CN107370020A - 一种增强发光效率稳定输出波长的半导体激光器 - Google Patents

一种增强发光效率稳定输出波长的半导体激光器 Download PDF

Info

Publication number
CN107370020A
CN107370020A CN201710610296.2A CN201710610296A CN107370020A CN 107370020 A CN107370020 A CN 107370020A CN 201710610296 A CN201710610296 A CN 201710610296A CN 107370020 A CN107370020 A CN 107370020A
Authority
CN
China
Prior art keywords
semiconductor laser
metal nano
luminous efficiency
output wavelength
stable output
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN201710610296.2A
Other languages
English (en)
Inventor
方铉
魏志鹏
唐吉龙
房丹
贾慧民
王登魁
王菲
李金华
楚学影
王晓华
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Changchun University of Science and Technology
Original Assignee
Changchun University of Science and Technology
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Changchun University of Science and Technology filed Critical Changchun University of Science and Technology
Priority to CN201710610296.2A priority Critical patent/CN107370020A/zh
Publication of CN107370020A publication Critical patent/CN107370020A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/06—Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium
    • H01S5/068—Stabilisation of laser output parameters
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/20—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers
    • H01S5/2004—Confining in the direction perpendicular to the layer structure
    • H01S5/2018—Optical confinement, e.g. absorbing-, reflecting- or waveguide-layers
    • H01S5/2031—Optical confinement, e.g. absorbing-, reflecting- or waveguide-layers characterized by special waveguide layers, e.g. asymmetric waveguide layers or defined bandgap discontinuities
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/20—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers
    • H01S5/2054—Methods of obtaining the confinement

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Geometry (AREA)
  • Semiconductor Lasers (AREA)

Abstract

本发明公开了一种增强发光效率稳定输出波长的半导体激光器。该半导体激光器通过在传统半导体激光器外延材料制备基础上，在半导体激光器外延结构中的上波导层上制备周期分布的金属纳米圆盘阵列实现增强发光效率稳定输出波长，所涉及的金属纳米圆盘周期阵列具有传统半导体激光器中光栅结构稳定波长的作用，同时具有增强激光器发光效率的作用。本发明公开的这种方法，利用金属表面等离子体共振效应使目标波长激光与金属纳米圆盘阵列实现共振效应，通过控制上波导层厚度、金属纳米圆盘阵列周期、金属纳米圆盘大小使金属纳米圆盘阵列的共振频率与目标波长相同，最终实现半导体激光器目标波长稳定，同时增强半导体激光器的发光效率。

Description

一种增强发光效率稳定输出波长的半导体激光器
技术领域
本发明涉及半导体激光器领域，特别涉及一种利用金属表面等离子体共振效应应用于半导体激光器中实现增强发光效率稳定输出波长的半导体激光器器件。
背景技术
半导体激光器具有体积小、重量轻、寿命长、能够有效的被电和光抽运，实现高的功率转换效率等优点，半导体激光器作为重要的光电子器件之一，在激光打印、信息存储、光传感、光纤通信等信息领域有着非常广泛的应用。其中，高功率单纵模半导体激光器具有窄线宽和良好的相干特性在超高精度激光雷达、卫星间通信、相干光通信、泵浦固体激光器及国防等领域有着其他激光器不可替代的优势。但由于传统半导体激光器的谐振腔长尺寸远大于波长量级，无法对光模式形成有效的选频机制，在高功率工作时其光谱会迅速展宽，且光谱随温度和工作电流的变化比较大，导致器件的相干性变差，限制了其在抽运固体激光器、相干光通信和高分辨光学测试系统中的应用。
针对以上问题，半导体激光器通常在谐振腔中集成频率选择结构或者在激光器外部与选模器件进行耦合，从而控制不同波长的增益损耗，来实现压缩光谱线宽的目的。光栅具有选模特性，光栅结构可以使泵浦源的中心波长一致性获得提升。采用外置光栅或者内置光栅技术实现激光二极管泵浦源波长稳定，能够有效压缩泵浦源光谱半宽。实现泵浦源波长稳定窄线宽输出的有效方法之一是在半导体激光器结构内部建立一个布拉格光栅，靠光的反馈来实现波长的锁定，并通过优化脊型波导条件来实现基横模式输出，提升其光束质量。通常内腔选模式的窄线宽半导体激光器采用集成布拉格光栅的方案，按照光栅分布位置的不同可分为分布布拉格反射(DBR)半导体激光器和分布反馈(DFB)半导体激光器。
采用在半导体激光器光波导引入高阶布拉格光栅的方法，利用高阶光栅的散射特性和反射特性进行光波模式选择，实现半导体激光器器件高功率稳定单模工作。该方法可以有效获得半导体激光器稳定波长输出，但该方法中实现波长稳定输出的光栅制备困难、工艺复杂。在制备光栅的过程中，由于外界大气的流动而且含有不确定的杂质都对制备的纯净度有着影响，难以制备出能够拥有良好重复性的衍射图像。光栅制备对曝光参数以及显影参数有苛刻要求，外界的环境会严重影响参数的稳定。其次，在激光器芯片制备工艺过程中还需要克服湿法腐蚀存在的瓶颈问题。这种方法在实现对激光器压缩线宽的同时会降低器件的输出功率，并且在激光器器件的发光效率方面没有改善。
发明内容
本发明提出一种增强发光效率稳定输出波长的半导体激光器，该激光器结构具有波长选择作用，实现半导体激光器目标波长的输出，可使半导体激光器稳定波长压缩光谱线宽所需的工艺制备过程简化，减少所需光学元件、降低成本，使半导体激光器波长稳定更容易实现，同时该方法还可以提高半导体激光器的发光效率，进而实现高效率高功率窄线宽激光输出。
本发明提出一种增强发光效率稳定输出波长的半导体激光器，该半导体激光器是在半导体激光器结构中的上波导层制备金属纳米圆盘阵列实现增强发光效率稳定输出波长，通过改变波导层厚度、金属纳米圆盘阵列周期、金属纳米圆盘直径、金属纳米圆盘高度这些参数以及金属纳米圆盘的材质(Au、Ag、Pt)，进而使金属纳米圆盘阵列共振频率与激光器激射波长一致，即实现共振频率。利用金属表面等离子体共振效应，最终实现对半导体激光器波长稳定的目的。
本发明提出的一种增强发光效率稳定输出波长的半导体激光器，这种增强发光效率稳定输出波长的半导体激光器结构具体包括半导体激光器发光结构、半导体激光器增强发光效率稳定输出波长结构，所述半导体激光器发光结构由目标激射波长的半导体激光器结构组成(如构成波长808nm、850nm、980nm、1060nm的半导体激光器结构)，该发光结构用于产生受激辐射的光子，所述半导体激光器增强发光效率稳定输出波长结构由金属纳米圆盘阵列构成，该金属纳米圆盘阵列制备在发光部分半导体激光器结构的上波导层上，通过控制上波导层厚度、金属纳米圆盘阵列周期、金属纳米圆盘直径、金属纳米圆盘高度这些参数使金属纳米圆盘阵列的共振频率与发光部分半导体激光器输出波长的频率相同，利用金属表面等离子体共振效应使金属纳米圆盘阵列表面等离子体共振频率与半导体激光器输出波长频率共振，最终实现半导体激光器波长稳定，同时进一步提高半导体激光器的发光效率。
本发明通过在半导体激光器结构中的上波导层上制备周期分布的金属纳米圆盘阵列，利用金属表面等离子体共振效应使激光器的输出波长与金属纳米圆盘阵列固有频率达到共振，实现半导体激光器输出波长稳定的目的，同时提高半导体激光器的发光效率。该激光器结构中周期分布的金属纳米圆盘阵列具有传统半导体激光器结构中光栅选模的作用，本发明提出的这种半导体激光器结构可以减少锑化物半导体激光器中光栅结构制备的难题，避免了由于光栅制备对激光器芯片带来的损伤，简化了波长稳定输出半导体激光器制备工艺。
附图说明
图1为本发明实施例中的半导体激光器结构示意图。
图2为本发明实施例中980nm激光器结构与Au纳米圆盘阵列共振模拟图
具体实施方式
下面通过附图和实施例，对本发明的技术方案做进一步的详细描述。
本发明提出的一种增强发光效率稳定输出波长的半导体激光器，这种半导体激光器结构包括半导体激光器发光结构、半导体激光器增强发光效率稳定输出波长结构，所述半导体激光器发光结构由目标激射波长的半导体激光器结构组成(如波长808nm、850nm、980nm、1060nm的半导体激光器结构)，依次包括衬底、缓冲层、下光限制层、下波导层、半导体激光器有源区、上波导层、上光限制层，用于激光器实现激射提供激光输出，所述半导体激光器增强发光效率稳定输出波长结构由金属纳米圆盘周期阵列构成，制备在半导体激光器结构中的上波导层上。下面以发光波长为980nm的半导体激光器结构，Au纳米圆盘周期阵列的实施例为例进行详细描述。
如图1所示，这种增强发光效率稳定输出波长的半导体激光器结构包括半导体激光器发光结构、半导体激光器增强发光效率稳定输出波长结构，所述半导体激光器发光结构、半导体激光器增强发光效率稳定输出波长结构具体构成的整体结构从下至上依次包括：衬底1、缓冲层2、下光限制层3、下波导层4、980nm半导体激光器有源区5、上波导层6、Au纳米圆盘周期阵列7、上光限制层8。在本实施例中Au纳米圆盘周期阵列制备在上波导层的上面，用于稳定激光器输出波长增强半导体激光器发光效率，利用Au纳米圆盘表面等离子体与半导体激光器有源区受激发射的光子产生共振效应，实现对半导体激光器输出波长的稳定，提高半导体激光器的发光效率。
实现本实施例中增强发光效率稳定输出波长的半导体激光器结构的具体实施步骤如下：
步骤一：采用分子束外延(MBE)技术进行半导体激光器材料外延生长，衬底选择GaAs衬底。在进行激光器材料生长前，对衬底进行处理。
首先，衬底装载在分子束外延系统中用于固定衬底的夹具上并送入进样室，对进样室抽真空至3.0×10-6Torr～3.0×10-7Torr，真空度达到要求后升温至210℃～230℃，处理衬底105～115分钟，初步去除吸附在衬底表面的气体、水汽等杂质；
在进样室初步处理衬底后，将衬底传送至缓冲室开始对衬底进行进一步处理，缓冲室真空3.0×10-8Torr～9.0×10-9Torr，处理温度395℃～405℃，处理时间105～115分钟，进一步去除吸附在衬底上的杂质气体，提高衬底表面清洁程度；
最后，衬底表面杂质气体去除后，将衬底传送至生长室，在生长室中去除衬底表面的氧化层，生长室真空9.0×10-10Torr～3.0×10-10Torr，GaAs衬底氧化层去除处理的温度660℃～680℃，在高能电子衍射仪(RHEED)监测下进行GaAs衬底表面氧化层的去除处理，直至清晰的衍射条纹出现，表明氧化层处理完成。
步骤二：测试各层外延材料的生长速率。在测试生长速率用的衬底上依次进行各层外延材料的生长，生长温度、各个源的束流、V-III束流比这些参数与外延半导体激光器结构时条件参数相同，在RHEED监测下依次获得各层材料外延生长过程中的RHEED振荡曲线，通过所测试的RHEED振荡曲线数据信息计算得到各层材料外延生长的速率。
步骤三：将步骤一中处理后的GaAs衬底传送至生长室进行980nm半导体激光器结构的外延生长。在GaAs衬底上依次外延生长N型GaAs缓冲层，厚度100nm，生长温度580℃，生长速率0.5ML/s～0.6ML/s；在GaAs缓冲层上外延生长N型Al0.45Ga0.55As下光限制层，厚度1000nm，生长温度560℃～570℃，生长速率0.6ML/s；在下光限制层上外延生长AlxGa1-xAs下波导层(x＝0.3～0.4)，厚度200nm～300nm，生长温度560℃～570℃，生长速率0.6ML/s；在下波导层上外延生长980nm半导体激光器结构有源区In0.2Ga0.8As/Al0.3Ga0.7As，其中In0.2Ga0.8As材料厚度7nm，生长温度560℃～570℃，生长速率0.6ML/s，Al0.3Ga0.7As材料厚度50nm，生长温度560℃～570℃，生长速率0.6ML/s；在有源区上外延生长AlxGa1-xAs上波导层(x＝0.3～0.4)，厚度200nm～300nm，生长温度560℃～570℃，生长速率0.6ML/s；在AlxGa1- xAs上波导层上生长P型Al0.45Ga0.55As下光限制层，厚度1000nm，生长温度560℃～570℃，生长速率0.6ML/s。
步骤四：将步骤三中所制备的外延片取出在外延片表面旋涂光刻胶，然后在95℃～105℃条件下烘烤使光刻胶中水分挥发硬化；使用有周期圆孔图形的掩膜版在紫外光刻机中对旋涂光刻胶的外延片进行曝光，然后经过显影使周期圆盘图形复制到外延片表面，显影后对外延片进行105℃～110℃烘烤5min～15min；使用H3PO4:H2O2:C4H6O6:H2O＝1ml:1ml:0.3g:20ml比例的腐蚀液进行刻蚀，刻蚀深度1000nm至P型上波导层表面，刻蚀后外延片表面具有深度为1000nm的周期分布圆柱形孔洞阵列。
步骤五：表面具有深度为1000nm的周期分布圆柱形孔洞阵列的外延片在溅射仪器中进行Au薄膜溅射制备，溅射靶材采用高纯(99.9％)金属Au，基底为表面具有深度为1000nm的周期分布圆柱形孔洞阵列的外延片，溅射仪器本底真空5×10-4Pa以下，加热温度100℃～105℃，溅射气体为高纯氦气或高纯氩气，溅射时的气压为1～2Pa，溅射功率100W～200W，溅射速率0.4nm/s～0.5nm/s，溅射靶材与外延片距离为10cm，制备过程中样品架以3～5r/min的转速进行旋转。通过控制溅射功率及溅射时间，在外延片表面制备得到1000nm厚度的Au薄膜。然后用丙酮浸泡并超声处理去除光刻胶，最终不是纳米圆盘周期阵列部分的Au薄膜被去除，实现Au纳米圆盘周期阵列制备在上波导层上。
步骤六：将制备有Au纳米圆盘周期阵列的外延片经过在分子束外延设备进样室、缓冲室初步处理后传送至生长室进行激光器结构冒层的生长，在上光限制层上外延生长P型GaAs欧姆接触层，厚度200nm，生长温度580℃，生长速率0.5ML/s～0.6ML/s。最终获得本发明中涉及的一种增强发光效率稳定输出波长的980nm半导体激光器结构外延片。
步骤七：对这种增强发光效率稳定输出波长的980nm半导体激光器结构外延片进行光刻、刻蚀、P面电极制备、N面减薄抛光、N面电极制备、外延片解理、腔面镀膜、筛选管芯、欧姆接触、封装等半导体激光器器件制备工艺，获得激光器器件。
通过以上步骤实现本申请所要求保护的一种增强发光效率稳定输出波长的半导体激光器器件，该激光器器件可实现窄线宽目标波长激光输出。由于利用金属表面等离子体共振效应，可以将半导体激光器有源区内受激辐射的特定波长的激光进行选定，该方法中的Au纳米圆盘周期阵列具有稳定输出波长增强发光效率的作用，减少了在激光器器件制备工艺中制备光栅的复杂工艺，同时减少了由于制备光栅对激光器芯片带来的损害。该方法是一种实现高效率高功率窄线宽激光输出的有效方法。

Claims (7)

1.一种增强发光效率稳定输出波长的半导体激光器，该半导体激光器结构具体包括发光结构部分和增强发光效率稳定输出波长结构部分，所述半导体激光器发光结构部分是由半导体激光器材料外延结构组成，依次由衬底、缓冲层、下光限制层、下波导层、半导体激光器有源区、上波导层、上光限制层构成，所述半导体激光器增强发光效率稳定输出波长结构部分由金属纳米圆盘周期阵列结构构成，其特征在于，这种增强发光效率稳定输出波长的半导体激光器结构中具有金属纳米圆盘周期阵列结构，金属纳米圆盘周期阵列结构制备在半导体激光器发光结构部分中的上波导层的上面，通过控制上波导层厚度、金属纳米圆盘阵列结构的周期、金属纳米圆盘的直径、金属纳米圆盘的高度这些参数以及金属纳米圆盘周期阵列结构所用的材料实现调控金属纳米圆盘周期阵列结构的共振频率，使金属纳米圆盘周期阵列结构的共振频率与半导体激光器输出波长频率相同，利用金属表面等离子体共振效应使金属纳米圆盘周期阵列结构选择出频率与该金属纳米圆盘周期阵列结构共振频率相同的光子，实现选择出半导体激光器结构中受激辐射产生的频率与金属纳米圆盘周期阵列结构共振频率相同的光子，进而使半导体激光器实现稳定输出波长，使半导体激光器输出波长线宽更窄，同时金属表面等离子体共振效应使半导体激光器稳定输出波长的光子与金属纳米圆盘周期阵列结构达到共振，进一步增强半导体激光器的发光效率。
2.如权利要求1所述的增强发光效率稳定输出波长半导体激光器结构，其特征在于，该结构由金属纳米圆盘周期阵列结构构成，该金属纳米圆盘周期阵列结构均匀制备在半导体激光器发光结构部分中的上波导层上，位于上波导层与上光限制层之间，该金属纳米圆盘周期阵列结构的材料为贵金属材料Au、Ag、Pt，通过调控上波导层厚度、金属纳米圆盘阵列周期、金属纳米圆盘直径、金属纳米圆盘高度这些参数实现对半导体激光器发光结构部分特定频率光子的选择。
3.如权利要求1所述的增强发光效率稳定输出波长半导体激光器结构，其特征在于，该结构具体依次包括衬底、缓冲层、下光限制层、下波导层、半导体激光器有源区、上波导层、上光限制层，该结构中的上波导层上制备金属纳米圆盘周期阵列结构，可对波导层厚度进行调节实现金属纳米圆盘周期阵列结构的共振频率，该半导体激光器结构有源区输出波长可以为808nm、850nm、980nm、1060nm。
4.如权利要求1所述的增强发光效率稳定输出波长半导体激光器结构，其特征在于，金属纳米圆盘周期阵列结构，工艺简单，具有光栅结构对半导体激光器激光输出频率选择的作用，降低制备工艺过程中对半导体激光器芯片的损伤。
5.如权利要求1所述的增强发光效率稳定输出波长半导体激光器结构，其特征在于，利用金属表面等离子体共振效应使金属纳米圆盘周期阵列结构对半导体激光器发光结构部分受激辐射产生的光子的频率进行选择，实现半导体激光器单模窄线宽激光输出。
6.如权利要求1所述的增强发光效率稳定输出波长半导体激光器结构，其特征在于，半导体激光器发光结构部分和增强发光效率稳定输出波长结构部分均在高真空材料制备仪器中制备，避免外延材料被氧化。
7.如权利要求1所述的增强发光效率稳定输出波长半导体激光器结构，其特征在于，金属纳米圆盘周期阵列结构固有频率与半导体激光器发光结构部分有源区激光输出频率相同，达到共振，实现半导体激光器高效率激光输出。
CN201710610296.2A 2017-07-25 2017-07-25 一种增强发光效率稳定输出波长的半导体激光器 Pending CN107370020A (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201710610296.2A CN107370020A (zh) 2017-07-25 2017-07-25 一种增强发光效率稳定输出波长的半导体激光器

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201710610296.2A CN107370020A (zh) 2017-07-25 2017-07-25 一种增强发光效率稳定输出波长的半导体激光器

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN107370020A true CN107370020A (zh) 2017-11-21

Family

ID=60307622

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201710610296.2A Pending CN107370020A (zh) 2017-07-25 2017-07-25 一种增强发光效率稳定输出波长的半导体激光器

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN107370020A (zh)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN109830886A (zh) * 2019-03-19 2019-05-31 北京工业大学 一种多腔耦合增强的纳米等离子体激光器阵列及其制备方法

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20050152430A1 (en) * 2004-01-14 2005-07-14 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Laser device
CN104269738A (zh) * 2014-10-11 2015-01-07 长春理工大学 采用腔面光栅的波长稳定半导体激光器
CN106410605A (zh) * 2016-12-01 2017-02-15 长春理工大学 一种发光效率增强的半导体激光器

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20050152430A1 (en) * 2004-01-14 2005-07-14 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Laser device
CN104269738A (zh) * 2014-10-11 2015-01-07 长春理工大学 采用腔面光栅的波长稳定半导体激光器
CN106410605A (zh) * 2016-12-01 2017-02-15 长春理工大学 一种发光效率增强的半导体激光器

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
李婷: "《金属表面等离子体增强GaAs发光特性研究》", 《中国优秀硕士学位论文全文数据库（电子期刊）》 *

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN109830886A (zh) * 2019-03-19 2019-05-31 北京工业大学 一种多腔耦合增强的纳米等离子体激光器阵列及其制备方法
CN109830886B (zh) * 2019-03-19 2021-02-26 北京工业大学 一种多腔耦合增强的纳米等离子体激光器阵列及其制备方法

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN107768979B (zh) 外延集成高对比度光栅外腔面发射激光器
CN100385757C (zh) 半导体激光器、其制造方法和电子器件的制造方法
US20050226591A1 (en) Microring and microdisk resonators for lasers fabricated on silicon wafers
US5621750A (en) Surface emission type semiconductor laser, method and apparatus for producing the same
JPH1154838A (ja) 面発光型半導体レーザ
JPH09162496A (ja) 半導体レーザ及びその製造方法
CN103650264A (zh) 面发射激光器元件和原子振荡器
JP5455919B2 (ja) 発光素子の製造方法および発光素子
CN107370020A (zh) 一种增强发光效率稳定输出波长的半导体激光器
CN112421375B (zh) 中红外波段激光器外延结构、中红外波段微腔激光器及其制备方法和应用、检测器件
CN108133992B (zh) 光泵谐振增强倒装红光led器件及其制备方法
CN109950792A (zh) 氮化镓的分布式布拉格反射镜及谐振腔的制备方法
KR101014148B1 (ko) 발광 장치의 조립 방법
CN114336283B (zh) 一种光模式调制光子级联激光器及制备方法
JP2007081197A (ja) 半導体レーザおよびその製造方法
JP2005311285A (ja) 双曲面ドラム型素子と、イオンビームエッチングを利用したその製造方法
CN106972344B (zh) 一种边发射半导体激光器件及其制造方法
CN111463653A (zh) 一种半导体激光器及其制备方法
CN114256735B (zh) 一种电泵氮化物悬空圆环光频梳激光器及其制备方法
JP3612101B2 (ja) 半導体微小共振器発光素子
CN114300941B (zh) 一种自发脉冲式光子级联半导体激光器
JP2009070847A (ja) 半導体レーザの製造方法および組立装置
CN114300943B (zh) 一种电吸收主动调制自发脉冲式光子级联半导体激光器及制备方法
CN114256737B (zh) 一种窄线宽dfb纳米等离子体激光器及其制备方法
US20220393431A1 (en) Monolithic micro-pillar photonic cavities based on iii-nitride semiconductors

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
RJ01 Rejection of invention patent application after publication
RJ01 Rejection of invention patent application after publication

Application publication date: 20171121