CN107293641B - 基于铁电-铁磁异质结的电控磁型存储器及其制备方法 - Google Patents

基于铁电-铁磁异质结的电控磁型存储器及其制备方法 Download PDF

Info

Publication number
CN107293641B
CN107293641B CN201710313107.5A CN201710313107A CN107293641B CN 107293641 B CN107293641 B CN 107293641B CN 201710313107 A CN201710313107 A CN 201710313107A CN 107293641 B CN107293641 B CN 107293641B
Authority
CN
China
Prior art keywords
ferroelectric
ferromagnetic
bifeo
film
magnetic memory
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
CN201710313107.5A
Other languages
English (en)
Other versions
CN107293641A (zh
Inventor
高兴森
姚竣翔
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
South China Normal University
Original Assignee
South China Normal University
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by South China Normal University filed Critical South China Normal University
Priority to CN201710313107.5A priority Critical patent/CN107293641B/zh
Publication of CN107293641A publication Critical patent/CN107293641A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN107293641B publication Critical patent/CN107293641B/zh
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N50/00—Galvanomagnetic devices
    • H10N50/10—Magnetoresistive devices
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11C—STATIC STORES
    • G11C11/00—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
    • G11C11/02—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using magnetic elements
    • G11C11/16—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using magnetic elements using elements in which the storage effect is based on magnetic spin effect
    • G11C11/161—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using magnetic elements using elements in which the storage effect is based on magnetic spin effect details concerning the memory cell structure, e.g. the layers of the ferromagnetic memory cell

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Hall/Mr Elements (AREA)
  • Semiconductor Memories (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)
  • Thin Magnetic Films (AREA)

Abstract

本发明涉及一种基于铁电‑铁磁异质结的电控磁型存储器及其制备方法。所述基于铁电‑铁磁异质结的电控磁型存储器包括从下往上依次设置的铁电层和铁磁层，所述铁电层为BiFeO3薄膜，所述铁磁层为Co纳米点阵。所述制备方法包括：先采用脉冲激光沉积法在衬底上沉积BiFeO3薄膜，再将所得BiFeO3薄膜贴上掩模板，采用蒸镀法在贴有掩模板的BiFeO3薄膜表面镀上Co纳米点阵。本发明通过制备Co纳米点和BiFeO3薄膜的异质结，加强铁电与铁磁界面的耦合效应，以应变作为电写磁读的调控机制，提高电写磁读的可控性。

Description

基于铁电-铁磁异质结的电控磁型存储器及其制备方法
技术领域
本发明涉及新一代存储领域，特别是涉及一种基于铁电-铁磁异质结的电控磁型存储器及其制备方法。
背景技术
在信息化时代的快速发展的今天，对于新一代器件低功耗、多功能、高密度的需求越来越迫切，基于硅工艺的工业化生产已接近摩尔效应的极限，因此在尺寸方面的发展受限时又有了结构的设计，此外，新型材料体系的研究和发展无疑是更好的选择。
随着集成器件微型化技术的发展，对于新的存储材料和体系的需求日益迫切，磁电耦合效应由于其为高密度低功耗的新型存储和逻辑器件提供了潜在的应用，得到了众多研究者的青睐。然而，对于实现室温下稳定的可控的电控磁翻转仍然有很大的问题有待解决。传统的单相材料磁电耦合的测量表征受限于较低的温度下，实验成本过高而且应用化远离日常生活条件，不符合工业化的要求。随着对复合材料的研究发展和制备手段诸如脉冲激光沉积法、磁控溅射法、电子束蒸发法等技术的日渐成熟，人工剪裁材料体系，设计理想复合界面渐成可能，复合体系带来的新的物理机理和优异性能也愈发的受到关注。
其中，基于铁电-铁磁的异质结所带来的电控磁性关联，可以在室温下实现电写入信息和磁读取信息的机制，不仅仅以电写入代替磁写入改变了磁写入功耗较高，写入机制繁琐的缺点，同时又能够保持磁读取的现有工艺，与工业化相结合，无疑是下一代新型存储器的最佳选择之一。目前存在的最大问题是材料体系电写磁读的可翻转性、稳定性、可重复性较差，主要原因是铁电体的自身磁电耦合较弱，铁磁与铁电界面关联较差，存在有缺陷、氧化、扩散等问题，调控损耗较高，磁存储信息复杂。
发明内容
基于此，本发明的目的在于，提供一种基于铁电-铁磁异质结的电控磁型存储器及其制备方法，加强铁电与铁磁界面的耦合效应，提高电写磁读的可控性。
本发明的目的是通过以下技术方案实现的：基于铁电-铁磁异质结的电控磁型存储器，包括从下往上依次设置的铁电层和铁磁层，所述铁电层为BiFeO3薄膜，所述铁磁层为Co纳米点阵。
相对于现有技术，本发明采用BiFeO3薄膜作为铁电层，采用磁性Co纳米点作为铁磁层，形成了Co纳米点和BiFeO3薄膜的异质结，以应变作为电写磁读的调控机制，可以有效避免由于铁电-铁磁界面处的缺陷、扩散、氧化等问题导致的调控性较差的问题；由于BiFeO3自身铁电性和反铁磁性一定的关联，在与铁磁体的交换耦合效应下使得电写磁读的调控可控性更强；对于有序的Co纳米磁点阵列，在小尺寸的情况下进行调控的研究，不仅磁读取信息更易分析，同时在形状各向异性的设计更可控，界面处的交换偏置效应关联更强，可有效解决信息存储和读取难以分析的复杂问题。
进一步，所述BiFeO3薄膜为四方相的BiFeO3外延薄膜。四方相在电压的写入控制下能够提供足够大的应变，利用外延的BiFeO3薄膜作为铁电体的应变介质，相较于陶瓷极大的降低了损耗，同时可控性更强，可以反复调控，疲劳特性好。
进一步，所述Co纳米点阵中的Co纳米点的横向尺寸为100～300nm，高度为10～25nm。该尺寸下的磁性Co纳米点为磁单畴态，在BiFeO3的矫顽场以上可以有序翻转，并且可往复反转。
基于铁电-铁磁异质结的电控磁型存储器的制备方法，包括以下步骤：
S1：采用脉冲激光沉积法在衬底上沉积BiFeO3薄膜；
S2：将步骤S1所得BiFeO3薄膜贴上掩模板，采用蒸镀法在贴有掩模板的BiFeO3薄膜表面镀上Co纳米点阵。
相对于现有技术，本发明采用脉冲激光沉积法制备BiFeO3外延薄膜，沉积速率高，衬底温度要求低，制得的BiFeO3薄膜均匀性好，具有纯四方相，然后采用蒸镀法结合掩模板在BiFeO3薄膜表面镀上有序的Co纳米点阵，制得基于铁电-铁磁异质结的电控磁型存储器；本发明制得的电控磁型存储器在铁电体BiFeO3的矫顽场附近用小电压脉冲进行调控，发现在矫顽场以上磁畴可以有序翻转，并且可往复反转；此外，在不同的电压下，翻转情况不尽相同，有多种中间态，在电压梯度调控下，可用于多态存储，翻转速率也不尽相同，写入的信息可以保持很久，为下一代高速、多功能、非易失性的电写磁读存储器提供了潜在的应用价值，有望解决目前的存储难题，具有巨大的科研价值和社会效益。
进一步，所述步骤S1中，在进行脉冲激光沉积前，对脉冲激光沉积的腔体抽真空至4×10-5～5×10-5Pa。该真空度范围可以达到镀膜要求，真空度过低时易引入杂质，真空度过高增加功耗和成本。
进一步，所述步骤S1中，脉冲激光沉积过程中的衬底温度为550～610℃、氧气压强为15～20Pa。在该工艺条件下，能在衬底上沉积质量较好的BiFeO3薄膜。若衬底温度过低，沉积原子来不及排列好，难以在衬底上迁移，从而难以形成单晶膜；若衬底温度过高，容易增加热缺陷，影响成膜质量；若氧压过低，不足以补充薄膜中缺失的氧；若氧压过高，会使溅射产生的粒子碰撞失去大部分能量。
进一步，所述步骤S1中，所述衬底为LaAlO3。LaAlO3(以下简称LAO)和BiFeO3的晶格差异会产生较大的压应力，应力的传递有效避免了由于界面处的关联较弱带来的调控可重复性差的问题。
进一步，所述步骤S2中，所述掩模板为纳米球模板。纳米球模板由纳米球有序排列而成，纳米球之间形成三角形的缝隙，Co纳米点通过纳米球模板后沉积在BiFeO3薄膜表面的形状也为三角形，三角形的形状有利于电控磁翻转，电写磁读效应好。
进一步，所述步骤S2中，蒸镀过程中的真空度为4×10-4～5×10-4Pa、电流强度为5～10A、蒸镀时间为30～50min。在该工艺条件下，能在BiFeO3薄膜表面蒸镀质量较好的Co纳米点阵。真空度过低，蒸镀时会增加蒸镀粒子与残留气体分子的碰撞几率，导致蒸镀粒子活化能下降或改变运行方向，从而降低镀膜与基材的结合牢度和成膜质量；真空度过高，对于成膜质量的效能减弱，增加功耗和成本；电流强度过低，蒸镀粒子与基材结合强度低；电流强度过高，蒸镀粒子熔融气化迅速，易击穿基材形成针孔；蒸镀时间过短或过长，都无法获得适宜的膜厚。
为了更好地理解和实施，下面结合附图详细说明本发明。
附图说明
图1为实施例1的基于铁电-铁磁异质结的电控磁型存储器的结构示意图。
图2为实施例2的BiFeO3薄膜的XRD图。
图3为实施例2的Co纳米点阵的SEM图。
图4为实施例2的Co纳米点的磁畴图。
图5为实施例2的样品的磁畴翻转图。
图6为对比实验1的磁畴图。
图7为对比实验2的磁畴图。
具体实施方式
实施例1
请参阅图1，图1为本实施例的基于铁电-铁磁异质结的电控磁型存储器的结构示意图。所述基于铁电-铁磁异质结的电控磁型存储器包括BiFeO3薄膜10和Co纳米点阵20，所述Co纳米点阵2覆盖于BiFeO3薄膜10表面。
所述BiFeO3薄膜10为四方相的BiFeO3外延薄膜。具体的，BiFeO3薄膜10通过脉冲激光沉积法沉积于LAO衬底30上。
所述Co纳米点阵20采用蒸镀法结合掩模板的方法覆盖于BiFeO3薄膜10表面。具体的，将BiFeO3薄膜10贴上纳米球模板40，然后在贴有掩模板的BiFeO3薄膜10表面蒸镀上Co纳米点阵20。本实施例中，Co纳米点的横向尺寸为250nm，高度为20nm。
相对于现有技术，本发明采用BiFeO3薄膜作为铁电层，采用磁性Co纳米点作为铁磁层，形成了Co纳米点和BiFeO3薄膜的异质结，以应变作为电写磁读的调控机制，可以有效避免由于铁电-铁磁界面处的缺陷、扩散、氧化等问题导致的调控性较差的问题；由于BiFeO3自身铁电性和反铁磁性一定的关联，在与铁磁体的交换耦合效应下使得电写磁读的调控可控性更强；对于有序的Co纳米磁点阵列，在小尺寸的情况下进行调控的研究，不仅磁读取信息更易分析，同时在形状各向异性的设计更可控，界面处的交换偏置效应关联更强，可有效解决信息存储和读取难以分析的复杂问题。
实施例2
本实施例的基于铁电-铁磁异质结的电控磁型存储器的制备方法，包括以下步骤：
(1)将LAO衬底置于脉冲激光沉积的腔体中，封闭腔体抽真空至5×10-5Pa，开始加热衬底使温度达到610℃并保持一段时间；再关闭小分子泵的阀门，通入氧气，调节进气阀门和阀控，开启流量计维持预设氧压；然后开靶自转和公转，靶材为BiFeO3靶，运用脉冲激光沉积的方法在610℃衬底温度，15pa氧压的实验条件下制得BiFeO3薄膜。
(2)将步骤(1)所得BiFeO3薄膜贴上纳米球模板，置于热蒸镀仪的样品托上，蒸发源放置高纯度的Co粒，封闭腔体，打开机械泵，打开旁抽阀；真空度到达10Pa时关闭旁抽阀，开启闸板阀，开启分子泵，在真空度4×10-4Pa下用10A的电流进行蒸镀，此时膜厚仪显示速率为2；蒸镀40min后取出样品，采用有机溶剂去除纳米球模板，得到有序的Co纳米点阵，从而制得所述基于铁电-铁磁异质结的电控磁型存储器样品。
实验结果
请参阅图2，其为本实施例的BiFeO3薄膜的XRD图。测试仪器为X射线衍射仪，型号为PANalytical公司的X’Pert Pro MP。从图中可知，BiFeO3薄膜(简称BFO)为纯四方相，沿(001)晶面外延生长。
请参阅图3，其为本实施例的Co纳米点阵的SEM图。测试仪器为扫描电子显微镜，型号为Zeiss公司的Ultra 55。从图中可知，Co纳米点的平均横向尺寸为250nm，高度为20nm。
请参阅图4，其为本实施例的Co纳米点的磁畴图。测试仪器为原子力显微镜，型号为Asylum Reasearch的Cypher。从图中可知，Co纳米点为磁单畴态。
请参阅图5，其为本实施例的样品的磁畴翻转图。采用原子力显微镜技术手段对样品进行电控磁性的研究，测试仪器为原子力显微镜，型号为Asylum Reasearch的Cypher，在铁电体BiFeO3的矫顽场附近用小电压脉冲进行调控。从图中可知，在±6V下，磁畴可以有序翻转，并且可重复。
在对比实验1中，改变Co纳米点的形状为四角形或五角形；在对比实验2中，改变Co纳米点的高度为30～40nm。请参阅图6和图7，其分别为对比实验1和2的磁畴图。从图中可知，改变Co纳米点的形状和高度后，样品电写磁读的效应较差。
相对于现有技术，本发明采用脉冲激光沉积法制备BiFeO3外延薄膜，沉积速率高，衬底温度要求低，制得的BiFeO3薄膜均匀性好，具有纯四方相，然后采用蒸镀法结合掩模板在BiFeO3薄膜表面镀上有序的Co纳米点阵，制得基于铁电-铁磁异质结的电控磁型存储器；本发明制得的电控磁型存储器在铁电体铁酸铋的矫顽场附近用小电压脉冲进行调控，发现在矫顽场以上磁畴可以有序翻转，并且可往复反转；此外，在不同的电压下，翻转情况不尽相同，有多种中间态，在电压梯度调控下，可用于多态存储，翻转速率也不尽相同，写入的信息可以保持很久，为下一代高速、多功能、非易失性的电写磁读存储器提供了潜在的应用价值，有望解决目前的存储难题，具有巨大的科研价值和社会效益。
以上所述实施例仅表达了本发明的一种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对发明专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本发明的保护范围。

Claims (8)

1.基于铁电-铁磁异质结的电控磁型存储器，其特征在于：包括从下往上依次设置的铁电层和铁磁层，所述铁电层为BiFeO3薄膜，所述铁磁层为Co纳米点阵；所述Co纳米点阵中的Co纳米点形状为三角形，其横向尺寸为100～300nm，高度为10～25nm。
2.根据权利要求1所述的基于铁电-铁磁异质结的电控磁型存储器，其特征在于：所述BiFeO3薄膜为四方相的BiFeO3外延薄膜。
3.基于铁电-铁磁异质结的电控磁型存储器的制备方法，其特征在于：包括以下步骤：
S1：采用脉冲激光沉积法在衬底上沉积BiFeO3薄膜；
S2：将步骤S1所得BiFeO3薄膜贴上掩模板，采用蒸镀法在贴有掩模板的BiFeO3薄膜表面镀上Co纳米点阵；所述Co纳米点阵中的Co纳米点形状为三角形，其横向尺寸为100～300nm，高度为10～25nm。
4.根据权利要求3所述的基于铁电-铁磁异质结的电控磁型存储器的制备方法，其特征在于：所述步骤S1中，在进行脉冲激光沉积前，对脉冲激光沉积的腔体抽真空至4×10-5～5×10-5Pa。
5.根据权利要求4所述的基于铁电-铁磁异质结的电控磁型存储器的制备方法，其特征在于：所述步骤S1中，脉冲激光沉积过程中的衬底温度为550～610℃、氧气压强为15～20Pa。
6.根据权利要求5所述的基于铁电-铁磁异质结的电控磁型存储器的制备方法，其特征在于：所述步骤S1中，所述衬底为LaAlO3。
7.根据权利要求3～6中的任一权利要求所述的基于铁电-铁磁异质结的电控磁型存储器的制备方法，其特征在于：所述步骤S2中，所述掩模板为纳米球模板。
8.根据权利要求7所述的基于铁电-铁磁异质结的电控磁型存储器的制备方法，其特征在于：所述步骤S2中，蒸镀过程中的真空度为4×10-4～5×10-4Pa、电流强度为5～10A、蒸镀时间为30～50min。
CN201710313107.5A 2017-05-05 2017-05-05 基于铁电-铁磁异质结的电控磁型存储器及其制备方法 Expired - Fee Related CN107293641B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201710313107.5A CN107293641B (zh) 2017-05-05 2017-05-05 基于铁电-铁磁异质结的电控磁型存储器及其制备方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201710313107.5A CN107293641B (zh) 2017-05-05 2017-05-05 基于铁电-铁磁异质结的电控磁型存储器及其制备方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN107293641A CN107293641A (zh) 2017-10-24
CN107293641B true CN107293641B (zh) 2019-12-17

Family

ID=60094471

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201710313107.5A Expired - Fee Related CN107293641B (zh) 2017-05-05 2017-05-05 基于铁电-铁磁异质结的电控磁型存储器及其制备方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN107293641B (zh)

Families Citing this family (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN108022750B (zh) * 2017-12-14 2019-08-20 中国计量大学 一种多铁性异质结薄膜的制备方法
CN108565336B (zh) * 2018-03-12 2022-01-04 华南师范大学 一种BiFeO3薄膜及其制备方法
CN108598255A (zh) * 2018-04-24 2018-09-28 湘潭大学 一种多铁异质结及其制备方法
CN109003636A (zh) * 2018-06-30 2018-12-14 合肥工业大学 一种基于垂直读写操作的多态非易失性固态存储单元
CN110228822A (zh) * 2019-05-17 2019-09-13 华中科技大学 一种具有交换偏置效应的铁磁/反铁磁异质结及其制备
CN110311033A (zh) * 2019-07-17 2019-10-08 浙江驰拓科技有限公司 一种电调控交换偏置方法、器件及其制备方法
WO2021101582A1 (en) * 2019-11-18 2021-05-27 Western Digital Technologies, Inc. Electric field controllable spin filter tunnel junction magnetoresistive memory devices and methods of making the same
CN111732128A (zh) * 2020-07-04 2020-10-02 湘潭大学 二维四方铁磁材料及其制备方法、存储单元及调控存储单元识别存储数据的方法

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1588236A (zh) * 2004-10-13 2005-03-02 清华大学 利用纳米球模板制备单元尺寸可控的纳米点阵列的方法
CN101609689A (zh) * 2009-07-02 2009-12-23 中国科学院宁波材料技术与工程研究所 一种基于多铁性薄膜的磁记录介质及其写入方法
CN101794601A (zh) * 2009-01-29 2010-08-04 希捷科技有限公司 多铁性存储介质
CN105088304A (zh) * 2015-08-10 2015-11-25 华南师范大学 一步模板法制备有序纳米点阵列的方法

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1588236A (zh) * 2004-10-13 2005-03-02 清华大学 利用纳米球模板制备单元尺寸可控的纳米点阵列的方法
CN101794601A (zh) * 2009-01-29 2010-08-04 希捷科技有限公司 多铁性存储介质
CN101609689A (zh) * 2009-07-02 2009-12-23 中国科学院宁波材料技术与工程研究所 一种基于多铁性薄膜的磁记录介质及其写入方法
CN105088304A (zh) * 2015-08-10 2015-11-25 华南师范大学 一步模板法制备有序纳米点阵列的方法

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
"Electric-Field Induced Reversible Switching of the Magnetic Easy Axis in Co/BiFeO3 on SrTiO3";Tieren Gao et al.;《NANO LETTERS》;20170418;第17卷(第5期);2825-2832 *

Also Published As

Publication number Publication date
CN107293641A (zh) 2017-10-24

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN107293641B (zh) 基于铁电-铁磁异质结的电控磁型存储器及其制备方法
Nuraje et al. Perovskite ferroelectric nanomaterials
Zeng et al. Electrochemical deposition of ZnO nanowire arrays: organization, doping, and properties
Kim et al. Self-assembled multiferroic perovskite–spinel nanocomposite thin films: epitaxial growth, templating and integration on silicon
CN108732791B (zh) 一种极化率可控的可变波长二维旋光器件及其制备方法
CN103789738A (zh) Wo3团簇束流沉积系统及利用其制备wo3薄膜的方法
CN108486656A (zh) 一种碲化铌二维材料及其合成和应用
Salles et al. Bendable polycrystalline and magnetic CoFe2O4 membranes by chemical methods
CN105088157B (zh) 一种制备纳米钴薄膜包覆铜颗粒复合颗粒膜的方法
CN102071399B (zh) 全钙钛矿多铁性磁电复合薄膜
Amrillah et al. Crafting a next-generation device using iron oxide thin film: A review
Song et al. Growth of single-crystalline Co7Fe3 nanowires via electrochemical deposition and their magnetic properties
Takahashi et al. Spontaneous growth of strain-free magnetite nanocrystals via temperature-driven dewetting
Xia et al. Preparation methods of perovskite-type oxide materials
Salman et al. Controlled electrochemical synthesis and magnetic characterization of permalloy nanotubes
US20110198680A1 (en) Non-Volatile Memory Device Including Quantum Dots Embeded in Oxide Thin Film, and Fabrication Method of the Same
CN112467025A (zh) 一种利用针尖电场在铁电薄膜中构建周期性条带畴的方法
CN210379112U (zh) 一种电可调的各向异性隧穿磁阻结构
de h-Óra et al. Highly cyclable voltage control of magnetism in cobalt ferrite nanopillars for memory and neuromorphic applications
CN111354851A (zh) 一种新型氧化铪基电场调控磁性异质结构及其制备方法
CN108060391B (zh) 一种加快FePd薄膜相转变的方法
CN102061451B (zh) 一种L10-FePt颗粒薄膜的制备方法
Sharma et al. A Review on Multiferroic in Magnetic Field Sensor Applications
CN106058043B (zh) 一种赝1－3结构磁电复合薄膜的制备方法
CN113380945B (zh) 一种基于电场调控的磁性异质结构及其制备方法

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant
CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee

Granted publication date: 20191217

Termination date: 20210505

CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee