CN107404292A - 供电检测电路 - Google Patents

供电检测电路 Download PDF

Info

Publication number
CN107404292A
CN107404292A CN201611093425.7A CN201611093425A CN107404292A CN 107404292 A CN107404292 A CN 107404292A CN 201611093425 A CN201611093425 A CN 201611093425A CN 107404292 A CN107404292 A CN 107404292A
Authority
CN
China
Prior art keywords
input
output end
comparator
voltage
encoder
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN201611093425.7A
Other languages
English (en)
Inventor
李旋
李小勇
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Shanghai Muju Microelectronics Co., Ltd
Original Assignee
Shanghai Wei Le Microelectronics Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Shanghai Wei Le Microelectronics Co Ltd filed Critical Shanghai Wei Le Microelectronics Co Ltd
Priority to CN201611093425.7A priority Critical patent/CN107404292A/zh
Publication of CN107404292A publication Critical patent/CN107404292A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03F—AMPLIFIERS
    • H03F1/00—Details of amplifiers with only discharge tubes, only semiconductor devices or only unspecified devices as amplifying elements
    • H03F1/30—Modifications of amplifiers to reduce influence of variations of temperature or supply voltage or other physical parameters
    • H03F1/303—Modifications of amplifiers to reduce influence of variations of temperature or supply voltage or other physical parameters using a switching device
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03F—AMPLIFIERS
    • H03F2200/00—Indexing scheme relating to amplifiers
    • H03F2200/294—Indexing scheme relating to amplifiers the amplifier being a low noise amplifier [LNA]

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Amplifiers (AREA)

Abstract

本发明公开了一种供电检测电路，包括：带隙基准源、电源电压分压器、比较器、编码器和主电路；所述带隙基准源的输出端输出带隙基准电压至所述比较器的第一输入端，所述电源电压分压器的输入端输入电源电压，所述电源电压分压器的输出端输出x倍的电源电压至所述比较器的第二输入端，0<x<1；所述比较器比较所述带隙基准电压和所述x倍的电源电压，并将比较结果通过所述比较器的输出端输出至所述编码器的输入端；所述编码器对所述比较结果编码，并将编码结果通过所述编码器的输出端输出至所述主电路的输入端。本发明能够检测电源电压，优化LNA在不同电源电压下的性能。

Description

供电检测电路
技术领域
本发明属于电子技术领域，尤其涉及一种供电检测电路。
背景技术
低噪声放大器(LNA)是现代无线通信、雷达、电子对抗系统等应用中一个非常重要的部分，常用于接收系统的前端，在放大信号的同时抑制噪声干扰，提高系统灵敏度。低噪声放大器性能的优劣直接影响到整个接收系统的技术水平，如何优化低噪声放大器的性能一直是技术人员需要解决的难题。
发明内容
本发明要解决的技术问题是为了优化低噪声放大器的性能，提供一种供电检测电路。
本发明是通过以下技术方案解决上述技术问题的：
一种供电检测电路，包括：带隙基准源、电源电压分压器、比较器、编码器和主电路；
所述带隙基准源的输出端和所述电源电压分压器的输出端分别与所述比较器的第一输入端和第二输入端连接，所述比较器的输出端与所述编码器的输入端连接，所述编码器的输出端与所述主电路的输入端连接；
所述带隙基准源的输出端输出带隙基准电压至所述比较器的第一输入端，所述电源电压分压器的输入端输入电源电压，所述电源电压分压器的输出端输出x倍的电源电压至所述比较器的第二输入端，0<x<1；
所述比较器比较所述带隙基准电压和所述x倍的电源电压，并将比较结果通过所述比较器的输出端输出至所述编码器的输入端；
所述编码器对所述比较结果编码，并将编码结果通过所述编码器的输出端输出至所述主电路的输入端。
较佳地，所述比较器的第一输入端为同相输入端，所述比较器的第二输入端为反相输入端；
在所述比较器比较所述带隙基准电压和所述x倍的电源电压时，若所述带隙基准电压大于x倍的电源电压，则所述比较结果为1；若所述带隙基准电压小于x倍的电源电压，则所述比较结果为0。
较佳地，所述主电路为低噪声放大器，所述低噪声放大器包括：第一电感、第二电感、第三电感、第一电容、第二电容、电容阵列、第一NMOS、第二NMOS和第一电阻；
所述第一电感通过所述第一电容与所述第一NMOS的栅极连接，所述第一NMOS的栅极还与所述第一电阻的一端连接，所述第一NMOS的源极通过所述第二电感接地，所述第一NMOS的漏极与所述第二NMOS的源极连接，所述第二NMOS的漏极分别与所述电容阵列、所述第三电感和所述第二电容连接，所述电容阵列包括的多个电容还分别与一开关连接。
较佳地，所述主电路的输入端为所述开关的控制端，所述编码器的输出端输出所述编码结果至所述开关的控制端，以调控所述开关的开闭状态。
较佳地，所述低噪声放大器还包括：偏置电路和多路选择器；
所述偏置电路产生至少一偏置电压，所述偏置电压输出至所述多路选择器，所述多路选择器的输出端与所述第一电阻的另一端和/或所述第二NMOS的栅极连接；
所述主电路的输入端为所述多路选择器的控制端，所述编码器的输出端输出所述编码结果至所述多路选择器的控制端，以控制所述多路选择器的输出端输出的电压。
在符合本领域常识的基础上，上述各优选条件，可任意组合，即得本发明各较佳实例。
本发明的积极进步效果在于：本发明能够检测电源电压，优化LNA在不同电源电压下的性能。
附图说明
图1为本发明实施例的供电检测电路的原理框图。
图2为本发明实施例的供电检测电路的主电路的电路图。
图3为本发明实施例的供电检测电路的主电路的部分电路图。
具体实施方式
下面通过实施例的方式进一步说明本发明，但并不因此将本发明限制在所述的实施例范围之中。
实施例
如图1所示，一种供电检测电路包括：带隙基准源1、电源电压分压器2、比较器3、编码器4和主电路5。
所述带隙基准源1的输出端和所述电源电压分压器2的输出端分别与所述比较器3的第一输入端和第二输入端连接，所述比较器3的输出端与所述编码器4的输入端连接，所述编码器4的输出端与所述主电路5的输入端连接。
所述带隙基准源1的输出端输出带隙基准电压VBG至所述比较器3的第一输入端，所述电源电压分压器2的输入端输入电源电压VDD，所述电源电压分压器2的输出端输出x倍的电源电压x*VDD至所述比较器3的第二输入端，0<x<1；所述比较器3比较所述带隙基准电压VBG和所述x倍的电源电压x*VDD，并将比较结果Dx通过所述比较器3的输出端输出至所述编码器4的输入端；所述编码器4对所述比较结果Dx编码，并将编码结果Dy通过所述编码器4的输出端输出至所述主电路5的输入端。
其中，带隙基准电压VBG为恒定电压，与温度和电源电压VDD无关，将带隙基准电压VBG与x倍的电源电压x*VDD进行比较，可以准确地检测到电源电压VDD的变化。
本实施例中，所述比较器3的第一输入端为同相输入端，所述比较器3的第二输入端为反相输入端。在所述比较器3比较所述带隙基准电压VBG和所述x倍的电源电压x*VDD时，若所述带隙基准电压VBG大于x倍的电源电压x*VDD，则所述比较结果Dx为1；若所述带隙基准电压VBG小于x倍的电源电压x*VDD，则所述比较结果Dx为0。
本实施例中，所述主电路5为低噪声放大器，如图2所示，所述低噪声放大器包括：第一电感L1、第二电感LS、第三电感LD、第一电容CB、第二电容CD、电容阵列Cx、第一NMOS(图中的NMOS1)、第二NMOS(图中的NMOS2)和第一电阻RB。
所述第一电感L1通过所述第一电容CB与NMOS1的栅极连接，NMOS1的栅极还与所述第一电阻RB的一端连接，NMOS1的源极通过所述第二电感LS接地，NMOS1的漏极与NMOS2的源极连接，NMOS2的漏极分别与所述电容阵列Cx、所述第三电感LD和所述第二电容CD连接，所述电容阵列Cx包括的多个电容Cx还分别与开关D1-Dn连接。
所述主电路的输入端可以为所述开关的控制端，所述编码器的输出端输出所述编码结果至所述开关的控制端，以调控所述开关的开闭状态，如图2中的D1-Dn。其中，所述开关可以为NMOS管或PMOS管。调控所述开关的开闭状态可以调控电容阵列Cx电容值，进一步可以调控低噪声放大器增益的谐振频率，具体为：减小电容阵列Cx电容值以调高谐振频率及增加电容阵列Cx电容值以调低谐振频率，其中谐振频率的具体值视低噪声放大器的应用不同而不同。
所述低噪声放大器还可以包括：偏置电路和多路选择器；所述偏置电路产生至少一偏置电压V1-Vn，所述偏置电压V1-Vn输出至所述多路选择器，所述多路选择器的输出端与所述第一电阻RB的另一端和/或NMOS2的栅极连接。此时，所述主电路的输入端可以为所述多路选择器的控制端，所述编码器的输出端输出所述编码结果Dy至所述多路选择器的控制端，以控制所述多路选择器的输出端输出的电压VB/VC。经过所述编码结果Dy(Dy可能是多位数字信号)，所述多路选择器选择一个合适的电压输出。其中，VB可以决定流过NMOS1和NMOS2的电流。
下面结合本实施例的供电检测电路说明一下在所述比较结果Dx为所述带隙基准电压VBG大于所述x倍的电源电压x*VDD时的调控过程：
所述编码器的输出端输出所述编码结果Dy至所述多路选择器的控制端，通过对所述多路选择电路的控制，升高所述第一电阻RB的另一端的电压VB和NMOS2的栅极的电压VC，以增加低噪声放大器在低电压情况下的增益，同时也相应地降低噪声系数，并且将电压VC控制在一定的范围内还可以提高低噪声放大器的线性度(主要包括1-dB压缩点和三阶交调性能)，其中电压VB升高的值应该视具体所需电流大小而定(例如，某款产品额定电流应该在6mA以内，那么VB升高后电流也不应该高于6mA)，电压VC的取值应该视具体电流和电源电压VDD的情况而定；
或者，所述编码器的输出端输出所述编码结果Dy至所述开关，调控所述开关D1-Dn的开闭状态，以此改变与所述第三电感LD并联的电容阵列Cx的电容值，进而改变低噪声放大器增益的谐振频率，以应对低电压下低噪声放大器的频率偏移。
虽然以上描述了本发明的具体实施方式，但是本领域的技术人员应当理解，这些仅是举例说明，本发明的保护范围是由所附权利要求书限定的。本领域的技术人员在不背离本发明的原理和实质的前提下，可以对这些实施方式做出多种变更或修改，但这些变更和修改均落入本发明的保护范围。

Claims (5)

1.一种供电检测电路，其特征在于，包括：带隙基准源、电源电压分压器、比较器、编码器和主电路；
所述带隙基准源的输出端和所述电源电压分压器的输出端分别与所述比较器的第一输入端和第二输入端连接，所述比较器的输出端与所述编码器的输入端连接，所述编码器的输出端与所述主电路的输入端连接；
所述带隙基准源的输出端输出带隙基准电压至所述比较器的第一输入端，所述电源电压分压器的输入端输入电源电压，所述电源电压分压器的输出端输出x倍的电源电压至所述比较器的第二输入端，0<x<1；
所述比较器比较所述带隙基准电压和所述x倍的电源电压，并将比较结果通过所述比较器的输出端输出至所述编码器的输入端；
所述编码器对所述比较结果编码，并将编码结果通过所述编码器的输出端输出至所述主电路的输入端。
2.如权利要求1所述的供电检测电路，其特征在于，所述比较器的第一输入端为同相输入端，所述比较器的第二输入端为反相输入端；
在所述比较器比较所述带隙基准电压和所述x倍的电源电压时，若所述带隙基准电压大于x倍的电源电压，则所述比较结果为1；若所述带隙基准电压小于x倍的电源电压，则所述比较结果为0。
3.如权利要求1所述的供电检测电路，其特征在于，所述主电路为低噪声放大器，所述低噪声放大器包括：第一电感、第二电感、第三电感、第一电容、第二电容、电容阵列、第一NMOS、第二NMOS和第一电阻；
所述第一电感通过所述第一电容与所述第一NMOS的栅极连接，所述第一NMOS的栅极还与所述第一电阻的一端连接，所述第一NMOS的源极通过所述第二电感接地，所述第一NMOS的漏极与所述第二NMOS的源极连接，所述第二NMOS的漏极分别与所述电容阵列、所述第三电感和所述第二电容连接，所述电容阵列包括的多个电容还分别与一开关连接。
4.如权利要求3所述的供电检测电路，其特征在于，所述主电路的输入端为所述开关的控制端，所述编码器的输出端输出所述编码结果至所述开关的控制端，以调控所述开关的开闭状态。
5.如权利要求3所述的供电检测电路，其特征在于，所述低噪声放大器还包括：偏置电路和多路选择器；
所述偏置电路产生至少一偏置电压，所述偏置电压输出至所述多路选择器，所述多路选择器的输出端与所述第一电阻的另一端和/或所述第二NMOS的栅极连接；
所述主电路的输入端为所述多路选择器的控制端，所述编码器的输出端输出所述编码结果至所述多路选择器的控制端，以控制所述多路选择器的输出端输出的电压。
CN201611093425.7A 2016-12-01 2016-12-01 供电检测电路 Pending CN107404292A (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201611093425.7A CN107404292A (zh) 2016-12-01 2016-12-01 供电检测电路

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201611093425.7A CN107404292A (zh) 2016-12-01 2016-12-01 供电检测电路

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN107404292A true CN107404292A (zh) 2017-11-28

Family

ID=60389666

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201611093425.7A Pending CN107404292A (zh) 2016-12-01 2016-12-01 供电检测电路

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN107404292A (zh)

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20040125005A1 (en) * 2002-12-25 2004-07-01 Denson Corporation Digital to analogue converter and analogue to digital converter using the same
US20080074304A1 (en) * 2006-09-21 2008-03-27 Denso Corporation Cyclic analog-to-digital converter
CN103532557A (zh) * 2013-11-05 2014-01-22 吴小刚 一种基于压控振荡器的比较器的全并行模数转换器
CN203933539U (zh) * 2014-05-30 2014-11-05 深圳贝特莱电子科技有限公司 低噪声放大器及gnss系统多模接收机前端的射频系统
CN105846852A (zh) * 2015-01-15 2016-08-10 明泰科技股份有限公司 射频装置及其调节方法

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20040125005A1 (en) * 2002-12-25 2004-07-01 Denson Corporation Digital to analogue converter and analogue to digital converter using the same
US20080074304A1 (en) * 2006-09-21 2008-03-27 Denso Corporation Cyclic analog-to-digital converter
CN103532557A (zh) * 2013-11-05 2014-01-22 吴小刚 一种基于压控振荡器的比较器的全并行模数转换器
CN203933539U (zh) * 2014-05-30 2014-11-05 深圳贝特莱电子科技有限公司 低噪声放大器及gnss系统多模接收机前端的射频系统
CN105846852A (zh) * 2015-01-15 2016-08-10 明泰科技股份有限公司 射频装置及其调节方法

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
YONGSUK CHOI，ET AL: "A Built-In Calibration System with A Reduced FFT Engine for Linearity Optimization of Low Power LNA", 《2014 IEEE INTERNATIONAL SYMPOSIUM ON DEFECT AND FAULT TOLERANCE IN VLSI AND NANOTECHNOLOGY SYSTEMS (DFT)》 *

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US20110043279A1 (en) Electronic volume circuit
CN107426125B (zh) 基于快速电流的包络检测器
CN101499783B (zh) 增益自动调节电路及使用其的电子产品
CN108363443A (zh) 具有背栅控制的共模反馈电路
US10536135B2 (en) Pseudo resistor with tunable resistance
US20150372663A1 (en) Impedance Adjusting Device
US10069461B2 (en) Doherty amplifier
CN108306623A (zh) 低噪声放大器
CN109067373A (zh) 一种射频放大器电路
CN108733118A (zh) 一种高电源抑制比快速响应ldo
US9531341B2 (en) Method and apparatus for converting single-ended signals into differential signals
CN107404292A (zh) 供电检测电路
Zhou et al. Ultra-wideband low noise amplifier employing noise cancelling and simultaneous input and noise matching technique
US9479270B2 (en) Apparatus and methods for loss of signal detection
CN107070426B (zh) 一种放大器及其实现方法
JP2012213108A (ja) 検波回路、検波方法およびマイクロ波無線通信装置
CN202586351U (zh) 一种输电线路工频干扰信号抑制装置
CN108322215A (zh) 缓冲电路及模数转换器
CN107368139A (zh) 一种集成芯片电路低噪声ldo
JP2007174367A (ja) 信号検出回路
Babaeinik et al. A high bandwidth (DC-40 GHz) pseudo differential distributed amplifier in 0.18-μ m RF CMOS
CN102710226B (zh) 功放装置
CN206364773U (zh) 低噪声放大器
CN106788304B (zh) 一种自动增益控制电路及音频设备
CN208079027U (zh) 一种宽带agc电路

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
TA01 Transfer of patent application right

Effective date of registration: 20191021

Address after: 201203, room 4, building 3000, 406 East Dragon Road, Shanghai, Pudong New Area

Applicant after: Shanghai Wei Le Microelectronics Co. Ltd.

Applicant after: Shanghai Muju Microelectronics Co., Ltd

Address before: 201203, room 4, building 3000, 406 East Dragon Road, Shanghai, Pudong New Area

Applicant before: Shanghai Wei Le Microelectronics Co. Ltd.

TA01 Transfer of patent application right
RJ01 Rejection of invention patent application after publication

Application publication date: 20171128

RJ01 Rejection of invention patent application after publication