CN107293583B - 面向物联网的具有自供电功能的bjt管放大器 - Google Patents
面向物联网的具有自供电功能的bjt管放大器 Download PDFInfo
- Publication number
- CN107293583B CN107293583B CN201710556394.2A CN201710556394A CN107293583B CN 107293583 B CN107293583 B CN 107293583B CN 201710556394 A CN201710556394 A CN 201710556394A CN 107293583 B CN107293583 B CN 107293583B
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- bjt
- amplifier
- self
- internet
- collector
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims abstract description 28
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims abstract description 14
- 230000005611 electricity Effects 0.000 claims abstract description 14
- 238000003860 storage Methods 0.000 claims abstract description 7
- 239000002918 waste heat Substances 0.000 claims abstract description 7
- 230000005678 Seebeck effect Effects 0.000 claims abstract description 5
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 claims abstract description 4
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 31
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 16
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 16
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 claims description 15
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 claims description 14
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 9
- 239000000523 sample Substances 0.000 claims description 7
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 6
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims description 2
- 238000009826 distribution Methods 0.000 claims description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 2
- 238000004064 recycling Methods 0.000 abstract description 2
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 15
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 12
- 238000002513 implantation Methods 0.000 description 8
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 8
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 6
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 6
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 5
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- HAYXDMNJJFVXCI-UHFFFAOYSA-N arsenic(5+) Chemical compound [As+5] HAYXDMNJJFVXCI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 4
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 4
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 4
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 4
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 4
- 238000000034 method Methods 0.000 description 4
- 239000004411 aluminium Substances 0.000 description 3
- 238000001259 photo etching Methods 0.000 description 3
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N Acetic acid Chemical compound CC(O)=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 2
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 2
- -1 boron ion Chemical class 0.000 description 2
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 2
- 238000000407 epitaxy Methods 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 2
- 238000004518 low pressure chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 230000000873 masking effect Effects 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 description 2
- 230000005619 thermoelectricity Effects 0.000 description 2
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N Phosphoric acid Chemical compound OP(O)(O)=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000005265 energy consumption Methods 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000004377 microelectronic Methods 0.000 description 1
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 238000011160 research Methods 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000000087 stabilizing effect Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/70—Bipolar devices
- H01L29/72—Transistor-type devices, i.e. able to continuously respond to applied control signals
- H01L29/73—Bipolar junction transistors
- H01L29/7302—Bipolar junction transistors structurally associated with other devices
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66007—Multistep manufacturing processes
- H01L29/66075—Multistep manufacturing processes of devices having semiconductor bodies comprising group 14 or group 13/15 materials
- H01L29/66227—Multistep manufacturing processes of devices having semiconductor bodies comprising group 14 or group 13/15 materials the devices being controllable only by the electric current supplied or the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched, e.g. three-terminal devices
- H01L29/66234—Bipolar junction transistors [BJT]
- H01L29/6625—Lateral transistors
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Amplifiers (AREA)
Abstract
本发明提供的面向物联网的具有自供电功能的BJT管放大器，主要包括：具有热电转换功能的BJT、电阻、电容、稳压电路和大电容充电电池等。其中，当BJT管放大器正常工作时，具有热电转换功能的BJT上的36个热电偶根据Seebeck效应产生塞贝克电压，实现了热能到电能的直接转换，输出塞贝克电压到稳压电路和大电容，可以进行电能存储，通过检测存储电量的大小，从而检测热耗散功率的大小。将产生的塞贝克电压输入到稳压电路和大电容，输出稳定的直流电压，为BJT放大器供电，实现了自供电和绿色能源的可持续。同时，废热得到了有效回收，增强了其散热性能，提高了可靠性，延长了使用寿命。
Description
技术领域
本发明提出了一种面向物联网的具有自供电功能的BJT管放大器，属于微电子机械系统(MEMS)的技术领域。BJT是双极结型晶体管(Bipolar Junction Transistor—BJT)的缩写。
背景技术
随着物联网的快速发展，自供电传感器的研究得到了广泛的关注。其中，面临的挑战有能量的收集与存储。自供电传感器的能量可以有诸多来源，较为普遍的是光能或者太阳能，但是，还有一个可靠的来源就是射频收发组件的废热。如果将这一废热收集利用起来，不仅可以改善射频收发组件的能耗问题，还可以减小发热对射频收发组件的影响。因此，自供电传感器网络可以利用热电能量收集技术回收废热，并转换成电能为自身供电，实现自供电的功能。
本发明即是基于BJT工艺和MEMS表面微机械加工工艺设计了一种具有自供电功能的BJT管放大器，这是一种应用在物联网通讯中的BJT管放大器,实现了能量收集以自供电，且为可持续的绿色能源。
发明内容
本发明的目的在于提供一种面向物联网的具有自供电功能的BJT管放大器，是为了收集BJT器件工作时产生的热能，以补偿BJT放大器工作过程中所产生的不必要的热损耗功率，将热能转换成电能的同时改善散热问题，进而提高了放大器的性能；根据Seebeck效应实现热能到电能的转换，产生的直流电压输出到稳压电路和充电电池，进行能量存储，输出稳定的直流电压可以为BJT放大器供电。
为实现上述目的，本发明采用如下技术方案：
面向物联网的具有自供电功能的BJT管放大器，包括：具有热电转换功能的BJT放大管、电阻、电容、稳压电路和大电容充电电池；信号通过隔直电容C1输入到BJT放大管的基极，电阻R1和电阻R2分别为BJT放大管的基极的上下偏置，BJT放大管的发射极通过电阻R3接地，BJT放大管的集电极通过电阻R4接到VDD，放大后的信号通过BJT放大管的集电极输出，BJT放大管的集电极通过隔直电容C2接负载电阻R5，稳压电路和大电容充电电池接VDD；所述具有热电转换功能的BJT放大管产生塞贝克电压，塞贝克电压的输出极“+”极接稳压电路和大电容充电电池，“-”极接地。
进一步的，所述具有热电转换功能的BJT放大管以硅为衬底，在衬底上设有N+型隐埋层、BJT集电区、P+型隔离区、BJT基区、BJT发射区、集电极、基极、发射极；所述集电极、基极、发射极的四周分别设有绝缘层；所述集电极、基极、发射极的四周的绝缘层上分别均匀设有若干热电偶，热电偶之间通过金属连线串联，并留下两个热电偶电极作为塞贝克电压的输出极“+”极和“-”极，“+”极接稳压电路和大电容充电电池，“-”极接地；所述热电偶由金属Al型热电臂和多晶硅N型热电臂通过金属连线串联而成。
进一步的，所述绝缘层的材质为二氧化硅。
进一步的，所述集电极、基极、发射极的四周的绝缘层上分别设有12个热电偶。
进一步的，所述集电极、基极、发射极的左右侧各摆放4个热电偶，上下侧各摆放2个热电偶。
进一步的，针对BJT正常工作时的温度的分布不同，根据Seebeck效应实现热电能量转换，收集废热，增强了其散热性能，提高了可靠性，延长了使用寿命。
进一步的，输出的塞贝克电压通过稳压电路和大电容充电电池，进行电能存储，通过检测存储电能的大小，从而检测耗散功率的大小。
本发明具有如下有益效果：
1.本发明的面向物联网的具有自供电功能的BJT管放大器的原理、结构简单，利用现有的硅基BJT工艺和MEMS表面微机械加工易于实现；
2.本发明的面向物联网的具有自供电功能的BJT管放大器根据Seebeck效应，热电偶产生直流电压，通过稳压电路，输出稳定的直流电压，实现放大器的自供电，且为可持续的绿色能源；
3.本发明的面向物联网的具有自供电功能的BJT管放大器根据塞贝克效应产生塞贝克电压，可以通过大电容等进行存储；
4.本发明的面向物联网的具有自供电功能的BJT管放大器对废热进行充分吸收，有利于散热，提高了可靠性，延长了使用寿命。
附图说明
图1为本发明面向物联网的具有自供电功能的BJT管放大器的示意图；
图2为本发明面向物联网的具有自供电功能的BJT管放大器的俯视图；
图3为本发明面向物联网的具有自供电功能的BJT管放大器的P-P’的剖面图；
图4为本发明面向物联网的具有自供电功能的BJT管放大器的Q-Q’的剖面图；
图5为本发明面向物联网的具有自供电功能的BJT管放大器中的热电偶摆放的俯视图(即图3的热电偶14)。
图中包括：硅衬底1，N+型隐埋层2，BJT集电区3，P+型隔离区4，二氧化硅绝缘5，BJT基区6，BJT发射区7，热电偶的金属Al型热电臂8，热电偶的多晶硅N型热电臂9，金属连线10，集电极11，基极12，发射极13，热电偶14,稳压电路和大电容充电电池15。
具体实施方式
下面结合附图对本发明做进一步说明。
参见图1-5，本发明提出了一种面向物联网的具有自供电功能的BJT管放大器。该BJT管放大器主要包括：具有热电转换功能的BJT放大管、电阻、电容、稳压电路和大电容充电电池等。信号通过隔直电容C1输入到BJT放大管的基极，电阻R1和R2分别为BJT放大管的基极的上下偏置，BJT放大管的发射极通过R3接地，BJT放大管的集电极通过R4接到VDD，放大后的信号通过BJT放大管的集电极输出，BJT放大管的集电极通过隔直电容C2接负载电阻R5，稳压电路和大电容充电电池接VDD。其中，BJT放大管选择厚度为200um的N型硅作为衬底1，氧化一层二氧化硅作为掩蔽膜，制作N+型隐埋层2，用BOE去除二氧化硅层；生长一层厚度为5um的N型外延层，砷离子掺杂，掺杂浓度为2×1016cm-3，得到集电区3；隔离氧化，隔离光刻，隔离扩散，制备P+型隔离区4；氧化一层二氧化硅层，涂覆光刻胶，开出基区掺杂窗口，进行硼离子注入，注入能量为18KeV，注入剂量为2.5×1013cm-2，得到基区6；光刻发射区，进行砷离子注入，注入剂量为7.5×1015cm-2，注入能量为50KeV，得到发射区7；涂覆光刻胶，低温氧化，刻蚀集电区、基区和发射区窗口，得到二氧化硅钝化层，除去光刻胶，溅射一层800nm金属铝分别作为集电极11、基极12和发射极13，从而得到传统的BJT器件。
在BJT器件有源层上面制作的一层二氧化硅绝缘层5，用以隔离BJT和热电偶。在二氧化硅绝缘层5上涂覆光刻胶，光刻出N型多晶硅热电臂窗口，如图5所示，LPCVD生长一层N+多晶硅，其掺杂浓度和厚度分别为5×1016cm-3和0.7um，得到热电偶的多晶硅N型多晶硅热电臂9，去除光刻胶；类似地，蒸发生长Al，反刻Al，刻蚀金属图形，形成热电偶的另一金属Al型热电臂8；然后蒸铝连线连接两种热电偶臂，得到36个热电偶，留出下方6个热电偶电极。按照如图2所示，进行金属连线，将集电极、基极和发射极的热电偶电极串联起来，留下两个电极作为塞贝克电压的输出极“+”和“-”。将塞贝克压差输出极的“-”电极接地，“+”电极接稳压电路和大电容，将产生的电压输入到稳压电路和大电容充电电池，可以进行电能存储，输出稳定的直流电压可以为BJT放大器供电，实现自供电，是可持续的绿色能源。
本发明的面向物联网的具有自供电功能的BJT管放大器制备方法如下：
1)准备硅基N型衬底1，厚度为200um；
2)氧化一层二氧化硅作为掩蔽膜，N+型隐埋层2制备；
3)用BOE去除二氧化硅层，时间为20s；
4)生长一层厚度为5um的N型外延层，砷离子掺杂，掺杂浓度为2×1016cm-3，得到集电区3；
5)隔离氧化，隔离光刻，隔离扩散，P+型隔离区4制备；
6)氧化一层二氧化硅层，涂覆光刻胶，开出基区掺杂窗口；
7)进行硼离子注入，注入能量为18KeV，注入剂量为2.5×1013cm-2，得到基区6；
8)光刻发射区，进行砷离子注入，注入剂量为7.5×1015cm-2，注入能量为50KeV，得到发射区7；
9)涂覆光刻胶，低温氧化，刻蚀集电区、基区和发射区窗口，得到二氧化硅绝缘层5，除去光刻胶；
10)溅射一层800nm金属铝分别作为集电极11、基极12和发射极13；
11)在二氧化硅绝缘层5上涂覆光刻胶，光刻出N型多晶硅热电臂窗口，如图5所示；
12)LPCVD生长一层N+多晶硅，其掺杂浓度和厚度分别为5×1016cm-3和0.7um，形成热电偶的多晶硅N型多晶硅热电臂9，去除光刻胶；
13)类似地，蒸发生长Al，反刻Al，刻蚀金属图形，形成热电偶的另一金属Al型热电臂8；
14)涂覆光刻胶，保留特定图案光刻胶，反刻Al，得到金属连线10，将多晶硅N型热电臂9与金属铝型热电臂8连接起来，形成热电偶；
15)涂覆光刻胶，保留特定图案光刻胶，用H3PO4:CH3COOH:HNO3＝100:10:1反刻Al，温度为50℃，时间为3min，得到金属连线10，将N型多晶硅热电臂9与金属Al型热电臂8连接起来，形成热电偶；
16)去除光刻胶；
17)制作集电极、基极和发射极热电偶电极极；
18)蒸铝连线，按照如图2所示连接集电极、基极和发射极热电偶电极，留下两个电极作为塞贝克电压的输出极“+”和“-”电极。
19)“-”电极接地，“+”电极通过稳压电路和大电容15连接到放大器的电源；
20)按照图1、2所示，连接电容、电阻和BJT放大管，得到具有自供电功能的BJT管放大器。
区分是否为该结构的标准如下：
本发明的面向物联网的具有自供电功能的BJT管放大器，包括具有热电转换功能的BJT管、放大器电路、稳压电路和大电容充电电池等。信号通过隔直电容C1输入到BJT放大管的基极，电阻R1和电阻R2构成偏置，放大后的信号通过BJT的集电极输出。在传统的BJT的有源层上方的二氧化硅层作为掺杂窗口，本结构中作为制作热电偶的基准面和电隔离层。在二氧化硅上面，制作了36个由金属Al型热电臂和多晶硅N型热电臂组成热电偶，用金属连线将其串联，各留出两个基极、集电极和发射极的热电偶电极，依次串联，留下两个电极作为塞贝克电压的输出极“+”和“-”。将塞贝克电压的“-”极接地，“+”极输出到稳压电路和大电容，将产生的电压输入到稳压电路和大电容，可以进行电能存储，输出稳定的直流电压可以为BJT放大器供电，实现自供电，是可持续的绿色能源。
满足以上条件的结构即视为本发明面向物联网的具有自供电功能的BJT管放大器。
以上所述仅是本发明的优选实施方式，应当指出：对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明原理的前提下，还可以做出若干改进和润饰，这些改进和润饰也应视为本发明的保护范围。
Claims (6)
1.一种面向物联网的具有自供电功能的BJT管放大器，其特征是：包括：具有热电转换功能的BJT放大管、电阻、电容、稳压电路和大电容充电电池；信号通过隔直电容C1输入到BJT放大管的基极，电阻R1和电阻R2分别为BJT放大管的基极的上下偏置，BJT放大管的发射极通过电阻R3接地，BJT放大管的集电极通过电阻R4接到VDD，放大后的信号通过BJT放大管的集电极输出，BJT放大管的集电极通过隔直电容C2接负载电阻R5，稳压电路和大电容充电电池接VDD；所述具有热电转换功能的BJT放大管产生塞贝克电压，塞贝克电压的输出极“+”极接稳压电路和大电容充电电池，“-”极接地；
所述具有热电转换功能的BJT放大管以硅为衬底(1)，在衬底(1)上设有N+型隐埋层(2)、BJT集电区(3)、P+型隔离区(4)、BJT基区(6)、BJT发射区(7)、集电极(11)、基极(12)、发射极(13)；所述集电极(11)、基极(12)、发射极(13)的四周分别设有绝缘层(5)；所述集电极(11)、基极(12)、发射极(13)的四周的绝缘层(5)上分别设有若干热电偶，热电偶之间通过金属连线(10)串联，并留下两个热电偶电极作为塞贝克电压的输出极“+”极和“-”极，“+”极接稳压电路和大电容充电电池(15)，“-”极接地；所述热电偶由金属Al型热电臂(8)和多晶硅N型热电臂(9)通过金属连线(10)串联而成。
2.根据权利要求1所述的一种面向物联网的具有自供电功能的BJT管放大器，其特征是：所述绝缘层(5)的材质为二氧化硅。
3.根据权利要求1所述的一种面向物联网的具有自供电功能的BJT管放大器，其特征是：所述集电极(11)、基极(12)、发射极(13)的四周的绝缘层(5)上分别设有12个热电偶。
4.根据权利要求3所述的一种面向物联网的具有自供电功能的BJT管放大器，其特征是：所述集电极(11)、基极(12)、发射极(13)的左右侧各摆放4个热电偶，上下侧各摆放2个热电偶。
5.根据权利要求1所述的一种面向物联网的具有自供电功能的BJT管放大器，其特征是：针对BJT管放大器正常工作时的温度的分布不同，根据Seebeck效应实现热电能量转换，收集废热，增强了其散热性能，提高了可靠性，延长了使用寿命。
6.根据权利要求1所述的一种面向物联网的具有自供电功能的BJT管放大器，其特征是：输出的塞贝克压差接到稳压电路和大电容充电电池，进行电能存储，通过检测存储电能的大小，从而检测耗散功率的大小。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201710556394.2A CN107293583B (zh) | 2017-07-10 | 2017-07-10 | 面向物联网的具有自供电功能的bjt管放大器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201710556394.2A CN107293583B (zh) | 2017-07-10 | 2017-07-10 | 面向物联网的具有自供电功能的bjt管放大器 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN107293583A CN107293583A (zh) | 2017-10-24 |
| CN107293583B true CN107293583B (zh) | 2019-11-12 |
Family
ID=60101559
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201710556394.2A Active CN107293583B (zh) | 2017-07-10 | 2017-07-10 | 面向物联网的具有自供电功能的bjt管放大器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN107293583B (zh) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN113965273B (zh) * | 2021-12-23 | 2022-04-08 | 国网江西省电力有限公司信息通信分公司 | 一种能信共传光纤的激光供能方法及其系统 |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5528430B2 (zh) * | 1974-05-21 | 1980-07-28 | ||
| US7956572B2 (en) * | 2005-10-21 | 2011-06-07 | The Regents Of The University Of Colorado, A Body Corporate | Systems and methods for receiving and managing power in wireless devices |
| JPWO2009119175A1 (ja) * | 2008-03-26 | 2011-07-21 | 日本電気株式会社 | 半導体装置 |
| US7997798B2 (en) * | 2008-07-08 | 2011-08-16 | General Electric Company | Multi-purpose docking apparatus of digital X-ray detector |
-
2017
- 2017-07-10 CN CN201710556394.2A patent/CN107293583B/zh active Active
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN107293583A (zh) | 2017-10-24 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN103199100B (zh) | 一种单芯片集成用硅基复合增强型光电探测器的制作方法 | |
| CN107293583B (zh) | 面向物联网的具有自供电功能的bjt管放大器 | |
| CN107425816B (zh) | 面向物联网的具有自供电功能的ldmos管放大器 | |
| CN107395137B (zh) | 面向物联网的具有自供电功能的mos管放大器 | |
| Ernst et al. | Macroporous silicon solar cells with an epitaxial emitter | |
| CN103311323A (zh) | 一种石墨烯/硅太阳电池及其制造方法 | |
| US8828781B1 (en) | Method for producing photovoltaic device isolated by porous silicon | |
| CN204927300U (zh) | 一种perc太阳能电池 | |
| CN107302029B (zh) | 面向物联网的硅基具有热电转换功能的mosfet器件 | |
| CN103367526B (zh) | 一种背面局部接触硅太阳电池的制造方法 | |
| CN107425063B (zh) | 面向物联网的具有热电转换功能的砷化镓基hemt器件 | |
| CN107293582B (zh) | 面向物联网的硅基具有热电转换功能的bjt器件 | |
| CN107293584B (zh) | 面向物联网的具有热电转换功能的砷化镓基hbt器件 | |
| US8829332B1 (en) | Photovoltaic device formed on porous silicon isolation | |
| CN107404290B (zh) | 面向物联网的具有自供电功能的ldmos功率放大器 | |
| CN107395177B (zh) | 面向物联网的具有自供电功能的mesfet管放大器 | |
| CN108512488A (zh) | 射频收发机中长条型热电与pn结纳米光电集成发电机 | |
| CN104882498A (zh) | 一种perc太阳能电池 | |
| CN105226179B (zh) | 一种基于单根一维同质结微/纳米线的热发电机及其发电方法 | |
| CN107395138B (zh) | 面向物联网的具有自供电功能的hbt管放大器 | |
| CN205248271U (zh) | 多源自供电集成电路 | |
| CN103915458B (zh) | 自供电射频收发组件中硅基热电-光电集成微传感器 | |
| CN108540044A (zh) | 基于多晶硅纳米线矩形阵列和纳米pn结的微型能量收集器 | |
| CN105551990A (zh) | 太阳能电池激光背电极窗口开窗终点判断方法 | |
| CN107404295B (zh) | 面向物联网的具有自供电功能的hemt管放大器 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant |