CN107423542B - 一种适用于逐棒计算的非均匀泄漏修正方法 - Google Patents

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Abstract

一种适用于逐棒计算的非均匀泄漏修正方法，包括如下步骤：1、统计栅元信息，首先对非均匀组件进行高阶输运计算，然后计算得到组件中各个栅元的均匀化截面以及平均中子通量密度、各栅元表面的净中子流密度和中子通量密度；2、根据等效均匀化原理为非均匀泄漏修正的求解方法产生不连续因子；采用纵坐标离散法对非均匀泄漏修正模型进行求解；3、利用非均匀泄漏修正产生的临界能谱修正中子通量密度分布，重新归并得到均匀化截面，并产生相应的扩散系数，并对均匀化截面和扩散系数乘上栅元均匀化组件与非均匀组件的通量比值；本发明可以利用非均匀泄漏修正模型求得各个栅元各自的能谱修正因子以及其泄漏系数。

Description

一种适用于逐棒计算的非均匀泄漏修正方法
技术领域
本发明涉及核反应堆堆芯设计和安全领域，具体涉及一种适用于逐棒计算的非均匀泄漏修正方法。
背景技术
为了保证反应堆堆芯设计安全，需要准确地计算出反应堆中的棒功率分布以便进行反应堆安全分析。
反应堆是个庞大的系统，想要对全堆芯直接进行一次性的中子学计算是非常不易的。目前在堆芯物理设计和燃料管理计算中，主要是采用均匀化方法，通过一次或者多次用一种等效的均匀介质代替一定范围内的非均匀介质来逐步简化、逐步计算。传统的压水堆物理计算方法是基于两次均匀化的计算。首先在对每种类型的栅元进行一次均匀化，再由均匀化之后的各类型的栅元组合成各类组件，并对组件再进行一次均匀化，最后堆芯计算是由均匀化的组件构成的，这种方法称之为三步法。到了上世纪七十年代，节块法的发展让全堆芯中子学计算由三步法转变成了只包含有组件均匀化以及由均匀化组件构成的堆芯计算的两步法。而根据现阶段的计算条件以及计算精度，仅对栅元进行一次均匀化，然后直接计算由均匀化的栅元构成的全堆芯的逐棒计算成为了下一代反应堆设计计算的候选方法之一。与传统的三步法以及节块法相比，全堆芯逐棒计算方案不需要进行组件均匀化，这样就可以不必考虑相应的均匀化误差以及组件计算时无法考虑到的组件在堆芯位置而带来的误差。而且，这样的计算方案可以直接求出单棒功率，便于堆芯燃料管理计算和相应的安全分析。
在传统三步法以及节块法中，栅格计算都是对单组件采用全反射边界条件计算。为了近似考虑组件在实际堆芯中非全反射边界条件下的能谱状态，通常采用均匀泄漏模型来对栅格计算得到的无限能谱进行修正。均匀泄漏模型假设在反应堆稳态状况下，堆芯内中子通量密度的空间分布满足波动方程且空间变量与能量变量、角度变量可以分离；这种假设与把整个组件均匀化成一种等效材的行为刚好匹配。在全堆芯逐棒计算的方案中，栅格计算依旧是基于全反射边界条件下的单组件进行的。这就意味着同样需要对栅格计算得到的能谱进行修正，以此来考虑组件在堆芯中实际的边界条件的影响。然而，均匀泄漏模型下求出来的能谱能够用来匹配整个组件均匀化成一种材料，但并不满足栅格均匀化的组件。因此，在逐棒计算的栅格计算中，无法简单的采用均匀泄漏模型进行能谱修正。
发明内容
本发明的目的是一种适用于逐棒计算的非均匀泄漏修正方法，这种方法假设在稳态时，堆芯内中子通量密度的空间分布满足波动方程且空间变量和能量变量、角度变量紧密相关，可以利用非均匀泄漏修正模型求得各个栅元各自的能谱修正因子以及其泄漏系数。
为了实现上述目的，本发明采取了以下技术方案予以实施：
在逐棒计算中，栅元均匀化的单组件中子学计算为了实现非均匀泄漏修正，需要对栅元均匀化之后的单组件进行非均匀泄漏修正模型的求解。而且，此栅元均匀化后的单组件在中子学计算中需要与拥有精细材料分布的非均匀组件保证守恒量的一致。
一种适用于逐棒计算的非均匀泄漏修正方法，包括如下步骤：
步骤1：对拥有精细材料分布的非均匀单组件进行中子输运计算，边界条件采用全反射边界条件，统计组件中所有栅元的各能群的平均中子通量密度、所有栅元的各个面上各能群的净中子流密度和中子通量密度；
步骤2：在拥有精细材料分布的非均匀单组件中子输运计算后，根据组件内中子通量密度的分布，利用通量体积权重方法求得各个栅元的多群均匀化截面，组件内各个栅元的均匀化截面就构成了栅元均匀化后的单组件；
步骤3：为了保证栅元均匀化后的单组件与拥有精细材料分布的非均匀组件保持一致，需要利用等效均匀化原理为非均匀泄漏修正的求解方法产生不连续因子；采用纵坐标离散法对非均匀泄漏修正模型进行求解；根据等效均匀化理论需要保证栅元内积分反应率以及中子泄漏率守恒；积分反应率守恒即要求栅元内中子平均通量密度守恒，中子泄漏率守恒即要求净中子流密度守恒，如公式(1)所示；根据公式(1)得到的栅元均匀化后的各个栅元中子平均通量密度和净中子流密度，利用纵坐标离散法对均匀化后的栅元构成的中子输运方程进行求解，得到各个栅元的均匀面通量；利用不连续因子的定义，根据各个栅元的均匀面通量求得各个栅元的不连续因子，如公式(2)所示；
Figure BDA0001269391590000041
其中下标i，g分别表示组件的第i个栅元和第g能群；上标s，het，hom分别表示栅元的第s个面、非均匀组件的中子输运计算以及栅元均匀后的组件计算；
Figure BDA0001269391590000042
表示栅元的平均中子通量密度，J表示净中子流密度；
Figure BDA0001269391590000043
表示第i个栅元第g群的栅元均匀化后的组件计算得到的平均中子通量密度；
Figure BDA0001269391590000044
表示第i个栅元第g群的非均匀组件中子输运计算得到的平均中子通量密度；表示第i个栅元第s个面上的第g群的栅元均匀化后组件计算的净中子流密度；
Figure BDA0001269391590000046
表示第i个栅元第s个面上的第g群的非均匀组件中子输运计算的净中子流密度；
Figure BDA0001269391590000047
其中
Figure BDA0001269391590000048
表示第i个栅元第s个面上的第g群的非均匀组件中子输运计算的中子面通量；
Figure BDA0001269391590000049
表示第i个栅元第s个面上的第g群的栅元均匀化后组件计算的中子面通量；
Figure BDA00012693915900000410
表示第i个栅元第s个面上的第g群的栅元不连续因子；
步骤4：利用纵坐标离散法对非均匀泄漏修正模型进行求解，非均匀泄漏修正模型是由公式(3)和公式(4)组成的方程组；方程组中的截面信息是步骤2中提供的栅元均匀化截面，几何尺寸信息由拥有精细材料分布的非均匀组件给定，栅元与栅元之间交界面上中子通量的比值等于步骤3得到的栅元不连续因子；通过对方程组的求解得到非均匀泄漏修正模型下各个栅元的零阶中子通量能谱和一阶中子通量能谱
Figure BDA0001269391590000052
Figure BDA0001269391590000053
Figure BDA0001269391590000054
其中
Figure BDA0001269391590000055
和分别表示零阶中子通量能谱与一阶中子通量能谱，r,E,Ω分别表示空间，能量，角度这三个变量，
Figure BDA0001269391590000057
和
Figure BDA0001269391590000058
表示零阶及一阶中子通量能谱随空间，能量，角度这三个变量的变化而变化；
Figure BDA0001269391590000059
是角度与零阶中子通量密度的空间梯度的点积，表示零阶中子的泄漏项；Σ(r,E)是宏观总截面，
Figure BDA00012693915900000510
表示中子的吸收项；Q(r,E)表示发生裂变反应产生的中子数和由中子发生散射产生的中子数之和，表示中子的产生项；
Figure BDA00012693915900000511
是中子通量密度
Figure BDA00012693915900000512
在角度上积分后的值；
Figure BDA00012693915900000513
是角度与零阶中子通量密度的空间梯度的点积，表示一阶中子的泄漏项；
Figure BDA00012693915900000514
表示一阶中子的吸收项；
Figure BDA00012693915900000515
是中子通量密度
Figure BDA00012693915900000516
在角度上积分后的值，表征由堆芯曲率引起的零阶中子通量对一阶中子通量的贡献；Σs1(r,E←E')表示材料的一阶散射截面；
根据公式(5)修正原拥有精细材料分布的非均匀组件中子输运计算得到的中子通量密度，并根据公式(6)求得各个栅元的泄漏系数，即扩散系数；
Figure BDA0001269391590000061
其中下标i表示组件内第i个栅元；上标SA表示单组件中子输运计算得到的值；
Figure BDA0001269391590000062
表示修正后的单组件计算下得到的各个地方各个能量下的中子通量密度；φSA(r,E)表示未修正的非均匀单组件中子输运计算下得到的各个地方各个能量下的中子通量密度；r∈i表示属于第i个栅元的各个空间位置；
Figure BDA0001269391590000063
表示泄漏修正模型计算得到的第i个栅元的临界能谱；
Figure BDA0001269391590000064
表示非均匀单组件中子输运计算下得到的第i个栅元的能谱；
Figure BDA0001269391590000065
其中Di表示第i个栅元的扩散系数；表示非均匀泄漏修正模型计算得到的第i个栅元的一阶中子通量能谱；
Figure BDA0001269391590000067
表示非均匀泄漏修正模型计算得到的第i个栅元的零阶中子通量能谱；
步骤5：通过步骤4得到了修正后的中子通量密度分布以及各个栅元的扩散系数，利用修正后的中子通量密度采用通量体积权重方法重新得到各个栅元的少群均匀化截面；利用更新后的栅元均匀化少群截面与扩散系数对栅元均匀化后的组件进行低阶输运计算，求得各个栅元的平均通量；计算得到栅元均匀化后组件内各个栅元的平均中子通量密度与原非均匀组件中子输运计算得到的栅元平均中子通量密度的比值，并用这个比值再次和栅元均匀化的截面及扩散系数相乘对栅元均匀化的截面及扩散系数进行修正；
步骤6：步骤5得到的各个栅元的修正后的均匀化截面以及扩散系数即用来进行堆芯的逐棒计算；如果逐棒计算的组件计算需要进行燃耗计算，则重复步骤1到步骤5。
与现有技术相比，本发明有如下突出优点：
1、在栅元均匀化后的组件计算中使用非均匀泄漏修正模型来对单组件中子输运计算进行能谱修正并求得与空间相关的扩散系数，能够在栅元均匀化的组件中最大限度的考虑到该组件在实际反应堆堆芯中的环境下，各个地方中子泄漏的不同所带来的影响，从而提高泄漏修正后的均匀化截面与扩散系数的计算精度。
2、针对逐棒计算中栅元均匀化的组件程序，可以利用非均匀泄漏修正模型求得各个栅元各自的能谱修正因子以及其泄漏系数。传统泄漏修正模型下整个组件中所有栅元都采用同一套能谱修正因子，并且只有一个泄漏系数，不能很好地考虑到逐棒计算下各个栅元的特性。
附图说明
图1为非均匀泄漏修正模型在栅元均匀化的组件程序中的应用流程。
具体实施方式
下面结合附图和具体实施方式对本发明作进一步详细说明：
本发明通过假设在堆芯稳态时，堆芯内中子通量密度的空间分布满足波动方程且空间变量和能量变量、角度变量紧密相关，针对逐棒计算的组件程序发明了一种适用于逐棒计算的非均匀泄漏修正方法。
在栅元均匀化的栅格计算中，实现非均匀泄漏修正值得注意的是：保证栅元均匀化之后的单组件与拥有精细材料分布的非均匀组件一致。这就要求对还未进行泄漏修正的栅元均匀化的组件产生栅元不连续因子，以保证此栅元均匀化后的单组件在中子学计算中与拥有精细材料分布的非均匀组件保证守恒量的一致。非均匀泄漏修正模型在栅元均匀化的组件程序中的应用流程如图1所示。
该方法具体计算流程包括以下方面：
步骤1：对拥有精细材料分布的非均匀单组件进行中子输运计算，边界条件采用全反射边界条件，统计组件中所有栅元的各能群的平均中子通量密度、所有栅元的各个面上各能群的净中子流密度和中子通量密度；
步骤2：在拥有精细材料分布的非均匀单组件中子输运计算后，根据组件内中子通量密度的分布，利用通量体积权重方法求得各个栅元的多群均匀化截面，组件内各个栅元的均匀化截面就构成了栅元均匀化后的单组件；
步骤3：为了保证栅元均匀化后的单组件与拥有精细材料分布的非均匀组件保持一致，需要利用等效均匀化原理为非均匀泄漏修正的求解方法产生不连续因子。本发明采用纵坐标离散法对非均匀泄漏修正模型进行求解。根据等效均匀化理论需要保证栅元内积分反应率以及中子泄漏率守恒；积分反应率守恒即要求栅元内中子平均通量密度守恒，中子泄漏率守恒即要求净中子流密度守恒，如公式(1)所示。根据公式(1)得到的栅元均匀化后的各个栅元中子平均通量密度和净中子流密度，利用纵坐标离散法对均匀化后的栅元构成的中子输运方程进行求解，可以得到各个栅元的均匀面通量；利用不连续因子的定义，可以根据各个栅元的均匀面通量求得各个栅元的不连续因子，如公式(2)所示。
步骤4：利用纵坐标离散法对非均匀泄漏修正模型进行求解。在均匀泄漏修正中，假设在反应堆稳态状况下，堆芯内中子通量密度的空间分布满足波动方程且空间变量与能量变量、角度变量可以分离，即如公式(7)所示。
Figure BDA0001269391590000091
其中φ表示堆芯内中子通量密度，r,E,Ω分别表示空间，能量，角度这三个变量，φ(r,E,Ω)表示堆芯内中子通量密度随空间，能量，角度这三个变量的变化而变化；
Figure BDA0001269391590000092
表示堆芯内中子通量密度把能量、角度与空间变量分离后的分量值，
Figure BDA0001269391590000093
只和能量变量E以及角度变量Ω相关；eiB·r表示堆芯内中子通量密度的空间分布，由于堆芯内中子通量密度的空间分布满足波动方程，而指数eiB·r是该波动方程的解，所以公式(7)中直接写成了指数eiB·r的形式，e为自然常数，i表示虚数，B表示该堆芯的几何曲率，r为空间变量。
在非均匀泄漏修正中，同样假设堆芯内中子通量密度的空间分布满足波动方程，但是中子通量密度的空间变量与能量变量、角度变量无法分离，即如公式(8)所示。
其中除分离量与能量变量E，角度变量Ω以及空间变量r都相关之外，其他变量物理含义与公式(7)相同；
在反应堆堆芯内，中子输运方程表示如公式(9)所示。
Figure BDA0001269391590000103
其中r,E,Ω分别表示空间，能量，角度这三个变量，φ表示堆芯内中子通量密度，与空间，能量，角度三个变量都相关；
Figure BDA0001269391590000106
是角度与中子通量密度的空间梯度的点积，表示中子的泄漏项；Σ(r,E)是宏观总截面，Σ(r,E)φ(r,E,Ω)表示中子的吸收项；χ(E)是中子裂变谱，Keff是堆芯的有效增殖因子，νΣf(r,E)是中子产生截面，φ(r,E)是中子通量密度φ(r,E,Ω)在角度上积分后的值，
Figure BDA0001269391590000104
表示所有能量的中子在空间位置r处发生裂变反应产生的能量为E的中子产生项；Σs(r,E←E',Ω←Ω')是从能量角度E',Ω'到E,Ω的空间位置r处的宏观散射截面，
Figure BDA0001269391590000105
表示空间位置r处所有能量的中子发生散射后产生的能量为E的中子产生项。
将公式(8)代入中子输运方程公式(9)中，可以得到公式(10)。
Figure BDA0001269391590000111
其中
Figure BDA0001269391590000112
是
Figure BDA0001269391590000113
在角度Ω上积分后的值，如公式(11)所示。
Figure BDA0001269391590000114
对宏观散射截面利用勒让德展开，去零阶及一阶散射截面，如公式(12)所示。
Figure BDA0001269391590000115
其中μ＝Ω·Ω'，是两个角度之间的点积，Pl(μ)为勒让德常数，其中P0(μ)＝1，P1(μ)＝μ，Σs,l(E←E')为第l阶的散射截面。
将公式(12)代入公式(10)中，可以得到公式(13)。
Figure BDA0001269391590000116
其中Q(r,E,Ω)是与空间、能量、角度相关的裂变源项，零阶散射源项以及一阶散射源项之和。
对公式(13)右端项在角度上进行各向同性近似，即可得到非均匀泄漏修正模型的第一个求解方程，如公式(3)所示。
对公式(10)左右两端的每一项都乘以一个因子后进行积分，即可得到非均匀泄漏修正模型的第二个求解方程，因子表示如公式(14)所示，第二个求解方程如公式(4)所示。
Figure BDA0001269391590000121
其中ω(r,Ω)是乘以公式(7)的和空间变量以及角度变量相关的因子。公式(3)和公式(4)构成了非均匀泄漏修正需要求解的方程组。方程组中的截面信息是步骤2中的栅元均匀化截面，几何尺寸信息由原非均匀单组件给定，栅元与栅元之间交界面上中子通量的比值等于步骤3得到的栅元不连续因子。通过对方程组的求解可以得到非均匀泄漏修正模型下各个栅元的零阶中子通量能谱和一阶中子通量能谱
Figure BDA0001269391590000122
步骤5：根据公式(5)修正原非均匀单组件输运计算的中子通量密度进行修正，并根据公式(6)求得各个栅元的泄漏系数，即扩散系数；
步骤6：通过步骤5得到了修正后的中子通量密度分布以及各个栅元的扩散系数，利用修正后的中子通量密度采用通量体积权重方法重新得到各个栅元的少群均匀化截面。利用更新后的栅元均匀化少群截面与扩散系数对栅元均匀化后的组件进行低阶输运计算，求得各个栅元的平均通量。计算得到栅元均匀化后组件内各个栅元的平均中子通量密度与原非均匀组件中子输运计算得到的栅元平均中子通量密度的比值，并用这个比值再次和修正栅元均匀化的截面及扩散系数相乘对栅元均匀化的截面及扩散系数进行修正。
步骤7：步骤6得到的各个栅元的修正后的均匀化截面以及扩散系数即可以用来进行堆芯的逐棒计算。如果逐棒计算的组件计算需要进行燃耗计算，那么重复步骤1到步骤6即可。

Claims (1)

1.一种适用于逐棒计算的非均匀泄漏修正方法，其特征在于：包括如下步骤：
步骤1：对拥有精细材料分布的非均匀单组件进行中子输运计算，边界条件采用全反射边界条件，统计组件中所有栅元的各能群的平均中子通量密度、所有栅元的各个面上各能群的净中子流密度和中子通量密度；
步骤2：在拥有精细材料分布的非均匀单组件中子输运计算后，根据组件内中子通量密度的分布，利用通量体积权重方法求得各个栅元的多群均匀化截面，组件内各个栅元的均匀化截面就构成了栅元均匀化后的单组件；
步骤3：为了保证栅元均匀化后的单组件与拥有精细材料分布的非均匀组件保持一致，需要利用等效均匀化原理为非均匀泄漏修正的求解方法产生不连续因子；采用纵坐标离散法对非均匀泄漏修正模型进行求解；根据等效均匀化理论需要保证栅元内积分反应率以及中子泄漏率守恒；积分反应率守恒即要求栅元内中子平均通量密度守恒，中子泄漏率守恒即要求净中子流密度守恒，如公式(1)所示；根据公式(1)得到的栅元均匀化后的各个栅元中子平均通量密度和净中子流密度，利用纵坐标离散法对均匀化后的栅元构成的中子输运方程进行求解，得到各个栅元的均匀面通量；利用不连续因子的定义，根据各个栅元的均匀面通量求得各个栅元的不连续因子，如公式(2)所示；
Figure FDA0002160687860000011
其中下标i，g分别表示组件的第i个栅元和第g能群；上标s，het，hom分别表示栅元的第s个面、非均匀组件的中子输运计算以及栅元均匀化后的组件计算；
Figure FDA0002160687860000012
表示栅元的平均中子通量密度，J表示净中子流密度；
Figure FDA0002160687860000013
表示第i个栅元第g能群的栅元均匀化后的组件计算得到的平均中子通量密度；
Figure FDA0002160687860000014
表示第i个栅元第g能群的非均匀组件中子输运计算得到的平均中子通量密度；
Figure FDA0002160687860000021
表示第i个栅元第s个面上的第g能群的栅元均匀化后组件计算的净中子流密度；
Figure FDA0002160687860000022
表示第i个栅元第s个面上的第g能群的非均匀组件中子输运计算的净中子流密度；
Figure FDA0002160687860000023
其中
Figure FDA0002160687860000024
表示第i个栅元第s个面上的第g能群的非均匀组件中子输运计算的中子面通量；
Figure FDA0002160687860000025
表示第i个栅元第s个面上的第g能群的栅元均匀化后组件计算的中子面通量；
Figure FDA0002160687860000026
表示第i个栅元第s个面上的第g能群的栅元不连续因子；
步骤4：利用纵坐标离散法对非均匀泄漏修正模型进行求解，非均匀泄漏修正模型是由公式(3)和公式(4)组成的方程组；方程组中的截面信息是步骤2中提供的栅元均匀化截面，几何尺寸信息由拥有精细材料分布的非均匀组件给定，栅元与栅元之间交界面上中子通量的比值等于步骤3得到的栅元不连续因子；通过对方程组的求解得到非均匀泄漏修正模型下各个栅元的零阶中子通量能谱
Figure FDA0002160687860000027
和一阶中子通量能谱
Figure FDA00021606878600000210
其中
Figure FDA00021606878600000211
和
Figure FDA00021606878600000212
分别表示零阶中子通量能谱与一阶中子通量能谱，r,E,Ω分别表示空间，能量，角度这三个变量，
Figure FDA00021606878600000213
和
Figure FDA00021606878600000214
表示零阶及一阶中子通量能谱随空间，能量，角度这三个变量的变化而变化；
Figure FDA00021606878600000215
是角度与零阶中子通量密度的空间梯度的点积，表示零阶中子的泄漏项；∑(r,E)是宏观总截面，
Figure FDA0002160687860000031
表示零阶中子的吸收项；Q(r,E)表示发生裂变反应产生的中子数和由中子发生散射产生的中子数之和，表示中子的产生项；
Figure FDA0002160687860000032
是中子通量密度
Figure FDA0002160687860000033
在角度上积分后的值；
Figure FDA0002160687860000034
是角度与一阶中子通量密度的空间梯度的点积，表示一阶中子的泄漏项；
Figure FDA0002160687860000035
表示一阶中子的吸收项；是中子通量密度
Figure FDA0002160687860000037
在角度上积分后的值，
Figure FDA0002160687860000038
表征由堆芯曲率引起的零阶中子通量对一阶中子通量的贡献；∑s1(r,E←E')表示材料的一阶散射截面；
根据公式(5)修正原拥有精细材料分布的非均匀组件中子输运计算得到的中子通量密度，并根据公式(6)求得各个栅元的泄漏系数，即扩散系数；
其中下标i表示组件内第i个栅元；上标SA表示单组件中子输运计算得到的值；
Figure FDA00021606878600000310
表示修正后的单组件计算下得到的各个地方各个能量下的中子通量密度；φSA(r,E)表示未修正的非均匀单组件中子输运计算下得到的各个地方各个能量下的中子通量密度；r∈i表示属于第i个栅元的各个空间位置；
Figure FDA00021606878600000311
表示泄漏修正模型计算得到的第i个栅元的临界能谱；
Figure FDA00021606878600000312
表示非均匀单组件中子输运计算下得到的第i个栅元的能谱；
Figure FDA00021606878600000313
其中Di表示第i个栅元的扩散系数；
Figure FDA00021606878600000314
表示非均匀泄漏修正模型计算得到的第i个栅元的一阶中子通量能谱；
Figure FDA00021606878600000315
表示非均匀泄漏修正模型计算得到的第i个栅元的零阶中子通量能谱；
步骤5：通过步骤4得到了修正后的中子通量密度分布以及各个栅元的扩散系数，利用修正后的中子通量密度采用通量体积权重方法重新得到各个栅元的少群均匀化截面；利用更新后的栅元少群均匀化截面与扩散系数对栅元均匀化后的组件进行低阶输运计算，求得各个栅元的平均通量；计算得到栅元均匀化后组件内各个栅元的平均中子通量密度与原非均匀组件中子输运计算得到的栅元平均中子通量密度的比值，并用这个比值再次和栅元均匀化的截面及扩散系数相乘对栅元均匀化的截面及扩散系数进行修正；
步骤6：步骤5得到的各个栅元的修正后的均匀化截面以及扩散系数即用来进行堆芯的逐棒计算；如果逐棒计算的组件计算需要进行燃耗计算，则重复步骤1到步骤5。
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