CN107369725A - 太阳能电池及制造太阳能电池的方法 - Google Patents
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Abstract
本发明揭露一种太阳能电池及制造太阳能电池的方法。太阳能电池包含：半导体基板、入光面、射极层和电极。入光面具有多个金字塔形结构，各个金字塔形结构包含一顶端且任两相邻的金字塔形结构具有一谷部。谷部具有一曲率半径介于25～500nm。射极层位于该半导体基板内且靠近入光面。电极位于半导体基板上。本发明的优点是一种具有分段式选择性射极的太阳能电池，此种太阳能电池能减少选择性射极的高掺杂区域以减少载子复合和避免光电流的损失。
Description
技术领域
本发明是有关一种太阳能电池及其制备方法。
背景技术
选择性射极(Selective Emitter)技术为一种发展已久的高效率太阳能电池技术，由于过去传统的硅晶太阳能电池都经过高浓度的扩散掺杂，导致光线被吸收后并无法有效产生电，反而是以热能形式消散掉，因此其运作原理为降低吸光面的掺杂程度，而加重在金属电极下方的浓度，来达到电子传递低阻抗的效果，借以提高转换效率，其中尤其对波长不到400nm的光波有更敏锐的光电效果。
但随着金属电极的密度提高，选择性射极的高浓度掺杂面积也随之增加，使得表面更容易发生载子复合而造成光电流的损失。因此在金属电极数量和密度越来越多的趋势下，必须思考如何减少选择性射极造成的光电流损失。
发明内容
根据本发明的多个实施方式，是提供一种太阳能电池，一第一导电型半导体层；一第二导电型半导体层，位于第一导电型半导体层之上；一分段式选择性射极(Segment Selective Emitter)，位于第二导电型半导体层中，分段式选择性射极包含多个区段射极，且任两相邻的多个区段射极之间间隔一间距，其中多个区段射极的导电型与该第二导电型半导体层的导电型相同，多个区段射极的掺质浓度大于第二导电型半导体层的掺质浓度；以及一指状电极，接触且位于多个区段射极上，其中多个区段射极沿指状电极的一延伸方向配置。
在某些实施方式中，第二导电型半导体层与分段式选择性射极的厚度介于40～400nm。
在某些实施方式中，太阳能电池还包含一氮化硅抗反射层，位于第二导电型半导体层和分段式选择性射极上。
在某些实施方式中，分段式选择性射极的间隔为0.01～10.0mm。
在某些实施方式中，第二导电型半导体层的电阻介于100～300欧姆/平方。
在某些实施方式中，分段式选择性射极的电阻介于20～100欧姆/平方。
本发明的多个实施方式，是提供一种制造太阳能电池的方法，制备方法包含:提供一第一导电型半导体层；形成一第二导电型半导体层于第一导电型半导体层上，其中第二导电型半导体层具有一第一掺质浓度；掺杂一掺质至第二导电型半导体层中，以于第二导电型半导体层中形成彼此分离的多个掺杂区域，掺质的导电型和第二导电型半导体层相同，其中各掺杂区域具有一第二掺质浓度，且第二掺质浓度大于第一掺质浓度；以及形成一指状电极接触多个掺杂区域，其中多个掺杂区域沿指状电极的一延伸方向配置。
在某些实施方式中，制造太阳能电池的方法还包含在掺杂该掺质至该第二导电型半导体层之后，蚀刻第二导电型半导体层和掺杂区域，以减少第二导电型半导体层及掺杂区域的厚度。
在某些实施方式中，在蚀刻第二导电型半导体层和掺杂区域之后，还包含形成一氮化硅抗反射层于第二导电型半导体层以及分段式选择性射极上。
在某些实施方式中，蚀刻第二导电型半导体层和掺杂区域包含使用一蚀刻剂，且蚀刻的蚀刻剂是HF、KOH、HNO3或其组合。
为使本发明的上述及其他目的、特征和优点更明显易懂，下文特举出较佳实施例，并配合所附附图详细说明如下。
附图说明
图1A是绘示根据本发明某些实施方式的一种太阳能电池的上视示意图；
图1B是绘示沿图1A中A-A’线段的剖面示意图；
图1C是绘示根据本发明某些实施方式的一种太阳能电池的剖面示意图；
图2A-2E是绘示依照本发明一实施方式的一种太阳能电池的制造方法的各制程阶段的示意图。
具体实施方式
以下将详细讨论本实施例的制造与使用，然而，应了解到，本发明提供实务的创新概念，其中可以用广泛的各种特定内容呈现。下文叙述的实施方式或实施例仅为说明，并不能限制本发明的范围。以下提供各种关于太阳能电池及其制作方法的实施例，其中详细说明此太阳能电池的结构和性质以及此太阳能电池的制备步骤或操作。
本发明揭露一种太阳能电池。图1A绘示根据本发明的一实施方式的太阳能电池100上视示意图，相对于传统的选择性射极为连续式，本发明的选择性射极为分段式，分段式选择性射极(Segment Selective Emitter)130包含多个区段射极131，在分段式选择性射极130中任两相邻的区段射极131之间间隔一间距d，在一实施例中，间距d的长度介于0.01-10.0mm。之后在分段式选择性射极130上形成指状电极140，指状电极140与分段式选择性射极130接触，而多个区段射极131沿指状电极140的延伸方向配置。在某些实施例中，太阳能电池具有多个分段式选择性射极130以及相对应的多个指状电极140。
图1B绘示沿图1A中A-A’线段的剖面示意图，在此实施方式中，提供第一导电型半导体层110以及第二导电型半导体层120，第二导电型半导体层120位于第一导电型半导体层110之上。第一导电型半导体层110可为N型或P型，第二导电型半导体层120的导电型和第一导电型半导体层110不同。在一实施例中，第一导电型半导体层110为P型，第二导电型半导体层120为N型。在另一实施例中，第一导电型半导体层110为N型，第二导电型半导体层120为P型。第一导电型半导体层110可以使用非晶硅(amorphous silicon)、多晶硅(poly crystalline)、GaAs、InGaP等半导体或三五族半导体材料。
分段式选择性射极130位于第二导电型半导体层120中。分段式选择性射极130的导电型和第二导电型半导体层120相同。第二导电型半导体层120具有第一掺质浓度，而分段式选择性射极130具有第二掺质浓度。分段式选择性射极130的第二掺质浓度大于第二导电型半导体层120的第一掺质浓度。在一实施例中，分段式选择性射极130的电阻介于100-300欧姆/平方，例如为150、200或250欧姆/平方。第二导电型半导体层120的电阻介于20-100欧姆/平方，例如为30、50或80欧姆/平方。本说明书中，“电阻”一词是指薄层电阻或薄膜电阻(Sheet Resistance,Rs)。分段式选择性射极130的深度(或厚度)T1和第二导电型半导体层的深度(或厚度)T2各介于40-2000nm，例如为100、300、400、600、800、1000、1500nm或1800nm，最佳为100～1200nm。在一实施例中，如图1B所示，分段式选择性射极130的深度(或厚度)T1小于第二导电型半导体层的深度(或厚度)T2。在另一实施例中，如图1C所示，分段式选择性射极130的深度(或厚度)大于第二导电型半导体层120的深度(或厚度)。
指状电极140位于分段式选择性射极130上，并且接触分段式选择性射极130。请再参照图1A，分段式选择性射极130沿指状电极140的延伸方向配置。详细的说，构成分段式选择性射极130的这些区段射极131是沿着指状电极140的延伸方向配置。
在某些实施例中，如图1B及图1C所示，可以在第二导电型半导体层120和分段式选择性射极130的上方形成氮化硅抗反射层150，而指状电极140直接和分段式选择性射极130接触，因此指状电极140下方不会形成氮化硅抗反射层150。氮化硅抗反射层的功用是降低光的反射，进而增加太阳能电池的光吸收，而提高太阳能电池的转换效率。
图2A至图2E绘示根据本发明实施例的太阳能电池100的制作方法流程。在图2A中，提供第一导电型半导体层210，第一导电型半导体层210可为硅基板，例如单晶硅基板、多晶硅基板或非晶硅基板。在不同的实施例中，第一导电型半导体层210可以是P型或N型的基板。在一实施例中，对第一导电型半导体层210的表面进行粗化制程，以降低入射光的反射率。例如可使用化学酸性蚀刻制程(蚀刻溶剂例如为氢氟酸或硝酸)或化学碱性蚀刻制程(蚀刻溶剂例如为氢氧化钾或异丙醇)对第一导电型半导体层210的表面进行粗化制程。接着掺杂掺质至第一导电型半导体层210中，以于第一导电型半导体层210之上方形成一第二导电型半导体层220，第二导电型半导体层220具有一第一掺质浓度。在一实施例中，掺质为N型掺质，如磷基酸(HPOX)。在另一实施例中，第一导电型半导体层210为N型基板，掺质为P型掺质，如硼酸(H3BO3)。
在图2B中，利用掺杂制程在第二导电型半导体层220中形成彼此分离的多个掺杂区域，这些掺杂区域即为区段射极并构成一分段式选择性射极230，掺质的导电型和第二导电型半导体层220相同。掺杂制程可为激光掺杂制程或任何已知的掺杂技术。激光掺杂是为利用脉冲激光在预定的掺杂区域上面进行加热，使掺质可扩散进入第二导电型半导体层220表面，而在此区域形成高浓度的掺杂区域。分段式选择性射极230包含多个区段射极，区段射极具有一第二掺质浓度，且第二掺质浓度大于第二导电型半导体层220的第一掺质浓度。分段式选择性射极230内任两相邻区段射极的间距d的长度介于0.01-10.0mm，例如0.05mm、0.1mm、0.5mm、1mm、2mm、5mm或7mm，较佳为0.05-7mm。若间距d的长度太短则高浓度掺杂区域愈多，载子容易发生复合进而降低光电转换效率；若间距d长度太长则高浓度掺杂区域愈少，电阻值会提高。
在图2C中，蚀刻第二导电型层220以及分段式选择性射极230以减少两者的厚度，此蚀刻制程可为干式蚀刻或反应式离子蚀刻，其中蚀刻气体使用六氟化硫、四氯化硅、八氟环丁烷、甲烷、氢气、氩或其他已知蚀刻气体或其组合；或使用湿式蚀刻，蚀刻液使用氟化氢、氢氧化钾、硝酸、其他类似化学品或其组合。透过蚀刻制程减少太阳能电池表面掺杂区域，可大幅减少表面载子的复合机率，进一步提升开路电压(Voc)和短路电流(Isc)。经蚀刻后的第二导电型层220的厚度T3以及分段式选择性射极230的厚度T4介于40～2000nm，例如100、300、400、600、800、1000、1500nm或1800nm，最佳为100～1200nm。
在图2D中，于第二导电型层220以及分段式选择性射极230上形成氮化硅抗反射层250，例如可利用等离子化学气相沉积法形成氮化硅抗反射层250。在某些实施例中，太阳能电池可不包含氮化硅抗反射层250。
在图2E中，形成一指状电极240接触掺杂区域(区段射极)和第二导电型半导体层220，其中这些掺杂区域沿指状电极的一延伸方向配置。指状电极240可利用任何已知的制程方法制得，例如利用银胶网印与高温制程形成指状电极240于掺杂区域和第二导电型半导体层220的上方。
依据本发明的各种实施方式，提供一种太阳能电池，包含：一第一导电型半导体层；一第二导电型半导体层，位于第一导电型半导体层之上；一分段式选择性射极，位于第二导电型半导体层中，分段式选择性射极包含多个区段射极，且任两相邻的多个区段射极之间间隔一间距，其中多个区段射极的导电型与第二导电型半导体层的导电型相同，多个区段射极的掺质浓度大于第二导电型半导体层的掺质浓度；以及一指状电极，接触且位于多个区段射极上，其中多个区段射极沿指状电极的一延伸方向配置。
依据本发明的多个实施方式，是提供一种制造太阳能电池的方法，制备方法包含:提供一第一导电型半导体层；形成一第二导电型半导体层于第一导电型半导体层上，其中第二导电型半导体层具有一第一掺质浓度；掺杂一掺质至第二导电型半导体层中，以于第二导电型半导体层中形成彼此分离的多个掺杂区域，该掺质的导电型和第二导电型半导体层相同，其中各掺杂区域具有一第二掺质浓度，且第二掺质浓度大于第一掺质浓度；以及形成一指状电极接触多个掺杂区域，其中多个掺杂区域沿指状电极的一延伸方向配置。
本发明的实施例的优点是一种具有分段式选择性射极的太阳能电池，此种太阳能电池能减少选择性射极的高掺杂区域以减少载子复合和避免光电流的损失。
以上概述数个实施例使熟悉此项技艺人士得以更加理解此揭露的各个部分。熟悉此项技艺人士应可理解并得以此为基础据以设计或修正其他合成及结构以实施与此同样的目的且/或具与此介绍相同优点的实施例。熟悉此项技艺人士者亦可理解在不脱离本发明的精神和范围内，当可作任意的置换、替代及更动。
Claims (10)
1.一种太阳能电池，其特征在于，包含：
一第一导电型半导体层；
一第二导电型半导体层，位于该第一导电型半导体层之上；
一分段式选择性射极，位于该第二导电型半导体层中，该分段式选择性射极包含多个区段射极，且任两相邻的所述区段射极之间间隔一间距，其中所述区段射极的导电型与该第二导电型半导体层的导电型相同，所述区段射极的掺质浓度大于该第二导电型半导体层的掺质浓度；以及
一指状电极，接触且位于所述区段射极上，其中所述区段射极沿该指状电极的一延伸方向配置。
2.如权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，该第二导电型半导体层的厚度与所述选择性射极的厚度介于40～2000nm。
3.如权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，还包含一氮化硅抗反射层，位于该第二导电型半导体层和该分段式选择性射极上。
4.如权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，所述分段式选择性射极的所述间隔为0.01～10.0mm。
5.如权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，该第二导电型半导体层的电阻介于100～300欧姆/平方。
6.如权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，该分段式选择性射极的电阻介于20～100欧姆/平方。
7.一种制造太阳能电池的方法，其特征在于，包含：
提供一第一导电型半导体层；
形成一第二导电型半导体层于该第一导电型半导体层上，其中该第二导电型半导体层具有一第一掺质浓度；
掺杂一掺质至该第二导电型半导体层中，以于该第二导电型半导体层中形成彼此分离的多个掺杂区域，该掺质的导电型和第二导电型半导体层相同，其中各该掺杂区域具有一第二掺质浓度，且该第二掺质浓度大于该第一掺质浓度；以及
形成一指状电极接触所述掺杂区域，其中所述掺杂区域沿该指状电极的一延伸方向配置。
8.如权利要求7所述的制造太阳能电池的方法，其特征在于，在掺杂该掺质至该第二导电型半导体层之后，还包含蚀刻该第二导电型半导体层和所述掺杂区域，以减少该第二导电型半导体层及所述掺杂区域的厚度。
9.如权利要求8所述的制造太阳能电池的方法，其特征在于，在蚀刻该第二导电型半导体层和所述掺杂区域之后，还包含形成一氮化硅抗反射层于该第二导电型半导体层以及该分段式选择性射极上。
10.如权利要求8所述的制造太阳能电池的方法，其特征在于，蚀刻该第二导电型半导体层和所述掺杂区域包含使用一蚀刻剂，且该蚀刻剂包含HF、KOH、HNO3或其组合。
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| CN104282772A (zh) * | 2013-07-12 | 2015-01-14 | 上海神舟新能源发展有限公司 | 一种四主栅正电极太阳能晶体硅电池 |
| US20150179837A1 (en) * | 2013-12-24 | 2015-06-25 | Lg Electronics Inc. | Solar cell and method for manufacturing the same |
| CN105322032A (zh) * | 2014-07-30 | 2016-02-10 | 英稳达科技股份有限公司 | 太阳能电池 |
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Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN101884115A (zh) * | 2008-04-17 | 2010-11-10 | Lg电子株式会社 | 太阳能电池、太阳能电池的发射极层的形成方法、和太阳能电池的制造方法 |
| CN104282772A (zh) * | 2013-07-12 | 2015-01-14 | 上海神舟新能源发展有限公司 | 一种四主栅正电极太阳能晶体硅电池 |
| US20150179837A1 (en) * | 2013-12-24 | 2015-06-25 | Lg Electronics Inc. | Solar cell and method for manufacturing the same |
| CN105322032A (zh) * | 2014-07-30 | 2016-02-10 | 英稳达科技股份有限公司 | 太阳能电池 |
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