CN107293858A

CN107293858A - 天线装置

Info

Publication number: CN107293858A
Application number: CN201610199979.9A
Authority: CN
Inventors: 钟光永; 刘强
Original assignee: Shanghai Moshi Connector Co Ltd; Molex LLC
Current assignee: Molex Interconnect Shanghai Co Ltd; Shanghai Moshi Connector Co Ltd; Molex LLC
Priority date: 2016-03-31
Filing date: 2016-03-31
Publication date: 2017-10-24
Anticipated expiration: 2036-03-31
Also published as: US20170288311A1; US10680336B2; KR101915388B1; TWI651889B; CN107293858B; JP6382382B2; JP2017188882A; TW201735452A; KR20170113226A

Abstract

一种天线装置，包括一载体、一第一辐射部、一第二辐射部及一耦合部。第一辐射部、第二辐射部及耦合部设置于载体上。第二辐射部电性连接第一辐射部。第一辐射部与第二辐射部具有一共有部分，其直接连接至一参考接地。耦合部将一电信号电容耦合至第一辐射部及第二辐射部。第一辐射部及第二辐射部将电信号转换为该天线装置发射的一辐射信号。

Description

天线装置

技术领域

本发明涉及一种天线装置，特别涉及一种具有狭槽的天线装置。

背景技术

通讯领域迅猛地发展，尤其是在消费类电子领域，使得消费者对消费类电子相关产品的要求越来越高，超薄产品层出不穷。作为消费类电子产品的重要一环，天线的小型化和多频段始终引领着天线设计者们不断地思考与改进。如何能够利用有限的空间设计产品所需的天线是目前最热门的话题之一。目前多频天线都具有一定大小尺寸的缺陷，无法满足超薄产品的需要。举例来说，市面上推出的一款多频段陶瓷天线是通过三个金属辐射部来实现所需要的频段，并采用直接馈电的方式。然而，如此一来，不仅在尺寸上受到限制，带宽也很难满足长期演进技术(long term evolution，LTE)全频段的要求。由此可见设计一款小型化多频段的天线势必是未来发展的趋势。

在专利CN102623801中，采用了直接馈电的设计，其导致了通信频带相对窄的缺点。为了拓展通信频带，需要增加更多的辐射部，从而导致了在天线结构的设计上和生产上的复杂度。

在专利CN102683829、CN104701609、CN103403962中，虽然采用耦合馈电的方式，但这些专利所公开的天线结构都是将耦合部当作某一个辐射部，换言之，耦合部具有辐射部的功能。如此一来，将不利于天线的整体性能的优化。因为当调整耦合部的长度的时候，其他辐射部的阻抗也会因此受到影响。因此这些专利的天线装置的缺点就是天线装置的体积相对庞大，且天线装置的设计相较复杂。

上文的”背景技术”说明仅提供背景技术，并未承认上文的“背景技术”说明揭示本发明的目的，不构成本发明的背景技术，且上文的“背景技术”的任何说明均不应作为本申请的任一部分。

发明内容

在本发明的一实施例中，提供一种天线装置。该天线装置包括一载体、一第一辐射部、一第二辐射部及一耦合部。第一辐射部、第二辐射部及耦合部设置于载体上。第二辐射部电性连接第一辐射部。第一辐射部与第二辐射部具有一共同部分，该共同部分直接连接至一接地面。耦合部将一电信号电容耦合至第一辐射部及第二辐射部。第一辐射部及第二辐射部将电信号转换为该天线装置发射的一辐射信号。

在一实施例中，该共同部分实体接触一接地线，该接地线电性连接至该接地面。

在另一实施例中，该耦合部与该第一辐射部及该第二辐射部绝缘。

在本发明一实施例中，该耦合部独立于该第一辐射部及该第二辐射部。

在另一实施例中，该耦合部的长度小于该辐射信号的工作频率所对应的波长的四分之一，使得该耦合部仅用于调节该天线装置的阻抗，并将能量传递给该第一辐射部及该第二辐射部，并不作为辐射部辐射该辐射信号。

在又一实施例中，该第一辐射部的长度决定该辐射信号的一低频谐振点及一第一高频谐振点，该第二辐射部的长度决定该辐射信号的一第二高频谐振点。

在更一实施例中，该第一辐射部具有一侧边，该侧边界定出一狭槽，该狭槽的内缘长度为该第一辐射部的长度的一部分。

在更另一实施例中，该狭槽的内缘长度决定该辐射信号的一低频谐振点及一第一高频谐振点。

在一实施例中，该载体的材料为陶瓷。

在一实施例中，界定出该第一辐射部、该第二辐射部及该耦合部的一图案化导电层是用被银法制作在该陶瓷上。

在另一实施例中，该载体的材料为塑料。

在又一实施例中，界定出该第一辐射部、该第二辐射部及该耦合部的一图案化导电层利用一高介电常数的塑料结合雷射直接成型法(laser direct structure，LDS)制造方法制作在该塑料上。

在另一实施例中，该第一辐射部、该第二辐射部及该耦合部均为矩形图案并设置于该载体上。

在又一实施例中，该第一辐射部及该第二辐射部构成一辐射体，该辐射体与该耦合部之间界定出一第一电容，该耦合部与该接地面界定出一第二电容，该辐射体与该接地面界定出一第三电容，该第一电容、该第二电容及该第三电容均界定该天线装置的阻抗。

在本发明一实施例中，该载体为一长方体。

在本发明一实施例中，该长方体具有一上表面、一下表面、一前表面、一后表面、一左端面及一右端面，该第一辐射部及该第二辐射部构成一辐射体，该辐射体及该耦合部至少分别在该下表面、该前表面、该上表面及该后表面上连续延伸。

在本发明一实施例中，提供一种天线装置。该天线装置包括一载体以及一第一辐射部。第一辐射部设置于该载体上。该第一辐射部的一侧边界定出一狭槽。该天线装置发射的一辐射信号的一低频谐振点是该狭槽的内缘长度的函数。该辐射信号的一第一高频谐振点是该狭槽的内缘长度的函数。

在本发明一实施例中，该辐射信号的该低频谐振点与该狭槽的内缘长度的关系可表示如下：

其中f1代表该低频谐振点，C代表光在真空中的传播速度，S代表该第一辐射部的长度，其中该狭槽的内缘长度为该第一辐射部的长度的一部分，ε为该载体的介电常数。

在本发明一实施例中，该辐射信号的该第一高频谐振点与该狭槽的内缘长度的关系可表示如下：

其中f2代表该第一高频谐振点，C代表光在真空中的传播速度，S代表该第一辐射部的长度，其中该狭槽的内缘长度为该第一辐射部的长度的一部分，ε为该载体的介电常数。

在专利CN102623801中，采用了直接馈电的设计，其导致了通信频带相对窄的缺点。为了获得更多的通信频带，需要更多的辐射部来支持，从而导致了结构设计上和生产上的复杂。

在专利CN102683829、CN104701609、CN103403962中，虽然采用耦合馈电的方式，但这些专利所公开的天线结构都是将耦合部当作某一个辐射部，换言之，耦合部具有辐射部的功能。如此一来，将不利于天线的整体性能的优化。因为当调整耦合部的长度的时候，其它辐射部的阻抗也会受到影响，两者比较难兼容。因此这些专利的天线结构的缺点就是天线的体积庞大，且天线设计相较复杂。

相对地，本发明的天线装置采用耦合馈电的方法，因此具有较大的带宽，克服了直接馈电带来的缺点。此外，本发明的天线装置的耦合部被设计为不作为辐射部(也即不具有辐射部的功能)，本发明的耦合部仅作为能量的转化器并充当阻抗变化的作用。通过调整耦合部的长度能较佳地控制辐射体(由至少一辐射部所构成)的辐射信号在一谐振频率下的阻抗，使辐射体的阻抗更好与50欧姆匹配。通过设计决定低频谐振点的辐射部的形状，明确来说，通过开一个缝隙可以让低频谐振点的倍频谐振在本发明需要的范围内。换言之，能增加天线的工作频带却不需增加天线尺寸。

上文已相当广泛地概述本发明的技术特征及优点，从而使下文的本发明详细描述得以获得较佳了解。构成本发明的权利要求目的的其它技术特征及优点将描述于下文。本发明所属技术领域中具有公知常识的人员应了解，可相当容易地利用下文揭示的概念与特定实施例可作为修改或设计其它结构或制造方法而实现与本发明相同的目的。本发明所属技术领域中具有公知常识的人员也应了解，这类等效结构无法脱离权利要求所限定的本发明的精神和范围。

附图说明

由以下详细说明与附图得以最佳了解本申请揭示内容的各方面。注意，根据产业的标准实施方式，各种特征并非依比例绘示。实际上，为了清楚讨论，可任意增大或缩小各种特征的尺寸。

图1为本发明的一实施例的一天线设备的组件的示意图。

图2A为图1的天线装置的侧视图。

图2B为图1的天线装置的另一侧视图。

图2C为图1的天线装置的又一侧视图。

图3为图1的图案化导电层的展开示意图。

图4A为本发明的一实施例的一天线设备的示意图。

图4B为图4A的一区域的局部放大的一侧视图。

图4C为图4A的一区域的局部放大的另一侧视图。

图5为图4A的天线装置的等效电路的电路图。

图6为图4A的天线装置的回波损耗图。

图7A、7B、7C、7D为图4A的天线装置的史密斯阻抗图。

附图标记：

1 天线设备

7 收发器

10 天线装置

12 基板

14 载体

16 图案化导电层

18 接地面

19 侧边

162 第一辐射部

164 第二辐射部

166 耦合部

182 传输线

184 接地线

186 接合垫

188 接合垫

A1 第一面

A2 第二面

A3 第三面

A4 第四面

165 共同部分

161 部件

163 部件

19 侧

22 狭槽

W 宽度

L 长度

L1 长度

X1 长度

X2 长度

A 区域

Vout 输出端

Vin 输入端

L1 电感

L2 电感

C1 电容

C2 电容

C3 电容

GND 接地

V 曲线

60 低频谐振点

62 第一高频谐振点

64 第二高频谐振点

S1 曲线

S2 曲线

S3 曲线

S4 曲线

P1 点

P2 点

P3 点

P4 点。

具体实施方式

以下揭示内容提供许多不同的实施例或范例，用于实施本申请的不同特征。组件与配置的特定范例的描述如下，以简化本申请的揭示内容。当然，这些仅为范例，并非用于限制本申请。例如，以下描述在第二特征上或上方形成第一特征可包含形成直接接触的第一与第二特征的实施例，也可包含在该第一与第二特征之间形成其他特征的实施例，因而该第一与第二特征并非直接接触。此外，本申请可在不同范例中重复组件符号与/或字母。此重复为了简化与清楚的目的，而非支配不同实施例与/或所讨论体系结构之间的关系。

此外，本申请可使用空间对应语词，例如“之下”、“低于”、“较低”、“高于”、“较高”等类似语词的简单说明，以描述附图中一组件或特征与另一组件或特征的关系。空间对应语词用以包含除了附图中描述的位向之外，装置在使用或操作中的不同位向。装置或可被定位(旋转90度或是其他位向)，并且可相应解释本申请使用的空间对应描述。可理解当一特征形成于另一特征或基板上方时，可有其他特征存在于其间。此外，本申请可使用空间对应语词，例如“之下”、“低于”、“较低”、“高于”、“较高”等类似语词的简单说明，以描述附图中一组件或特征与另一组件或特征的关系。空间对应语词用以包含除了附图中描述的位向之外，装置于使用或操作中的不同位向。装置或可被定位(旋转90度或是其他位向)，并且可相应解释本申请使用的空间对应描述。

图1为本发明的一实施例的发射一辐射信号的一天线设备1的组件的示意图。在一实施例中，天线设备1为长期演进技术(long term evolution，LTE)天线设备，长期演进技术是应用于手机及数据卡终端的高速无线通信标准。

参照图1，天线设备1包括一天线装置10及一基板12。天线装置10通过基板12上的一接合垫186及一接合垫188设置于基板12上。天线装置10包括一载体14以及一图案化导电层16。图案化导电层16设置于载体14上。在一实施例中，载体14为一长方体，并且具有一上表面、一下表面、一前表面、一后表面、一左端面及一右端面。

在一实施例中，载体14的材料为陶瓷，而图案化导电层16是利用被银法制作并设置在陶瓷的载体14上。被银法又称烧银法，是指在陶瓷表面烧渗一层银，将金属粉末涂覆在陶瓷表面，通过高温处理，形成由玻璃粘附在陶瓷表面的金属膜。被银法是一种成熟的陶瓷表面金属化方法，其制作工艺包括瓷件预处理、银浆的配制、涂敷、烧银，所述步骤依序执行，烧银之后即为成品。

在另一实施例中，载体14的材料为一塑料，而图案化导电层16利用一高介电常数(高介电常数指的是，例如介电常数大于8)的塑料结合激光直接成型法(laser directstructure，LDS)制造方法制作并通过过电镀或者化学镀的方式形成并设置在塑料的载体14上。

图案化导电层16界定出一第一辐射部162、一第二辐射部164及一耦合部166。设置于载体14上的耦合部166经由传输线182电性连接至收发器7，以从收发器7接收一电信号，其中收发器7为具有接收和发射能力的装置。在一些实施例中，收发器7为系统的集成芯片。此外，耦合部166将电信号电容耦合至第一辐射部162及第二辐射部164。

第一辐射部162及第二辐射部164皆设置于载体14上，并构成一辐射体。第一辐射部162及第二辐射部164经由接地线184连接至做为一参考接地并设置于基板12上的一接地面18。第一辐射部162及第二辐射部164将电信号转换为辐射信号。第一辐射部162决定该辐射信号的一低频谐振点及一第一高频谐振点。第二辐射部164决定该辐射信号的一第二高频谐振点。在一实施例中，第二高频谐振点高于第一高频谐振点。

图2A为图1的天线装置10的侧视图。参照图2A，第一辐射部162延伸于载体14的一第一面A1(可视为载体14的上表面)及一第二面A2(可视为载体14的前表面)上，其中第一面A1相邻于第二面A2。在一实施例中，第一面A1正交于第二面A2。第二辐射部164延伸于载体14的第一面A1上。耦合部166延伸于载体14的第一面A1及第二面A2上。

图2B为图1的天线装置10的另一侧视图。参照图2B，第一辐射部162与第二辐射部164具有的一共同部分165延伸于一第三面A3上(可视为载体14的下表面)。第三面A3相邻第二面A2。在一实施例中，第三面A3正交于第二面A2，且对立于第一面A1。共同部分165具有辐射部的功能。此外，共同部分165实体接触图1的接地线184，并经由接地线184连接至做为参考接地的接地面18。耦合部166延伸于载体14的第二面A2及第三面A3上。耦合部166延伸于第三面A3的部分实体接触图1的传输线182，以从收发器7接收电信号。

此外，一部件161与一部件163设置于载体14的一第三面A3上。虽然部件161是由第一辐射部162延伸而来并与第一辐射部162实体接触，但部件161不具有辐射部的功能。部件161与部件163将天线装置10固设于图1的基板12上。举例来说，通过焊接操作，部件161及部件163分别附着至接合垫188及接合垫186。

图2C为图1的天线装置10的又一侧视图。参照图2C，耦合部166延伸于第一面A1及一第四面A4(可视为载体10的后表面)上，其中第四面A4相邻于第一面A1。在一实施例中，第四面A4正交于第一面A1。第二辐射部164延伸于第一面A1及第四面A4上。

第一辐射部162延伸于第一面A1及第四面A4上。第一辐射部162位于第四面A4上的一侧边19界定出一狭槽22。狭槽22决定该辐射信号的低频谐振点及第一高频谐振点，其将详细描述于图3。在本发明的一实施例中，狭槽22的形状为一长方形，但本发明不限定于此。

图3为图1的天线装置1的图案化导电层16的展开示意图。参照第3图，为了更清楚的了解图案化导电层16的图案，位于载体14的第一面A1、第二面A2、第三面A3及第四面A4上的图案化导电层16于同一平面上展开。虽然第三面A3及第四面A4被绘制为两对立面，但第三面A3实际上邻接第四面A4。

如前文所述，第一辐射部162及第二辐射部164的共同部分165连接至接地面18。在第一辐射部162及第二辐射部165内流动的电流将经由共同部分165流至接地面18。因此，共同部分165界定第一辐射部162及第二辐射部164。明确来说，在共同部分165的一侧的辐射部为第一辐射部162，在另一侧则为第二辐射部164。此外，因第一辐射部162与第二辐射部164具有共同部分165，第一辐射部162与第二辐射部164整合在一起。耦合部166则独立于第一辐射部162与第二辐射部164中的每一个。

第一辐射部162具有长度X1。第一辐射部162的长度X1可视为狭槽22的内缘长度与第一辐射部162靠近耦合部166的一侧边的长度总和。第一辐射部162的长度X1决定辐射信号的低频谐振点及第一高频谐振点。第一辐射部162的长度X1为低频谐振点所对应波长的四分之一。此外，第一辐射部162的长度X1为第一高频谐振点所对应波长的四分之三。第一高频谐振点是低频谐振点的三倍频。

狭槽22具有一宽度W以及一长度L，据此狭槽22的内缘长度为2W+L。低频谐振点与狭槽22的内缘长度的关系可表示如下的方程1。

其中f1代表低频谐振点，C代表光在真空中的传播速度，S代表第一辐射部162的长度X1，其中狭槽22的内缘长度为第一辐射部162的长度的一部分，ε为载体14的介电常数。

由方程1可知，辐射信号的低频谐振点是狭槽22的内缘长度的函数。当狭槽22的内缘长度改变时，辐射信号的低频谐振点也会改变。因此可通过调整狭槽22的长度L或宽度W来调整辐射信号的低频谐振点。当狭槽22的内缘长度越长时，所得到的低频谐振点的频率越低。

又，辐射信号的第一高频谐振点与狭槽22的内缘长度的关系可表示如下的方程2。

其中f2代表第一高频谐振点。

由方程2可知，辐射信号的第一高频谐振点是狭槽22的内缘长度的函数。当狭槽22的内缘长度改变时，辐射信号的第一高频谐振点也会改变。因此可通过调整狭槽22的长度L或宽度W来调整辐射信号的第一高频谐振点。当狭槽22的内缘长度越长时，所得到的第一高频谐振点的频率越低。

由于狭槽22是第一辐射部162靠近耦合部166的一侧边19所界定出且第一辐射部162的长度X1也是靠近耦合部166的一侧边的长度总和，因此第一辐射部162的长度X1包括狭槽22的内缘长度。

此外，在本实施例中，狭槽22设置于第四面A4上。但本发明不限定于此，狭槽22可改设于第一面A1及第二面A2的其中一个上。

第二辐射部164具有长度X2。第二辐射部164的长度X2可视为第二辐射部164靠近耦合部166的一侧边的长度总和。第二辐射部164的长度X2决定辐射信号的第二高频谐振点。第二辐射部164的长度X2为第二高频谐振点所对应波长的四分之一。因此，可通过调整第二辐射部164的长度X2来调整第二高频谐振点的谐振频率。

耦合部166具有长度L1。耦合部166的长度L1被设计为小于工作频率(例如低频谐振点，第一高频谐振点，或第二高频谐振点)对应的波长的四分之一，使得耦合部166仅用于调节天线装置10的阻抗，并将能量传递给第一辐射部162及第二辐射部164，并不作为辐射部辐射该辐射信号。耦合部166在本发明中仅用于转换电信号为辐射信号，也即充当能量的传送者。

又，由于第一辐射部162、第二辐射部164、耦合部166在载体14的四个面(第一面A1、第二面A2、第三面A3及第四面A4)上延伸，天线装置10被立体化。据此，天线装置10的尺寸能进一步的缩维。

图4A为本发明的一实施例的一天线设备1的示意图。参照图4A，天线装置10固设于基板12上以构成天线设备1。天线装置10从收发器7接收电信号，并将电信号转换为辐射信号，并发射辐射信号。

图4B为图4A的区域A的局部放大的一侧视图。参照图4B，图4B清楚显示天线装置10与传输线182及接地线184在结构上的连接。

图4C为图4A的区域A的局部放大的另一侧视图。参照图4C，图4C清楚显示第一辐射部162的侧19所界定出的狭槽22的图案。

图5为图4A的天线装置10的一等效电路5的电路图。参照图5，等效电路5具有一输入端Vin接收电信号，以及一输出端Vout输出辐射信号。等效电路5包括一电感L1、一电感L2、一电容C1、一电容C2及一电容C3。

电感L1为耦合部166自身的等效电感。电容C1为第一辐射部162与第二辐射部164所构成的辐射体与耦合部166界定出的电容。电容C2为耦合部166与接地面18界定出的电容。电容C3为第一辐射部162与第二辐射部164所构成的辐射体与接地面18所界定出的电容。电感L2为接地线184自身的等效电感。

电感L1、电容C1、电容C2皆与耦合部166有关。因此，耦合部166的形状和位置直接影响到电感L1、电容C1和电容C2。通过调整耦合部166的形状和位置来调整电感L1、电容C1、电容C2，可以优化天线谐振频率的阻抗。此外，电容C1、电容C2及电容C3均决定天线装置10的阻抗。

此外，通过调整电感L1可以调整天线装置10的阻抗，其细节将描述于图7A、7B、7C、7D的实施例中。耦合部166的长度L1在本发明中仅用于调整天线装置10的阻抗，不用于决定辐射信号的频率谐振点。耦合部166的长度L1对频率谐振点的影响不显著。因此，耦合部166的长度L1不受天线装置10发出的辐射信号所需的频率的限制。如此一来，这样更方便天线装置的阻抗的调试。

图6为图4A的天线装置10的回波损耗图。参照图6，横轴为频率，纵轴为分贝。一曲线V具有一低频谐振点60、一第一高频谐振点62、一第二高频谐振点64。低频谐振点60界定出LTE标准所要求的低频范围约698MHz至约960MHz。第一高频谐振点62与第二高频谐振点64界定出LTE标准所要求的高频范围约1710MHz至约2690MHz。

图7A、7B、7C、7D为图4A的天线装置10的史密斯阻抗图。参照图7A，曲线S1代表耦合部166为原始长度的情况，点P1及P2分别代表LTE标准所要求的低频频率698MHz及960MHz。参照图7C，曲线S2代表耦合部166相对原始长度减少2mm的情况。比较曲线S1、S2能理解，在辐射信号的带宽本质上不变的情况下，耦合部166的长度L1的改变对于天线装置10的阻抗在LTE所要求的低频下有显著的改变。

参照图7B，曲线S3代表耦合部166为原始长度的情况，点P3及P4分别代表LTE标准所要求的高频频率1710MHz及2700MHz。参照图7D，曲线S4代表耦合部166相对原始长度减少2mm的情况。比较曲线S3、S4能理解，在辐射信号的带宽本质上不变的情况下，耦合部166的长度L1的改变对于天线装置10的阻抗在LTE所要求的高频下有显著的改变。据此，可通过调整耦合部166的长度L1来调整天线装置10的阻抗，使天线装置10的阻抗与传输线182的阻抗呈阻抗匹配。

此外，如上文所述，耦合部166的长度L1对于回波损耗的改变不显著。因此，在通过调整耦合部166的长度来调整天线装置10的阻抗时，不需要担心会对回波损耗造成不良的影响。由于耦合部166仅被用于调整阻抗，天线装置10的设计被简化。

在本发明中，天线装置10具有第一辐射部162、第二辐射部164及耦合部166。第一辐射部162决定辐射信号所需频段的低频谐振点及第一高频谐振点。第二辐射部164决定辐射信号所需的第二高频谐振点。通过耦合部166与第一辐射部162与第二辐射部164所界定出的电容进行馈电(电容耦合)，有利于获得足够的带宽，实现了天线装置10在设计上的小型化和多频段的目的。

又，本发明的图案化导电层16设置于载体14的表面上。载体14为高介电常数的陶瓷(高介电常数指的是，例如介电常数大于8)，或塑料材料所制，因此进一步缩小了天线尺寸。

再者，通过设计决定低频谐振点的第一辐射部162的图案(即，形成一个狭槽22，可以让低频谐振点的倍频谐振在辐射信号所需要的范围内(低频谐振点的二次谐波正好落在需要的频率范围内))，从而在不增加天线装置10的尺寸的前提下增加了天线装置10的工作频带。

在专利CN102683829、CN104701609、CN103403962中，虽然采用耦合馈电的方式，但这些专利所发明的天线结构都是将耦合部当作某一个辐射部，换言之，耦合部具有辐射部的功能。如此一来，将不利于天线的整体性能的优化。因为当调整耦合部的长度的时候，辐射信号的谐振频率受到影响的同时，其他辐射部的阻抗也会受到影响，两者比较难兼容。因此这些专利的天线结构的缺点就是天线的体积庞大，且天线设计相较复杂。

前述内容概述一些实施方式的特征，因而本领域技术人员可更加理解本申请揭示内容的各方面。本领域技术人员应理解可轻易使用本申请揭示内容作为基础，用于设计或修饰其他制造方法与结构而实现与本申请所述的实施方式具有相同目的与/或达到相同优点。本领域技术人员也应理解此等效体系结构并不脱离本申请揭示内容的精神与范围，以及本领域技术人员可进行各种变化、取代与替换，而不脱离本申请揭示内容的精神与范围。

Claims

1.一种天线装置，包括：

一载体；

一第一辐射部，设置于该载体上；

一第二辐射部，设置于该载体上且电性连接该第一辐射部，其中该第一辐射部与该第二辐射部具有一共同部分，该共同部分直接连接至一接地面；以及

一耦合部，设置于该载体上，将一电信号电容耦合至该第一辐射部及该第二辐射部，该第一辐射部及该第二辐射部将该电信号转换为该天线装置发射的一辐射信号。

2.根据权利要求1所述的天线装置，其中该共同部分实体接触一接地线，该接地线电性连接至该接地面。

3.根据权利要求1所述的天线装置，其中该耦合部与该第一辐射部及该第二辐射部绝缘。

4.根据权利要求1所述的天线装置，其中该耦合部独立于该第一辐射部及该第二辐射部。

5.根据权利要求1所述的天线装置，其中该耦合部的长度小于该辐射信号的工作频率所对应的波长的四分之一，使得该耦合部仅用于调节该天线装置的阻抗，并将能量传递给该第一辐射部及该第二辐射部，并不作为辐射部辐射该辐射信号。

6.根据权利要求1所述的天线装置，其中该第一辐射部的长度决定该辐射信号的一低频谐振点及一第一高频谐振点，该第二辐射部的长度决定该辐射信号的一第二高频谐振点。

7.根据权利要求1所述的天线装置，其中该第一辐射部、该第二辐射部及该耦合部均为矩形图案并设置于该载体上。

8.根据权利要求1所述的天线装置，其中该第一辐射部及该第二辐射部构成一辐射体，该辐射体与该耦合部之间界定出一第一电容，该耦合部与参考接地界定出一第二电容，该辐射体与该参考接地界定出一第三电容，该第一电容、该第二电容及该第三电容均决定该辐射信号的频带宽度。

9.根据权利要求1所述的天线装置，其中该第一辐射部具有一侧边，该侧边界定出一狭槽，该狭槽的内缘长度为该第一辐射部的长度的一部分。

10.根据权利要求9所述的天线装置，其中该狭槽的内缘长度决定该辐射信号的一低频谐振点及一第一高频谐振点。

11.根据权利要求1所述的天线装置，其中该载体的材料为陶瓷。

12.根据权利要求11所述的天线装置，其中界定出该第一辐射部、该第二辐射部及该耦合部的一图案化导电层是用被银法制作在该陶瓷上。

13.根据权利要求1所述的天线装置，其中该载体的材料为塑料。

14.根据权利要求13所述的天线装置，其中界定出该第一辐射部、该第二辐射部及该耦合部的一图案化导电层利用一高介电常数的塑料结合激光直接成型法制造方法制作在该塑料上。

15.根据权利要求1-14中任一项所述的天线装置，其中该载体为一长方体。

16.根据权利要求15所述的天线装置，其中该长方体具有一上表面、一下表面、一前表面、一后表面、一左端面及一右端面，该第一辐射部及该第二辐射部构成一辐射体，该辐射体及该耦合部至少分别在该下表面、该前表面、该上表面及该后表面上连续延伸。

17.根据权利要求9所述的天线装置，其中该天线装置发射的一辐射信号的一低频谐振点是该狭槽的内缘长度的函数，以及该辐射信号的一第一高频谐振点是该狭槽的内缘长度的函数。

18.根据权利要求17所述的天线装置，其中该辐射信号的该低频谐振点与该狭槽的关系表示如下：

<mrow> <mi>f</mi> <mn>1</mn> <mo>=</mo> <mfrac> <mi>C</mi> <mrow> <mn>4</mn> <mrow> <mo>(</mo> <mi>S</mi> <msqrt> <mi>&epsiv;</mi> </msqrt> <mo>)</mo> </mrow> </mrow> </mfrac> </mrow>

19.根据权利要求17所述的天线装置，其中该辐射信号的该第一高频谐振点与该狭槽的关系表示如下：

<mrow> <mi>f</mi> <mn>2</mn> <mo>=</mo> <mfrac> <mrow> <mn>3</mn> <mi>C</mi> </mrow> <mrow> <mn>4</mn> <mrow> <mo>(</mo> <mi>S</mi> <msqrt> <mi>&epsiv;</mi> </msqrt> <mo>)</mo> </mrow> </mrow> </mfrac> </mrow>

其中f2代表第二高频谐振点，C代表光在真空中的传播速度，S代表该第一辐射部的长度，其中该狭槽的内缘长度为该第一辐射部的长度的一部分，ε为该载体的介电常数。