CN107408878A - 多相电力变换装置的控制电路 - Google Patents

Abstract

提供一种即使多相同时发生臂短路也能够防止多相电力变换装置的开关元件、驱动电路的损伤的多相电力变换装置的控制电路。具备：电流检测部(22)，其将流过开关元件的电流作为电压值来进行检测；过电流检测部(23)，其在由电流检测部(22)检测出的电压值大于第一基准电压的情况下输出个别过电流检测信号Scu；以及过电流状态控制部(25)，其在两相以上的电流检测部检测出过电流状态时输出多相过电流信号，来使驱动电路的开关元件的控制端子与发射极端子短路。

Description

多相电力变换装置的控制电路

技术领域

本发明涉及一种在多相电力变换装置中在产生过电流状态时保护开关元件等的多相电力变换装置的控制电路。

背景技术

在以往的例如输出三相电力的多相电力变换装置的控制电路中使用以下方法：在例如三相中的某一相检测出过电流状态时，停止向相应的一相的开关元件的控制端子提供拉电流，并且使开关元件的控制端子的电压与规定的基准电压一致来使开关元件的控制端子的电压稳定化(例如，参照专利文献1)。

在该以往技术中，利用检测出过电流状态而得到的过电流检测信号来使运算放大器进行动作，通过该运算放大器来将对输出到开关元件的控制端子的输出电压进行分压后得到的分压电压与基准电压进行比较，控制输出电压使得分压电压变为基准电压。

专利文献1：日本特开2010-62860公报(图6)

发明内容

发明要解决的问题

然而，在上述以往技术中，即使检测出过电流状态，也对向开关元件的控制端子提供的输出电压进行控制以使分压电压变为基准电压，开关元件会持续为接通状态。

因此，为了使开关元件成为断开状态，可考虑：在开关元件的控制端子与低电位侧端子之间另外连接开关元件，利用通过延迟电路延迟了规定时间的延迟过电流检测信号将该另外连接的开关元件控制为接通状态，由此将开关元件的控制端子与低电位侧端子之间短路。

另外，在多相逆变器和多相转换器等多相电力变换装置中，有时由于噪声等所引起的误动作，少有地发生如下情况：多相同时发生臂短路而变为过电流状态。在这种多相同时的臂短路时，流过与仅一相的臂短路时相比而言的数倍的过电流。当流过这种大的过电流时，由于电流的时间变化而在如引线键合(wire bonding)那样的电抗部分的两端产生瞬间性的电压移位(voltage shift)。以该电压移位为触发，在电路内的闭环中产生振动。

存在以下情况：由于该多相同时的臂短路，在由延迟电路设定的延迟时间的期间、即通过运算放大器将输出电压控制为设定电压的期间，如图3的(B)的从t1至t2之间所示那样发生伴有大的振幅的振荡现象，如果在从臂短路开始起的由延迟电路设定的上述的延迟时间以内超过构成多相电力变换装置的开关元件的IGBT的耐压，则该IGBT、驱动电路发生损伤。

本发明的课题在于，即使像这样多相同时发生臂短路，也防止多相电力变换装置的开关元件、驱动电路的损伤。

用于解决问题的方案

本发明所涉及的多相电力变换装置的控制电路的一个方式是多相电力变换装置的控制电路，该多相电力变换装置的控制电路具有与针对多相中的各相设置的开关元件分别对应地驱动所述开关元件的开关元件驱动电路，该开关元件驱动电路具备：驱动电流提供电路，其在要使对应的开关元件为动作状态的情况下向开关元件的控制端子提供拉电流，在要使开关元件为非动作状态的情况下向控制端子提供灌电流；电流检测部，其将流过开关元件的电流作为电压值来进行检测；过电流检测部，其在由电流检测部检测出的电压值大于第一基准电压的情况下输出个别过电流检测信号；以及过电流状态控制部，其在至少两相以上的所述开关元件驱动电路的过电流检测部输出了所述个别过电流检测信号时输出多相过电流信号，来使开关元件的控制端子与低电位侧端子短路。

发明的效果

根据本发明，在两相同时或者三相同时等多相同时发生臂短路的情况下，在检测出多相同时发生臂短路后无需等待规定时间的经过就进行短路保护的应对，因此开关元件、驱动电路不会发生损伤。

附图说明

图1是表示本发明所涉及的电力变换装置及其控制电路的第一实施方式的图。

图2是表示第一实施方式的输入输出端子的连接方法的图。

图3是表示从开关元件驱动电路输出的Vtout信号的波形的图。

图4是表示省略了第一实施方式的多相过电流检测部的电力变换装置及其控制电路的图。

图5是表示本发明所涉及的电力变换装置及其控制电路的第二实施方式的图。

具体实施方式

接着，参照附图来说明本发明的一个实施方式。在下面的附图的记载中，对相同或类似的部分标注相同或类似的标记。

另外，下面示出的实施方式用于例示用于将本发明的技术思想具体化的装置、方法，本发明的技术思想并不将结构部件的材质、形状、构造、配置等特别指定为下述的材质、形状、构造、配置等。关于本发明的技术思想，在权利要求书中记载的权利要求所规定的技术范围内能够追加各种变更。

下面，参照附图来说明本发明的一个实施方式所涉及的半导体元件的驱动装置。

在图1中，1是作为多相电力变换装置的三相逆变器装置。该三相逆变器装置1在连接于直流电压源(未图示)的正极线P与负极线N之间并联连接有3个开关臂SA1～SA3。

开关臂SA1的作为开关元件的IGBT 11(X相)和IGBT 12(U相)串联连接于负极线N与正极线P之间，从该IGBT 11与该IGBT 12的连接点引出交流输出端子tu。

另外，开关臂SA2的作为开关元件的IGBT 13(Y相)和IGBT 14(V相)串联连接于负极线N与正极线P之间，从该IGBT 13与该IGBT 14的连接点引出交流输出端子tv。

并且，开关臂SA3的作为开关元件的IGBT 15(Z相)和IGBT 16(W相)串联连接于负极线N与正极线P之间，从该IGBT 15与该IGBT 16的连接点引出交流输出端子tw。

而且，各交流输出端子tu、tv、tw与三相交流电动机等三相负载连接。

另外，关于构成三相逆变器装置1的各IGBT 11～16，如以IGBT 11为代表来示出的那样，分别具备集电极与IGBT 11的集电极连接、且栅极与IGBT 11的栅极连接的电流检测用IGBT 17，但是省略了各电流检测用IGBT的图示。

而且，关于构成三相逆变器装置1的各IGBT 11～16的栅极电压VG，如以IGBT 11为代表来示出的那样，栅极电压VG被作为开关元件驱动电路的驱动电路111所控制。为了驱动6个IGBT，各IGBT均需要驱动电路，但是图1中仅示出了对X相的IGBT 11进行驱动的驱动电路111来代表这些驱动电路。

该驱动电路111具备：控制信号输入端子tin，对三相逆变器装置1的IGBT11进行接通/断开控制的接通/断开控制信号CS被输入到该控制信号输入端子tin；直流控制电源端子tvcc，来自直流控制电压源30的直流电压Vcc被输入到该直流控制电源端子tvcc；输出端子tout，其与逆变器装置1的IGBT 11的栅极连接；第一接地端子tpgnd，其与逆变器装置1的负极线N连接；检测电流输入端子toc，其与逆变器装置1的电流检测用IGBT 17的发射极连接；以及第二接地端子tgnd，其与外部的地(未图示)连接。

另外，驱动电路111具备驱动电流提供电路21、电流检测部22、过电流检测部23、多相过电流状态检测部24以及过电流状态控制部25。

驱动电流提供电路21具有作为第一开关元件的P沟道场效应型晶体管26和作为第二开关元件的N沟道场效应型晶体管27，该P沟道场效应型晶体管26和该N沟道场效应型晶体管27串联连接于直流控制电压端子tvcc与第一接地端子tpgnd之间，该P沟道场效应型晶体管26对拉电流进行控制，该N沟道场效应型晶体管27对灌电流进行控制。

P沟道场效应晶体管26的源极与直流控制电源端子tvcc连接，P沟道场效应晶体管26的漏极与N沟道场效应晶体管27的漏极连接，P沟道场效应晶体管26的栅极与或电路28连接。该或电路28被输入后述的过电流检测部23的个别过电流检测信号Scu、延迟电路63的延迟过电流检测信号Scd、输入到控制信号输入端子tin的控制信号CS。

N沟道场效应晶体管27的漏极与P沟道场效应晶体管26的源极连接，N沟道场效应晶体管27的源极与第一接地端子tpgnd连接，N沟道场效应晶体管27的栅极与输入端子tin连接。

而且，P沟道场效应型晶体管26与N沟道场效应型晶体管27的连接点连接于输出端子tout。

电流检测部22具有串联连接于电流输入端子toc与第二接地端子tgnd之间的电阻41和电阻42，从电阻41与电阻42的连接点输出与流过三相逆变器装置1的IGBT 11的集电极的电流值相应的电压值Vi。

另外，过电流检测部23具备比较器51，其中，从电流检测部22输出的电压值Vi被输入到该比较器51的非反相输入端子，从第一基准电压源59向该比较器51的反相输入端子输入第一基准电压Vb1。该比较器51在Vi<Vb1时输出L电平的比较信号来作为个别过电流检测信号Scu，在Vi≥Vb1时输出H电平的比较信号来作为个别过电流检测信号Scu。

多相过电流状态检测部24具备：输出端子31，其将从过电流检测部23输出的个别过电流检测信号Scu输出到其它驱动电路113和115；以及输入端子32和33，从其它驱动电路113和115的过电流检测部23输出的个别过电流检测信号Scv和Scw被输入到所述输入端子32和33。

另外，多相过电流状态检测部24具备或电路53和3个与电路52a、52b及52c，这些与电路52a、52b及52c的输出被输入到该或电路53。个别过电流检测信号Scu和Scv被输入到与电路52a，它们的逻辑与输出被输出到或电路53。个别过电流检测信号Scu和Scw被输入到与电路52b，它们的逻辑与输出被输出到或电路53。个别过电流检测信号Scv和Scw被输入到与电路52c，它们的逻辑与输出被输出到或电路53。然后，或电路53的逻辑或输出作为多相过电流信号Soc被输出。

过电流状态控制部25具备：短路用开关元件61，其与驱动电流提供电路21的开关元件27并联连接；以及运算放大器65，其将输出端子tout的栅极电压VG控制为第二基准电压Vb2。

短路用开关元件61例如由N沟道场效应晶体管构成。该N沟道场效应晶体管的漏极连接于驱动电流提供电路21的场效应晶体管26同场效应晶体管27的连接点与输出端子tout之间，该N沟道场效应晶体管的源极连接于驱动电流提供电路的场效应晶体管27的源极与第一接地端子tpgnd之间，该N沟道场效应晶体管的栅极连接于或电路62。

或电路62被输入从多相过电流状态检测部24输出的多相过电流信号Soc以及从延迟电路63输出的延迟过电流检测信号Scd，该延迟电路63使过电流检测部23的个别过电流检测信号Scu延迟规定时间。通过该短路用开关元件61成为接通状态，开关元件11的控制端子(栅极端子)与低电位侧端子(发射极端子)之间被短路。

运算放大器65的非反相输入端子连接于输出第二基准电压Vb2的第二基准电压源66，运算放大器65的反相输入端子连接于与短路用开关元件61并联连接的分压电阻67与分压电阻68的连接点，运算放大器65的输出端子连接于输出端子tout。从与电路70提供向该运算放大器65提供的动作电源，其中，从过电流检测部23输出的个别过电流检测信号Scu被输入到该与电路70，并且从多相过电流状态检测部24输出的多相过电流信号Soc经由逻辑反转电路(非电路)69被输入到该与电路70。

图2是表示与端子31、32、33有关的驱动电路111、113、115之间的相互连接方法的图。驱动电路111、113、115分别是对IGBT 11、13、15进行驱动的电路，各自的结构与图1的驱动电路111同等。如图2所示，将1个驱动电路的端子31与其它驱动电路的端子32或33连接。

接着说明上述第一实施方式的动作。

首先，说明IGBT 11的集电极与发射极未短路(臂短路)的正常状态下的动作。

用于对IGBT 11的接通/断开进行切换的控制信号CS被输入到端子tin。该控制信号CS是在驱动电路111的输入电压Vcc(下面也记载为H电平)与地电压(下面也记载为L电平)之间转变的矩形波信号。当端子tin的电压变为L电平时，N沟道场效应型晶体管27成为非导通状态。

另外，在正常动作时，在来自端子tin的控制信号CS为L电平时，或电路28的其它输入也为L电平，因此P沟道场效应型晶体管26的栅极电位为L电平，P沟道场效应型晶体管26导通。其结果，从直流控制电压源30经由P沟道场效应型晶体管26提供对IGBT 11的栅极电容进行充电的拉电流，端子tout的电压变为输入电压Vcc，IGBT 11变为导通。

另外，当输入到端子tin的控制信号CS的电压变为H电平时，P沟道场效应型晶体管26变为非导通，代之N沟道场效应型晶体管27变为导通状态。因而，使IGBT 11的栅极电容进行放电的灌电流流过N沟道场效应型晶体管27，端子tout变为L电平，IGBT 11变为关断。这样，通过以依次切换IGBT 11～16的导通与关断的状态的方式进行控制，逆变器装置1能够基于PN之间的直流电压得到三相的交流电压。

接着，在仅一相发生臂短路(即，IGBT的集电极与发射极变为短路状态。在此，考虑与IGBT 11串联连接的IGBT 12变为短路状态之时。)的情况下，IGBT 11的集电极与发射极之间被施加数百伏特的直流高电压，当IGBT 11变为导通时，成为过大的集电极电流流过IGBT 11的状态。

因此，与IGBT 11的集电极电流成正比的小电流流过IGBT 11的集电极电流检测用的IGBT 17，该电流经由toc端子流入到电阻41和电阻42，电阻42的两端电压Vi也上升。IGBT11的集电极电流越大，则电阻42的两端电压Vi也与其成正比地越高。当所述电阻42的两端电压Vi变为第一基准电压值Vb1以上时，从过电流检测部23的比较器51输出的个别过电流检测信号Scu从L电平反转为H电平。

反转为H电平的个别过电流检测信号Scu经由或电路28被提供到P沟道场效应型晶体管26的栅极，使该P沟道场效应型晶体管26成为非导通。

在仅该一相的驱动电路111发生臂短路时，在其它驱动电路113和115中，过电流检测部23未检测出过电流，输入到输入端子32和33的个别过电流检测信号Scv和Scw为L电平。

因此，从各与电路52a、52b及52c输出的逻辑与输出为L电平，从或电路53输出的多相过电流信号Soc维持L电平。利用逻辑反转电路69对该多相过电流信号Soc进行逻辑反转。

因而，个别过电流检测信号的H电平以及将多相过电流信号Soc反转后得到的H电平被输入到与电路70的输入侧，因此该与电路70的输出为H电平，向运算放大器65供给工作电力。其结果，作为驱动电路111的输出电压的栅极电压VG被控制为使通过分压电阻67和68得到的分压电压与第二基准电压Vb2相等。由此，控制为使电压Vtout成为比端子tvcc的电压Vcc低的固定值，来将流过IGBT 11的电流限制为固定值，由此避免IGBT 11的器件损坏。

另外，过电流检测部23的个别过电流检测信号Scu还被输入到延迟电路63。因此，当经过了由延迟电路63预先设定的时间以上时，从延迟电路63输出H电平的延迟过电流检测信号Scd，经由或电路28提供到P沟道场效应型晶体管26的栅极，使该P沟道场效应晶体管26的非导通持续。与此同时，延迟过电流检测信号Scd经由或电路62被提供到短路用开关元件61的栅极，该短路用开关元件61被控制为接通状态。因此，使端子tout的电压下降到地电平。因而，IGBT 11的栅极与发射极之间被短路。

图3表示端子tout的电压Vtout的波形。(A)是一臂短路(仅一相为过电流)的情况下的波形。t0是Vtin下降的时刻，t1是电压值Vi为电压值Vb1以上、从而探测出过电流的时刻，t2是从时刻t1延迟了由延迟电路63设定的延迟时间Δt的时刻(t2＝t1+Δt)。这样，当检测出过电流时，电压Vout被运算放大器65控制为固定电压，之后在经过了由延迟电路63设定的时间后使电压Vtout慢慢下降。

接着，使用图1～图3来说明两相以上同时发生过电流的情况下的动作。在图1和图2中，在与三相中的任意两相对应的IGBT、例如IGBT 11和IGBT 13由于某种原因而同时变为过电流状态的情况下，从各过电流检测部23向驱动电路111和113各自的端子31输出个别过电流检测信号Scu和Scv。

此时，根据驱动电路111的端子31的个别过电流检测信号Scu，驱动电路111的个别过电流检测信号Scu也被输出到与驱动电路111的端子31连接的驱动电路113的端子32和驱动电路115的端子33。同样地，根据驱动电路113的端子31的个别过电流检测信号Scv，驱动电路113的个别过电流检测信号Scv也被输出到与驱动电路113的端子31连接的驱动电路111的端子33和驱动电路115的端子32。因此，在驱动电路111中对端子31和32提供H电平的个别过电流检测信号，在驱动电路113中对端子31和33提供H电平的个别过电流检测信号，在驱动电路115中对端子32和33提供H电平的个别过电流检测信号。

于是，在驱动电路111中与电路52a输出H电平，在驱动电路113中与电路52b输出H电平，在驱动电路115中与电路52c输出H电平，因此各自的或电路53也输出H电平、即多相过电流信号Soc。当或电路53的输出变为H电平时，或电路62的输出也立即变为H电平，N沟道场效应型晶体管61立即导通。图3的(C)中示出了此时的Vtout波形。与当仅一相发生臂短路时在经过了由延迟电路54预先设定的时间后N沟道场效应型晶体管61才接通的情况相比，能够使全部三相的IGBT瞬间停止，从而能够防止因过电流引起的IGBT的损坏。

此外，当或电路53的输出变为H电平时，逻辑反转电路69的输出变为L电平，因此运算放大器65变为非动作状态。另外，在仅一相发生臂短路的情况下，与一相对应的IGBT、例如IGBT 11变为过电流状态，从比较器51向驱动电路111的端子31输出个别过电流检测信号Scu。

此时，仅向驱动电路113的端子33和驱动电路115的端子32提供个别过电流检测信号Scu，驱动电路111的端子32和33、驱动电路113的端子31和32以及驱动电路115的端子31和33不被提供个别过电流检测信号。因此，驱动电路111、113及115的与电路52a、52b、52c的输出均为L电平，因此或电路53的输出即多相过电流信号Soc维持L电平。在该情况下为图3的(A)的从t1至t2所示的动作。

并且，在全部三相的开关臂SA～SC同时发生臂短路的情况下，通过各驱动电路111、113及115各自的多相过电流检测部24来从3个与电路52a～52c同时输出H电平，它们经由或电路53来被输出为多相过电流信号Soc，因此与上述的两相同时发生臂短路的情况同样地，能够利用各驱动电路111、113及115同时使IGBT 11、13及15立即关断来防止因过电流引起的IGBT的损坏。

在本实施方式中，如上所述，在多相同时发生臂短路的情况下，能够使全部三相的IGBT瞬间停止，从而能够防止以下情况：由于在多相同时发生臂短路的情况下引起的振荡现象而超过IGBT的耐压，IGBT、驱动电路发生损伤。

即，在省略了本实施方式中的多相过电流检测部24的情况下，如图4所示，从过电流检测部23输出的个别过电流检测信号Scu经由或电路28被提供到P沟道场效应晶体管26的栅极，并且作为动作电源被提供到运算放大器65，还被提供到延迟电路63。从该延迟电路63输出的延迟过电流检测信号Scd被提供到或电路28，并且被提供到短路用开关元件61的栅极。

在该图4的结构中，是各相分别使驱动电路停止的结构，因此即使在多相同时变为过电流状态的情况下，各相的过电流状态控制部25也进行动作，驱动电路111、IGBT 11在延迟由延迟电路63设定的时间后停止。

因而，例如在仅在由IGBT 11及12构成的开关臂SA发生臂短路的情况下，利用过电流检测部23的比较器51检测出过电流，来输出H电平的个别过电流检测信号Scu。因此，通过个别过电流检测信号Scu，P沟道场效应晶体管26成为非导通状态，并且运算放大器65被供给工作电力而成为动作状态。之后，在经过了由延迟电路63设定的延迟时间Δt的时间点，短路用开关元件61被控制为导通状态，IGBT 11的栅极与发射极之间被短路，IGBT 11变为关断。

另一方面，例如在开关臂SA和SB同时发生臂短路的情况下，利用驱动电路111和113的过电流检测部23个别地检测出过电流。因此，U相和V相的过电流状态控制部25进行动作，驱动电路111、IGBT 11在延迟由延迟电路63设定的时间后停止。

在这种多相同时的臂短路时，流过与仅一相的臂短路时相比而言的数倍的过电流。当流过这种大的过电流时，由于电流的时间变化而在如引线键合那样的电抗部分的两端产生瞬间性的电压移位。以该电压移位为触发，在电路内的闭环中产生振动。

存在以下情况：由于该多相同时的臂短路，在由延迟电路63设定的延迟时间的期间、即通过运算放大器将输出电压控制为设定电压的期间，如图3的(B)的从t1至t2之间所示那样发生伴有大的振幅的振荡现象，如果在从臂短路开始起的由延迟电路63设定的上述的延迟时间以内超过构成多相电力变换装置的开关元件的IGBT的耐压，则该IGBT、驱动电路发生损伤。

与此相对，在本实施方式中，对各驱动电路111、113及115分别设置有多相过电流状态检测部24，在由该多相过电流状态检测部24检测出多相的过电流状态时，输出多相过电流信号Soc。因此，在各驱动电路111、113及115中同时地利用多相过电流信号Soc使短路用开关元件61瞬间导通来使IGBT11关断，并且停止向运算放大器65供给工作电力。因而，从驱动电路111的输出端子tout输出的输出电压(栅极电压)Vtout如图3的(c)所示那样立即下降，从而不再受到以由于电流的时间变化而在如引线键合那样的电抗部分的两端产生的瞬间性的电压移位为触发来在电路内的闭环中产生的振动的影响。

接着，使用图5来说明本发明的第二实施方式。

第一实施方式是在两相或三相同时检测出过电流的情况下能够使全部三相的IGBT立即断开的电路结构，与此相对，在第二实施方式中，不同点在于第二实施方式是能够仅在全部三相同时检测出过电流的情况下将全部三相的IGBT立即关断的电路结构。

在图5中，多相过电流检测部24具备三输入与电路52d，端子31、32、33直接被输入到该三输入与电路52d。因此，要使多相过电流信号Soc为H电平，需要输出端子31、32、33的个别过电流检测信号Scu、Scv及Scw均切换为H电平。即，检测为过电流的条件是：全部三相同时为过电流状态，驱动电路111、113及115的全部个别过电流检测信号Scu、Scv及Scw均为H电平，从端子32和33也输入H电平的信号，其中，端子32和33从其它驱动电路被提供个别过电流检测信号。除此以外的电路结构、动作、Vtout波形与图1、图2、图3的(C)相同。

此外，第一实施方式、第二实施方式均为在下臂(X相、Y相、Z相)的IGBT中进行臂短路的过电流检测和控制的电路结构。其原因是，在上臂，各自的地是独立地变动的，难以进行臂短路的电流检测和控制。

另外，在上述第一实施方式和第二实施方式中，说明了逆变器装置1的开关元件是IGBT的情况，但是不限定于此，能够应用MOSFET等电压控制型半导体元件，还能够应用SiC-IGBT、SiC-MOSFET、GaN-IGBT、GaN-MOSFET等宽禁带半导体元件。

并且，在上述第一实施方式和第二实施方式中，说明了应用三相逆变器装置来作为多相电力变换装置的情况，但是不限定于此，能够将本发明应用于四相以上的多相逆变器、多相转换器。

附图标记说明

1：逆变器装置；SA1、SA2、SA3：开关臂；11、13、15：下臂(X相、Y相、Z相)IGBT；12、14、16：上臂(U相、V相、W相)IGBT；17：IGBT 11的电流检测用IGBT；21：驱动电流提供电路；22：电流检测部；23：过电流检测部；24：多相过电流状态检测部；25：过电流状态控制部；26：P沟道场效应型晶体管；27：N沟道场效应型晶体管；28：或电路；30：直流控制电压源；31、32、33：端子；41、42：电阻；51：比较器；52a、52b、53c、52d、707：与电路；54：延迟电路；53、62：或电路；69：逻辑反转电路；59：第一基准电压源(电压Vb1)；61：短路用开关元件；65：运算放大器；66：第二基准电压源(电压Vb2)；111、113、115：驱动电路。

Claims (7)

1.一种多相电力变换装置的控制电路，其特征在于，

具有与针对多相中的各相设置的开关元件分别对应地驱动所述开关元件的开关元件驱动电路，

该开关元件驱动电路具备：

驱动电流提供电路，其在要使对应的所述开关元件为动作状态的情况下向所述开关元件的控制端子提供拉电流，在要使所述开关元件为非动作状态的情况下向所述控制端子提供灌电流；

电流检测部，其将流过所述开关元件的电流作为电压值来进行检测；

过电流检测部，其在由所述电流检测部检测出的电压值大于第一基准电压的情况下输出个别过电流检测信号；以及

过电流状态控制部，其在至少两相以上的所述开关元件驱动电路的所述过电流检测部输出了所述个别过电流检测信号时输出多相过电流信号，来使所述开关元件的控制端子与低电位侧端子短路。

2.根据权利要求1所述的多相电力变换装置的控制电路，其特征在于，

所述开关元件驱动电路分别具备：

输出自己生成的所述个别过电流检测信号的端子；以及

输入从其它开关元件驱动电路输出的所述个别过电流检测信号的端子。

3.根据权利要求1所述的多相电力变换装置的控制电路，其特征在于，

所述开关元件驱动电路具有运算放大器，该运算放大器具备：反相输入端子，对所述开关元件的控制端子的电压进行检测所得到的电压被输入到该反相输入端子；非反相输入端子，第二基准电压被输入到该非反相输入端子；以及与所述开关元件的控制端子连接的输出端子，

在所述开关元件驱动电路的内部输出了所述个别过电流检测信号且未输出所述多相过电流信号时，该运算放大器成为动作状态。

4.根据权利要求1所述的多相电力变换装置的控制电路，其特征在于，

所述开关元件驱动电路还具备多相过电流状态检测部，该多相过电流状态检测部被输入各相的所述个别过电流检测信号，在两个以上的个别过电流检测信号为接通状态时输出所述多相过电流信号，

所述过电流状态控制部具备连接于所述开关元件的控制端子与低电位侧端子之间的短路用开关元件，所述多相过电流信号被输入到所述短路用开关元件的控制端子。

5.根据权利要求4所述的多相电力变换装置的控制电路，其特征在于，

所述多相过电流状态检测部具备：多个逻辑与电路，该多个逻辑与电路分别被输入各所述个别过电流检测信号中的不同的两个个别过电流检测信号；以及逻辑或电路，各逻辑与电路的输出被输入到该逻辑或电路，所述多相过电流状态检测部从所述逻辑或电路输出所述多相过电流信号。

6.根据权利要求1所述的多相电力变换装置的控制电路，其特征在于，

所述多相过电流状态检测部具有逻辑与电路，全部所述个别过电流检测信号均被输入到该逻辑与电路，所述多相过电流状态检测部从该逻辑与电路输出所述多相过电流信号。

7.根据权利要求1所述的多相电力变换装置的控制电路，其特征在于，

所述电力变换装置的开关元件是电压控制型半导体元件。