CN107419330A - 一种低侧壁斜向长晶坩埚及其制备方法 - Google Patents

一种低侧壁斜向长晶坩埚及其制备方法 Download PDF

Info

Publication number
CN107419330A
CN107419330A CN201710784273.3A CN201710784273A CN107419330A CN 107419330 A CN107419330 A CN 107419330A CN 201710784273 A CN201710784273 A CN 201710784273A CN 107419330 A CN107419330 A CN 107419330A
Authority
CN
China
Prior art keywords
main body
crucible
length
slurry
framed
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN201710784273.3A
Other languages
English (en)
Inventor
刘明权
路景刚
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Jiangsu High New Energy Developments Ltd
Original Assignee
Jiangsu High New Energy Developments Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Jiangsu High New Energy Developments Ltd filed Critical Jiangsu High New Energy Developments Ltd
Priority to CN201710784273.3A priority Critical patent/CN107419330A/zh
Publication of CN107419330A publication Critical patent/CN107419330A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C30CRYSTAL GROWTH
    • C30BSINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B28/00Production of homogeneous polycrystalline material with defined structure
    • C30B28/04Production of homogeneous polycrystalline material with defined structure from liquids
    • C30B28/06Production of homogeneous polycrystalline material with defined structure from liquids by normal freezing or freezing under temperature gradient
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C30CRYSTAL GROWTH
    • C30BSINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B29/00Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
    • C30B29/02Elements
    • C30B29/06Silicon
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C30CRYSTAL GROWTH
    • C30BSINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B35/00Apparatus not otherwise provided for, specially adapted for the growth, production or after-treatment of single crystals or of a homogeneous polycrystalline material with defined structure
    • C30B35/002Crucibles or containers

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)

Abstract

本发明是一种低侧壁斜向长晶坩埚,包括主体以及主体一端的底部,所述主体以及一端的底部为一体化成型结构,呈正方形结构,所述主体上端壁薄,下端壁厚,且所述主体侧壁厚度由上到下呈曲线型逐渐增大,其侧壁构成上窄下宽的结构,所述主体内部空间呈现倒梯形的结构,本发明结构简单、有效降低了下部侧壁的散热速率,抑制的侧边的长晶速率。

Description

一种低侧壁斜向长晶坩埚及其制备方法
技术领域
本发明涉及多晶硅铸锭领域,具体地说是一种低侧壁斜向长晶坩埚及其制备方法。
背景技术
目前,现有的坩埚在低导热特性方面,和铸锭固有的一些缺陷问题,使得高效多晶铸锭也存在如下一些问题:(1)由于坩埚侧壁偏薄,且由于铸锭过程中坩埚下部距离热源较远,易形成横向长晶现象,导致位错快速增殖,影响效率的进一步提升;(2)现有坩埚底部偏厚,且石英为热不良导体,导致底部散热速率偏慢,进一步提升了侧边斜向长晶的相对速率,导致侧壁长晶严重。
发明内容
本发明所要解决的技术问题是,克服现有技术的缺点,提供一种结构简单的低侧壁斜向长晶坩埚及其制备方法,能够有效降低了下部侧壁的散热速率,抑制的侧边的长晶速率。。
本发明解决以上技术问题的技术方案是:提供一种低侧壁斜向长晶坩埚,包括主体以及主体一端的底部,所述主体以及一端的底部为一体化成型结构,呈正方形结构,所述主体上端壁薄,下端壁厚,且所述主体侧壁厚度由上到下呈曲线型逐渐增大,其侧壁构成上窄下宽的结构,所述主体内部空间呈现倒梯形的结构。
本发明的进一步限定技术方案:
前述的主体最上端壁厚为18~22mm。
前述的主体最下端壁厚为25~30mm。
前述的主体一端底部厚度为18~20mm。
前述的主体以及主体一端的底部都采用99.99%纯度以上的熔融石英砂通过合适的粒径搭配通过注浆工艺成型。
本发明还提供一种低侧壁斜向长晶坩埚的制备方法,具体方法为:
a.将99.99%以上纯度的熔融石英砂送至刚玉球作为磨球的球磨机中进行研磨;
b.将研磨好的浆料灌入浆料桶中陈化7天左右,后将不同粒径的高纯石英砂按比例加入到混料桶中,以200-300r/min的转速搅拌3h以上,确保浆料混合均匀;
c. 然后将上述混合均匀的浆料由模框上部的加料口注入石膏模具中,该模具由模框和模芯两部分组成,模芯在磨具内呈正梯形结构,放入后使得其与模框边部上端间距大,下端间距小,通过浆料注入口将浆料注入到模框与模芯的间距中,接着将经过浸渍处理后的带有气孔的发泡材料铺在模芯顶部,利用石膏的吸水特性将浆料中的水分吸收干净,得到坩埚毛坯,在模框内部及模芯外表面需喷涂一层高纯石墨粉作为脱模剂;
d.将成型后的坯体在隧道窑中干燥 6-8h,控制干燥温度为30-40℃,制得具有一定强度的毛坯;
e.将干燥后的毛坯放入坩埚烧结隧道窑中进行最终烧结,整个烧结流程工艺时间在22-28h之间,坩埚最高烧结温度为1000-1050℃;
f.将坩埚取出,进行打磨,然后清洗、检验和包装。
本发明的有益效果是:本发明结构简单,主体以及一端的底部为一体化成型结构,降低了制作成本,且整体都采用高纯度的熔融石英砂制成,具有良好的耐高温性,在高温使用过程中,热膨胀系数小,耐腐蚀,具有优良的化学稳定性,上口壁薄,下口壁厚,侧壁厚度由上到下呈曲线型逐渐增大,构成上窄下宽的结构,内部空间呈现一种倒梯形的结构,有效降低了下部侧壁的散热速率,抑制的侧边的长晶速率;且坩埚底部为18~20mm,比原有的进行了减薄处理,提升底部散热速率,降低侧边相对长晶速率,减少侧向长晶的面积;本发明的侧边散热速率得到大幅降低,且随着热场结构特点呈渐进式变化,有效降低的斜向长晶速率,配合底部减薄处理,侧边斜向长晶面积降低为正常铸锭的1/3左右;本发明的坩埚配合长晶工艺微调,所铸硅锭边角晶砖斜向长晶面积得到大幅降低,抑制了位错的增殖,提升了晶体质量和光电转换效率;
本发明制备方法简单、易于操作,通过本发明制备方法所制备的坩埚耐腐蚀性强、使用寿命长;添加带有气孔的发泡材料,使得坩埚底部形成的孔洞大小均一,且分布均匀,从而能够使得本发明进行晶硅铸锭时,能够在底部均匀生产出小颗粒晶体,通过均匀的晶界限制位错,提高多晶硅铸锭的质量,同时也提升底部散热速率。
附图说明
图1是本发明结构示意图。
具体实施方式
实施例1
本实施例提供一种低侧壁斜向长晶坩埚,结构如图1所示,包括主体1以及主体一端的底部2,主体1以及一端的底部2为一体化成型结构,呈正方形结构,主体1上端壁薄,下端壁厚,主体最上端壁厚为20mm,主体最下端壁厚为28mm,且主体1侧壁厚度由上到下呈曲线型逐渐增大,其侧壁构成上窄下宽的结构,主体1内部空间呈现倒梯形的结构,其一端底部厚度为18mm,整体结构都采用99.999%纯度的熔融石英砂通过合适的粒径搭配通过注浆工艺成型。
本实施例还提供一种低侧壁斜向长晶坩埚的制备方法,具体方法为:
a.将99.999%纯度的熔融石英砂送至刚玉球作为磨球的球磨机中进行研磨;
b.将研磨好的浆料灌入浆料桶中陈化7天,后将不同粒径的高纯石英砂按比例加入到混料桶中,以300r/min的转速搅拌4h,确保浆料混合均匀;
c. 然后将上述混合均匀的浆料由模框上部的加料口注入石膏模具中,该模具由模框和模芯两部分组成,模芯在磨具内呈正梯形结构,放入后使得其与模框边部上端间距大,下端间距小,通过浆料注入口将浆料注入到模框与模芯的间距中,接着将经过浸渍处理后的带有气孔的发泡材料铺在模芯顶部,利用石膏的吸水特性将浆料中的水分吸收干净,得到坩埚毛坯,在模框内部及模芯外表面需喷涂一层高纯石墨粉作为脱模剂;
d.将成型后的坯体在隧道窑中干燥 8h,控制干燥温度为33℃,制得具有一定强度的毛坯;
e.将干燥后的毛坯放入坩埚烧结隧道窑中进行最终烧结,整个烧结流程工艺时间在24,坩埚最高烧结温度为1035℃;
f.将坩埚取出,进行打磨,然后清洗、检验和包装。
实施例2
本实施例提供一种低侧壁斜向长晶坩埚,结构如图1所示,包括主体1以及主体一端的底部2,主体1以及一端的底部2为一体化成型结构,呈正方形结构,主体1上端壁薄,下端壁厚,主体最上端壁厚为22mm,主体最下端壁厚为30mm,且主体1侧壁厚度由上到下呈曲线型逐渐增大,其侧壁构成上窄下宽的结构,主体1内部空间呈现倒梯形的结构,其一端底部厚度为19mm,整体结构都采用99.9999%纯度的熔融石英砂通过合适的粒径搭配通过注浆工艺成型。
本实施例还提供一种低侧壁斜向长晶坩埚的制备方法,具体方法为:
a.将99.9999%纯度的熔融石英砂送至刚玉球作为磨球的球磨机中进行研磨;
b.将研磨好的浆料灌入浆料桶中陈化7天,后将不同粒径的高纯石英砂按比例加入到混料桶中,以280r/min的转速搅拌5h,确保浆料混合均匀。;
c. 然后将上述混合均匀的浆料由模框上部的加料口注入石膏模具中,该模具由模框和模芯两部分组成,模芯在磨具内呈正梯形结构,放入后使得其与模框边部上端间距大,下端间距小,通过浆料注入口将浆料注入到模框与模芯的间距中,利用石膏的吸水特性将浆料中的水分吸收干净,得到坩埚毛坯,在模框内部及模芯外表面需喷涂一层高纯石墨粉作为脱模剂;
d.将成型后的坯体在隧道窑中干燥 6.5h,控制干燥温度为36℃,制得具有一定强度的毛坯;
e.将干燥后的毛坯放入坩埚烧结隧道窑中进行最终烧结,整个烧结流程工艺时间在25h,坩埚最高烧结温度为1020℃;
f.将坩埚取出,进行打磨,然后清洗、检验和包装。
除上述实施例外,本发明还可以有其他实施方式。凡采用等同替换或等效变换形成的技术方案,均落在本发明要求的保护范围。

Claims (6)

1.一种低侧壁斜向长晶坩埚,包括主体(1)以及主体一端的底部(2),其特征在于:所述主体(1)以及一端的底部(2)为一体化成型结构,呈正方形结构,所述主体(1)上端壁薄,下端壁厚,且所述主体(1)侧壁厚度由上到下呈曲线型逐渐增大,其侧壁构成上窄下宽的结构,所述主体(1)内部空间呈现倒梯形的结构。
2.根据权利要求1所述的低侧壁斜向长晶坩埚,其特征在于:所述主体(1)最上端壁厚为18~22mm。
3.根据权利要求1所述的低侧壁斜向长晶坩埚,其特征在于:所述主体(1)最下端壁厚为25~30mm。
4.根据权利要求4所述的低侧壁斜向长晶坩埚,其特征在于:所述主体(1)一端底部厚度为18~20mm。
5.根据权利要求1所述的低侧壁斜向长晶坩埚,其特征在于:所述主体(1)以及主体一端的底部(2)都采用99.99%纯度以上的熔融石英砂通过合适的粒径搭配通过注浆工艺成型。
6.根据权利1-5任意所述的低侧壁斜向长晶坩埚的制备方法,其特征在于,具体方法为:
a.将99.99%以上纯度的熔融石英砂送至刚玉球作为磨球的球磨机中进行研磨;
b.将研磨好的浆料灌入浆料桶中陈化7天左右,后将不同粒径的高纯石英砂按比例加入到混料桶中,以200-300r/min的转速搅拌3h以上,确保浆料混合均匀;
c. 然后将上述混合均匀的浆料由模框上部的加料口注入石膏模具中,该模具由模框和模芯两部分组成,模芯在磨具内呈正梯形结构,放入后使得其与模框边部上端间距大,下端间距小,通过浆料注入口将浆料注入到模框与模芯的间距中,接着将经过浸渍处理后的带有气孔的发泡材料铺在模芯顶部,利用石膏的吸水特性将浆料中的水分吸收干净,得到坩埚毛坯,在模框内部及模芯外表面需喷涂一层高纯石墨粉作为脱模剂;
d.将成型后的坯体在隧道窑中干燥 6-8h,控制干燥温度为30-40℃ ,制得具有一定强度的毛坯;
e.将干燥后的毛坯放入坩埚烧结隧道窑中进行最终烧结,整个烧结流程工艺时间在22-28h之间,坩埚最高烧结温度为1000-1050℃;
f.将坩埚取出,进行打磨,然后清洗、检验和包装。
CN201710784273.3A 2017-09-04 2017-09-04 一种低侧壁斜向长晶坩埚及其制备方法 Pending CN107419330A (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201710784273.3A CN107419330A (zh) 2017-09-04 2017-09-04 一种低侧壁斜向长晶坩埚及其制备方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201710784273.3A CN107419330A (zh) 2017-09-04 2017-09-04 一种低侧壁斜向长晶坩埚及其制备方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN107419330A true CN107419330A (zh) 2017-12-01

Family

ID=60435548

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201710784273.3A Pending CN107419330A (zh) 2017-09-04 2017-09-04 一种低侧壁斜向长晶坩埚及其制备方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN107419330A (zh)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN109280964A (zh) * 2018-10-16 2019-01-29 山东天岳先进材料科技有限公司 一种生长碳化硅单晶的热场结构

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN202107796U (zh) * 2011-05-13 2012-01-11 徐州协鑫太阳能材料有限公司 多晶硅铸锭用石英陶瓷坩埚
CN103088417A (zh) * 2013-01-22 2013-05-08 晶海洋半导体材料(东海)有限公司 一种多晶铸锭用高效坩埚及其制备方法
CN104947185A (zh) * 2015-07-06 2015-09-30 阿特斯(中国)投资有限公司 石英坩埚的制备方法
CN204874820U (zh) * 2015-06-30 2015-12-16 北京京仪集团涿鹿光伏材料有限公司 一种多晶铸锭炉用的新型石英坩埚保护板
CN106801252A (zh) * 2016-12-30 2017-06-06 江西中材太阳能新材料有限公司 一种多晶硅铸锭用石英陶瓷坩埚及其制备方法
CN107032771A (zh) * 2017-03-17 2017-08-11 邹亚静 一种石英陶瓷坩埚的制造方法
CN207699723U (zh) * 2017-09-04 2018-08-07 江苏高照新能源发展有限公司 一种低侧壁斜向长晶坩埚

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN202107796U (zh) * 2011-05-13 2012-01-11 徐州协鑫太阳能材料有限公司 多晶硅铸锭用石英陶瓷坩埚
CN103088417A (zh) * 2013-01-22 2013-05-08 晶海洋半导体材料(东海)有限公司 一种多晶铸锭用高效坩埚及其制备方法
CN204874820U (zh) * 2015-06-30 2015-12-16 北京京仪集团涿鹿光伏材料有限公司 一种多晶铸锭炉用的新型石英坩埚保护板
CN104947185A (zh) * 2015-07-06 2015-09-30 阿特斯(中国)投资有限公司 石英坩埚的制备方法
CN106801252A (zh) * 2016-12-30 2017-06-06 江西中材太阳能新材料有限公司 一种多晶硅铸锭用石英陶瓷坩埚及其制备方法
CN107032771A (zh) * 2017-03-17 2017-08-11 邹亚静 一种石英陶瓷坩埚的制造方法
CN207699723U (zh) * 2017-09-04 2018-08-07 江苏高照新能源发展有限公司 一种低侧壁斜向长晶坩埚

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN109280964A (zh) * 2018-10-16 2019-01-29 山东天岳先进材料科技有限公司 一种生长碳化硅单晶的热场结构

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN103469293B (zh) 一种多晶硅的制备方法
CN101880166A (zh) 一种大型石英陶瓷坩埚的制备方法
CN107573101A (zh) 一种坩埚及其制备方法
CN103088417A (zh) 一种多晶铸锭用高效坩埚及其制备方法
CN105645782B (zh) 用于多晶硅铸锭的高效免喷涂熔融石英坩埚的制造方法
CN104047048A (zh) 一种新型铸锭坩埚及其制备方法
CN109020523A (zh) 一种低铁超白熔融石英陶瓷坩埚制备方法
CN104911703A (zh) 一种多晶硅铸锭氮化硅涂层坩埚及涂层制备方法
CN107419330A (zh) 一种低侧壁斜向长晶坩埚及其制备方法
CN206486622U (zh) 一种用于gt多晶炉铸造g7多晶硅锭的装置
CN106986554A (zh) 一种超高纯涂层石英坩埚的制作方法
CN103664063B (zh) 一种制备陶粒加气混凝土砌块的方法及装置
CN107974710A (zh) 基于石英籽晶的高性能多晶硅的生长方法
CN107117920A (zh) 一种耐腐蚀长寿命石膏模具的制备方法
CN101935868A (zh) 一种用于生长大晶粒铸造多晶硅的坩埚
CN104988342B (zh) 一种锆合金熔炼和浇铸方法
CN107699946A (zh) 一种多晶铸锭用功能性g8石英坩埚及其制备方法
CN207159416U (zh) 一种内部容积可变的坩埚
CN203159742U (zh) 一种多晶铸锭用高效坩埚
CN105039751B (zh) 锆合金用接触材料、采用该材料的过滤介质和浇道的制备方法
CN205893457U (zh) 一种多晶硅铸锭用坩埚
CN207699723U (zh) 一种低侧壁斜向长晶坩埚
CN103553635A (zh) 一种陶瓷型芯的制作方法
CN204455352U (zh) 一种椭圆形双层石英坩埚
CN106336208B (zh) 一种均相熔融石英坩埚的制备方法

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
CB02 Change of applicant information
CB02 Change of applicant information

Address after: No.198 Guangming Road, Yangzhong Economic Development Zone, Zhenjiang City, Jiangsu Province

Applicant after: Jiangsu Meike Solar Energy Technology Co.,Ltd.

Address before: 968 GANGLONG Road, Yangzhong Economic Development Zone, Zhenjiang City, Jiangsu Province

Applicant before: JIANGSU GAOZHAO NEW ENERGY DEVELOPMENT Co.,Ltd.

CB02 Change of applicant information
CB02 Change of applicant information

Address after: No.198 Guangming Road, Yangzhong Economic Development Zone, Zhenjiang City, Jiangsu Province

Applicant after: Jiangsu Meike Solar Energy Technology Co.,Ltd.

Address before: No.198 Guangming Road, Yangzhong Economic Development Zone, Zhenjiang City, Jiangsu Province

Applicant before: Jiangsu Meike Solar Energy Technology Co.,Ltd.

RJ01 Rejection of invention patent application after publication
RJ01 Rejection of invention patent application after publication

Application publication date: 20171201