CN107332527B - 一种基于紧凑型输出匹配网络的宽带高效j类功率放大器实现方法 - Google Patents

一种基于紧凑型输出匹配网络的宽带高效j类功率放大器实现方法 Download PDF

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Abstract

本发明提供一种基于紧凑型输出匹配网络的宽带高效J类功率放大器实现方法，包括紧凑型输出匹配网络、GaN HEMT晶体管、基于切比雪夫低通滤波器原型的输入匹配网络，其中，紧凑型输出匹配网络为LC低通匹配网络，为了增强带宽性能，使用开路扇形微带传输线代替并联电容器。输入匹配网络采用基于切比雪夫低通原型的多级低通匹配网络进行设计，以系统地提高带宽。相对现有技术，本发明通过采用一种新型的晶体管输出阻抗计算方法，改进传统J类放大器的输入输出匹配网络，增强了J类放大器的效率和带宽，使其在更宽的带宽内有效地放大信号。

Description

一种基于紧凑型输出匹配网络的宽带高效J类功率放大器实 现方法
技术领域
本发明涉及射频电路与系统领域，尤其涉及一种基于紧凑型输出匹配网络的宽带高效J类功率放大器实现方法。
背景技术
现代通信系统正在追求更高的数据速率和更灵活的频率。因此，高效率和宽带宽是现代功率放大器(PA)追求的特性。因此，功率放大器(PA)的研究越来越关注带宽和效率。目前，高效率放大的方法已经通过谐波调谐或开关类PA得到了解决。F/F-1类和E类操作已经可以得到超过70％的功率附加效率(PAE)。但是，这些放大器的性能依赖于一个非常特定的阻抗环境，限制了它们的工作带宽，并且它们的线性度相当差。
随着通信数据速率的快速增加，频谱资源的愈加紧张，以及当前通信系统对调制信号的使用，对宽带、高效率和高线性度的需求越来越大。因此，急需研制出新型宽带高效率高线性度的功率放大器以满足当前及未来无线通信系统的要求。
最近几年报道出来的J类功率放大器允许大量的二次谐波电抗分量。同时，基本阻抗必须包含电抗分量电压波形大于零，从而保持良好的线性度。因此，漏极电压波形表达式可以写为
vJ(θ)＝1-v1r cosθ+v1q sinθ+v2q sin 2θ (1)
为了确保电压波形保持在零以上，Class-J放大器给定v1r＝1，v1q＝-1，v2q＝1/2。而理想的电压和电流波形如图1所示。
对于Class-J放大器，基波和二次谐波输出阻抗由下式给出
Z(f0)＝RL(1+j) (2)
Figure GDA0002412477920000021
其中Z(f0)和Z(2f0)分别表示基波和二次谐波阻抗。RL是负载阻抗。基波和二次谐波阻抗呈现在CG平面上，如图2所示。
一般来说，PA工程师在封装平面进行设计将更直接。因为我们通常使用封装的晶体管，并且匹配网络的设计在封装平面内进行。因此，封装平面上的反射系数可以根据公式(4)进行计算：
Figure GDA0002412477920000022
为了满足现代通信系统的频率范围要求，一种方法是进行多频段设计。通常，多频段设计依赖于在感兴趣的频带上获取负载牵引测量数据，并采用先进的匹配技术，以在每个频带向器件呈现适当的阻抗终端。多频段PA通常覆盖每个频带带宽相对较窄的两到三个频带，另外它们的频带通常相关。
另一种方法是以连续和并发的方式覆盖频谱的大部分的宽带设计。涵盖多倍频程的宽带放大器已经在文献中被广泛研究和报道，但是设计过程主要依赖于耗时的源/负载牵引测量或仿真，而没有任何通用的设计匹配网络的方法。
故，针对目前现有技术中存在的上述缺陷，实有必要进行研究，以提供一种方案，解决现有技术中存在的缺陷。
发明内容
有鉴于此，本发明的目的在于提供一种基于紧凑型输出匹配网络的宽带高效J类功率放大器实现方法，根据晶体管参数获取晶体管输出阻抗，并通过改进输入输出匹配网络设计方法，使得J类放大器的设计更加简便，且更好地增强带宽和效率性能。
为了克服现有技术的缺陷，本发明采用以下技术方案：
一种基于紧凑型输出匹配网络的宽带高效J类功率放大器实现方法，输入信号经输入匹配网络、晶体管和输出匹配网络将信号输出给负载，包括以下步骤：
步骤S1：根据晶体管的出厂参数，通过计算确定设计所需的输出阻抗；
晶体管的输出阻抗为：
Figure GDA0002412477920000031
上式中，
Figure GDA0002412477920000032
Figure GDA0002412477920000041
Figure GDA0002412477920000042
Figure GDA0002412477920000043
其中，S22，S21和θ21均是用于描绘输出匹配网络双端口网络的参数；
S22表示端口1匹配时，端口2的反射系数；
S21表示端口2匹配时，端口1到端口2的正向传输系数；
θ21表示S21的相位部分；
各频点下的S22和S21的相位θ21值通过晶体管生产厂家提供的晶体管数据手册中查表获得；
步骤S2：根据得到的输出阻抗采用L型低通匹配网络模型设计输出匹配网络；
步骤S3：采用基于切比雪夫滤波器模型设计输入匹配网络。
优选地，所述晶体管为GaN HEMT晶体管。
优选地，所述输入匹配网络是基于切比雪夫低通滤波器模型设计的，由多段阻抗及长短不一的微带线级联而成替代多个LC网络。
优选地，所述输出匹配网络为LC低通匹配网络，采用开路扇形微带传输线代替并联接地电容器。
优选地，所述负载阻抗为50欧。
优选地，所述晶体管输出阻抗计算方法采用双端口网络进行推导。
相对于现有技术，本发明通过推导晶体管输出阻抗计算方法，改进输入输出匹配网络设计方法，增强J类Doherty功率放大器带宽和效率性能。
附图说明
图1是理想的Class-J归一化电压和电流波形。
图2是简化晶体管模型，显示在CG平面和封装平面。
图3是放大器的输出双端口网络。
图4是通过Load-pull系统获得的所需带宽1.0-3.0GHz的基波阻抗，在1.0-3.0GHz带宽上，模拟输出功率和效率轮廓中代表输出功率大于41dBm，效率高于60％。
图5是提出的输出匹配网络以及输出匹配网络的阻抗轨迹。
图6是n阶切比雪夫低通原型。
图7是切比雪夫低通原型匹配网络及对应的微带线阻抗匹配网络。
图8是提出的基于切比雪夫滤波器的宽带输入匹配网络，以及史密斯圆图上的匹配跟踪。
图9是所提出的Class-J功率放大器的完整电路原理图。
图10是不同频率下的模拟漏极电压和电流波形。
图11是设计的Class-J放大器的实物照片。
图12是所提出的Class-J功率放大器在1.0-3.0GHz频段测量和仿真的S参数。
图13是所提出的Class-J功率放大器在1.0-3.0GHz频段测量和仿真的大信号漏极效率、输出功率及增益。
图14是所提出功率放大器测量的邻近信道功率比(ACPR)特性。
图15是2GHz频率下的采用峰均比为8dB的5MHz WCDMA信号下测量的ACPR。
图16是本发明方法的步骤流程图。
表1是1.0-3.0GHz频率范围内放大器的设计参数。
具体实施方式
以下是本发明的具体实施例并结合附图，对本发明的技术方案作进一步的描述，但本发明并不限于这些实施例。
针对现有技术存在的缺陷，申请人在研究中发现，J类功率放大器的设计过程中，首先要确定晶体管的输出阻抗，目前主要依赖于耗时的源/负载牵引计过程测量或仿真，非常繁琐耗时，从而使设计方法比较繁琐。因此，现有技术J类功率放大器的输出阻抗设计没有一个简便而又系统的设计方法，也没有任何通用的设计匹配网络的方法。
为了克服现有技术的缺陷，本发明一种基于紧凑型输出匹配网络的宽带高效J类功率放大器实现方法，参见图16，所示为步骤流程图，具体通过如下步骤实现：
步骤S1：根据晶体管的出厂参数，通过计算确定设计所需的输出阻抗；本发明中，采用GaN HEMT晶体管，其输出阻抗计算方法采用双端口网络进行推导。
参见图3，所示为放大器的输出双端口网络。双端口网络的电流和电压之间的关系为：
Figure GDA0002412477920000071
根据双端口网络参数的相互转换，输出匹配网络的传输矩阵[A]可以表示为：
Figure GDA0002412477920000072
Figure GDA0002412477920000073
Figure GDA0002412477920000074
Figure GDA0002412477920000081
假设输出匹配网络为无损耗双端口网络，其S参数矩阵[S]表示为：
Figure GDA0002412477920000082
根据互易双端口网络的特点，公式可以写成：
Figure GDA0002412477920000083
将公式(11)代入(6)、(7)、(8)、(9)得
Figure GDA0002412477920000084
Figure GDA0002412477920000085
Figure GDA0002412477920000086
Figure GDA0002412477920000087
因此，晶体管的输出阻抗为：
Figure GDA0002412477920000088
其中，S22，S21和θ21均是用于描绘输出匹配网络双端口网络的参数；S22表示端口1匹配时，端口2的反射系数；
S21表示端口2匹配时，端口1到端口2的正向传输系数；
θ21表示S21的相位部分；
现有技术中，传输矩阵[A]的参数与[S]矩阵的参数是相互独立的，两个矩阵可以相互转换，但是传输矩阵的参数ABCD与[S]矩阵的每个参数都有关系(参见公式(6)(7)(8)(9))。本发明通过研究发现，经过一系列公式的推导，传输矩阵的参数ABCD可以仅有参数S22和S21的相位θ21表示，从而大大降低了晶体管输出阻抗的计算过程，可以直接由S22和S21的相位θ21计算出来，不需要再进行测量。相对于现有技术晶体管的输出阻抗通常采用实际测量或软件测量的方式，本发明提出的输出阻抗计算方法，大大简化了设计过程。
在一种优选实施方式，通过使用本发明的输出阻抗计算方法进行各频点下晶体管输出阻抗的计算时，首先，在生产厂家提供的晶体管数据手册中查表可得出各频点下的S22和S21的相位θ21值，如晶体管CGH40010F，通过查表可得2GHz频点下S22＝0.365∠-150.99°，θ21＝55.59°，将其代入上述公式，可计算出输出阻抗为24.92+j7.61Ω；1GHz频点下S22＝0.305∠-136.05°，θ21＝82.82°，可计算出输出阻抗为29.1+j16.45Ω；3GHz频点下S22＝0.433∠-162.64°，θ21＝33.06°，可计算出输出阻抗为18.27+j0.81Ω。以次类推。参见图4，所示为采用Load-pull系统仿真测得的1-3GHz频带内的晶体管输出阻抗最优区域，其中，轮廓内部区域的输出功率>41dBm，效率>60％。可以明显看出，通过上述公式计算出的各频点下的输出阻抗均在Load-pull系统仿真测得的最优区域中，表1所示为通过公式计算出的各频点下最优输出阻抗及Load-pull系统仿真测得最优输入阻抗参数，根据确定的输入阻抗和输出阻抗值，进行输入输出匹配电路的设计。
表1
Figure GDA0002412477920000101
步骤S2：根据得到的输出阻抗采用L型低通匹配网络模型设计输出匹配网络，其设计方法如图7所示。L型匹配电路中电容通常采用集总元件，但集总元件谐振频率为单点频率，对带宽限制严重。为了增大Class-J放大器的带宽，匹配网络中的并联接地电容由开路扇形微带传输线代替，用来吸收晶体管的输出寄生电容，使得晶体管输出寄生电容对电路带宽性能影响降至最低，提出的输出匹配网络以及输出匹配网络的阻抗轨迹如图5所示。漏极偏置电路中四分之一波长传输线使得输出端二次谐波短路，最大简化输出端匹配网络，复杂的匹配网络不可避免地导致基波频率延迟增加，降低带宽性能。因此，具有较低基波频率延迟的匹配网络对于带宽的扩展以及效率的提高是很有帮助的。图5中黑色实线轨迹是输出匹配网络的阻抗轨迹。显然，输出匹配网络阻抗位于基波阻抗轮廓之内。因此，在带宽中实现了输出设计目标。
步骤S3：采用基于切比雪夫滤波器模型设计输入匹配网络，以进一步提高放大器的带宽。切比雪夫低通匹配网络的工作带宽较宽，n阶切比雪夫低通原型如图6所示。选取在工作频带中心频点的阻抗，负载阻抗与所要匹配的阻抗实部比值即为阻抗变换比，那么就确定了切比雪夫结构的阶数，由工作带宽得到带宽因子，然后确定所需的低通原型的参数。根据公式(17)(18)将低通原型转换为由电容电感容易构成的LC低通滤波电路，根据对放大器的阻抗分析，对LC低通滤波电路进行优化，满足工作带宽内的基波阻抗和各次谐波的阻抗匹配。最后将LC低通匹配网络转换为容易实现的微带线，满足实际的电路制作要求，根据工作带宽的中心频率将理想的集总元件变换为传输线结构，相应传输线的长度由式(19)和式(20)近似得到，将LC低通匹配网络转换为微带阻抗匹配网络方法如图7所示。滤波器结构被广泛用于设计宽带匹配网络，CGH40010F的输入阻抗的实部在2GHz处接近7Ω，如表1所示。建议使用7：1切比雪夫阻抗转换器实现50Ω的实部匹配。图8显示了提出的基于切比雪夫滤波器的宽带输入匹配网络，以及史密斯圆图上的匹配轨迹。很明显，通过阻抗转换器可以实现从50到7Ω的输入匹配。
Figure GDA0002412477920000111
Figure GDA0002412477920000112
Figure GDA0002412477920000113
Figure GDA0002412477920000114
其中，ω0＝2πf0，ωc是截止频率，λL和λC分别为高、低阻抗传输线的导波波长，ZL和ZC分别是高、低阻抗传输线的特性阻抗。
采用上述技术方案，本发明提出一种新型的输出阻抗计算方法，改进输入输出匹配网络设计方法，使得J类放大器的设计更加简便，且更好地增强带宽和效率性能。
参见图9，为采用本发明提出的方法设计的Class-J功率放大器的完整电路原理图，包括紧凑型输出匹配网络、GaN HEMT晶体管、基于切比雪夫低通滤波器原型的输入匹配网络，其中，
输入信号经输入匹配网络、GaN HEMT晶体管和输出匹配网络将信号输出给负载。
所述输入匹配网络是基于切比雪夫低通滤波器模型设计的，由多段阻抗及长短不一的微带线级联而成，即由多个LC网络级联而成；
所述晶体管为GaN HEMT晶体管；
所述输出匹配网络为LC低通匹配网络，使用开路扇形微带传输线代替并联接地电容器，更好地增强带宽性能；
所述J类放大器负载阻抗为50欧。
为了验证提出的带宽增强方法，使用10W Cree CGH40010F GaN HEMT器件设计了基于提出的策略的新型Class-J功率放大器。采用ADS软件基于供应商提供的器件大信号模型进行仿真。功率放大器偏置在VGS＝-2.7V和VDS＝28V。通过计算得到最佳阻抗和设计参数，如表1所示。最终所设计的Class-J PA完整电路原理图如图9所示。
为了验证所提出的放大器的工作状态，频带中不同频率的仿真漏极电压和电流波形如图10所示。这些波形表明在这些频率下实现了所提出的Class-J操作模式。
为论证提出的放大器设计方法的实用性，在厚度为30mil，介电常数为3.66的Rogers RO4350B基板上实现宽带Class-J PA，损耗角正切为0.0037。最终制造的放大器电路如图11所示。
设计的放大器测量和仿真的小信号S参数如图12所示。在1.0-3.0GHz带宽内小信号增益S21均高于12dB。
图13绘制了从1.0-3.0GHz每个频点的仿真和测量的漏极效率，输出功率和增益。PA工作点为2-dB压缩点。在1.0-3.0GHz(相对带宽100％)的带宽内，漏极效率在55％以上，输出功率在40-42.6dBm之间，且增益超过10dB。
通过在8dB PAPR 5MHz WCDMA信号下测试相邻信道功率比(ACPR)来进行线性度评估，如图14所示。Class-J PA在1.0-3.0GHz之间的ACPR为-24.1和-32.4dBc之间。图15显示出了在调制信号下的2GHz处测量的ACPR。PA在较低和较高频带处的ACPR分别为-31.4和-31.2dBc。
相对现有技术，本发明通过采用一种新型的晶体管输出阻抗计算方法，改进传统J类放大器的输入输出匹配网络，增强了J类放大器的效率和带宽，使其在更宽的带宽内有效地放大信号。
以上实施例的说明只是用于帮助理解本发明的方法及其核心思想。应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明原理的前提下，还可以对本发明进行若干改进和修饰，这些改进和修饰也落入本发明权利要求的保护范围内。对这些实施例的多种修改对本领域的专业技术人员来说是显而易见的，本申请中所定义的一般原理可以在不脱离本发明的精神或范围的情况下在其它实施例中实现。因此，本发明将不会被限制于本申请所示的这些实施例，而是要符合与本申请所公开的原理和新颖特点相一致的最宽的范围。

Claims (6)

1.一种基于紧凑型输出匹配网络的宽带高效J类功率放大器实现方法，输入信号经输入匹配网络、晶体管和输出匹配网络将信号输出给负载，其特征在于，包括以下步骤：
步骤S1：根据晶体管的出厂参数，通过计算确定设计所需的输出阻抗；
晶体管的输出阻抗为：
Figure FDA0002412477910000011
上式中，
Figure FDA0002412477910000012
Figure FDA0002412477910000013
Figure FDA0002412477910000014
Figure FDA0002412477910000015
其中，S22，S21和θ21均是用于描绘输出匹配网络双端口网络的参数；
S22表示端口1匹配时，端口2的反射系数；
S21表示端口2匹配时，端口1到端口2的正向传输系数；
θ21表示S21的相位部分；
各频点下的S22和S21的相位θ21值通过晶体管生产厂家提供的晶体管数据手册中查表获得；
步骤S2：根据得到的输出阻抗采用L型低通匹配网络模型设计输出匹配网络；
步骤S3：采用基于切比雪夫滤波器模型设计输入匹配网络。
2.根据权利要求1所述的基于紧凑型输出匹配网络的宽带高效J类功率放大器实现方法，其特征在于，所述晶体管为GaN HEMT晶体管。
3.根据权利要求2所述的基于紧凑型输出匹配网络的宽带高效J类功率放大器实现方法，其特征在于，所述输入匹配网络是基于切比雪夫低通滤波器模型设计的，由多段阻抗及长短不一的微带线级联而成替代多个LC网络。
4.根据权利要求3所述的基于紧凑型输出匹配网络的宽带高效J类功率放大器实现方法，其特征在于，所述输出匹配网络为LC低通匹配网络，采用开路扇形微带传输线代替并联接地电容器。
5.根据权利要求1所述的基于紧凑型输出匹配网络的宽带高效J类功率放大器实现方法，其特征在于，所述负载阻抗为50欧。
6.根据权利要求1所述的一种基于紧凑型输出匹配网络的宽带高效J类功率放大器实现方法，其特征在于，所述晶体管输出阻抗计算方法采用双端口网络进行推导。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN108075659A (zh) * 2017-12-27 2018-05-25 山东大学 一种基于氮化镓器件和dsp芯片的耐高温开关电源及其工作方法
CN108123689A (zh) * 2018-03-06 2018-06-05 中国计量大学 一种bjt高频功率放大器匹配电路
CN108768305A (zh) * 2018-04-23 2018-11-06 杭州电子科技大学 一种宽带Doherty功率放大器及设计方法
CN110311640B (zh) * 2019-06-27 2024-04-09 杭州电子科技大学 宽带混合f/j类功率放大器及其设计方法
CN110518887B (zh) * 2019-08-23 2023-05-30 杭州电子科技大学温州研究院有限公司 一种宽带高效率j类功率放大器的设计方法
CN111181506A (zh) * 2020-01-20 2020-05-19 电子科技大学 一种具有新型输出匹配方法的宽带高效j类功率放大器
CN111600575A (zh) * 2020-04-11 2020-08-28 复旦大学 一种基于多节人工传输线的输入匹配电路
CN112383282A (zh) * 2020-11-16 2021-02-19 江苏大学 采用碎片离散结构匹配网络优化设计的连续逆f类功率放大器
CN113517860A (zh) * 2021-04-23 2021-10-19 天津朗波微电子有限公司 一种自适应阻抗匹配多赫蒂功率放大器的方法
CN113328705A (zh) * 2021-05-13 2021-08-31 杭州电子科技大学 一种宽带异相mmic功率放大器及其设计方法
CN113346844A (zh) * 2021-05-25 2021-09-03 天津大学 一种F类高效Doherty功率放大器
CN114285387B (zh) * 2021-12-09 2023-05-09 电子科技大学 一种小型lc滤波器及其制备方法
CN114567262A (zh) * 2022-01-25 2022-05-31 电子科技大学 一种高效率宽带射频功率放大器

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN105846784A (zh) * 2016-03-21 2016-08-10 天津大学 GaN HEMT多级射频功率放大器设计方法及放大器

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9882538B2 (en) * 2015-03-24 2018-01-30 Skyworks Solutions, Inc. Distributed output matching network for a radio frequency power amplifier module

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN105846784A (zh) * 2016-03-21 2016-08-10 天津大学 GaN HEMT多级射频功率放大器设计方法及放大器

Non-Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
An Easily Implementable Structure for Broadband High Efficiency Class-J Power Amplifier;Zhenyang Wang等;《2014 IEEE Workshop on Electronics, Computer and Applications》;20141231;第786-790页 *
An Output Match Design Method for High Efficiency and Broadband Class-J PA;Li Ma等;《2014 IEEE》;20141231;第43-45页 *
一种宽带高效率J类功率放大器的设计;侯宪允等;《中国电子科学研究院学报》;20121231;第7卷(第6期);第603-606页 *
基于改进型匹配网络的宽带高效率E类功放的设计;李咏乐等;《工程设计学报》;20150430;第22卷(第2期);第178-184页 *

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Assignee: Hangzhou HENGCHUANG Microelectronics Co.,Ltd.

Assignor: HANGZHOU DIANZI University

Contract record no.: X2022330000046

Denomination of invention: An efficient method of broadband output matching based on J-type compact power amplifier

Granted publication date: 20200623

License type: Common License

Record date: 20220221

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