CN107331611A - 一种三维自限制精确制造硅纳米线柱的方法 - Google Patents
一种三维自限制精确制造硅纳米线柱的方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN107331611A CN107331611A CN201710488947.5A CN201710488947A CN107331611A CN 107331611 A CN107331611 A CN 107331611A CN 201710488947 A CN201710488947 A CN 201710488947A CN 107331611 A CN107331611 A CN 107331611A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- post
- dimensional
- silicon nanowires
- accurate manufacture
- manufacture silicon
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 42
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 41
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 39
- 239000010703 silicon Substances 0.000 title claims abstract description 39
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 30
- 239000002070 nanowire Substances 0.000 title claims abstract description 29
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims abstract description 7
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims abstract description 6
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 9
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 claims description 9
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 claims description 9
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 229910052593 corundum Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 229910001845 yogo sapphire Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 claims description 6
- 230000000873 masking effect Effects 0.000 claims description 6
- CJNBYAVZURUTKZ-UHFFFAOYSA-N hafnium(IV) oxide Inorganic materials O=[Hf]=O CJNBYAVZURUTKZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 238000001259 photo etching Methods 0.000 claims description 4
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 claims description 3
- 239000012895 dilution Substances 0.000 claims description 3
- 238000010790 dilution Methods 0.000 claims description 3
- 238000001459 lithography Methods 0.000 claims description 2
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 claims description 2
- 230000003628 erosive effect Effects 0.000 claims 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 abstract description 6
- 230000008569 process Effects 0.000 abstract description 5
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 13
- LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N silicon monoxide Inorganic materials [Si-]#[O+] LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 8
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 7
- 229910008045 Si-Si Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910006411 Si—Si Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 4
- 229910018557 Si O Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910003978 SiClx Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-M Fluoride anion Chemical compound [F-] KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 229910004014 SiF4 Inorganic materials 0.000 description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-ZSJDYOACSA-N heavy water Substances [2H]O[2H] XLYOFNOQVPJJNP-ZSJDYOACSA-N 0.000 description 2
- 229910000040 hydrogen fluoride Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 230000004044 response Effects 0.000 description 2
- ABTOQLMXBSRXSM-UHFFFAOYSA-N silicon tetrafluoride Chemical compound F[Si](F)(F)F ABTOQLMXBSRXSM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910020439 SiO2+4HF Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- 238000009835 boiling Methods 0.000 description 1
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 230000007812 deficiency Effects 0.000 description 1
- 238000002242 deionisation method Methods 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 1
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003292 glue Substances 0.000 description 1
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 1
- 238000004377 microelectronic Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 238000011160 research Methods 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
- H01L21/30604—Chemical etching
- H01L21/30608—Anisotropic liquid etching
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y30/00—Nanotechnology for materials or surface science, e.g. nanocomposites
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y40/00—Manufacture or treatment of nanostructures
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Nanotechnology (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Composite Materials (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
本发明公开了一种三维自限制精确制造硅纳米线柱的方法，包括以下步骤：1）Si表面自我限制氧化层的形成；2）多余O气氛去除；3）选择性化学刻蚀掉SiO层；4）重复步骤1）~3），实现精确控制刻蚀量。本发明的三维自限制精确制造硅纳米线柱的方法，既具有原子层级的自我限制能力，又可以实现三维（横向与纵向加工）加工，还对设备本身控制能力不需要现有技术方案那么高。
Description
技术领域
本发明属于半导体芯片或纳米微结构制造技术领域，具体涉及一种三维自限制精确制造硅纳米线柱的方法。
背景技术
集成电路（integrated circuit）是一种微型电子器件或部件。采用一定的工艺，把一个电路中所需的晶体管、电阻、电容和电感等元件及布线互连一起，制作在一小块或几小块半导体晶片或介质基片上，然后封装在一个管壳内，成为具有所需电路功能的微型结构；其中所有元件在结构上已组成一个整体，使电子元件向着微小型化、低功耗、智能化和高可靠性方面迈进了一大步。它在电路中用字母“IC”表示。集成电路发明者为杰克•基尔比（基于锗（Ge）的集成电路）和罗伯特•诺伊思（基于硅（Si）的集成电路）。当今半导体工业大多数应用的是基于硅的集成电路。
随着技术的不断发展，晶体管的特征尺寸不断缩小，目前正在由5nm向更小的技术迈进，沟道也由平面发展到鳍形（FinFet）再到纳米线（nanowire），所以对其制造技术提出了更高的要求，尤其是三维加工能力。
原子层刻蚀技术（Atomic layer etching）是一项新兴的刻蚀技术，目前有设备厂商及研究机构推出一种刻蚀硅的原子层刻蚀技术，基本原理及过程如下：
1）采用Cl2去改性（modification）硅表面：将Si-Si悬挂键改性成Si-Cl键Cl2 (气)+Si (固)→SiClx (固)；由于形成的物质在常温下为固体，所以该步具有自我限制特性，只影响约一个原子层；
2）去除多余Cl2；
3）采用合适能量的Ar离子去除SiClx (固)且不能伤到Si，Si-Si键能为Si-Si 3.4eV，Si-Cl 键能为4.2 eV。
Cl的引入会将Si与下层Si之间的键能降低到2.3eV，所以Ar离子能量要精确敲击掉Si-Cl物质而不够敲击Si-Si的阈值即可自我限制地刻蚀掉SiClx；然后重复以上过程完成刻蚀。
目前有机构报道该技术可用于鳍形栅刻蚀的过刻刻蚀中，较传统刻蚀，可以用更小的过刻量（25%）达到去除硅残留的目的。
这些现有技术，存在以下缺点：
1)对设备控制提出了极高的要求：需要对离子能量提出了极高的要求，只 有当离子能量适当才能实现，离子能量低了达不到去除改性层目的，离子能量高 了将会造成Si表面损伤或者刻蚀掉硅达不到原子层自我限制刻蚀的目的(self limited etching)。
2）该方法因去除离子具有方向性，无法实现三维（横向加工），在未来需要三维加工领域如纳米线加工领域将会受到局限。
发明内容
发明目的：针对现有技术中存在的不足，本发明的目的是提供一种三维自限制精确制造硅纳米线柱的方法，既具有原子层级的自我限制能力，又可以实现三维（横向与纵向加工）加工，还对设备本身控制能力不需要现有技术方案那么高。
技术方案：为了实现上述发明目的，本发明采用的技术方案为：
一种三维自限制精确制造硅纳米线柱的方法，包括以下步骤：
1）Si表面自我限制氧化层的形成；
2）多余O气氛去除；
3）选择性化学刻蚀掉SiO层；
4）重复步骤1）~3），实现精确控制刻蚀量。
步骤1）中，Si在常温下与O2反应形成SiO2，厚度为1至几个原子厚度。
步骤3）中，使用气态HF刻蚀SiO2，选择性化学刻蚀掉SiO层。
所述的三维自限制精确制造硅纳米线柱的方法，制备之前：用长膜和光刻及刻蚀技术，生长出阻挡层HfO2，Si厚度50~100nm，硬掩蔽层Al2O3；光刻出90nm~45nm尺寸的线或柱出来，去除光刻胶。阻挡层HfO2厚度1~10nm。硬掩蔽层Al2O3厚度1~10nm。
所述的三维自限制精确制造硅纳米线柱的方法，在真空反应腔内，控制衬底温度0~200℃，用O2处理1~10s，SiO2厚度3A；然后抽空腔体残余O2。
所述的三维自限制精确制造硅纳米线柱的方法，通入HF气体，处理1~10s，使用HF选择性腐蚀掉SiO2。
所述的三维自限制精确制造硅纳米线柱的方法，循环刻蚀，控制最终留下的硅线柱宽3~10nm。
所述的三维自限制精确制造硅纳米线柱的方法，采用稀释的HCl选择性去除掩蔽层Al2O3，获得纳米尺度的硅线柱。
该方法中没有涉及离子定向刻蚀过程，具有明显的各向同性的特点，同时每步又具有自我限制的特点：
（1）Si-O键的形成是公知的非常容易而且厚度非常好控制，Si在常温下与O2就很容易形成SiO2层并且具有良好的自我限制特性，厚度仅为1至几个原子厚度。所以第一步热反应非常容易实现且具有良好的自我限制特性；
（2）气态的氟化氢（Vapor HF）可以刻蚀SiO2，反应为：SiO2+4HF（气态）=SiF4（气态）+2H2O（气态），且不和Si反应，所以该步也有良好的自我限制特性。
所以从步骤1）到步骤3）可以实现自我限制的Si刻蚀，重复这些步骤即可实现精确控制刻蚀量。
有益效果：与现有技术相比，本发明的三维自限制精确制造硅纳米线柱的方法具有以下优点：
1）既具有原子层级的自我限制能力，又可以实现三维加工，弥补了目前原子层刻蚀技术不具备横向刻蚀能力的缺陷；
2）设备本身控制能力不需要现有技术方案那么高，现有技术需要从精确控制离子轰击能量，本发明利用化学反应的自限制来实现，采用传统的刻蚀的精度即可。
3）因为反应过程以化学为主，所以设备可以设计成批处理，比现有原子层刻蚀的单片处理具有更高的生产效率（throughput）。
附图说明
图1是三维自限制精确制造硅纳米线柱的方法的流程图。
具体实施方式
下面结合具体实施例对本发明做进一步的说明。
实施例1
一种三维自限制精确制造硅纳米线柱的方法，包括以下步骤：
1）Si表面自我限制氧化层（Si-O）的形成；Si-O键的形成非常容易且厚度非常好控制，Si在常温下与O2就很容易形成SiO2层并且具有良好的自我限制特性，厚度仅为1至几个原子厚度，所以该热反应非常容易实现且具有良好的自我限制特性；
2）多余O气氛去除；
3）选择性化学刻蚀掉SiO层；气态的氟化氢（Vapor HF）可以刻蚀SiO2，反应为：SiO2+4HF（气态）=SiF4（气态）+2H2O（气态）且不和Si反应，所以该步也有良好的自我限制特性；
4）重复步骤1）~3），即可实现精确控制刻蚀量。
实施例2
一种三维自限制精确制造硅纳米线柱的方法，同实施例1，如图1所示，其中：用当前常规的长膜和光刻及刻蚀技术，生长出阻挡层3（HfO2），厚度1~10nm，硅2（Si），厚度50~100nm，硬掩蔽层1（Al2O3），厚度1~10nm；采用常规光刻出90nm~45nm尺寸的线或柱出来，去除光刻胶；
1）然后在真空反应腔内控制衬底温度（0~200℃），用O2处理1~10s，SiO2厚度约3A；然后抽空腔体残余O2；
2）通入HF气体，处理1~10s，让HF将SiO2选择性腐蚀掉，因为Hf和Al的氟化物具有非常高的沸点，所以在其氟化物的自钝化下，HF不会腐蚀掩蔽层和阻挡层。然后抽空腔体内残余HF及生成气体。
3）循环以上步骤并根据每次循环精确的刻蚀量控制最终留下的硅柱（线）宽约3nm~10nm。
4）采用稀释的HCl即可选择性去除掉掩蔽Al2O3获得纳米尺度的硅柱（线），且不需要先进光刻技术。
Claims (10)
1.一种三维自限制精确制造硅纳米线柱的方法，其特征在于，包括以下步骤：
1）Si表面自我限制氧化层的形成；
2）多余O气氛去除；
3）选择性化学刻蚀掉SiO层；
4）重复步骤1）~3），实现精确控制刻蚀量。
2.根据权利要求1所述的三维自限制精确制造硅纳米线柱的方法，其特征在于，步骤1）中，Si在常温下与O2反应形成SiO2，厚度为1至几个原子厚度。
3.根据权利要求1所述的三维自限制精确制造硅纳米线柱的方法，其特征在于，步骤3）中，使用气态HF刻蚀SiO2，选择性化学刻蚀掉SiO层。
4.根据权利要求1所述的三维自限制精确制造硅纳米线柱的方法，其特征在于，制备之前：用长膜和光刻及刻蚀技术，生长出阻挡层HfO2，Si厚度50~100nm，硬掩蔽层Al2O3；光刻出90nm~45nm尺寸的线或柱出来，去除光刻胶。
5.根据权利要求4所述的三维自限制精确制造硅纳米线柱的方法，其特征在于，阻挡层HfO2厚度1~10nm。
6.根据权利要求4所述的三维自限制精确制造硅纳米线柱的方法，其特征在于，硬掩蔽层Al2O3厚度1~10nm。
7.根据权利要求4所述的三维自限制精确制造硅纳米线柱的方法，其特征在于，在真空反应腔内，控制衬底温度0~200℃，用O2处理1~10s，SiO2厚度3A；然后抽空腔体残余O2。
8.根据权利要求4所述的三维自限制精确制造硅纳米线柱的方法，其特征在于，通入HF气体，处理1~10s，使用HF选择性腐蚀掉SiO2。
9.根据权利要求4所述的三维自限制精确制造硅纳米线柱的方法，其特征在于，循环刻蚀，控制最终留下的硅线柱宽3~10nm。
10.根据权利要求4所述的三维自限制精确制造硅纳米线柱的方法，其特征在于，采用稀释的HCl选择性去除掩蔽层Al2O3，获得纳米尺度的硅线柱。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201710488947.5A CN107331611B (zh) | 2017-06-23 | 2017-06-23 | 一种三维自限制精确制造硅纳米线柱的方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201710488947.5A CN107331611B (zh) | 2017-06-23 | 2017-06-23 | 一种三维自限制精确制造硅纳米线柱的方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN107331611A true CN107331611A (zh) | 2017-11-07 |
| CN107331611B CN107331611B (zh) | 2021-06-04 |
Family
ID=60195165
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201710488947.5A Active CN107331611B (zh) | 2017-06-23 | 2017-06-23 | 一种三维自限制精确制造硅纳米线柱的方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN107331611B (zh) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN107424923A (zh) * | 2017-07-06 | 2017-12-01 | 鲁汶仪器有限公司（比利时） | 一种自限制精确刻蚀硅的方法 |
Citations (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20080166878A1 (en) * | 2007-01-08 | 2008-07-10 | Sharp Laboratories Of America, Inc. | Silicon nanostructures and fabrication thereof |
| WO2010099216A2 (en) * | 2009-02-25 | 2010-09-02 | California Institute Of Technology | Methods for fabrication of high aspect ratio micropillars and nanopillars |
| CN103022247A (zh) * | 2012-12-04 | 2013-04-03 | 常州大学 | 一种氧化腐蚀去除硅纳米线太阳能电池表面缺陷层的方法 |
| CN103854971A (zh) * | 2012-12-04 | 2014-06-11 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 纳米线的制造方法、纳米线场效应晶体管的制造方法 |
| CN104299905A (zh) * | 2013-07-16 | 2015-01-21 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 无结晶体管及其制造方法 |
| CN105590845A (zh) * | 2015-12-25 | 2016-05-18 | 中国科学院微电子研究所 | 堆叠围栅纳米线制造方法 |
| CN105742231A (zh) * | 2014-12-11 | 2016-07-06 | 中国科学院微电子研究所 | 形成纳米线阵列的方法 |
| CN105742153A (zh) * | 2014-12-11 | 2016-07-06 | 中国科学院微电子研究所 | 形成级联纳米线的方法 |
| CN105742175A (zh) * | 2014-12-11 | 2016-07-06 | 中国科学院微电子研究所 | 形成纳米线阵列的方法 |
| CN106653566A (zh) * | 2016-11-29 | 2017-05-10 | 东莞市广信知识产权服务有限公司 | 一种硅锗纳米线的制作方法 |
-
2017
- 2017-06-23 CN CN201710488947.5A patent/CN107331611B/zh active Active
Patent Citations (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20080166878A1 (en) * | 2007-01-08 | 2008-07-10 | Sharp Laboratories Of America, Inc. | Silicon nanostructures and fabrication thereof |
| WO2010099216A2 (en) * | 2009-02-25 | 2010-09-02 | California Institute Of Technology | Methods for fabrication of high aspect ratio micropillars and nanopillars |
| CN103022247A (zh) * | 2012-12-04 | 2013-04-03 | 常州大学 | 一种氧化腐蚀去除硅纳米线太阳能电池表面缺陷层的方法 |
| CN103854971A (zh) * | 2012-12-04 | 2014-06-11 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 纳米线的制造方法、纳米线场效应晶体管的制造方法 |
| CN104299905A (zh) * | 2013-07-16 | 2015-01-21 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 无结晶体管及其制造方法 |
| CN105742231A (zh) * | 2014-12-11 | 2016-07-06 | 中国科学院微电子研究所 | 形成纳米线阵列的方法 |
| CN105742153A (zh) * | 2014-12-11 | 2016-07-06 | 中国科学院微电子研究所 | 形成级联纳米线的方法 |
| CN105742175A (zh) * | 2014-12-11 | 2016-07-06 | 中国科学院微电子研究所 | 形成纳米线阵列的方法 |
| CN105590845A (zh) * | 2015-12-25 | 2016-05-18 | 中国科学院微电子研究所 | 堆叠围栅纳米线制造方法 |
| CN106653566A (zh) * | 2016-11-29 | 2017-05-10 | 东莞市广信知识产权服务有限公司 | 一种硅锗纳米线的制作方法 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN107424923A (zh) * | 2017-07-06 | 2017-12-01 | 鲁汶仪器有限公司（比利时） | 一种自限制精确刻蚀硅的方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN107331611B (zh) | 2021-06-04 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US10535654B2 (en) | Cut metal gate with slanted sidewalls | |
| CN104795331B (zh) | 晶体管的形成方法 | |
| US9530898B2 (en) | Semiconductor devices suitable for narrow pitch applications and methods of fabrication thereof | |
| CN108321079A (zh) | 半导体结构及其形成方法 | |
| TW201913760A (zh) | 半導體裝置與其製作方法 | |
| CN109427664A (zh) | 半导体结构及其形成方法 | |
| CN107424923A (zh) | 一种自限制精确刻蚀硅的方法 | |
| CN105448730B (zh) | 半导体结构及其形成方法 | |
| CN108511523A (zh) | 半导体结构及其形成方法 | |
| CN106486365B (zh) | 半导体器件的形成方法 | |
| CN112992669B (zh) | 半导体结构及其形成方法 | |
| CN107331614A (zh) | 一种自限制精确刻蚀硅的方法及其专用装置 | |
| CN104681424B (zh) | 晶体管的形成方法 | |
| CN104425264B (zh) | 半导体结构的形成方法 | |
| TW202044593A (zh) | 鰭狀場效電晶體裝置 | |
| TW202215540A (zh) | 半導體裝置的形成方法 | |
| TWI520194B (zh) | 半導體裝置的形成方法 | |
| CN104979271B (zh) | 互连结构的形成方法 | |
| CN104078330B (zh) | 自对准三重图形的形成方法 | |
| CN107331611A (zh) | 一种三维自限制精确制造硅纳米线柱的方法 | |
| TW201914033A (zh) | 鯺狀場效電晶體及其形成方法 | |
| US11652003B2 (en) | Gate formation process | |
| JP2004356575A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| CN108122824A (zh) | 半导体结构及其形成方法 | |
| CN102315117B (zh) | 一种Mo基/TaN金属栅叠层结构的刻蚀方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| CP03 | Change of name, title or address | ||
| CP03 | Change of name, title or address |
Address after: 221300 No.8, Liaohe West Road, Pizhou Economic Development Zone, Xuzhou City, Jiangsu Province Patentee after: Jiangsu Luwen Instrument Co.,Ltd. Address before: 221300 No. 8 Liaohe West Road, Pizhou Economic Development Zone, Pizhou, Xuzhou, Jiangsu Patentee before: JIANGSU LEUVEN INSTRUMMENTS Co.,Ltd. |