CN107394045A - 有机无机杂化钙钛矿薄膜太阳能电池 - Google Patents

有机无机杂化钙钛矿薄膜太阳能电池 Download PDF

Info

Publication number
CN107394045A
CN107394045A CN201710601556.XA CN201710601556A CN107394045A CN 107394045 A CN107394045 A CN 107394045A CN 201710601556 A CN201710601556 A CN 201710601556A CN 107394045 A CN107394045 A CN 107394045A
Authority
CN
China
Prior art keywords
perovskite
absorption layer
thin film
solvent
solar cell
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN201710601556.XA
Other languages
English (en)
Other versions
CN107394045B (zh
Inventor
王亚丽
王佳
侯丽新
李鹤
宋鑫
刘贤豪
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
CHINA LUCKY GROUP Corp
Original Assignee
CHINA LUCKY GROUP Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by CHINA LUCKY GROUP Corp filed Critical CHINA LUCKY GROUP Corp
Priority to CN201710601556.XA priority Critical patent/CN107394045B/zh
Publication of CN107394045A publication Critical patent/CN107394045A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN107394045B publication Critical patent/CN107394045B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K30/00—Organic devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation
    • H10K30/10—Organic devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation comprising heterojunctions between organic semiconductors and inorganic semiconductors
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
    • Y02E10/549—Organic PV cells

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Photovoltaic Devices (AREA)

Abstract

本发明涉及一种有机无机杂化钙钛矿薄膜太阳能电池，所述钙钛矿吸光层由以下方法制备：将双端基取代烷烃类高沸点溶剂及极性低沸点溶剂作为复合添加剂，与金属无机物、有机胺等钙钛矿前驱体材料在强极性溶剂中共混形成钙钛矿吸光层涂布液，涂布干燥后得到钙钛矿薄膜。本发明所采用的两种添加剂与极性有机溶剂的沸点呈阶梯分布，可提高前驱体材料溶解性并改善涂布时的界面能，通过对复合添加剂添加条件的控制，可调节钙钛矿薄膜的结晶成核速率，形成均匀致密、低粗糙度的钙钛矿薄膜，降低载流子复合，提高电池的光电转换效率及稳定性。

Description

有机无机杂化钙钛矿薄膜太阳能电池
技术领域
本发明涉及太阳能电池技术领域，特别涉及有机无机杂化钙钛矿薄膜太阳能电池。
背景技术
有机无机杂化钙钛矿太阳能电池近年来展现出优异的光电性能和巨大的潜力。随着钙钛矿太阳能电池制备技术的发展，有文献报道该类钙钛矿型太阳能电池的认证效率已高达22.1％。
钙钛矿吸光层结晶质量及其与电极修饰层间的界面控制对电池的光电性能至关重要，直接影响着电池的转换效率和稳定性。钙钛矿吸光层的制备方法主要有液相法、气相辅助液相法、气相共蒸发沉积法等。液相法因无需高温高真空制程、工艺简单、适合大面积工业化生产,是目前制备钙钛矿吸光层的主要方法。然而，目前采用液相法制备钙钛矿吸光层薄膜时，仍面临钙钛矿薄膜成核、结晶过程难以控制以及由此带来的晶粒尺寸小、缺陷多、表面覆盖率低等技术难题。
为了调控钙钛矿吸光层薄膜的成核、结晶及生长过程，提高膜层的均匀性、改善结晶质量，已经有许多种技术被报道。其中掺杂添加剂法因工艺简单、适用性广而成为一种常用手段。一般是在钙钛矿前驱体溶液中掺杂某一类型的添加剂，例如：添加溶剂4-叔丁基吡啶、无机酸次磷酸、聚合物材料PEG、含氯化合物NH4Cl等。但添加剂法还存在以下问题：
1)采用溶剂型添加剂调控钙钛矿成膜时，多采用一种添加剂，无法对添加剂挥发时机进行精确控制，导致制备的钙钛矿薄膜缺陷多、粗糙度大。
2)采用聚合物型、无机酸型、含氯化合物型等添加剂，虽然可在一定程度上改善钙钛矿层结晶质量，但这些类型添加剂在加热退火过程中不挥发，会残留在钙钛矿材料中，影响电子-空穴对的传输。
发明内容
本发明所要解决的技术问题是：针对上述存在的问题和不足、提供一种有机无机杂化钙钛矿薄膜太阳能电池,它通过在钙钛矿前驱体溶液中加入复合添加剂改善钙钛矿吸光层成膜质量，提高电池转换效率及稳定性。
为解决上述技术问题，本发明采用的技术方案为：
一种有机无机杂化钙钛矿薄膜太阳能电池，所述的钙钛矿薄膜太阳能电池包括衬底和依次层叠于该衬底上的透明电极、电极修饰层、钙钛矿吸光层、电极缓冲层和对电极，所述的钙钛矿吸光层由以下方法制备：
将钙钛矿前驱体材料(金属无机物和有机胺)均匀分散于极性有机溶剂中，再先后加入极性低沸点溶剂和双端基取代烷烃类高沸点溶剂作为复合添加剂，配制成钙钛矿吸光层涂布液；将所述的钙钛矿吸光层涂布液通过刮涂法、旋涂法、喷涂法、喷墨打印法沉积在电极修饰层表面，干燥退火形成均匀致密、低粗糙钙钛矿吸光层。
将钙钛矿前驱体材料和有机溶剂的混合液，先在室温下添加极性低沸点溶剂，反应5-12h；然后在50-70℃下，添加双端基取代烷烃类高沸点溶剂，反应时间为5-90min，优选10-40min，得到钙钛矿吸光层涂布液。
上述有机无机杂化钙钛矿薄膜太阳能电池，所述的钙钛矿吸光层薄膜退火温度为70-100℃，退火时间为10-180min，优选30-60min。
上述有机无机杂化钙钛矿薄膜太阳能电池，所述的钙钛矿吸光层涂布液的组成及质量份数为：
所述的钙钛矿前驱体材料选自化学通式为ABXmY3-m型晶体结构的一种或多种材料形成，其中A为Cs、H、NH4、CH3NH3、CH3CH2NH3、CH3(CH2)2NH3、CH3(CH2)3NH3、NH2＝CHNH2；B为Pb、Sn、Ge其中一种或两种；X,Y为Cl、Br、I、BF4、SCN、PF6其中一种或几种的组合物，m＝1、2、3；
上述有机无机杂化钙钛矿薄膜太阳能电池，所述的双端基取代烷烃类高沸点溶剂，其沸点≥220℃；可选自化学通式为R-(CH2)x-R型结构的一种或多种溶剂组成，其中R取代基可为Cl、Br、I、SH、CN、CO2CH3其中一种，x的取值范围为4-12。
上述有机无机杂化钙钛矿薄膜太阳能电池，所述极性低沸点溶剂，沸点≤140℃。可选自H2O、乙醇、异丙醇、正丁醇中的一种或多种。
上述有机无机杂化钙钛矿薄膜太阳能电池，所述的双端基取代烷烃类高沸点溶剂与极性低沸点溶剂的质量比为0.2-5，优选质量比为0.5-3。
上述有机无机杂化钙钛矿薄膜太阳能电池，所述钙钛矿吸光层涂布液配制时采用强极性有机溶剂，可选自：二甲基甲酰胺(DMF)、二甲基亚砜(DMSO)、N-甲基吡咯烷酮(NMP)、γ-丁内酯(GBL)、二甲基乙酰胺(DMAc)中的一种或多种，沸点范围：150-210℃。
上述有机无机杂化钙钛矿薄膜太阳能电池，所述的电极修饰层为电子传输层或空穴传输层；所述的电子传输层可选自TiO2、SnO2、ZnO、PC61BM、PC71BM、TIPD、ICBA或C60-bis中的任意一种或多种；所述的空穴传输层可选自PEDOT:PSS、CuI、CuSCN、NiO、V2O5和MoO3中的任意一种或多种。所述的电极修饰层厚度为5-150nm，优选10-50nm。
所述的电极缓冲层可为空穴传输层或电子传输层；所述的空穴传输层可选自Spiro-OMeTAD、P3HT、PCPDTBT、PEDOT:PSS、NPB和TPD有机材料中的任意一种或选自CuI、CuSCN、NiO、V2O5和MoO3中的任意一种无机材料；所述的电子传输层可选自TiO2、SnO2、ZnO、PC61BM、PC71BM、TIPD、ICBA或C60-bis中的任意一种或多种n型半导体材料；所述的电极缓冲层的厚度为5-300nm，优选10-150nm。
与目前常用的添加剂法制备钙钛矿吸光层技术相比，本发明的有益效果表现在：
(1)本发明通过在钙钛矿前驱体溶液中加入复合添加剂，可提高前驱体材料的溶解性，改善涂覆铺展时的界面能，提高钙钛矿薄膜的覆盖率。
(2)通过控制复合添加剂的添加量、复合添加剂之间的配比、添加时机、反应温度及时间等技术手段，控制低沸点和高沸点添加剂的挥发速率及挥发时机，使其与有机溶剂呈阶梯挥发，可调控钙钛矿结晶成核及晶粒生长过程，能够形成大晶粒尺寸、均匀致密、表面粗糙度低的钙钛矿吸光层薄膜，有效降低了电池内部载流子的复合，显著提高电池的光电转换效率和稳定性。
(3)本发明所采用的复合添加剂均为溶剂，通过控制退火阶段的工艺参数，能够保证全部溶剂在退火过程中挥发，不会在钙钛矿材料中引入杂质；同时本发明工艺简单、适用性广，可用于各种结构的钙钛矿薄膜太阳能电池制备，可加快推进大面积钙钛矿太阳能电池的工业化生产。
附图说明
图1根据本发明一种有机无机杂化钙钛矿薄膜太阳电池的结构示意图；
图2为实施例9和对比例4、5、6所组装的钙钛矿电池的J-V特性曲线图。
图中各标号分别表示为：1、衬底，2、透明电极，3、电极修饰层，4、钙钛矿吸光层，5、电极缓冲层，6、对电极。
具体实施方式
为了使本发明的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图，对本发明进行进一步详细说明。此处说明若涉及到具体实例时仅仅用以解释本发明，并不限定本发明。
图1是本发明的有机无机杂化钙钛矿薄膜太阳能电池的结构示意图，它包括衬底1，设置在衬底1上的透明电极2，在透明电极2上形成电极修饰层3，在电极修饰层3上形成钙钛矿吸光层4，在钙钛矿吸光层4上形成的电极缓冲层5，在电极缓冲层5上形成的对电极6。
图1所示的一种有机无机杂化钙钛矿薄膜太阳能电池，其制备方法包括以下步骤：
1)清洗透明电极，蚀刻电极图案后清洗、烘干、紫外/臭氧处理；
2)在透明电极上制备电极修饰层；
3)在电极修饰表面涂覆钙钛矿吸光层涂布液，形成钙钛矿吸光层；
4)在钙钛矿吸光层的表面沉积电极缓冲层；
5)在电极缓冲层上制备对电极。
使用液相法在电极修饰层表面制备钙钛矿吸光层4，其中钙钛矿吸光层薄膜由以下方法制备：将钙钛矿前驱体材料(金属无机物和有机胺)均匀分散于极性有机溶剂中，再依次加入极性低沸点溶剂和双端基取代烷烃类高沸点溶剂作为复合添加剂，通过控制复合添加剂的加入时机、反应温度和时间、添加量，可改善前驱体材料的溶解性，形成钙钛矿吸光层涂布液；将涂布液通过刮涂法、旋涂法、喷涂法或喷墨打印法沉积在电极修饰层表面，干燥退火时复合溶剂添加剂与极性溶剂形成梯度挥发，得到均匀致密、低粗糙度的钙钛矿薄膜，有效降低了电池内部载流子的复合，显著提高电池的光电转换效率和稳定性。
极性低沸点溶剂的沸点小于等于140℃。可选自H2O、乙醇、异丙醇、正丁醇中的一种或多种。此类低沸点溶剂可增加有机胺的溶剂性，改善钙钛矿薄膜涂布在电极修饰层表面铺展时的界面能。另外，该类添加剂的沸点低于140℃，即低于极性有机溶剂的沸点。沉积钙钛矿薄膜时，能在极性有机溶剂之前挥发；在成膜初期可诱导钙钛矿材料成核，使其均相成核并加快结晶成核速率。如该类添加剂的沸点高于140℃则可能与极性有机溶剂沸点接近或高于极性有机溶剂沸点，则无法起到诱导钙钛矿成核的作用。
双端基取代烷烃类高沸点溶剂添加剂的沸点大于等于220℃；可选自化学通式为R-(CH2)x-R型结构的一种或多种溶剂组成，其中R取代基可为Cl、Br、I、SH、CN、CO2CH3其中一种，x的取值范围为4-12。此类溶剂可与金属无机物产生螯合作用，增加其在有机溶剂中的溶解性。另外，该类添加剂的沸点大于等于220℃，即高于极性有机溶剂的沸点，可以在有机溶剂挥发后继续在薄膜中辅助钙钛矿晶粒的生长，生成大晶粒尺寸、低粗糙度的钙钛矿薄膜。如该类添加剂的沸点低于220℃，则可能与极性有机溶剂沸点接近或低于极性有机溶剂沸点，将无法起到辅助钙钛矿晶粒尺寸增大的作用。
钙钛矿薄膜前驱体溶液配制时采用强极性有机溶剂，有助于前驱体材料的溶解，可选自：二甲基甲酰胺(DMF)、二甲基亚砜(DMSO)、N-甲基吡咯烷酮(NMP)、γ-丁内酯(GBL)、二甲基乙酰胺(DMAc)中的一种或多种；其沸点范围在150-210℃之间，介于极性低沸点溶剂与双端基取代烷烃类高沸点溶剂的沸点之间，复合成膜添加剂与极性有机溶剂的沸点呈阶梯分布，在钙钛矿吸光层薄膜制备时梯度挥发，调控薄膜的结晶生长。
控制复合添加剂的加入时机也是制备均匀致密、低粗糙度钙钛矿吸光层薄膜的关键。一种优选方案，首先在室温下添加极性低沸点溶剂，防止反应温度过高会导致低沸点添加剂挥发；反应时间为5-12h，使其与钙钛矿前驱体材料充分反应。然后在50-70℃下，添加双端基取代烷烃类高沸点溶剂，反应时间为5-90min，优选10-40min；高沸点添加剂反应温度低于50℃，可能会使其与前驱体材料的络合作用不充分，而反应温度高于70℃，会使低沸点溶剂挥发，同时可能导致双端基取代烷烃类高沸点溶剂部分分解。
所述的钙钛矿吸光层薄膜退火温度范围：70-100℃；退火温度低于70℃会使钙钛矿的结晶生长受到影响；退火温度高于100℃，可能会导致钙钛矿材料缓慢分解；退火时间为10-180min，优选30-60min；随着退火时间的增加，钙钛矿的晶粒尺寸有缓慢增长的过程。退火时间低于10min，不利于钙钛矿晶粒尺寸生长。但钙钛矿晶粒尺寸不会随退火时间无限增加，退火时间大于180min，会使钙钛矿电池的制备周期变长。
钙钛矿吸光层涂布液的组成及质量份数为：
两种溶剂添加剂所占的质量份数均为0.5-5％；添加剂的质量份数＜0.5％，无法起到诱导钙钛矿结晶成核或辅助晶粒尺寸增长的作用；添加剂的质量份数＞5％，会使结晶成核过快或使高沸点溶剂残留在钙钛矿膜层中，影响钙钛矿薄膜的质量。
所述的双端基取代烷烃类高沸点溶剂与极性低沸点溶剂的质量比为0.2-5，优选质量比为0.5-3。如果高沸点溶剂与低沸点溶剂质量比＜0.2，则导致高沸点溶剂比例偏低，无法起到增加卤化铅溶解性作用，在钙钛矿退火阶段无法有效辅助钙钛矿晶粒尺寸增长；如果高沸点溶剂与低沸点溶剂质量比＞5，则导致高沸点溶剂所占比例过高，可能在钙钛矿退火阶段无法完全挥发而残留在钙钛矿材料中。
所述的钙钛矿前驱体材料选自化学通式为ABXmY3-m型晶体结构的一种或多种材料形成，其中A＝Cs、H、NH4、CH3NH3、CH3CH2NH3、CH3(CH2)2NH3、CH3(CH2)3NH3、NH2＝CHNH2；B＝Pb、Sn其中一种或两种；X,Y＝Cl、Br、I、BF4、SCN、PF6其中一种或几种的组合物；m＝1、2、3。所述的钙钛矿吸光层薄膜的厚度可为100-1000nm，优选150-550nm；厚度＞1000nm，电子和空穴不能及时传输到外电路而在内部复合；厚度＜100nm，不能充分吸收太阳光。
所述的电极缓冲层为电子传输层或空穴传输层；所述的电子传输层可选自TiO2、SnO2、ZnO、PC61BM、PC71BM、TIPD、ICBA或C60-bis中的任意一种或多种；所述的空穴传输层可选自PEDOT:PSS、CuI、CuSCN、NiO、V2O5和MoO3中的任意一种或多种。所述的电极修饰层的厚度为5-150nm，优选10-50nm。
所述的电极缓冲层可为空穴传输层或电子传输层；所述的空穴传输层可选自Spiro-OMeTAD、P3HT、PCPDTBT、PEDOT:PSS、NPB和TPD有机材料中的任意一种或选自CuI、CuSCN、NiO、V2O5和MoO3中的任意一种无机材料；电子传输层可选自TiO2、SnO2、ZnO、PC61BM、PC71BM、TIPD、ICBA或C60-bis中的任意一种或多种n型半导体材料；所述的电极修饰层的厚度为5-300nm，优选10-150nm。
对电极一般采用具有较高功函数的材料，如金、银、铜、铝等金属，可以采用真空蒸镀等制作方法。
下面结合具体实施例对本发明作进一步的详细说明。
实施例1
第一步，制备透明电极：
将FTO导电玻璃刻蚀成电极图案，依次用洗涤剂、去离子水、无水乙醇、丙酮、异丙醇中分别超声清洗10min，然后氮气吹干，紫外/臭氧处理20min。
第二步，制备电极修饰层：
采用丝网印刷法在透明电极表面涂布纳米TiO2颗粒胶体的前驱体溶液，然后放入马弗炉450℃高温烧结30min，形成厚度为45nm的电极修饰层。
第三步，制备钙钛矿吸光层：
钙钛矿吸光层涂布液配制：将461mgPbI2和159mgCH3NH3I共同溶解在1.5ml DMF溶剂(密度为0.948g/ml)中，制成浓度为30wt％的溶液；在室温下加入10.2mg(0.5wt％)异丙醇反应5h，然后在50℃下加入102mg(5wt％)Br-(CH2)4-Br反应40min，即得到了钙钛矿吸光层涂布液。
钙钛矿吸光层制备：氮气保护下，在电极修饰层表面通过液相一步法制备钙钛矿吸光层，取一定体积钙钛矿吸光层涂布液将其旋涂于电极修饰层表面，转速6000rpm、时间30s，然后在100℃加热退火45min，形成150nm厚的CH3NH3PbI3钙钛矿吸光层。
第四步，制备电极缓冲层：
氮气保护下，在钙钛矿吸光层上采用旋涂法制备空穴传输层，将80mg spiro-OMeTAD、28.5ml的t-BP、17.5μl Li-TFSI(520mg/ml乙腈溶液)加入到1ml的氯苯中，溶解配制成溶液旋涂于钙钛矿吸光层表面，转速4000rpm，时间30s，得到厚度为100nm的电极缓冲层。
第五步，制备对电级：
在电极缓冲层表面采用热蒸发方式制备金电极，在5×10-4Pa真空度下，真空蒸镀厚度为100nm的金膜形成对电极。
上述方法制备的有机无机杂化钙钛矿薄膜太阳能电池的器件结构如图1所示：G/FTO/TiO2/CH3NH3PbI3/spiro-OMeTAD/Au，有效面积为0.09cm2，光电转换效率数据见表1，测试条件：光谱分布AM1.5G，光照强度1000W/m2，AAA太阳光模拟器(日本SAN-EI公司XES-502S+ELS155型)，I-V曲线用Keithly2400型数字源表进行测量，所有测试均在大气环境(25℃、45RH％)下进行。钙钛矿吸光层的表面粗糙度用Agilent 5500型扫描探针显微镜进行测量。
实施例2
制备钙钛矿吸光层：
钙钛矿吸光层涂布液配制：将461mgPbI2和159mgCH3NH3I共同溶解在1.2ml DMF溶剂(密度为0.948g/ml)中，制成浓度为35wt％的溶液；在室温下加入26.4mg(1.5wt％)乙醇反应7h，然后在60℃下加入52.7mg(3wt％)Cl-(CH2)9-Cl反应30min，即得到了钙钛矿吸光层涂布液。
钙钛矿吸光层制备：氮气保护下，在电极修饰层表面通过液相一步法制备钙钛矿吸光层，取一定体积钙钛矿吸光层涂布液将其旋涂于电极修饰层表面，转速4000rpm、时间30s，然后在100℃加热退火45min，形成275nm厚的CH3NH3PbI3钙钛矿吸光层。其它步骤制备方法同实施例1。
用上述方法制备的有机无机杂化钙钛矿薄膜太阳能电池的器件结构如图1所示：G/FTO/TiO2/CH3NH3PbI3/spiro-OMeTAD/Au，有效面积为0.09cm2，光电转换效率数据见表1，测试条件同实施例1。
实施例3
制备钙钛矿吸光层：
钙钛矿吸光层涂布液配制：将461mgPbI2和159mgCH3NH3I共同溶解在0.98ml DMF溶剂(密度为0.948g/ml)中，制成浓度为40wt％的溶液；在室温下加入31mg(2wt％)H2O反应10h后，然后在65℃下加入38.7mg(2.5wt％)I-(CH2)8-I反应25min，即得到了钙钛矿吸光层涂布液。
钙钛矿吸光层制备：氮气保护下，在电极修饰层表面通过液相一步法制备钙钛矿吸光层，取一定体积钙钛矿吸光层涂布液将其旋涂于电极修饰层表面，转速4000rpm、时间30s，然后在100℃加热退火45min，形成300nm厚的CH3NH3PbI3钙钛矿吸光层。其它步骤制备方法同实施例1。
用上述方法制备的有机无机杂化钙钛矿薄膜太阳能电池的器件结构如图1所示：G/FTO/TiO2/CH3NH3PbI3/spiro-OMeTAD/Au，有效面积为0.09cm2，光电转换效率数据见表1，测试条件同实施例1。
实施例4
制备钙钛矿吸光层：
钙钛矿吸光层涂布液配制：将461mgPbI2和159mgCH3NH3I共同溶解在0.8ml DMF溶剂(密度为0.948g/ml)中，制成浓度为45wt％的溶液；在室温下加入20.7mg(1.5wt％)H2O反应12h后，然后在70℃下加入27.6mg(2wt％)HS-(CH2)6-SH反应10min，即得到了钙钛矿吸光层涂布液。
钙钛矿吸光层制备：氮气保护下，在电子传输层表面通过液相一步法制备钙钛矿吸光层，取一定体积钙钛矿吸光层涂布液将其旋涂于电子传输层表面，转速4000rpm、时间30s，然后在100℃加热退火45min，形成355nm厚的CH3NH3PbI3钙钛矿吸光层。其它步骤制备方法同实施例1。
用上述方法制备的有机无机杂化钙钛矿薄膜太阳能电池的器件结构如图1所示：G/FTO/TiO2/CH3NH3PbI3/spiro-OMeTAD/Au，有效面积为0.09cm2，光电转换效率数据见表1，测试条件同实施例1。
实施例5
制备钙钛矿吸光层：
钙钛矿吸光层涂布液配制：将461mgPbI2和159mgCH3NH3I共同溶解在0.53mlDMF溶剂(密度为0.948g/ml)中，制成浓度为55wt％的溶液；在室温下加入33.7mg(3wt％)正丁醇反应11h后，然后在60℃下加入5.61mg(0.5wt％)CN-(CH2)12-CN反应20min，即得到了钙钛矿吸光层涂布液。
钙钛矿吸光层制备：氮气保护下，在电极修饰层表面通过液相一步法制备钙钛矿吸光层，取一定体积钙钛矿吸光层涂布液将其旋涂于电极修饰层表面，转速3000rpm、时间30s，然后在100℃加热退火45min，形成500nm厚的CH3NH3PbI3钙钛矿吸光层。其它步骤制备方法同实施例1。
用上述方法制备的有机无机杂化钙钛矿薄膜太阳能电池的器件结构如图1所示：G/FTO/TiO2/CH3NH3PbI3/spiro-OMeTAD/Au，有效面积为0.09cm2，光电转换效率数据见表1，测试条件同实施例1。
实施例6
第一步，制备透明电极：
将ITO导电玻璃用浓盐酸刻蚀成电极图案，依次用洗涤剂、去离子水、无水乙醇、丙酮、异丙醇中分别超声清洗10min，然后氮气吹干，紫外/臭氧处理20min。
第二步，制备电极修饰层：
PEDOT:PSS涂布液通过旋涂进行涂覆，匀胶机转速5000rpm，旋涂30s，然后在150℃下干燥10min成膜，形成厚度为40nm电极修饰层。
第三步，制备钙钛矿吸光层：
钙钛矿吸光层涂布液配制：将461mgPbI2、278mgPbCl2、636mgCH3NH3I共同溶解在2.7ml DMF溶剂(密度为0.948g/ml)中，制成浓度为35wt％的溶液；在室温下加入19.7mg(0.5wt％)异丙醇反应5h，然后在50℃下加入196.8mg(5wt％)Br-(CH2)4-Br反应40min，即得到了钙钛矿吸光层涂布液。
钙钛矿吸光层制备：氮气保护下，在电极修饰层表面通过液相一步法制备钙钛矿吸光层，取一定体积钙钛矿吸光层涂布液将其旋涂于电极修饰层表面，转速5000rpm、时间30s，然后在100℃加热退火45min，形成250nm厚的CH3NH3PbIxCl3-x钙钛矿吸光层。
第四步，制备电极缓冲层：
在钙钛矿吸光层表面制备电极缓冲层，浓度为20mg/ml PCBM氯苯溶液旋涂于钙钛矿层表面，转速1000rpm、时间40s，旋涂后干燥形成厚度为60nm电极缓冲层。
第五步，制备对电级：
在电极缓冲层表面采用热蒸发方式制备铝电极，在5×10-4Pa真空度下，真空蒸镀厚度为100nm的铝膜形成对电极。
用上述方法制备的有机无机杂化钙钛矿薄膜太阳能电池的器件结构如图2所示：：G/ITO/PEDOT:PSS/CH3NH3PbIxCl3-x/PCBM/Al，有效面积为0.09cm2，光电转换效率数据见表2，测试条件：光谱分布AM1.5G，光照强度1000W/m2，AAA太阳光模拟器(日本SAN-EI公司XES-502S+ELS155型)，I-V曲线用Keithly2400型数字源表进行测量，所有测试均在大气环境(25℃、45RH％)下进行。钙钛矿吸光层的表面粗糙度用Agilent 5500型扫描探针显微镜进行测量。
实施例7
制备钙钛矿吸光层：
钙钛矿吸光层涂布液配制：将461mgPbI2、278mgPbCl2、636mgCH3NH3I共同溶解在2.7ml DMF溶剂(密度为0.948g/ml)中，制成浓度为35wt％的溶液；在室温下加入78.7mg(2wt％)乙醇反应7h，然后在60℃下加入118mg(3wt％)Br-(CH2)10-Br反应30min，即得到了钙钛矿吸光层涂布液。
钙钛矿吸光层制备：氮气保护下，在电极修饰层表面通过液相一步法制备钙钛矿吸光层，取一定体积钙钛矿吸光层涂布液将其旋涂于电极修饰层表面，转速4000rpm、时间30s，然后在100℃加热退火45min，形成280nm厚的CH3NH3PbIxCl3-x钙钛矿吸光层。
其它步骤制备方法同实施例6。
用上述方法制备的有机无机杂化钙钛矿薄膜太阳能电池的器件结构如图2所示：G/ITO/PEDOT:PSS/CH3NH3PbIxCl3-x/PCBM/Al，有效面积为0.09cm2，光电转换效率数据见表2，测试条件同实施例6。
实施例8
制备钙钛矿吸光层：
钙钛矿吸光层涂布液配制：将424mgPbI2、256mgPbCl2、586mgCH3NH3I共同溶解在2mlDMF溶剂(密度为0.948g/ml)中，制成浓度为40wt％的溶液；在室温下加入94.9mg(3wt％H2O)反应10h后，然后在65℃下加入63.2mg(2wt％)I-(CH2)8-I反应25min，即得到了钙钛矿吸光层涂布液。
钙钛矿吸光层制备：氮气保护下，在电极修饰层表面通过液相一步法制备钙钛矿吸光层，取一定体积钙钛矿吸光层涂布液将其旋涂于电极修饰层表面，转速4000rpm、时间30s，然后在100℃加热退火45min，形成300nm厚的CH3NH3PbIxCl3-x钙钛矿吸光层。
其它步骤制备方法同实施例6。
用上述方法制备的有机无机杂化钙钛矿薄膜太阳能电池的器件结构如图2所示：G/ITO/PEDOT:PSS/CH3NH3PbIxCl3-x/PCBM/Al，有效面积为0.09cm2，光电转换效率数据见表2，测试条件同实施例6。
实施例9
制备钙钛矿吸光层：
钙钛矿吸光层涂布液配制：将461mgPbI2、278mgPbCl2、636mgCH3NH3I共同溶解在1.77mlDMF溶剂中，制成浓度为45wt％的溶液；在室温下加入61mg(2wt％)H2O反应12h后，然后在70℃下加入91.6mg(3wt％)HS-(CH2)7-SH反应10min，即得到了钙钛矿吸光层涂布液。
钙钛矿吸光层制备：氮气保护下，在电极修饰层表面通过液相一步法制备钙钛矿吸光层，取一定体积钙钛矿吸光层涂布液将其旋涂于电极修饰层表面，转速5000rpm、时间30s，然后在100℃加热退火45min，形成320nm厚的CH3NH3PbIxCl3-x钙钛矿吸光层。
其它步骤制备方法同实施例6。
用上述方法制备的有机无机杂化钙钛矿薄膜太阳能电池的器件结构如图2所示：G/ITO/PEDOT:PSS/CH3NH3PbIxCl3-x/PCBM/Al，有效面积为0.09cm2，光电转换效率数据见表2，测试条件同实施例6，测试得到的J-V特性曲线见图2。。
实施例10
制备钙钛矿吸光层：
钙钛矿吸光层涂布液配制：将461mgPbI2、278mgPbCl2、636mgCH3NH3I共同溶解在1.45ml DMF溶剂(密度为0.948g/ml)中，制成浓度为50wt％的溶液；在室温下加入138mg(5wt％)正丁醇反应11h后，然后在60℃下加入13.8mg(0.5wt％)CN-(CH2)12-CN反应20min，即得到了钙钛矿吸光层涂布液。
钙钛矿吸光层制备：氮气保护下，在空穴传输层表面通过液相一步法制备钙钛矿吸光层，取一定体积钙钛矿吸光层涂布液将其旋涂于空穴传输层表面，转速3000rpm、时间30s，然后在100℃加热退火45min，形成400nm厚的CH3NH3PbIxCl3-x钙钛矿吸光层。
用上述方法制备的有机无机杂化钙钛矿薄膜太阳能电池的器件结构如图2所示：G/ITO/PEDOT:PSS/CH3NH3PbIxCl3-x/PCBM/Al，有效面积为0.09cm2，光电转换效率数据见表2，测试条件同实施例6。
对比例1
制备钙钛矿吸光层：
钙钛矿吸光层涂布液配制：将461mgPbI2和159mgCH3NH3I共同溶解在0.98ml DMF溶剂(密度为0.948g/ml)中，制成浓度为40wt％的钙钛矿吸光层涂布液。
钙钛矿吸光层制备：氮气保护下，在电极修饰层表面通过液相一步法制备钙钛矿吸光层，取一定体积钙钛矿吸光层涂布液将其旋涂于电极修饰层表面，转速4000rpm、时间30s，然后在100℃加热退火45min，形成300nm厚的CH3NH3PbI3钙钛矿吸光层。
其它步骤制备方法同实施例1。
用上述方法制备的有机无机杂化钙钛矿薄膜太阳能电池的器件结构如图1所示：G/FTO/TiO2/CH3NH3PbI3/spiro-OMeTAD/Au，有效面积为0.09cm2，光电转换效率数据见表1，测试条件同实施例1。
对比例2
制备钙钛矿吸光层：
钙钛矿吸光层涂布液配制：将461mgPbI2和159mgCH3NH3I共同溶解在0.98ml DMF溶剂(密度为0.948g/ml)中，制成浓度为40wt％的溶液；然后在65℃下加入46.5mg(3wt％)I-(CH2)8-I反应30min,即得到了钙钛矿吸光层涂布液。
钙钛矿吸光层制备：氮气保护下，在电极修饰层表面通过液相一步法制备钙钛矿吸光层，取一定体积钙钛矿吸光层涂布液将其旋涂于电极修饰层表面，转速4000rpm、时间30s，然后在100℃加热退火45min，形成300nm厚的CH3NH3PbI3钙钛矿吸光层。
其它步骤制备方法同实施例1。
用上述方法制备的有机无机杂化钙钛矿薄膜太阳能电池的器件结构如图1所示：G/FTO/TiO2/CH3NH3PbI3/spiro-OMeTAD/Au，有效面积为0.09cm2，光电转换效率数据见表1，测试条件同实施例1。
对比例3
制备钙钛矿吸光层：
钙钛矿吸光层涂布液配制：将461mgPbI2和159mgCH3NH3I共同溶解在0.98ml DMF溶剂(密度为0.948g/ml)中，制成浓度为40wt％的溶液；然后在室温下加入38.7mg(2.5wt％)H2O反应12h,即得到了钙钛矿吸光层涂布液。
钙钛矿吸光层制备：氮气保护下，在电极修饰层表面通过液相一步法制备钙钛矿吸光层，取一定体积钙钛矿吸光层涂布液将其旋涂于电极修饰层表面，转速4000rpm、时间30s，然后在100℃加热退火45min，形成300nm厚的CH3NH3PbI3钙钛矿吸光层。
其它步骤制备方法同实施例1。
用上述方法制备的有机无机杂化钙钛矿薄膜太阳能电池的器件结构如图1所示：G/FTO/TiO2/CH3NH3PbI3/spiro-OMeTAD/Au，有效面积为0.09cm2，光电转换效率数据见表1，测试条件同实施例1。
对比例4
制备钙钛矿吸光层：
钙钛矿吸光层涂布液配制：将461mgPbI2、278mgPbCl2、636mgCH3NH3I共同溶解在1.77ml DMF溶剂(密度为0.948g/ml)中，制成浓度为45wt％的钙钛矿吸光层涂布液
钙钛矿吸光层制备：氮气保护下，在电极修饰层表面通过液相一步法制备钙钛矿吸光层，取一定体积钙钛矿吸光层涂布液将其旋涂于电极修饰层表面，转速5000rpm、时间30s，然后在100℃加热退火45min，形成320nm厚的CH3NH3PbIxCl3-x钙钛矿吸光层。
其它步骤制备方法同实施例6。
用上述方法制备的有机无机杂化钙钛矿薄膜太阳能电池的器件结构如图2所示：G/ITO/PEDOT:PSS/CH3NH3PbIxCl3-x/PCBM/Al，有效面积为0.09cm2，光电转换效率数据见表2，测试条件同实施例6，测试得到的J-V特性曲线见图2。。
对比例5
制备钙钛矿吸光层：
钙钛矿吸光层涂布液配制：将461mgPbI2、278mgPbCl2、636mgCH3NH3I共同溶解在1.77mlDMF溶剂中，制成浓度为45wt％的溶液；然后在65℃下加入61mg(2wt％)I-(CH2)8-I反应30min,即得到了钙钛矿吸光层涂布液。
钙钛矿吸光层制备：氮气保护下，在电极修饰层表面通过液相一步法制备钙钛矿吸光层，取一定体积钙钛矿吸光层涂布液将其旋涂于电极修饰层表面，转速5000rpm、时间30s，然后在100℃加热退火45min，形成320nm厚的CH3NH3PbIxCl3-x钙钛矿吸光层。
其它步骤制备方法同实施例6。
用上述方法制备的有机无机杂化钙钛矿薄膜太阳能电池的器件结构如图2所示：G/ITO/PEDOT:PSS/CH3NH3PbIxCl3-x/PCBM/Al，有效面积为0.09cm2，光电转换效率数据见表2，测试条件同实施例6，测试得到的J-V特性曲线见图2。
对比例6
制备钙钛矿吸光层：
钙钛矿吸光层涂布液配制：将461mgPbI2、278mgPbCl2、636mgCH3NH3I共同溶解在1.77ml DMF溶剂(密度为0.948g/ml)中，制成浓度为45wt％的溶液然后在室温下加入61mg(2wt％)H2O反应12h,即得到了钙钛矿吸光层涂布液。
钙钛矿吸光层制备：氮气保护下，在电极修饰层表面通过液相一步法制备钙钛矿吸光层，取一定体积钙钛矿吸光层涂布液将其旋涂于电极修饰层表面，转速5000rpm、时间30s，然后在100℃加热退火45min，形成320nm厚的CH3NH3PbIxCl3-x钙钛矿吸光层。
其它步骤制备方法同实施例6。
用上述方法制备的有机无机杂化钙钛矿薄膜太阳能电池的器件结构如图2所示：G/ITO/PEDOT:PSS/CH3NH3PbIxCl3-x/PCBM/Al，有效面积为0.09cm2，光电转换效率数据见表2，测试条件同实施例6，测试得到的J-V特性曲线见图2。
表1：图1所示电池结构实施例和对比例数据
表2：图1所示电池结构实施例和对比例数据
以上实施例只是用于帮助理解本发明的方法及其核心思想，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明原理的前提下，还可以对本发明进行若干等同改进和修饰，这些等同改进和修饰也应落入本发明的权利要求保护范围之内。

Claims (10)

1.一种有机无机杂化钙钛矿薄膜太阳能电池，所述的钙钛矿薄膜太阳能电池包括衬底和依次层叠于该衬底上的透明电极、电极修饰层、钙钛矿吸光层、电极缓冲层和对电极，其特征在于，所述的钙钛矿吸光层按以下方法制备：
将钙钛矿前驱体材料均匀分散于极性有机溶剂中，得到钙钛矿前驱体材料和有机溶剂混合液，所述的钙钛矿前驱体材料为金属无机物和有机胺；在室温下,在所述混合液中添加极性低沸点溶剂，反应5-12h之后，升温至50-70℃下，添加双端基取代烷烃类高沸点溶剂，反应5-90min，得到钙钛矿吸光层用涂布液；
将所述的钙钛矿吸光层涂布液通过涂布或打印在电极修饰层表面，在70-100℃下，干燥退火，退火10-180min，形成钙钛矿吸光层。
2.根据权利要求1所述的有机无机杂化钙钛矿薄膜太阳能电池,其特征在于，所述极性低沸点溶剂为沸点≤140℃的极性溶剂。
3.根据权利要求1或2所述的有机无机杂化钙钛矿薄膜太阳能电池，其特征在于，所述极性低沸点溶剂为H2O、乙醇、异丙醇、正丁醇中的一种或多种。
4.根据权利要求3所述的有机无机杂化钙钛矿薄膜太阳能电池，其特征在于，所述双端基取代烷烃类高沸点溶剂的沸点≥220℃。
5.根据权利要求4所述的有机无机杂化钙钛矿薄膜太阳能电池，其特征在于，所述的双端基取代烷烃类高沸点溶剂是化学通式为R1-(CH2)x-R2型结构的一种或多种溶剂，其中R1和R2为Cl、Br、I、SH、CN或CO2CH3，x为4-12。
6.根据权利要求5所述的有机无机杂化钙钛矿薄膜太阳能电池，其特征在于，所述钙钛矿吸光层的退火温度为70-100℃，退火时间为30-60min。
7.根据权利要求6所述的有机无机杂化钙钛矿薄膜太阳能电池，其特征在于，所述钙钛矿吸光层涂布液的组成及质量百分含量为：
所述的钙钛矿前驱体材料选自化学通式为ABXmY3-m型晶体结构的一种或多种材料形成，其中A为Cs、H、NH4、CH3NH3、CH3CH2NH3、CH3(CH2)2NH3、CH3(CH2)3NH3、NH2＝CHNH2；B为Pb、Sn、Ge其中一种或两种；X,Y为Cl、Br、I、BF4、SCN、PF6其中一种或几种的组合物，m＝1、2、3；
所述的强极性有机溶剂为沸点150-210℃的二甲基甲酰胺(DMF)、二甲基亚砜(DMSO)、N-甲基吡咯烷酮(NMP)、γ-丁内酯(GBL)、二甲基乙酰胺(DMAc)中的一种或多种。
8.根据权利要求7所述的有机无机杂化钙钛矿薄膜太阳能电池，其特征在于，所述的双端基取代烷烃类高沸点溶剂与极性低沸点溶剂的质量比为0.2-5。
9.根据权利要求8所述的有机无机杂化钙钛矿薄膜太阳能电池，其特征在于，所述的双端基取代烷烃类高沸点溶剂与极性低沸点溶剂的质量比为0.5-3。
10.根据权利要求9所述的有机无机杂化钙钛矿薄膜太阳能电池，其特征在于，所述的电极修饰层可为电子传输层或空穴传输层；所述的电子传输层可选自TiO2、SnO2、ZnO、PC61BM、PC71BM、TIPD、ICBA或C60-bis中的任意一种或多种；所述的空穴传输层可选自PEDOT:PSS、CuI、CuSCN、NiO、V2O5和MoO3中的任意一种或多种；所述的电极缓冲层可为空穴传输层或电子传输层；所述的空穴传输层可选自Spiro-OMeTAD、P3HT、PCPDTBT、PEDOT:PSS、NPB和TPD有机材料中的任意一种或选自CuI、CuSCN、NiO、V2O5和MoO3中的任意一种无机材料；电子传输层可选自TiO2、SnO2、ZnO、PC61BM、PC71BM、TIPD、ICBA或C60-bis中的任意一种或多种n型半导体材料。
CN201710601556.XA 2017-07-21 2017-07-21 有机无机杂化钙钛矿薄膜太阳能电池 Active CN107394045B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201710601556.XA CN107394045B (zh) 2017-07-21 2017-07-21 有机无机杂化钙钛矿薄膜太阳能电池

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201710601556.XA CN107394045B (zh) 2017-07-21 2017-07-21 有机无机杂化钙钛矿薄膜太阳能电池

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN107394045A true CN107394045A (zh) 2017-11-24
CN107394045B CN107394045B (zh) 2019-09-20

Family

ID=60336472

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201710601556.XA Active CN107394045B (zh) 2017-07-21 2017-07-21 有机无机杂化钙钛矿薄膜太阳能电池

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN107394045B (zh)

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN108899421A (zh) * 2018-06-26 2018-11-27 暨南大学 基于聚苯胺和氧化锌光活化层的全无机钙钛矿太阳能电池及其制备方法和应用
CN110808316A (zh) * 2019-11-14 2020-02-18 深圳扑浪创新科技有限公司 一种钙钛矿量子点的图案化方法
CN111384245A (zh) * 2018-12-27 2020-07-07 Tcl集团股份有限公司 复合材料及其制备方法和量子点发光二极管
CN111490166A (zh) * 2020-04-24 2020-08-04 电子科技大学 一种基于新型聚合物空穴传输层的柔性钙钛矿光电探测器及其制备方法

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104795499A (zh) * 2015-04-09 2015-07-22 中国乐凯集团有限公司 有机无机杂化钙钛矿基太阳能电池及其制备方法
KR101566938B1 (ko) * 2014-09-18 2015-11-09 인하대학교 산학협력단 태양전지 광전극용 티탄산화물 구형 나노입자의 제조방법
CN106340587A (zh) * 2015-07-09 2017-01-18 清华大学 钙钛矿膜的制备方法和钙钛矿太阳能电池
CN106887520A (zh) * 2015-12-15 2017-06-23 北京大学 一种添加剂辅助的钙钛矿太阳能电池及其制备方法

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101566938B1 (ko) * 2014-09-18 2015-11-09 인하대학교 산학협력단 태양전지 광전극용 티탄산화물 구형 나노입자의 제조방법
CN104795499A (zh) * 2015-04-09 2015-07-22 中国乐凯集团有限公司 有机无机杂化钙钛矿基太阳能电池及其制备方法
CN106340587A (zh) * 2015-07-09 2017-01-18 清华大学 钙钛矿膜的制备方法和钙钛矿太阳能电池
CN106887520A (zh) * 2015-12-15 2017-06-23 北京大学 一种添加剂辅助的钙钛矿太阳能电池及其制备方法

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN108899421A (zh) * 2018-06-26 2018-11-27 暨南大学 基于聚苯胺和氧化锌光活化层的全无机钙钛矿太阳能电池及其制备方法和应用
CN108899421B (zh) * 2018-06-26 2022-01-04 暨南大学 一种全无机钙钛矿太阳能电池及其制备方法和应用
CN111384245A (zh) * 2018-12-27 2020-07-07 Tcl集团股份有限公司 复合材料及其制备方法和量子点发光二极管
CN110808316A (zh) * 2019-11-14 2020-02-18 深圳扑浪创新科技有限公司 一种钙钛矿量子点的图案化方法
CN111490166A (zh) * 2020-04-24 2020-08-04 电子科技大学 一种基于新型聚合物空穴传输层的柔性钙钛矿光电探测器及其制备方法

Also Published As

Publication number Publication date
CN107394045B (zh) 2019-09-20

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN104795499B (zh) 有机无机杂化钙钛矿基太阳能电池及其制备方法
Dong et al. A green anti‐solvent process for high performance carbon‐based CsPbI2Br all‐inorganic perovskite solar cell
Liu et al. Hydrothermally treated SnO2 as the electron transport layer in high‐efficiency flexible perovskite solar cells with a certificated efficiency of 17.3%
Nazir et al. Stabilization of perovskite solar cells: recent developments and future perspectives
Liu et al. Hydrophobic Cu2O Quantum Dots Enabled by Surfactant Modification as Top Hole‐Transport Materials for Efficient Perovskite Solar Cells
Hamed et al. Mixed halide perovskite solar cells: progress and challenges
Zhang et al. Flexible, hole transporting layer-free and stable CH3NH3PbI3/PC61BM planar heterojunction perovskite solar cells
US9793056B1 (en) Method for producing high quality, ultra-thin organic-inorganic hybrid perovskite
CN107394045B (zh) 有机无机杂化钙钛矿薄膜太阳能电池
Mahapatra et al. Recent progress in perovskite solar cells: challenges from efficiency to stability
CN105609641B (zh) 一种钙钛矿型太阳能电池及其制备方法
CN109216557B (zh) 一种基于柠檬酸/SnO2电子传输层的钙钛矿太阳能电池及其制备方法
CN108511616B (zh) 一种钙钛矿膜层及钙钛矿发光二极管器件的制备方法
US20220359824A1 (en) Perovskite semiconductor devices
CN102842676B (zh) 一种基于TiO2-CuInS2核壳纳米棒阵列的有机/无机杂化太阳电池及其制备方法
CN109786555B (zh) 一种钙钛矿太阳能电池及制备方法
CN108807724B (zh) 钙钛矿发光层的制备方法、应用和钙钛矿发光器件及其制备方法
CN106531888A (zh) 卟啉衍生物用于倒置钙钛矿太阳能电池中空穴传输层/钙钛矿层的界面修饰
KR102303840B1 (ko) 무기물 페로브스카이트 화합물, 이의 제조방법, 및 이를 포함하는 태양전지
CN110518123A (zh) 以复合材料为电子传输层的钙钛矿太阳能电池及制备方法
Deng et al. Advances in the application of atomic layer deposition for organometal halide perovskite solar cells
Roghabadi et al. High coverage solution-processed planar perovskite solar cell grown based on the Stranski–Krastanov mechanism at low temperature and short time
CN111987221A (zh) 基于空位钙钛矿材料的太阳能电池及制备方法
KR20130027725A (ko) 유기 전자 소자 및 그 제조방법
CN106025078B (zh) 一种平面异质结钙钛矿光伏电池及其制备方法

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant