CN107346081B - 显示设备及其制造方法 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及显示设备及其制造方法。一种显示设备包括：第一基板；第一像素和第二像素，彼此相邻设置在第一基板上；以及像素电极，设置在第一像素和第二像素中的每一个中，每个像素电极包括在两个第一端部分之间的第一方向上延伸的第一主干，与第一主干交叉并且在两个第二端部分之间延伸的第二主干，以及设置在第一主干与第二主干交汇处的交叉点，其中，第一端部分和第二端部分限定每个像素中的像素区域的外部范围的至少一部分，并且从第一像素的像素区域的中心至第一像素的交叉点的第一距离不同于从第二像素的像素区域的中心至第二像素的交叉点的第二距离。

Description

显示设备及其制造方法
相关申请的引证
本申请要求于2016年5月3日提交的韩国专利申请第10-2016-0054740号的优先权和权益，如同在本文中充分阐述的，出于所有目的通过引证将其结合于此。
技术领域
示例性实施方式大体涉及显示设备及其制造方法且，更具体地，涉及可以通过促进液晶的平衡驱动来减少像素中的暗色部分的形成的显示设备及其制造方法。
背景技术
随着多媒体的发展，显示设备的重要性不断增加。因此，诸如液晶显示器(LCD)和有机发光显示器(OLED)的各类显示设备被使用。
具体地，LCD是平板显示器的最广泛使用的类型之一。通常，LCD包括具有诸如像素电极和共用电极的场生成电极的一对基板，以及插入在两个基板之间的液晶层。在LCD中，电压被施加至场生成电极以在液晶层中产生电场。因此，确定了液晶层的液晶分子的方向，并且控制了入射光的偏振。因此，在LCD上显示出期望的图像。
LCD一般包括显示图像的显示区域和设置各种信号线以允许显示区域显示图像的非显示区域。
另外，多个像素形成在显示区域中。像素接收来自背光的光并且发射特定波长的光。为了显示期望的图像，显示设备可以通过在其中形成黑矩阵来阻挡不期望的光的产生，黑矩阵在每个显示设备中可以具有不同的结构和形状。
在该技术背景部分中公开的以上信息仅仅用于增强对本发明构思的背景的理解，因此，其可能包含未构成在该国家中为本领域的普通技术人员已知的现有技术的信息。
发明内容
根据本发明的原理构造的显示设备减少像素中的暗色部分的形成。
本发明的示例性实施方式提供了一种显示设备以及用于制造显示设备的方法，可以通过保持每个像素中的驱动液晶的平衡来减少暗色部分的形成。
将在以下的具体实施方式中阐述另外的方面，以及部分另外的方面从本公开内容中是显而易见的或可以通过本发明构思的实践被了解。
根据示例性实施方式，一种显示设备包括：第一基板；第一像素和第二像素，彼此相邻设置在第一基板上；以及像素电极，设置在第一像素和第二像素中的每一个中，每个像素电极包括在两个第一端部分之间在第一方向上延伸的第一主干，与第一主干交叉并且在两个第二端部分之间在不同于第一方向的第二方向上延伸的第二主干，以及设置在第一主干与第二主干交汇处的交叉点，其中，第一端部分和第二端部分限定每个像素中的像素区域的外部范围的至少一部分，并且从第一像素的像素区域的中心至第一像素的交叉点的第一距离不同于从第二像素的像素区域的中心至第二像素的交叉点的第二距离。
第二距离可以大于第一距离。
第一像素的像素区域的中心与第一像素的交叉点可以彼此重叠。
显示设备可以进一步包括局部覆盖第二像素的黑矩阵，其中，黑矩阵可以不与第二像素的交叉点重叠。
显示设备可以进一步包括面对第一基板的第二基板，其中，黑矩阵设置在第二基板上。
黑矩阵可以设置在第一基板上。
黑矩阵的边界线可以穿过第二像素。
边界线可以是具有第一曲率的曲线。
边界线可以是具有第一斜率的直线。
显示设备可以进一步包括邻近于第二像素设置的第三像素，第三像素包括在第一方向上延伸的第一主干，在第二方向上延伸的第二主干，以及设置在第一主干与第二主干交汇处的交叉点，其中，从第三像素的像素区域的中心至第三像素的交叉点的第三距离大于第二距离。
根据示例性实施方式，一种显示设备包括：第一基板；第一像素和第二像素，彼此相邻设置在第一基板上；以及像素电极，设置在第一像素和第二像素中的每一个中，每个像素电极包括在两个第一端部分之间在第一方向上延伸的第一主干，与第一主干交叉并且在两个第二端部分之间在不同于第一方向的第二方向上延伸的第二主干，以及设置在第一主干与第二主干交汇处的交叉点，其中，第一端部分和第二端部分限定每个像素中的像素区域的外部范围的至少一部分，第一主干和第二主干将第一像素和第二像素中的每一个的像素区域划分为多个域，并且第一像素的域的数目不同于第二像素中的域的数目。
第一像素的像素区域可包括四个域并且第二像素的像素区域包括两个域。
显示设备可以进一步包括邻近于第二像素设置的第三像素并且第三像素包括在第一方向上延伸的第一主干，在第二方向上延伸的第二主干，以及设置在第一主干与第二主干交汇处的交叉点，其中，第三像素可包括一个域。
显示设备可以进一步包括局部覆盖第二像素和第三像素的黑矩阵，其中，第二像素的没有被黑矩阵覆盖的面积大于第三像素的没有被黑矩阵覆盖的面积。
第一像素的交叉点可以设置在第一像素的像素区域的中心处，第二像素的交叉点可以设置在第二像素的像素区域的一侧，以及第三像素的交叉点可以设置在第三像素的像素区域的角部处。
显示设备可以进一步包括设置在域中并且从第一主干和第二主干对角延伸的分支。
第二像素的开口率可以大于第三像素的开口率并且小于第一像素的开口率。
根据示例性实施方式，一种显示设备包括：基板；第一像素和第二像素，彼此相邻设置在基板上；以及像素电极，设置在第一像素和第二像素中的每一个中，每个像素电极包括将对应的像素划分为多个域的交叉的主干，其中，第一像素的开口率大于第二像素的开口率，并且设置在第一像素中的域的数目大于设置在第二像素中的域的数目。
显示设备可以进一步包括黑矩阵，其中，黑矩阵与第二像素的重叠面积大于与第一像素的重叠面积。
根据示例性实施方式，一种显示设备包括：第一基板；第一像素和第二像素，彼此相邻设置在第一基板上；以及像素电极，设置在第一像素和第二像素中的每一个中，每个像素电极包括在第一方向上延伸的第一主干，与第一主干交叉并且在不同于第一方向的第二方向上延伸的第二主干，以及设置在第一主干与第二主干交汇处的交叉点；以及黑矩阵，设置在第一基板上并且局部覆盖第二像素，其中，黑矩阵不与第二像素的交叉点重叠。
以上概述和以下具体描述是示例性的和说明性的并且旨在提供对所要求保护的主题的进一步说明。
附图说明
被包括以提供对本发明构思的进一步理解，并且被结合在本说明书中并构成本说明书的一部分的附图，示出了本发明构思的示例性实施方式，并且与说明书一起用于说明本发明构思的原理。
图1是根据示例性实施方式构造的显示设备的布局图。
图2是图1的显示设备的区域‘A’的放大图。
图3是图2的布局图。
图4是沿着图2的区域‘A’的线I-I’截取的截面图。
图5是沿着图2的区域‘A’的线II-II’截取的截面图。
图6是根据示例性实施方式构造的显示设备的布局图。
图7是根据示例性实施方式构造的显示设备的局部布局图。
图8是根据示例性实施方式构造的显示设备的截面图。
图9是示出了根据示例性实施方式制造显示设备的方法的截面图。
图10是示出了根据示例性实施方式的制造显示设备的方法的截面图。
图11是示出了根据示例性实施方式的制造显示设备的方法的布局图。
图12是示出了根据示例性实施方式的制造显示设备的方法的截面图。
图13是示出了根据示例性实施方式的制造显示设备的方法的布局图。
具体实施方式
在以下描述中，为了说明的目的，阐述了很多具体细节以便提供对各种示例性实施方式的透彻理解。然而，明显的是在没有这些具体细节或者利用一种或多种等效布置，可以实践各种示例性实施方式。在其他情况下，已知的结构和装置以框图的形式示出，以避免使各种示例性实施方式不必要地晦涩难懂。
在附图中，为了清晰和描述的目的，层、膜、面板、区域等的尺寸和相对尺寸可以被放大。并且，相同的参考标号表示相同的元件。
当元件或者层被称为在另一个元件或者层上、“连接至”或“耦接至”另一个元件或者层时，其可直接位于另一个元件或者层上、直接连接至或者直接耦接至另一个元件或者层，或者可以存在中间元件或层。然而，当元件或者层被称为直接在另一个元件或者层上、“直接连接至”、或者“直接耦接至”另一个元件或者层时，则不存在任何中间元件或者层。为了本公开内容的目的，“X、Y和Z中至少一个”和“从由X、Y、和Z组成的组中选出的至少一个”可以解释为仅X、仅Y、仅Z或者X、Y、和Z中两个或多个的任何组合，诸如，例如，XYZ、XYY、YZ及ZZ。相同的数字在全文中表示相同的元件。如在本文中所使用的，术语“和/或”包括相关列举项的一个或多个的任何和所有组合。
尽管在本文中可使用术语第一、第二等来描述各个元件、组件、区域、层、和/或部分，然而，这些元件、组件、区域、层、和/或部分不应受这些术语限制。这些术语用于将一个元件、组件、区域、层、和/或部分与另一个元件、组件、区域、层、和/或部分相区分。因此，在不背离本公开内容的教导的情况下，下面所讨论的第一元件、第一组件、第一区域、第一层和/或第一部分也可以称作第二元件、第二组件、第二区域、第二层和/或第二部分。
为了描述的目的，在本文中可使用诸如“在……下面”、“在……下方”、“下部”、“在……上方”、“上部”等空间相对术语，并且从而描述如附图中示出的一个元件或特征与另一(或多个)元件或另一(或多个)特征的关系。除了在附图中描述的定向之外，空间相对术语旨在涵盖装置在使用、操作和/或制造时的不同定向。例如，如果附图中的装置被翻转，则被描述为在其它元件或特征下方或下面的元件将随后被定向为在其它元件或特征上方。因此，示例性术语“在……下方”可以包括在……上方和在……下方两个定向。此外，装置可被以其他方式定向(例如，旋转90度或在其他定向)，照此，相应解释本文中使用的空间相对描述符。
这里使用的术语是为了描述特定实施方式的目的，并不旨在限制本发明。除非上下文另有明确指出，否则如本文中所使用的，单数形式“一个(a)”、“一个(an)”和“该(the)”也旨在包括复数形式。而且，当术语“包括(comprises)”、“包括(comprising)”、“包含(includes)”和/或“包含(including)”用于本说明书时，指定所述的特征、整体、步骤、操作、元件、组件及/或它们的组的存在，但并不排除存在或添加一个或多个其它特征、整体、步骤、操作、元件、组件及/或它们的组。
本文参考作为理想化示例性实施方式和/或中间结构的示意图的截面示图描述了各种示例性实施方式。因而，预期会出现例如因制造技术和/或容差导致的示图的形状的变化。因此，本文中公开的示例性实施方式不应当被解释为局限于区域的具体的所示形状，而是包括由例如制造导致的形状的偏差。例如，被示出为矩形的注入区域将通常具有圆形或曲线特征和/或在其边缘处具有注入浓度的梯度，而不是从注入区域到非注入区域的二元变化。同样，通过注入形成的掩埋区域可导致在掩埋区域与从中进行注入的表面之间的区域中的某些注入。因此，附图中示出的区域实质上是示意性的，并且它们的形状并不旨在示出装置的区域的实际形状，且不旨在对本发明进行限制。
除非另有定义，否则在文中使用的所有术语(包括技术术语和科学术语)具有与本公开内容为一部分的本领域的普通技术人员通常所理解的相同含义。除非本文中明确定义如此，否则术语(诸如在常用字典中定义的那些)，应解释为具有与它们在相关领域的上下文中的含义一致的含义，并且将不以理想化或过于正式的意义来解释。
图1是根据示例性实施方式的显示设备的布局图。图2是图1的区域‘A’的放大图。图3是省略图2的一些组件的布局图。图4是沿着图2的区域‘A’的线I-I’截取的截面图。图5是沿着图2的区域‘A’的线II-II’截取的截面图。
参考图1至图5，根据示例性实施方式的显示设备包括第一基板500、设置在第一基板500上彼此靠近的第一像素PX1和第二像素PX2，以及设置在第一像素PX1和第二像素PX2中的每一个中的像素电极PE。像素电极PE包括在第一方向上延伸的第一主干ST1，在不同于第一方向的第二方向上延伸的第二主干ST2，以及形成在第一主干ST1和第二主干ST2的交叉部分的交叉点IP1或者IP2。
参考图1，第一基板500可包括具有耐热和透光特性的材料。第一基板500可以由(但不限于)透明玻璃或者塑料制成。显示区域DA和非显示区域NDA可以设置在第一基板500中。
显示区域DA是显示设备的显示图像的区域，并且非显示区域NDA是其中设置各种信号线以使得显示区域DA能够显示图像的区域。
在非显示区域NDA中，可以设置向数据线DL提供数据信号的数据驱动器DU和将从数据驱动器DU接收的信号传送至数据线DL的数据扇出线DFL。
在显示区域DA中，可以设置在数据线DL与栅极线GL的交叉点处限定的像素。更具体地，图2是设置在图1的显示区域DA的区域‘A’中的像素的放大图。
黑矩阵BM可以设置在第一基板500上，该黑矩阵可以阻挡光。黑矩阵BM可包括设置在非显示区域NDA上的黑矩阵和设置在显示区域DA上的黑矩阵。具体地，黑矩阵BM可以阻挡从背光发射的光并且防止光在除显示区域DA以外的区域泄漏。
在示例性实施方式中，非显示区域NDA的黑矩阵BM可以局部覆盖显示区域DA的角部。因此，设置在显示区域DA的角部处的一些像素会至少局部地由非显示区域NDA的黑矩阵BM覆盖。将参考图2和图3对此进行详细描述。
图2是图1的区域‘A’的放大图。图3是省略图2的一些组件的布局图。参考图2和图3，根据示例性实施方式的显示设备可包括彼此相邻设置的像素。如上所述，像素可以由栅极线GL和数据线DL限定。更具体地，一个像素可以是通过栅极线GL和数据线DL的交叉形成的空间。
在一个像素中，可以设置栅电极GE、源电极SE、漏电极DE以及像素电极PE。随后将参考图4详细描述栅电极GE、源电极SE以及漏电极DE。
在一个像素中，可以设置覆盖栅电极GE、源电极SE以及漏电极DE的栅极黑矩阵G_BM。栅极黑矩阵G_BM可以沿着栅极线GL延伸并且阻挡从背光发射的光或者防止光泄漏。
栅极黑矩阵G_BM可包括与上述黑矩阵BM基本上相同的材料，并且可以在形成黑矩阵BM的相同的过程中同时形成。可选地，栅极黑矩阵G_BM和黑矩阵BM可以在分开的过程使用不同的材料独立地形成。
像素区域PA可以限定在一个像素中。像素区域PA可以是像素的除了由栅极黑矩阵G_BM覆盖的部分之外的部分。像素区域PA可以是像素电极PE的外周占据的区域。在下文中，将参考像素区域PA描述根据本发明的原理构造的每个像素中的像素电极PE的配置。
像素电极PE可包括在第一方向上延伸的第一主干ST1，在不同于第一方向的第二方向上延伸的第二主干ST2，第一主干ST1和第二主干ST2的交叉点IP1、IP2、或者IP3，以及从第一主干ST1和第二主干ST2对角延伸的分支BR。根据示例性实施方式，第一主干ST1可以在两个第一端部分之间在第一方向上延伸并且第二主干ST2可以在两个第二端部分之间在第二方向上延伸。以这种方式，两个第一端部分和两个第二端部分可以限定每个像素中的像素区域PA的外部范围的至少一部分。
根据示例性实施方式，第一方向可以是平行于数据线DL的方向，并且第二方向可以是平行于栅极线GL的方向。在该情况下，第一主干ST1和第二主干ST2可以在交叉点IP1、IP2或者IP3处彼此垂直交叉。
在下文中，将从设置在图2的右上角处的一像素起将像素顺次称作第一像素PX1、第二像素PX2以及第三像素PX3。
在下文中将描述第一像素PX1。
设置在第一像素PX1中的像素电极PE的第一主干ST1和第二主干ST2可以在第一像素PX1的像素区域PA的中心C1处彼此交叉。如本文中使用的，每一个像素区域PA的中心可以指每一个像素区域PA的几何中心，并且可以用于描述以下配置。
第一像素PX1的交叉点IP1可以与第一像素PX1的像素区域PA的中心C1重叠。更具体地，第一像素PX1的像素区域PA的中心C1与交叉点IP1之间的距离可以是零。
第一像素PX1的第一主干ST1和第二主干ST2可以将第一像素PX1的像素区域PA划分为四个域。具体地，当第一主干ST1和第二主干ST2以十字(+)形状彼此交叉时，它们可以将像素区域PA划分为四个域。
更具体地，假定第一像素PX1的交叉点IP1是原点，并且第一主干ST1是y轴且第二主干ST2是x轴，第一像素PX1可包括对应于第一象限的第一域DM1、对应于第二象限的第二域DM2、对应于第三象限的第三域DM3以及对应于第四象限的第四域DM4。
分支BR可以设置在第一域DM1、第二域DM2、第三域DM3以及第四域DM4中。分支BR可以从像素区域PA的边缘朝向交叉点IP1对角延伸。更具体地，分支BR可以从第一主干ST1和第二主干ST2朝向像素区域PA的边缘延伸。
在第一像素PX1中，第一域DM1至第四域DM4可以具有基本上相同的尺寸或者面积。当第一域DM1至第四域DM4相对于第一像素PX1的像素区域PA的交叉点IP1具有基本上相同的面积时，像素区域PA的暗色部分的产生可以被最小化。
接下来，将描述第二像素PX2和第三像素PX3。
第二像素PX2可以邻近于第一像素PX1设置。第二像素PX2可包括像素区域PA。
第二像素PX2的像素区域PA可以至少局部地由非显示区域NDA的黑矩阵BM覆盖。更具体地，非显示区域NDA的黑矩阵BM的边界线BL可以穿过第二像素PX2的像素区域PA。在该情况下，如果第一像素PX1的相对开口率是一，那么第二像素PX2的相对开口率由于非显示区域NDA的黑矩阵BM而会小于一。如本文中使用的，相对开口率可以指每一个像素的像素区域暴露的程度。换言之，如果没有被非显示区域NDA的黑矩阵BM覆盖的第一像素PX1的像素区域PA的相对开口率是一，那么第二像素PX2和第三像素PX3中的每一个的相对开口率会小于一。
第二像素PX2的交叉点IP2可以设置在第二像素PX2的像素区域PA的没有被非显示区域NDA的黑矩阵BM覆盖的部分中。在示例性实施方式中，第一主干ST1和第二主干ST2可以在像素区域PA的一侧彼此交叉。在该情况下，像素区域PA可以被第一主干ST1和第二主干ST2分为两个域。更具体地，第二像素PX2的像素区域PA可包括设置在第二主干ST2上方的第一域DM1和设置在第二主干ST2下方的第二域DM2。
分支BR可以设置在第一域DM1和第二域DM2中。分支BR可以从第一主干ST1和第二主干ST2朝向像素区域PA的边缘对角延伸。
第三像素PX3可以邻近于第二像素PX2设置。第三像素PX3可包括像素区域PA。
在示例性实施方式中，第三像素PX3可以是设置在显示区域DA的最外的角部处的像素。第三像素PX3的像素区域PA可以至少局部地由非显示区域NDA的黑矩阵BM覆盖。当非显示区域NDA的黑矩阵BM局部覆盖第三像素PX3的像素区域PA时，非显示区域NDA的黑矩阵BM的边界线BL可以穿过第三像素PX3的像素区域PA。
在示例性实施方式中，非显示区域NDA的黑矩阵BM的边界线BL可以具有弯曲形状。更具体地，非显示区域NDA的黑矩阵BM的边界线BL可以以规定的曲率延伸。
另外，在示例性实施方式中，第三像素PX3的相对开口率可以小于第二像素PX2的相对开口率。更具体地，第三像素PX3的像素区域PA的没有被非显示区域NDA的黑矩阵BM覆盖的部分可以在面积上小于第二像素PX2的像素区域PA的没有被非显示区域NDA的黑矩阵BM覆盖的部分。
第三像素PX3的交叉点IP3可以设置在第三像素PX3的像素区域PA的没有被非显示区域NDA的黑矩阵BM覆盖的部分中。在示例性实施方式中，第一主干ST1和第二主干ST2可以在像素区域PA的角部处彼此交叉。更具体地，交叉点IP3可以设置在像素区域PA的角部处。当交叉点IP3设置在像素区域PA的角部处时，第一主干ST1和第二主干ST2可以限定单个域，诸如第一域DM1。具体地，第三像素PX3的像素区域PA可仅包括一个域。
分支BR可以设置在第三像素PX3的第一域DM1中。分支BR可以从第一主干ST1和第二主干ST2朝向像素区域PA的边缘对角延伸。
参考回图2，像素可以被分为具有与非显示区域NDA的黑矩阵BM重叠的像素区域PA的像素，以及具有不与非显示区域NDA的黑矩阵BM重叠的像素区域PA的像素。具有不与非显示区域NDA的黑矩阵BM重叠的像素区域PA的像素可以基本上与上述第一像素PX1相同。更具体地，具有不与非显示区域NDA的黑矩阵BM重叠的像素区域PA的像素可包括各自具有基本上相同的面积的四个域。
另一方面，具有与非显示区域NDA的黑矩阵BM局部重叠的像素区域PA的像素可以是第二像素PX2或者第三像素PX3。具体地，这些像素可包括两个域或者仅一个域。
在图2中，六个像素中的三个像素与非显示区域NDA的黑矩阵BM局部重叠，而其他三个像素不与非显示区域NDA的黑矩阵BM重叠。然而，与黑矩阵BM重叠的像素的数目不限于以上数目。
现在将参考图3描述像素区域PA的中心与交叉点IP1、IP2或者IP3之间的关系。
参考图3，在第一像素PX1中，交叉点IP1与像素区域PA的中心C1可以彼此重叠。在该情况下，交叉点IP1与像素区域PA的中心C1之间的距离可以是零。
在第二像素PX2中，第二像素PX2的交叉点IP2与像素区域PA的中心C2之间的距离可以是第二距离W2。在第三像素PX3中，第三像素PX3的交叉点IP3与像素区域PA的中心C3之间的距离可以是第三距离W3。在示例性实施方式中，第二距离W2和第三距离W3可以彼此不同。具体地，第三距离W3可以大于第二距离W2。
如上所述，第二像素PX2的相对开口率大于第三像素PX3的相对开口率，并且第二距离W2与第三距离W3之间的差可以与未被非显示区域NDA的黑矩阵BM覆盖的区域的面积相关联。更具体地，未覆盖的区域的面积越小，从像素区域的中心至交叉点的距离可越大。
当像素区域PA如在第一像素PX1中没有被非显示区域NDA的黑矩阵BM覆盖时，液晶可以由四个域以平衡方式驱动，从而最小化暗色部分的形成。然而，当像素区域PA如在第二像素PX2和第三像素PX3中被非显示区域NDA的黑矩阵BM局部覆盖时，液晶会以不平衡方式被驱动，从而增加暗色部分。因此，如在第二像素PX2和第三像素PX3中，交叉点IP2或者IP3可以从像素区域PA的中心C2或者C3位移预定距离。以这种方式，可以减小液晶中的不平衡，并且因此，像素中的暗色部分的形成可以被最小化。
根据示例性实施方式，一个像素可包括多个像素电极，多个像素电极可以具有相同的或者不同的形状。例如，像素可包括两个像素电极，每一个像素电极具有第一主干、与第一主干交叉的第二主干、以及第一主干和第二主干交汇处的交叉点。以这种方式，像素可以在其中包括两个像素区域PA，并且例如，每一个像素区域PA可以分别具有低交叉点和高交叉点。在该情况下，以上论述的本发明构思可以应用于彼此对应的第一像素PX1、第二像素PX2、以及第三像素PX3的每个像素区域PA。更具体地，当第一像素PX1、第二像素PX2、以及第三像素PX3中的每一个在其中具有两个像素区域PA时，第一像素PX1的高交叉点可以与对应的像素区域的中心重叠，并且对应于第一像素PX1的高交叉点的第二像素PX2的高交叉点和第三像素区域PX3的高交叉点，可以均从对应的像素区域的中心位移，以最小化暗色部分在其中的形成。类似地，第一像素PX1的低交叉点可以与对应的像素区域的中心重叠，并且对应于第一像素PX1的低交叉点的第二像素PX2的低交叉点和第三像素区域PX3的低交叉点，可以均从对应的像素区域的中心位移。
图4是沿着图2的线I-I’截取的截面图。参考图4，栅极配线层GL和GE可以设置在第一基板500上。栅极配线层GL和GE可包括接收驱动信号的栅极线GL，以及从栅极线GL突出的栅电极GE。栅极线GL可在第一方向上延伸。栅电极GE可以与将随后描述的源电极SE和漏电极DE一起形成薄膜晶体管(TFT)的三个端子。
栅极配线层GL和GE可包括诸如铝合金的铝(Al)基金属、诸如银合金的银(Ag)基金属、诸如铜合金的铜(Cu)基金属、诸如钼合金的钼(Mo)基金属、铬(Cr)、钛(Ti)以及钽(Ta)中至少一种。栅极配线层GL和GE还可以包括能够实现期望的显示设备的金属或者聚合物材料。
栅极配线层GL和GE可以具有单层结构。栅极配线层GL和GE可以可选地具有多层结构，诸如双层或者三层或更多层。
栅极绝缘层GI可设置在栅极配线层GL和GE上。栅极绝缘层GI可覆盖栅极配线层GL和GE，并且可以设置在第一基板500的整个表面上。
栅极绝缘层GI可包括诸如氧化硅(SiOx)或者氮化硅(SiNx)的无机绝缘材料和诸如苯并环丁烯(BCB)、丙烯酸材料、或者聚酰亚胺的有机绝缘材料中的至少一种。
半导体图案层700可以设置在栅极绝缘层GI上。半导体图案层700可包括非晶硅或者多晶硅。半导体图案层700可以可选地包括氧化物半导体。
半导体图案层700可具有诸如岛屿状和线性形状的各种形状。当半导体图案层700被线性成型时，其可以设置在数据线DL下方并且延伸至栅电极GE上。
根据示例性实施方式，半导体图案层700可以被图案化为具有与在除沟道区CH以外的所有区域中的数据配线层DL、SE以及DE基本上相同的形状。更具体地，半导体图案层700可以与在除沟道区CH以外的所有区域中的数据配线层DL、SE以及DE重叠。
沟道区CH可以设置在彼此相对的源电极SE与漏电极DE之间。沟道区CH可以电连接源电极SE与漏电极DE，并且沟道区CH的形状可以改变。
重掺杂有n型杂质的欧姆接触层(未示出)可设置在半导体图案层700上。欧姆接触层可与整个半导体图案层700或半导体图案层700的一部分重叠。然而，当半导体图案层700包括氧化物半导体时，可以省略欧姆接触层。
当半导体图案层700是氧化物半导体时，半导体图案层可包括氧化锌(ZnO)。此外，半导体图案层700可以掺杂有镓(Ga)、铟(In)、锡(Sn)、锆(Zr)、铪(Hf)、镉(Cd)、银(Ag)、铜(Cu)、锗(Ge)、钆(Gd)、钛(Ti)、以及钒(V)中的一种或多种离子。例如，形成为氧化物半导体的半导体图案层700例如可以包括，ZnO、ZnGaO、ZnInO、ZnSnO、GaInZnO、CdO、InO、GaO、SnO、AgO、CuO、GeO、GdO、HfO、TiZnO、以及InTiZnO中的至少一种。
数据配线层DL、SE、以及DE可设置在半导体图案层700上。数据配线层DL、SE、以及DE包括数据线DL、源电极SE、以及漏电极DE。
数据线DL可以在第一方向上延伸并且与栅极线GL交叉。源电极SE可以从数据线DL分支出来并且延伸至半导体图案层700上。
漏电极DE可与源电极SE分开，并且可设置在半导体图案层700上以相对于栅电极GE或沟道区CH面对源电极SE。漏电极DE可以接触，并且因此，可以电连接至将在随后描述的像素电极PE。
数据配线层DL、SE、以及DE可以具有包括镍(Ni)、钴(Co)、钛(Ti)、银(Ag)、铜(Cu)、钼(Mo)、铝(Al)、铍(Be)、铌(Nb)、金(Au)、铁(Fe)、硒(Se)以及钽(Ta)中的至少一种的单层结构或者多层结构。另外，数据配线层DL、SE、以及DE可以是以上金属中任一种与钛(Ti)、锆(Zr)、钨(W)、钽(Ta)、铌(Nb)、铂(Pt)、铪(Hf)、氧(O)、以及氮(N)中的一种或多种元素的合金。
在图2中，一个TFT设置在一个像素中。然而，可以预期，设置在一个像素中的TFT的数目可以改变。
第一钝化层PASSI1可以设置在数据配线层DL、SE、以及DE和半导体图案层700上。第一钝化层PASSI1可包括无机绝缘材料或有机绝缘材料。
第一钝化层PASSI1可包括接触孔CNT，该接触孔暴露漏电极DE的至少一部分。
像素电极PE可以设置在第一钝化层PASSI1上。像素电极PE可以经由接触孔CNT电连接至漏电极DE。
在示例性实施方式中，像素电极PE可包括诸如氧化铟锡(ITO)或氧化铟锌(IZO)的透明导体或诸如铝的反射导体。
现在将参考图5描述每个像素的相邻的数据线DL与第一主干ST1之间的距离关系。
如本文中使用的，穿过数据线DL的中心的虚线可被称为参考线RL。在以下描述中，从数据线DL至第一主干ST1的距离可以指第一主干ST1的一端与参考线RL之间的距离。
在第一像素PX1中，数据线DL与第一主干ST1之间的距离d5可以基本上等于相邻的数据线DL与第一主干ST1之间的距离d6。这可因为第一主干ST1穿过第一像素PX1的像素区域PA的中心C1。
在第二像素PX2中，数据线DL与第一主干ST1之间的距离d3可以不同于相邻的数据线DL与第一主干ST1之间的距离d4。具体地，前一数据线DL与第一主干ST1之间的距离d3可以大于后一数据线DL与第一主干ST1之间的距离d4。这可因为在第二像素PX2中第一主干ST1沿着像素区域PA的侧面中的一个延伸。
在第三像素PX3中，数据线DL与第一主干ST1之间的距离d1可以不同于相邻的数据线DL与第一主干ST1之间的距离d2。具体地，前一数据线DL与第一主干ST1之间的距离d1可以大于后一数据线DL与第一主干ST1之间的距离d2。这可因为在第三像素PX3中第一主干ST1沿着像素区域PA的侧面中的一个延伸。
在示例性实施方式中，d1和d3可以相等。更具体地，尽管交叉点IP2和IP3位于第二像素PX2和第三像素PX3中的不同的位置处(参见图2或者图3)，但是第一主干ST1可以位于对应的像素中的基本上相同的位置处。当第一主干ST1在第二像素PX2和第三像素PX3的像素区域中的位置基本上相同时，d1和d3可以基本上相同。
如上所述，非显示区域NDA的黑矩阵BM可以局部覆盖第二像素PX2和第三像素PX3。第二像素PX2和第三像素PX3中的每一个的像素电极PE可以直接接触非显示区域NDA的黑矩阵BM。然而，根据示例性实施方式，至少一个或多个中间层可以设置在像素电极PE和显示区域DA或者非显示区域NDA的黑矩阵BM之间。
在下文中，将描述根据示例性实施方式的显示设备。在以下示例性实施方式中，与以上参考图1至图5描述的组件基本上相同的组件通过相同参考数字表示，并且因此将省去基本上相同的组件的重复描述。
图6是根据示例性实施方式的显示设备的布局图。
参考图6，根据示例性实施方式的显示设备与参考图2示出的显示设备的不同之处在于像素区域PA包括被非显示区域NDA的黑矩阵BM完全覆盖的第四像素PX4。
在示例性实施方式中，显示区域DA的最外的角部处设置的像素可以被非显示区域NDA的黑矩阵BM完全覆盖。为了便于描述，该像素将被称为第四像素PX4。第四像素PX可以具有零的开口率，因为其被非显示区域NDA的黑矩阵BM完全覆盖。
因此，暗色部分的形成在第四像素PX中不会是问题。第四像素PX的像素电极PE的形状可不限于特定的形状。在示例性实施方式中，第四像素PX4的像素电极PE可以具有与在图6中示出的第一像素PX1的形状基本上相同的形状。第四像素PX4的像素电极PE可以可选地具有与第二像素PX2或者第三像素PX3的形状相同的形状。
参考图6，在示例性实施方式中，第二像素PX2可包括具有不同面积或者尺寸的四个域。
如上所述，在被非显示区域NDA的黑矩阵BM局部覆盖的像素中，交叉点IP2或者IP3可以位于像素区域PA的没有被非显示区域NDA的黑矩阵BM覆盖的部分中。
在示例性实施方式中，交叉点IP2可以位于像素区域PA的没有被非显示区域NDA的黑矩阵BM覆盖的部分中的任何位置。在该情况下，像素区域PA可以被第一主干ST1和第二主干ST2分为具有不同尺寸的四个域。更具体地，第二像素PX2可包括第一至第四域DM1、DM2、DM3以及DM4，并且四个域DM1至DM4可以具有不同的尺寸。
根据示例性实施方式，交叉点IP2可以设置在像素区域PA的没有被非显示区域NDA的黑矩阵BM覆盖的部分中，使得通过第一主干ST1和第二主干ST2形成的域DM1至DM4中的每一个在没有被非显示区域NDA的黑矩阵BM覆盖的像素区域PA内可以具有基本上相同的尺寸。
从第一主干ST1和第二主干ST2朝向像素区域PA的边缘延伸的分支BR可以设置在第一域DM1至第四域DM4中的每一个中，如以上参考图1至图5示出的显示设备中描述的。在该情况下，交叉点IP2可以与像素区域PA的中心C2分开预定距离。当交叉点IP2从像素区域PA的中心C2位移预定距离时，可以校正液晶驱动中由非显示区域NDA的黑矩阵BM所引起的不平衡，并且因此，可以使像素区域PA中的暗色部分的形成最小化。
图7是根据示例性实施方式的显示设备的局部布局图。
参考图7，在根据示例性实施方式的显示设备中，非显示区域NDA的黑矩阵BM的边界线BL可以是具有预定斜率的直线。
当非显示区域NDA的黑矩阵BM的边界线BL是直线时，显示区域DA可以具有角部被非显示区域NDA的黑矩阵BM切掉的矩形形状，诸如，倒棱正方形(chamfered square)。
在示例性实施方式中，非显示区域NDA的黑矩阵BM的边界线BL和分支BR可以具有不同符号的斜率。更具体地，在图7的xy坐标系中，边界线BL的斜率可以具有正数，并且与边界线BL交叉的分支BR的斜率可以具有负数。
图8是根据示例性实施方式的显示设备的截面图。
参考图8，在根据示例性实施方式的显示设备中，黑矩阵BM可以设置在第二基板1000上。
在示例性实施方式中，第二基板1000可以放置为面对第一基板500。第二基板1000可包括具有耐热和透光特性的材料。第二基板1000可以由(但不限于)透明玻璃或者塑料制成。
黑矩阵BM和滤色器CF可以设置在第二基板1000上。黑矩阵BM可以阻挡从外部源入射的光以及光在显示设备内的传播。为此，黑矩阵BM可包括包含黑色颜料的光敏树脂。黑矩阵BM可以可选地包括具有阻挡从外部源入射的光的物理特性的任何材料。
滤色器CF可以设置在没有被黑矩阵BM覆盖的部分，即，由黑矩阵BM暴露的部分中。滤色器CF可以转换穿过将在随后描述的液晶层LC的光的波长。
如以上参考图1至图7示出的显示设备中所描述的，非显示区域NDA的黑矩阵BM可以至少部分地与设置在显示区域DA中的像素当中的设置在显示区域DA的每个角部处的像素重叠。
保护层(overcoat layer)OL可以设置在黑矩阵BM和滤色器CF上。保护层OL可以形成在第二基板1000的整个表面上以覆盖黑矩阵BM和滤色器CF。另外，保护层OL可以起平坦化层的作用。
共用电极CE可设置在保护层OL上。共用电极CE可以是非图案化的、全表面电极。共用电压可施加至共用电极CE。当不同的电压被施加至共用电极CE和像素电极PE时，在共用电极CE与像素电极PE之间可以形成电场。
包括液晶分子的液晶层LC可以设置在第一基板500与第二基板1000之间。液晶层LC可以通过共用电极CE与像素电极PE之间形成的电场控制。电场可以控制液晶层LC的液晶的移动，从而控制用于显示图像的光。
在下文中，将描述根据示例性实施方式的制造显示设备的方法。在以下示例性实施方式中，与上述显示设备的组件基本上相同的组件通过相同参考数字表示，并且因此将省去基本上相同的组件的重复描述。
图9是示出根据示例性实施方式的制造显示设备的方法的截面图。图10是示出了根据示例性实施方式的制造显示设备的方法的截面图。图11是示出了根据示例性实施方式的制造显示设备的方法的布局图。图12是示出了根据示例性实施方式的制造显示设备的方法的截面图。图13是示出了根据示例性实施方式的制造显示设备的方法的布局图。
参考图9至13，根据示例性实施方式的制造显示设备的方法包括制备具有第一像素和第二像素的第一基板，并且在第一像素和第二像素中的每一个中形成像素电极。像素电极包括在第一方向上延伸的第一主干、在不同于第一方向的第二方向上延伸并与第一主干交叉的第二主干、以及第一主干和第二主干交汇的交叉点。
首先，参考图9，可以制备第一基板500。
栅电极GE可以形成在第一基板500上。栅电极GE可以通过在第一基板500的整个表面上形成导电层，并且然后蚀刻导电层而形成。栅电极GE的结构和材料可以基本上与上述栅电极GE的结构和材料相同。
栅极绝缘层GI可以形成在栅电极GE上。栅极绝缘层GI可以形成在第一基板500的整个表面上。栅极绝缘层GI可以通过溅射、化学气相沉积(CVD)、以及喷墨印刷方法中的至少一种形成。
半导体图案层700可以形成在栅极绝缘层GI上。半导体图案层700可以通过在第一基板500的整个表面上形成半导体层，并且然后图案化半导体层而形成。在示例性实施方式中，半导体图案层700可以在图案化数据配线层DL、DE以及SE时同时被图案化。可选地，半导体图案层700和数据配线层DL、DE以及SE可以在分开的过程中被独立图案化。
数据配线层(包括数据线DL、漏电极DE以及源电极SE)可以形成在半导体图案层700上。数据配线层DL、DE以及SE的具体结构和材料可以基本上与上述数据配线层DL、DE以及SE的那些相同。
第一钝化层PASSI1可以形成在数据配线层DL、DE以及SE上。接触孔CNT可以形成在第一钝化层PASSI1中。接触孔CNT可以暴露漏电极DE的上表面的至少一部分。如上所述，像素可以形成在第一基板500中。如上所述，像素可以由栅极线GL和数据线DL限定。
参考图10和11，像素电极PE可以形成在第一基板500上。如上所述，像素电极PE可包括在第一方向上延伸的第一主干ST1，在不同于第一方向的第二方向上延伸并且与第一主干ST1交叉的第二主干ST2，第一主干ST1和第二主干ST2的交叉点IP1或IP2，以及从第一主干ST1和第二主干ST2对角延伸的分支BR。
像素电极PE的形状可以与上述像素电极PE的形状相同。更具体地，参考图11，第一像素PX1、第二像素PX2、以及第三像素PX3可以形成在第一基板500上，并且第一像素PX1、第二像素PX2、以及第三像素PX3的相应的像素电极PE可以具有不同的形状(参见图2)。
参考图12和13，根据示例性实施方式的制造显示设备的方法可以进一步包括在像素电极上形成黑矩阵。
如上所述，沿着栅极线GL延伸的栅极黑矩阵G_BM和覆盖显示区域DA的角部处的黑矩阵BM可以设置在第一基板500上。
在示例性实施方式中，栅极黑矩阵G_BM和黑矩阵BM可包括基本上相同的材料并且在相同的过程中同时形成。然而，栅极黑矩阵G_BM和黑矩阵BM可以可选地在分开的过程中独立形成。
非显示区域NDA的黑矩阵BM可以与设置在显示区域DA中的像素局部重叠。更具体地，像素的一部分可以被非显示区域NDA的黑矩阵BM局部覆盖。例如，参考图13，第二像素PX2和第三像素PX3中的每一个的像素区域PA可以被非显示区域NDA的黑矩阵BM局部覆盖。
根据示例性实施方式，每个像素中暗色部分的形成可以被最小化。另外，显示区域的一侧或者角部处的暗色部分的形成可以被最小化。
虽然已在此描述一些示例性实施方式和实施，但是其他实施方式和变型根据该描述将是明显的。因此，本发明构思并不局限于这样的示例性实施方式，而是在所呈现的权利要求以及各种显而易见的修改及等同设置的更宽范围中。

Claims (20)

1.一种显示设备，包括：
第一基板；
第一像素和第二像素，彼此相邻设置在所述第一基板上；以及
像素电极，设置在所述第一像素和第二像素中的每一个中，每个像素电极包括：
第一主干，在两个第一端部分之间在第一方向上延伸；
第二主干，与所述第一主干交叉并且在两个第二端部分之间在不同于所述第一方向的第二方向上延伸；以及
交叉点，设置在所述第一主干与所述第二主干交汇处，
其中：
所述第一端部分和所述第二端部分限定每个像素中的像素区域的外部范围的至少一部分；并且
从所述第一像素的像素区域的中心至所述第一像素的交叉点的第一距离不同于从所述第二像素的所述像素区域的中心至所述第二像素的所述交叉点的第二距离。
2.根据权利要求1所述的显示设备，其中，所述第二距离大于所述第一距离。
3.根据权利要求2所述的显示设备，其中，所述第一像素的所述像素区域的所述中心与所述第一像素的所述交叉点彼此重叠。
4.根据权利要求1所述的显示设备，进一步包括局部覆盖所述第二像素的黑矩阵，
其中，所述黑矩阵不与所述第二像素的所述交叉点重叠。
5.根据权利要求4所述的显示设备，进一步包括面对所述第一基板的第二基板，
其中，所述黑矩阵设置在所述第二基板上。
6.根据权利要求4所述的显示设备，其中，所述黑矩阵设置在所述第一基板上。
7.根据权利要求4所述的显示设备，其中，所述黑矩阵的边界线穿过所述第二像素。
8.根据权利要求7所述的显示设备，其中，所述边界线包括具有第一曲率的曲线。
9.根据权利要求7所述的显示设备，其中，所述边界线包括具有第一斜率的直线。
10.根据权利要求1所述的显示设备，进一步包括邻近于所述第二像素设置的第三像素，所述第三像素包括：
第一主干，在所述第一方向上延伸；
第二主干，在所述第二方向上延伸；以及
交叉点，设置在所述第一主干与所述第二主干交汇处，
其中，从所述第三像素的所述像素区域的中心至所述第三像素的所述交叉点的第三距离大于所述第二距离。
11.一种显示设备，包括：
第一基板；
第一像素和第二像素，彼此相邻设置在所述第一基板上；以及
像素电极，设置在所述第一像素和第二像素中的每一个中，每个像素电极包括：
第一主干，在两个第一端部分之间在第一方向上延伸；
第二主干，与所述第一主干交叉并且在两个第二端部分之间在不同于所述第一方向的第二方向上延伸；以及
交叉点，设置在所述第一主干与所述第二主干交汇处，
其中：
所述第一端部分和所述第二端部分限定每个像素中的像素区域的外部范围的至少一部分；
所述第一主干和所述第二主干将所述第一像素和第二像素中的每一个的所述像素区域划分为多个域；并且
所述第一像素的所述交叉点与所述第一像素的所述像素区域的中心重叠，并且所述第二像素的所述交叉点不与所述第二像素的所述像素区域的中心重叠，使得所述第一像素的域的数目不同于所述第二像素中的域的数目。
12.根据权利要求11所述的显示设备，其中：
所述第一像素的所述像素区域包括四个域并且所述第二像素的所述像素区域包括两个域。
13.根据权利要求11所述的显示设备，进一步包括邻近于所述第二像素设置的第三像素，所述第三像素包括：
第一主干，在所述第一方向上延伸；
第二主干，在所述第二方向上延伸；以及
交叉点，设置在所述第一主干与所述第二主干交汇处，
其中，所述第三像素包括一个域。
14.根据权利要求13所述的显示设备，进一步包括局部覆盖所述第二像素和所述第三像素的黑矩阵，
其中，所述第二像素的没有被所述黑矩阵覆盖的面积大于所述第三像素的没有被所述黑矩阵覆盖的面积。
15.根据权利要求13所述的显示设备，其中：
所述第一像素的所述交叉点设置在所述第一像素的所述像素区域的中心处；
所述第二像素的所述交叉点设置在所述第二像素的所述像素区域的一侧；并且
所述第三像素的所述交叉点设置在所述第三像素的所述像素区域的角部处。
16.根据权利要求11所述的显示设备，进一步包括设置在所述域中的分支，所述分支从所述第一主干和所述第二主干对角延伸。
17.根据权利要求13所述的显示设备，其中，所述第二像素的开口率大于所述第三像素的开口率并且小于所述第一像素的开口率。
18.一种显示设备，包括：
基板；
第一像素和第二像素，彼此相邻设置在所述基板上；以及
像素电极，设置在所述第一像素和第二像素中的每一个中，每个像素电极包括将对应的像素划分为多个域的交叉的主干，
其中：
所述第一像素的开口率大于所述第二像素的开口率；并且
所述第一像素的所述主干的交叉点与所述第一像素的像素区域的中心重叠，并且所述第二像素的所述主干的交叉点不与所述第二像素的像素区域的中心重叠，使得所述第一像素中设置的域的数目大于所述第二像素中设置的域的数目。
19.根据权利要求18所述的显示设备，进一步包括黑矩阵，
其中，所述黑矩阵与所述第二像素重叠的面积大于与所述第一像素重叠的面积。
20.一种显示设备，包括：
第一基板；
第一像素和第二像素，彼此相邻设置在所述第一基板上；以及
像素电极，设置在所述第一像素和所述第二像素中的每一个中，每个像素电极包括：
第一主干，在第一方向上延伸；
第二主干，与所述第一主干交叉并且在不同于所述第一方向的第二方向上延伸；以及
交叉点，设置在所述第一主干与所述第二主干交汇处；以及
黑矩阵，设置在所述第一基板上并且局部覆盖所述第二像素，
其中，所述第一像素的所述交叉点与所述第一像素的像素区域的中心重叠，并且所述第二像素的所述交叉点不与所述第二像素的像素区域的中心重叠，使得所述黑矩阵不与所述第二像素的所述交叉点重叠。
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