CN107329375B - 微纳米器件光刻加工方法 - Google Patents

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Abstract

一种微纳米器件光刻加工方法，包括：在第一版层模板上制作第一光刻标记；将第一版层模板贴附在待加工微纳米器件的样品上进行曝光显影；在第一版层模板上制作第二光刻标记；第二光刻标记的线段间隔与第一光刻标记的线段相匹配，第一光刻标记的线段间隔与第二光刻标记的线段相匹配；将第二版层模板贴附在待加工微纳米器件的样品上，以使第一光刻标记的线段位于第二光刻标记的线段间隔上，第二光刻标记的线段位于第一光刻标记的线段间隔上；对贴附第二版层模板后的待加工微纳米器件的样品进行曝光显影。通过这种方式，有利于光刻标记的寻找，沿着线段观测可以方便地检查整个版面的对准状态，从而减少光刻对准误差。

Description

微纳米器件光刻加工方法
技术领域
本发明涉及制造加工领域，具体涉及一种微纳米器件光刻加工方法。
背景技术
光刻技术在微纳器件制造领域具有很重要的作用。现有技术中，请参考图1，在进行光刻加工时，通常采用方块或者十字等方式在加工模板上进行光刻标记，然后，将模板B上的光刻标记与模板A上的呃光刻标记对齐、对准，以此来实现对不同加工模板的电路图形对齐曝光显影。
现有技术中，光刻技术使用的对图标记经常需要在光刻设备的显微镜下边寻找很久，要求不同的版层上的光刻标记严格对齐。这些版层对准后才能使得器件的各个层之间对准。一般而言，光刻标记在对齐的过程当中，采用肉眼判断，当光刻标记出现一些角度偏差难以发现，继而造成了对准误差较大。
因此，如何减少光刻对准误差成为亟待解决的技术问题。
发明内容
本发明要解决的技术问题在于如何减少光刻对准误差。
为此，根据第一方面，本发明实施例公开了一种微纳米器件光刻加工方法，包括：
在第一版层模板上制作第一光刻标记，第一光刻标记为间隔线段式标记；将第一版层模板贴附在待加工微纳米器件的样品上进行曝光显影，以将第一版层模板上的电路图形制作在待加工微纳米器件的样品上；在第一版层模板上制作第二光刻标记，第二光刻标记为间隔线段式标记；第二光刻标记的线段间隔与第一光刻标记的线段相匹配，第一光刻标记的线段间隔与第二光刻标记的线段相匹配；将第二版层模板贴附在待加工微纳米器件的样品上，以使第一光刻标记的线段位于第二光刻标记的线段间隔上，第二光刻标记的线段位于第一光刻标记的线段间隔上；对贴附第二版层模板后的待加工微纳米器件的样品进行曝光显影，以将第二版层模板上的电路图形制作在待加工微纳米器件的样品上。
可选地，在第一版层模板上制作第一光刻标记包括：在第一版层模板上沿相互交叉的两个方向上分别制作第一光刻标记；在第一版层模板上制作第二光刻标记包括：在第二版层模板上沿相互交叉的两个方向上分别制作第二光刻标记。
可选地，在将第一版层模板贴附在待加工微纳米器件的样品上进行曝光显影和将第二版层模板贴附在待加工微纳米器件的样品上之间还包括：对制作第一版层模板上的电路图形后的待加工微纳米器件的样品进行绝缘处理。
可选地，在对贴附第二版层模板后的待加工微纳米器件的样品进行曝光显影之后，还包括：对制作第二版层模板上的电路图形后的待加工微纳米器件的样品进行绝缘处理。
本发明技术方案，具有如下优点：
本发明实施例提供的微纳米器件光刻加工方法，由于第一版层模板上的第一光刻标记为间隔线段式标记，第二版层模板上的第二光刻标记为间隔线段式标记，第二光刻标记的线段间隔与第一光刻标记的线段相匹配，第一光刻标记的线段间隔与第二光刻标记的线段相匹配，使得将第二版层模板贴附在待加工微纳米器件的样品上时，能够通过线段和线段间隔的位置关系来确定第一版层模板和第二版层模板是否对准，通过这种方式，有利于光刻标记的寻找，沿着线段观测可以方便地检查整个版面的对准状态，从而减少光刻对准误差。
附图说明
为了更清楚地说明本发明具体实施方式或现有技术中的技术方案，下面将对具体实施方式或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本发明的一些实施方式，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为现有技术中微纳米器件光刻标记示意；
图2为本实施例中一种微纳米器件光刻加工方法流程图；
图3为本实施例中一种微纳米器件光刻加工过程状态示意图。
具体实施方式
下面将结合附图对本发明的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
在本发明的描述中，需要说明的是，术语“中心”、“上”、“下”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本发明和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本发明的限制。此外，术语“第一”、“第二”、“第三”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性。
在本发明的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，还可以是两个元件内部的连通，可以是无线连接，也可以是有线连接。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本发明中的具体含义。
此外，下面所描述的本发明不同实施方式中所涉及的技术特征只要彼此之间未构成冲突就可以相互结合。
为了减少光刻对准误差，本实施例公开了一种微纳米器件光刻加工方法，请参考图2，为该微纳米器件光刻加工方法流程图，该微纳米器件光刻加工方法包括：
步骤S100，在第一版层模板上制作第一光刻标记。本实施例中，所称第一光刻标记为间隔线段式标记。请参考图3，在第一版层模板A上制作第一光刻标记，如图3中第一版层模板A上虚线所示。
步骤S200，将第一版层模板贴附在待加工微纳米器件的样品上进行曝光显影。通过将第一版层模板贴附在待加工微纳米器件的样品上进行曝光显影，从而将第一版层模板上的电路图形制作在待加工微纳米器件的样品上。
步骤S300，在第二版层模板上制作第二光刻标记。本实施例中，所称第二光刻标记为间隔线段式标记。请参考图3，在第一版层模板B上制作第一光刻标记，如图3中第一版层模板B上虚线所示。第二光刻标记的线段间隔与第一光刻标记的线段相匹配，第一光刻标记的线段间隔与第二光刻标记的线段相匹配。本实施例中，所称相匹配是指长度一致，当然可以允许存在一定的误差。
步骤S400，将第二版层模板贴附在待加工微纳米器件的样品上。具体地，请参考图3，在将第二版层模板B贴附在待加工微纳米器件的样品C上时，应当使第一光刻标记的线段位于第二光刻标记的线段间隔上，第二光刻标记的线段位于第一光刻标记的线段间隔上，如图3中待加工微纳米器件的样品C上的实线为匹配后的第一光刻标记和第二光刻标记。
步骤S500，对贴附第二版层模板后的待加工微纳米器件的样品进行曝光显影。通过对贴附第二版层模板后的待加工微纳米器件的样品进行曝光显影，从而将第二版层模板上的电路图形制作在待加工微纳米器件的样品上。
在可选的实施例中，在执行步骤S100时，在第一版层模板上制作第一光刻标记包括：在第一版层模板上沿相互交叉的两个方向上分别制作第一光刻标记；在执行步骤S300时，在第二版层模板上制作第二光刻标记包括：在第二版层模板上沿相互交叉的两个方向上分别制作第二光刻标记。具体地，相互交叉的两个方向可以是垂直的方向，也可以非垂直的方向。
在可选的实施例中，在执行步骤S200和步骤S400之间，还包括：对制作第一版层模板上的电路图形后的待加工微纳米器件的样品进行绝缘处理。需要说明的是，对制作第一版层模板上的电路图形后的待加工微纳米器件的样品进行绝缘处理可以在步骤S300之前，也可以在步骤S300之后。
在可选的实施例中，在执行步骤S500之后，还包括：对制作第二版层模板上的电路图形后的待加工微纳米器件的样品进行绝缘处理。
本实施例提供的微纳米器件光刻加工方法，由于第一版层模板上的第一光刻标记为间隔线段式标记，第二版层模板上的第二光刻标记为间隔线段式标记，第二光刻标记的线段间隔与第一光刻标记的线段相匹配，第一光刻标记的线段间隔与第二光刻标记的线段相匹配，使得将第二版层模板贴附在待加工微纳米器件的样品上时，能够通过线段和线段间隔的位置关系来确定第一版层模板和第二版层模板是否对准，通过这种方式，有利于光刻标记的寻找，沿着线段观测可以方便地检查整个版面的对准状态，从而减少光刻对准误差。
显然，上述实施例仅仅是为清楚地说明所作的举例，而并非对实施方式的限定。对于所属领域的普通技术人员来说，在上述说明的基础上还可以做出其它不同形式的变化或变动。这里无需也无法对所有的实施方式予以穷举。而由此所引伸出的显而易见的变化或变动仍处于本发明创造的保护范围之中。

Claims (3)

1.一种微纳米器件光刻加工方法，其特征在于，包括：
在第一版层模板上制作第一光刻标记，所述第一光刻标记为间隔线段式标记；具体地，在所述第一版层模板上沿相互交叉的两个方向上分别制作第一光刻标记，两个方向上的所述第一光刻标记相交；
将所述第一版层模板贴附在待加工微纳米器件的样品上进行曝光显影，以将所述第一版层模板上的电路图形制作在所述待加工微纳米器件的样品上；
在第二版层模板上制作第二光刻标记，所述第二光刻标记为间隔线段式标记；所述第二光刻标记的线段间隔与所述第一光刻标记的线段相匹配，所述第一光刻标记的线段间隔与所述第二光刻标记的线段相匹配，所述匹配是指长度一致；具体地，在所述第二版层模板上沿相互交叉的两个方向上分别制作第二光刻标记，两个方向上的所述第二光刻标记相交；
将所述第二版层模板贴附在待加工微纳米器件的样品上，以使所述第一光刻标记的线段位于所述第二光刻标记的线段间隔上，所述第二光刻标记的线段位于所述第一光刻标记的线段间隔上；
对贴附所述第二版层模板后的所述待加工微纳米器件的样品进行曝光显影，以将所述第二版层模板上的电路图形制作在所述待加工微纳米器件的样品上。
2.如权利要求1所述的微纳米器件光刻加工方法，其特征在于，在所述将所述第一版层模板贴附在待加工微纳米器件的样品上进行曝光显影和所述将所述第二版层模板贴附在待加工微纳米器件的样品上之间还包括：
对制作所述第一版层模板上的电路图形后的所述待加工微纳米器件的样品进行绝缘处理。
3.如权利要求1所述的微纳米器件光刻加工方法，其特征在于，在所述对贴附所述第二版层模板后的所述待加工微纳米器件的样品进行曝光显影之后，还包括：
对制作所述第二版层模板上的电路图形后的所述待加工微纳米器件的样品进行绝缘处理。
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