特性进行测定；以及

荷重传感器，该荷重传感器在测定时与所述电子元器件的、所述测定端子所抵接的面的相反侧的面相抵接，并且对使所述测定端子和所述电子元器件的所述外部电极抵接时的荷重的大小进行测定。

8.如权利要求6或7所述的电气特性测定装置，其特征在于，还包括：

存储单元，该存储单元对预先生成的使所述测定端子和所述外部电极抵接时的荷重的大小与电气特性的测定误差量之间的关系式进行存储；以及

运算单元，该运算单元基于所述关系式，根据由所述荷重传感器所测定出的荷重值的大小，对由所述测定端子测定出的测定电气特性进行校正。

9.如权利要求6至8的任一项所述的电气特性测定装置，其特征在于，

还具备运算单元，该运算单元根据成为基准的基准温度与测定时的所述电子元器件的温度的偏差来对所述测定电气特性进行校正。

10.如权利要求6至9的任一项所述的电气特性测定装置，其特征在于，

所述电气特性是电阻值。