CN107331675A - 一种红外探测器及其制备方法 - Google Patents
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Abstract
本发明提供了一种红外探测器及其制备方法，通过在有效像元阵列中的每个有效像元中设置探测结构层和盲元结构层；探测结构层和盲元结构层分别位于一非掺杂鳍结构的两侧壁表面。本发明不仅将探测结构层和盲元结构层整合于同一有效像元中，节约了像元的占比，提高了器件集成度；并且能够实现对红外探测器的电阻的灵活调节，并且不会受到光刻、薄膜厚度的影响，进一步提高了探测灵敏度。
Description
技术领域
本发明涉及图像传感器技术领域，具体涉及一种红外探测器及其制备方法。
背景技术
传统的红外图像传感器芯片设计中，盲元阵列和有效像元阵列完全不在一个区域，通常在有效像元阵列之外再设置一行(或几行)或一列(或几列)结构设计成盲元阵列，并在同一列中通过控制信号实现共享盲元结构，通过盲元阵列和像元阵列对红外热敏感的不同来消除热噪声对灵敏度的影响。
然而，传统的红外图像传感器结构中，由于盲元阵列和像元阵列不是处于同一个区域，因此，盲元阵列和像元阵列所处的环境不相同，会导致盲元阵列和像元阵列的热噪声的不同，最终影响到红外图像传感器的探测灵敏度。
此外，传统非制冷式红外探测器敏感层是平面结构，上下电极之间夹设敏感层。传统电阻设计时，其阻值受到光刻和刻蚀尺寸、薄膜厚度等诸多因素的影响，导致其均匀性变差；阵列内像元敏感电阻均匀性变差以后，需要通过ASIC电路设计中增加补偿电阻进行补偿，但该技术的补偿能力是有限的，且会增加电路的复杂性和成本，导致产品整体性能下降、成本上升。此外由于部分敏感材料的电阻率较高，而减小偏制电压必须降低敏感电阻的设计值，此时，对传统平面结构来说是非常困难的。
因此，急需研究如何在不受到光刻、薄膜厚度对敏感层的影响下灵活设计敏感层的电阻，并且，能够避免盲元阵列和像元阵列所处的环境不同导致热噪声不同的问题，从而提高红外探测器的精度和灵敏度。
发明内容
为了克服以上问题，本发明旨在提供一种红外探测器及其制备方法，通过将探测结构层和像元结构层整合于有效像元中，以及通过设置探测结构层和像元结构层呈竖直侧壁结构，从而实现对红外探测器电阻的灵活调节和提高探测灵敏度。
为了达到上述目的，本发明提供了一种红外探测器，具有有效像元阵列，其中，在有效像元阵列中的每个有效像元中包括探测结构层和盲元结构层；探测结构层和盲元结构层分别位于一非掺杂鳍结构的两侧壁表面。
优选地，探测结构层采用第一导电类型的敏感材料层，盲元结构层采用第二导电类型的非敏感材料层；第一导电类型和第二导电类型不相同。
优选地，探测结构层的一端和盲元结构层的一端共同连接一第一共享引出极，探测结构层的另一端和盲元结构层的另一端分别连接第二引出极和第三引出极。
优选地，每个所述有效像元的俯视图呈三角形，在三角外侧设置有第一导电梁、第二导电梁和第三导电梁，第一导电梁、第二导电梁和第三导电梁分别与三角形的三边平行；探测结构层的一端和盲元结构层的一端位于三角形的一个角，并通过第一导电梁与第一共享引出极相电连，探测结构层的另一端位于三角形的剩余两个角之一，并通过第二导电梁与第二引出极相连，盲元结构层的另一端位于三角形的剩余两个角之一，并通过第三导电梁与第三引出极相连。
优选地，有效像元阵列中，呈三角形的有效像元之间的相邻的边平行。
优选地，非掺杂鳍结构至少具有一条，每条非掺杂鳍结构并行排布且具有间隔。
优选地，每条鳍结构在水平面上呈U型或蛇形排布。
优选地，每条鳍结构有M条子鳍结构，其中，M-1条子鳍结构平行排列，其中剩余的一条子鳍结构与所述M-1条子鳍结构的每个端部呈垂直相交排列，构成梳齿状；梳齿状的鳍结构包括梳齿和主干；最外侧的梳齿外侧表面和主干外侧表面设置探测结构层，主干内侧表面和梳齿侧壁设置盲元结构层；或者最外侧的梳齿外侧表面和主干外侧表面设置盲元结构层，主干内侧表面和梳齿侧壁设置探测结构层。
优选地，连接每条鳍结构的探测结构层的上电极层从鳍结构的侧壁表面引出并相连接；连接每条鳍结构的盲元结构层的下电极层从鳍结构的底部引出并相连接；
或者，连接每条鳍结构的盲元结构层的上电极层从鳍结构的侧壁表面引出并相连接；连接每条鳍结构的探测结构层的下电极层从鳍结构的底部引出并相连接。
优选地，在非掺杂鳍结构的顶部还设置有注入阻挡层。
为了达到上述目的，本发明还提供了一种红外探测器的制备方法，包括制备至少一个有效像元；其中，有效像元的制备过程包括：
步骤01：提供一半导体衬底；
步骤02：在半导体衬底表面制备下电极层；
步骤03：在下电极层上制备至少一条非掺杂鳍结构；
步骤04：在非掺杂鳍结构的一侧壁表面形成探测结构层；
步骤05：在非掺杂鳍结构的另一侧壁表面形成盲元结构层；
步骤06：在半导体衬底上制备上电极层；其中，探测结构层的底部与下电极层相电连，盲元结构层的外侧壁与上电极层相连；或者，探测结构层的外侧壁与上电极层相连，盲元结构层的底部与下电极层相连。
优选地，所述步骤03中，还包括：在至少一条非掺杂鳍结构顶部形成注入阻挡层。
优选地，所述步骤04中，探测结构层的形成包括：采用第一导电类型离子注入工艺并且采用沿水平方向顺时针旋转的第一角度倾斜离子注入到非掺杂鳍结构的一侧壁表面，在非掺杂鳍结构的一侧壁表面中形成第一导电类型的敏感材料层，作为探测结构层；
所述步骤05中，盲元结构层的形成包括：采用第二导电类型离子注入工艺并且采用沿水平方向顺时针旋转的第二角度倾斜离子注入到非掺杂鳍结构的另一侧壁表面，在非掺杂鳍结构的另一侧壁表面中形成第二导电类型的非敏感材料层，作为盲元结构层。
优选地，所述第一角度与第二角度互补。
优选地，所述步骤04中，探测结构层的形成包括：在非掺杂鳍结构的一侧壁表面形成第一材料层，并采用第一导电类型离子注入工艺并且采用沿水平方向顺时针旋转的第一角度倾斜离子注入第一材料层中，使第一材料层形成第一导电类型的敏感材料层，作为探测结构层；
所述步骤05中，盲元结构层的形成包括：在非掺杂鳍结构的另一侧壁表面形成第二材料层，并采用第二导电类型离子注入工艺并且采用沿水平方向顺时针旋转的第二角度倾斜离子注入第二材料层中，使第二材料层形成第二导电类型的非敏感材料层，作为盲元结构层。
优选地，第一角度与第二角度互补。
优选地，所述步骤03中，采用刻蚀工艺制备鳍结构，每条鳍结构并行排布且间隔，并且在水平面上呈U型或蛇形排布；或者，每条鳍结构有M条子鳍结构，其中，M-1条子鳍结构平行排列，其中剩余的一条子鳍结构与所述M-1条子鳍结构的每个端部呈垂直相交排列，构成梳齿状；梳齿状的鳍结构的外侧壁表面设置探测结构层，梳齿状的鳍结构的内侧壁表面设置盲元结构层；或者，梳齿状的鳍结构的外侧壁表面设置盲元结构层，梳齿状的鳍结构的内侧壁表面设置探测结构层。
优选地，每条所述鳍结构的俯视图为三角形。
本发明的红外探测器，采用垂直侧壁的探测结构层和盲元结构层的设计，不仅将探测结构层和盲元结构层整合于同一有效像元中，节约了像元的占比，提高了器件集成度；并且，根据公式R＝ρ*L/(W*t)，W是宽度，L是长度，t是厚度，这里，忽略掺杂薄膜的厚度，非掺杂薄膜厚度作为L，鳍结构的长度作为W，从而得到的误差R较小，实现了对红外探测器的电阻的灵活调节，并且不会受到光刻、薄膜厚度的影响，进一步提高了探测灵敏度。
附图说明
图1为本发明的一个较佳实施例的红外探测器的俯视结构示意图
图2为图1沿AA’方向的一种红外探测器的截面结构示意图
图3为本发明的一个实施例的图像传感器的一个有效像元以及导电梁的结构示意图
图4为本发明的另一个较佳实施例的红外探测器的俯视结构示意
图5为本发明的另一个较佳实施例的红外探测器的有效像元阵列的俯视结构示意
图6为本发明的另一个较佳实施例的红外探测器的俯视结构示意
图7为图6沿BB’方向的一种红外探测器的截面结构示意图
图8为本发明的一个较佳实施例的红外探测器的制备方法的流程示意图
图9～14为图8的红外探测器的制备方法的各个制备步骤示意图
具体实施方式
为使本发明的内容更加清楚易懂，以下结合说明书附图，对本发明的内容作进一步说明。当然本发明并不局限于该具体实施例，本领域内的技术人员所熟知的一般替换也涵盖在本发明的保护范围内。
本发明的一种红外探测器，具有有效像元阵列，在有效像元阵列中的每个有效像元中包括探测结构层和盲元结构层；探测结构层和盲元结构层分别位于一非掺杂鳍结构的两侧壁表面。
本发明的图像传感器结构设计中，改变了现有的有效像元阵列和盲元阵列的设计分布，将现有设计中的盲元阵列区域删除。为了提高探测灵敏度和有效消除噪声，在有效像元中设置盲元结构层和探测结构层相结合，从而不仅缩小了体积，提高了器件集成度，有效提高了器件探测灵敏度。
此外，本发明的一个实施例中，每个有效像元的输出采用三端输出，从而不仅节约占用面积，提高集成度，还能够实现探测结构层和盲元结构层的同步快速输出。
以下结合附图1～14和具体实施例对本发明作进一步详细说明。需说明的是，附图均采用非常简化的形式、使用非精准的比例，且仅用以方便、清晰地达到辅助说明本实施例的目的。
请参阅图1～2，本发明的一个实施例中的红外探测器的有效像元阵列中，具有两根非掺杂鳍结构02，非掺杂鳍结构02的材料可以但不限于为非晶硅。在每根非掺杂鳍结构02的两侧壁分别设置有探测结构层04和盲元结构层05，这里，探测结构层04采用第一导电类型的敏感材料层，盲元结构层05采用第二导电类型的非敏感材料层；第一导电类型和第二导电类型不相同，较佳的，第一导电类型为P型，第二导电类型为N型。为了避免探测结构层04和盲元结构层05之间发生电连或短路，还可以在非掺杂鳍结构02的顶部设置注入阻挡层03。
如图1所示，两条矩形鳍结构02并行排布且具有间隔，较佳的，每条鳍结构02在水平面上可以呈U型，或者蛇形排布，从而扩大探测面积和探测灵敏度。
此外，请参阅图3和4，这里需要说明的是，图3和4中仅以粗黑线表示鳍结构便于清楚表达，并且用细线三角形表示鳍结构排布出的形状。本实施例中的有效像元的俯视形状可以呈三角形，比如，如图3所示，将蛇形的鳍结构(黑粗带所示)排布在水平面上呈三角形，或如图4所示，将矩形的鳍结构(黑粗带所示)排布为三角形等，这样可以实现探测结构层04和盲元结构层05的同步输出，本实施例中，请参阅图3并结合图1～2，图3中粗实线表示导电梁031、032、033，探测结构层01的一端和盲元结构层05的一端共同连接一第一共享引出极041，探测结构层04的另一端和盲元结构层05的另一端分别连接第二引出极042和第三引出极043，本实施例中，每个有效像元的俯视图呈三角形，在三角形外侧设置有第一导电梁031、第二导电梁032和第三导电梁033，第一导电梁031、第二导电梁032和第三导电梁033分别与三角形的三边平行；探测结构层04的一端和盲元结构层05的一端位于三角形的一个角，并通过第一导电梁031与第一共享引出极041相电连，探测结构层04的另一端位于三角形的剩余两个角之一，并通过第二导电梁032与第二引出极042相连，盲元结构层05的另一端位于三角形的剩余两个角之一，并通过第三导电梁033与第三引出极043相连。如图3所示并结合图2，探测结构层04的一端和盲元结构层05的一端沿相同的第一方向延伸，并且与导电梁031连接；探测结构层01的另一端沿与第一方向相反的第二方向延伸，并且与导电梁032连接；盲元结构层02的另一端沿与第一方向相反的第二方向延伸，并且与导电梁033连接，需要说明的是，导电梁033也可以不与盲元结构层02的另一端连接，而直接与盲元结构05位于三角形的顶角距离近的部分连接，如图3中虚线圈中所示。
请参阅图5，图5中以三角形简化表示本实施例的每个有效像元，这里，呈三角形的有效像元之间的相邻的边平行，依此展开排列。从而得到有效的像元面积，提高了探测面积、集成度和探测灵敏度。
请参阅图6和图7，在本发明的另一个实施例中，有效像元中的每条鳍结构02具有四条子鳍结构，其中，三条竖直子鳍结构平行排列，其中剩余的一条水平子鳍结构与上述三条竖直子鳍结构的每个端部呈垂直相交排列，构成梳齿状；梳齿状的鳍结构02包括梳齿和主干；最外侧的梳齿外侧表面和主干外侧表面设置探测结构层04，梳齿侧壁和主干内侧表面设置盲元结构层05；或者反之亦可，最外侧的梳齿外侧表面和主干外侧表面设置盲元结构层04，梳齿侧壁和主干内侧表面设置探测结构层05。
此外，请参阅图2，连接每条鳍结构02的探测结构层04的上电极层06从鳍结构02的侧壁表面引出并相连接；连接每条鳍结构02的盲元结构层05的下电极层01从鳍结构02的底部引出并相连接；或者，其它实施例中，连接每条鳍结构02的盲元结构层05的上电极层06从鳍结构02的侧壁表面引出并相连接；连接每条鳍结构02的探测结构层04的下电极层01从鳍结构02的底部引出并相连接。
需要说明的是，鳍结构02采用任何形状，均可以采用上述的三端引出设计，即：探测结构层04的一端和盲元结构层05的一端共同连接一第一共享引出极，探测结构层04的另一端和盲元结构层05的另一端分别连接第二引出极和第三引出极，从而实现器件的探测精度和探测灵敏度。
本实施例的上述红外探测器，根据公式R＝ρ*L/(W*t)，W是宽度，L是长度，t是厚度，这里，掺杂薄膜为探测结构层04和盲元结构层05，忽略探测结构层04和盲元结构层05的厚度，非掺杂薄膜厚度也即是鳍结构02的高度作为L，无论何种形状的鳍结构，鳍结构外轮廓的周长近似作为W，从而得到的误差R较小，使得对探测器的电阻的灵活调节不受到光刻和薄膜厚度的影响，提高探测灵敏度。
请参阅图8，针对上述实施例图1所示的红外探测器的制备方法，其中制备至少一个有效像元，每个有效像元的制备过程包括：
步骤01：请参阅图9，提供一半导体衬底00；
具体的，这里的半导体衬底00为硅衬底。
步骤02：请参阅图10，在半导体衬底00表面制备下电极层01；
具体的，下电极层01可以采用常规的互连工艺，例如，在硅衬底表面沉积第一介质层，在第一介质层中刻蚀出沟槽，在沟槽内填充导电材料，然后在第一介质层和导电材料顶部沉积第二介质层，在第二介质层中刻蚀出通孔，在通孔中填充导电材料，并进行平坦化工艺，使第二介质层和通孔顶部齐平。
步骤03：请参阅图11，在下电极层01上制备至少一条非掺杂鳍结构02；
具体的，在下电极层01上可以但不限于采用沉积工艺来沉积非掺杂鳍结构02的材料层，然后采用光刻和刻蚀工艺刻蚀出非掺杂鳍结构02。此外，为了避免后续离子注入时导致探测结构层04和盲元结构层05之间出现短路，还可以在非掺杂鳍结构02顶部形成注入阻挡层。
步骤04：请参阅图12，在非掺杂鳍结构02的一侧壁表面形成探测结构层04；
具体的，请参阅图12，探测结构层04的形成可以包括：采用第一导电类型离子注入工艺并且采用沿水平方向顺时针旋转的第一角度倾斜离子注入到非掺杂鳍结构02的一侧壁表面，在非掺杂鳍结构02的一侧壁表面中形成第一导电类型的敏感材料层，作为探测结构层04。
在本发明的其它实施例中，探测结构层的形成还可以采用如下过程：在非掺杂鳍结构的一侧壁表面形成第一材料层，并采用第一导电类型离子注入工艺并且采用沿水平方向顺时针旋转的第一角度倾斜离子注入第一材料层中，使第一材料层形成第一导电类型的敏感材料层，作为探测结构层。
步骤05：请参阅图13，在非掺杂鳍结构02的另一侧壁表面形成盲元结构层05；
具体的，请参阅图13，盲元结构层05的形成包括：采用第二导电类型离子注入工艺并且采用沿水平方向顺时针旋转的第二角度倾斜离子注入到非掺杂鳍结构02的另一侧壁表面，在非掺杂鳍结构02的另一侧壁表面中形成第二导电类型的非敏感材料层，作为盲元结构层05。
在本发明的其它实施例中，盲元结构层的形成还可以采用如下过程：在非掺杂鳍结构的另一侧壁表面形成第二材料层，并采用第二导电类型离子注入工艺并且采用沿水平方向顺时针旋转的第二角度倾斜离子注入第二材料层中，使第二材料层形成第二导电类型的非敏感材料层，作为盲元结构层。
这里，第一角度与第二角度互补，从而实现探测结构层和盲元结构层的环境相同。第一材料层和第二材料层可以采用相同的材料，例如氧化硅等。
步骤06：请参阅图14，在半导体衬底00上制备上电极层06；
具体的，探测结构层04的外侧壁与上电极层06相连，盲元结构层05的底部与下电极层01相连；在本发明其它实施例中，也可以设置探测结构层04的底部与下电极层01相电连，盲元结构层05的外侧壁与上电极层06相连。
需要说明的是，关于上述实施例中其它形状的例如U型、蛇形、或者梳齿状的鳍结构，亦可以采用上述步骤01～06的过程进行制备，区别在于，鳍结构的不同形状的刻蚀，需采用不同形状的掩膜版；另外，尽管U型、蛇形或者梳齿状的鳍结构的形状不同，但是，当进行第一导电类型离子注入时可以同时在鳍结构的相同侧的表面注入，当进行第二导电类型离子注入时可以同时在鳍结构的另一相同侧的表面注入，因此，离子注入过程完全可以采用上述的步骤04～05，这里不再赘述。
虽然本发明已以较佳实施例揭示如上，然实施例仅为了便于说明而举例而已，并非用以限定本发明，本领域的技术人员在不脱离本发明精神和范围的前提下可作若干的更动与润饰，本发明所主张的保护范围应以权利要求书为准。
Claims (18)
1.一种红外探测器，具有有效像元阵列，其特征在于，在有效像元阵列中的每个有效像元中包括探测结构层和盲元结构层；探测结构层和盲元结构层分别位于一非掺杂鳍结构的两侧壁表面。
2.根据权利要求1所述的红外探测器，其特征在于，探测结构层采用第一导电类型的敏感材料层，盲元结构层采用第二导电类型的非敏感材料层；第一导电类型和第二导电类型不相同。
3.根据权利要求1所述的红外探测器，其特征在于，探测结构层的一端和盲元结构层的一端共同连接一第一共享引出极，探测结构层的另一端和盲元结构层的另一端分别连接第二引出极和第三引出极。
4.根据权利要求3所述的红外探测器，其特征在于，每个所述有效像元的俯视图呈三角形，在三角外侧设置有第一导电梁、第二导电梁和第三导电梁，第一导电梁、第二导电梁和第三导电梁分别与三角形的三边平行；探测结构层的一端和盲元结构层的一端位于三角形的一个角，并通过第一导电梁与第一共享引出极相电连，探测结构层的另一端位于三角形的剩余两个角之一，并通过第二导电梁与第二引出极相连，盲元结构层的另一端位于三角形的剩余两个角之一，并通过第三导电梁与第三引出极相连。
5.根据权利要求4所述的图像传感器结构，其特征在于，有效像元阵列中，呈三角形的有效像元之间的相邻的边平行。
6.根据权利要求1所述的红外探测器，其特征在于，所述非掺杂鳍结构至少具有一条，每条非掺杂鳍结构并行排布且具有间隔。
7.根据权利要求6所述的红外探测器，其特征在于，每条鳍结构在水平面上呈U型或蛇形排布。
8.根据权利要求6所述的红外探测器，其特征在于，每条鳍结构有M条子鳍结构，其中，M-1条子鳍结构平行排列，其中剩余的一条子鳍结构与所述M-1条子鳍结构的每个端部呈垂直相交排列，构成梳齿状；梳齿状的鳍结构包括梳齿和主干；最外侧的梳齿外侧表面和主干外侧表面设置探测结构层，主干内侧表面和梳齿侧壁设置盲元结构层；或者最外侧的梳齿外侧表面和主干外侧表面设置盲元结构层，主干内侧表面和梳齿侧壁设置探测结构层。
9.根据权利要求6所述的红外探测器，其特征在于，连接每条鳍结构的探测结构层的上电极层从鳍结构的侧壁表面引出并相连接；连接每条鳍结构的盲元结构层的下电极层从鳍结构的底部引出并相连接；
或者，连接每条鳍结构的盲元结构层的上电极层从鳍结构的侧壁表面引出并相连接；连接每条鳍结构的探测结构层的下电极层从鳍结构的底部引出并相连接。
10.根据权利要求1所述的红外探测器，其特征在于，在非掺杂鳍结构的顶部还设置有注入阻挡层。
11.一种红外探测器的制备方法，包括制备至少一个有效像元；其特征在于，有效像元的制备过程包括：
步骤01：提供一半导体衬底；
步骤02：在半导体衬底表面制备下电极层；
步骤03：在下电极层上制备至少一条非掺杂鳍结构；
步骤04：在非掺杂鳍结构的一侧壁表面形成探测结构层；
步骤05：在非掺杂鳍结构的另一侧壁表面形成盲元结构层；
步骤06：在半导体衬底上制备上电极层；其中，探测结构层的底部与下电极层相电连，盲元结构层的外侧壁与上电极层相连；或者，探测结构层的外侧壁与上电极层相连，盲元结构层的底部与下电极层相连。
12.根据权利要求11所述的红外探测器的制备方法，其特征在于，所述步骤03中，还包括：在至少一条非掺杂鳍结构顶部形成注入阻挡层。
13.根据权利要求11所述的红外探测器的制备方法，其特征在于，所述步骤04中，探测结构层的形成包括：采用第一导电类型离子注入工艺并且采用沿水平方向顺时针旋转的第一角度倾斜离子注入到非掺杂鳍结构的一侧壁表面，在非掺杂鳍结构的一侧壁表面中形成第一导电类型的敏感材料层，作为探测结构层；
所述步骤05中，盲元结构层的形成包括：采用第二导电类型离子注入工艺并且采用沿水平方向顺时针旋转的第二角度倾斜离子注入到非掺杂鳍结构的另一侧壁表面，在非掺杂鳍结构的另一侧壁表面中形成第二导电类型的非敏感材料层，作为盲元结构层。
14.根据权利要求13所述的红外探测器的制备方法，其特征在于，所述第一角度与第二角度互补。
15.根据权利要求11所述的红外探测器的制备方法，其特征在于，所述步骤04中，探测结构层的形成包括：在非掺杂鳍结构的一侧壁表面形成第一材料层，并采用第一导电类型离子注入工艺并且采用沿水平方向顺时针旋转的第一角度倾斜离子注入第一材料层中，使第一材料层形成第一导电类型的敏感材料层，作为探测结构层；
所述步骤05中，盲元结构层的形成包括：在非掺杂鳍结构的另一侧壁表面形成第二材料层，并采用第二导电类型离子注入工艺并且采用沿水平方向顺时针旋转的第二角度倾斜离子注入第二材料层中，使第二材料层形成第二导电类型的非敏感材料层，作为盲元结构层。
16.根据权利要求15所述的红外探测器的制备方法，其特征在于，第一角度与第二角度互补。
17.根据权利要求11所述的红外探测器的制备方法，其特征在于，所述步骤03中，采用刻蚀工艺制备鳍结构，每条鳍结构并行排布且间隔，并且在水平面上呈U型或蛇形排布；或者，每条鳍结构有M条子鳍结构，其中，M-1条子鳍结构平行排列，其中剩余的一条子鳍结构与所述M-1条子鳍结构的每个端部呈垂直相交排列，构成梳齿状；梳齿状的鳍结构的外侧壁表面设置探测结构层，梳齿状的鳍结构的内侧壁表面设置盲元结构层；或者，梳齿状的鳍结构的外侧壁表面设置盲元结构层，梳齿状的鳍结构的内侧壁表面设置探测结构层。
18.根据权利要求17所述的红外探测器的制备方法，其特征在于，每条所述鳍结构的俯视图为三角形。
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