CN107290567A - 具有抗过载能力的压阻式三轴加速度传感器及制备方法 - Google Patents

具有抗过载能力的压阻式三轴加速度传感器及制备方法 Download PDF

Info

Publication number
CN107290567A
CN107290567A CN201710350326.0A CN201710350326A CN107290567A CN 107290567 A CN107290567 A CN 107290567A CN 201710350326 A CN201710350326 A CN 201710350326A CN 107290567 A CN107290567 A CN 107290567A
Authority
CN
China
Prior art keywords
piezo
resistance
substrate
mass
soi
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN201710350326.0A
Other languages
English (en)
Inventor
张文栋
何常德
薛晨阳
宋金龙
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
North University of China
Original Assignee
North University of China
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by North University of China filed Critical North University of China
Priority to CN201710350326.0A priority Critical patent/CN107290567A/zh
Publication of CN107290567A publication Critical patent/CN107290567A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01P—MEASURING LINEAR OR ANGULAR SPEED, ACCELERATION, DECELERATION, OR SHOCK; INDICATING PRESENCE, ABSENCE, OR DIRECTION, OF MOVEMENT
    • G01P15/00—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration
    • G01P15/18—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration in two or more dimensions
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
    • B81B—MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS, e.g. MICROMECHANICAL DEVICES
    • B81B7/00—Microstructural systems; Auxiliary parts of microstructural devices or systems
    • B81B7/02—Microstructural systems; Auxiliary parts of microstructural devices or systems containing distinct electrical or optical devices of particular relevance for their function, e.g. microelectro-mechanical systems [MEMS]
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
    • B81C—PROCESSES OR APPARATUS SPECIALLY ADAPTED FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS
    • B81C1/00—Manufacture or treatment of devices or systems in or on a substrate
    • B81C1/00349—Creating layers of material on a substrate
    • B81C1/0038—Processes for creating layers of materials not provided for in groups B81C1/00357 - B81C1/00373
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
    • B81C—PROCESSES OR APPARATUS SPECIALLY ADAPTED FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS
    • B81C1/00—Manufacture or treatment of devices or systems in or on a substrate
    • B81C1/00436—Shaping materials, i.e. techniques for structuring the substrate or the layers on the substrate
    • B81C1/00523—Etching material
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
    • B81C—PROCESSES OR APPARATUS SPECIALLY ADAPTED FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS
    • B81C3/00—Assembling of devices or systems from individually processed components
    • B81C3/001—Bonding of two components
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01P—MEASURING LINEAR OR ANGULAR SPEED, ACCELERATION, DECELERATION, OR SHOCK; INDICATING PRESENCE, ABSENCE, OR DIRECTION, OF MOVEMENT
    • G01P15/00—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration
    • G01P15/02—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses
    • G01P15/08—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses with conversion into electric or magnetic values
    • G01P15/12—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses with conversion into electric or magnetic values by alteration of electrical resistance
    • G01P15/123—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses with conversion into electric or magnetic values by alteration of electrical resistance by piezo-resistive elements, e.g. semiconductor strain gauges
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
    • B81B—MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS, e.g. MICROMECHANICAL DEVICES
    • B81B2201/00—Specific applications of microelectromechanical systems
    • B81B2201/02—Sensors
    • B81B2201/0228—Inertial sensors
    • B81B2201/0235—Accelerometers
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01P—MEASURING LINEAR OR ANGULAR SPEED, ACCELERATION, DECELERATION, OR SHOCK; INDICATING PRESENCE, ABSENCE, OR DIRECTION, OF MOVEMENT
    • G01P15/00—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration
    • G01P15/02—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses
    • G01P15/08—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses with conversion into electric or magnetic values
    • G01P2015/0862—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses with conversion into electric or magnetic values being provided with particular means being integrated into a MEMS accelerometer structure for providing particular additional functionalities to those of a spring mass system

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Pressure Sensors (AREA)

Abstract

本发明公开了一种具有抗过载能力的压阻式三轴加速度传感器，包括基片，所述基片的中心刻蚀出质量块（1）和八个矩形梁（2），所述质量块（1）上部边缘四边通过矩形梁（2）与基片一体连接，即质量块（1）右边通过梁L1和梁L2与基片边框连接、其上边通过梁L3和梁L4与基片边框连接、其左边通过梁L5和梁L6与基片边框连接、其下边通过梁L7和梁L8与基片边框连接；则，梁与梁之间、质量块边缘与基片之间、梁与基片之间均留有抗过载间隙（6）。本发明通过限制质量块的移动位移实现了三轴加速度传感器在笛卡尔坐标系中X、Y和Z三个方向的抗过载。

Description

具有抗过载能力的压阻式三轴加速度传感器及制备方法
技术领域
本发明涉及MEMS传感器领域中的压阻式加速度传感器，具体是一种用于检测运动物体三个方向加速度传感器的结构设计及工艺实现方法。
背景技术
随着微机电系统和微纳米技术的迅速发展，传感器的制造进入了一个快速发展的阶段。MEMS加速度传感器是最早发展的MEMS传感器之一。由于MEMS加速度传感器体积小、重量轻、可靠性高、响应快、易于集成化和智能化以及可以批量生产的特点，成为现在应用最广泛的MEMS传感器之一。当前MEMS加速度传感器主要包括压电式、电容式和压阻式三类。
压电式加速度传感器具有抗干扰能力强、受温度影响小和不需要外界电源的优点，但是由于不能测量零频信号限制了其部分应用场合；电容式加速度传感器测量精度高、受温度影响小，但是后续处理电路复杂、线性度差、量程小和生产成本高特点，决定了其应用受到限制。压阻式加速度传感器优点是线性度好、生产成本低、检测方法简单、频率特性好、可以检测低频信号。因此，压阻式加速度传感器具有独特的优点，也是对压电式和电容式加速度传感器不足之处的补充。压阻式加速度传感器仍具有广泛的应用前景和市场需求。
但是传统压阻式加速度传感器不具有抗过载的能力，当加速度传感器受到超过传感器量程的加速度时容易产生毁灭性破坏，导致加速度传感器不能再次使用。
本发明正是基于以上问题提出了一种压阻式八梁三轴加速度传感器的结构及工艺实现方法。
发明内容
本发明的目的是为了解决上述现有技术中存在的问题，而提供了一种具有抗过载能力的压阻式八梁三轴加速度传感器的结构与工艺实现方法。
本发明是通过以下技术方案实现的：
一种具有抗过载能力的压阻式三轴加速度传感器，包括基片，所述基片的中心刻蚀出质量块和八个矩形梁，所述质量块上部边缘四边通过矩形梁与基片一体连接，即质量块右边通过梁L1和梁L2与基片边框连接、其上边通过梁L3和梁L4与基片边框连接、其左边通过梁L5和梁L6与基片边框连接、其下边通过梁L7和梁L8与基片边框连接；则，梁与梁之间、质量块边缘与基片之间、梁与基片之间均留有抗过载间隙。
八个矩形梁的每个梁上分布有两个压敏电阻，每个压敏电阻的两端分别通过金属引线与位于基片边缘的相应焊盘连接。
所述基片底面和顶面均键合有盖板，所述质量块和盖板之间留有抗过载间隙。
压敏电阻在八个矩形梁上的分布如下：
所述梁L1的内端设有压敏电阻X4、其外端设有压敏电阻H3，
所述梁L2的内端设有压敏电阻Z1、其外端设有压敏电阻X2，
所述梁L3的内端设有压敏电阻Y4、其外端设有压敏电阻Z3，
所述梁L4的内端设有压敏电阻H1、其外端设有压敏电阻Y2，
所述梁L5的内端设有压敏电阻H4、其外端设有压敏电阻X1，
所述梁L6的内端设有压敏电阻X3、其外端设有压敏电阻Z2，
所述梁L7的内端设有压敏电阻Z4、其外端设有压敏电阻Y1，
所述梁L8的内端设有压敏电阻Y3、其外端设有压敏电阻H3。
其中，压敏电阻X1、X2、X3、X4组成检测笛卡尔坐标系中X方向加速度的惠斯通电桥；
压敏电阻标Y1、Y2、Y3、Y4组成检测笛卡尔坐标系中Y方向加速度的惠斯通电桥；
压敏电阻Z1、Z2、Z3、Z4和压敏电阻H1、H2、H3、H4组成检测笛卡尔坐标系中Z方向加速度的惠斯通电桥，即压敏电阻Z1和H1构成电桥的一个臂，压敏电阻Z2和H2构成电桥的一个臂，压敏电阻Z3和H3构成电桥的一个臂，压敏电阻Z4和H4构成电桥的一个臂。
这种电阻布置方式可以实现当X（或Y、Z）方向有加速度输入时，X（或Y、Z）轴向的惠斯通电桥的压敏电阻可以实现差分输出，而其它轴向的惠斯通电桥的压敏电阻的差分输出为零，具有较小的轴间耦合度。
上述具有抗过载能力的压阻式三轴加速度传感器的制备方法，包括以下步骤：
a)、对SOI片进行氧化并刻蚀SOI片device层有源区域中的氧化硅；
b)、刻蚀SOI片的handle层中有源区域的氧化硅；
c）、从SOI片的背面刻蚀硅到埋氧层形成质量块的位移空间；
d)、刻蚀掉一定厚度的质量块；
e)、从SOI片的背面刻蚀质量块位移空间中SOI的埋氧层；
f)、将SOI片与硅片进行硅硅键合；
g)、从SOI片的正面进行离子注入得到压敏电阻；
h)、从SOI的正面进行离子注入形成欧姆接触区域；
i)、对SOI片进行氧化，形成金属引线与device层之的绝缘层；
j )、刻蚀出引线接触孔；
k)、对SOI片正面溅射金属并图形化得到引线和焊盘；
l)、从SOI片正面刻蚀硅释放梁；
m)、SOI片正面阳极键合一已刻蚀出质量块位移空间的玻璃板。
本发明设计的具有抗过载能力的压阻式八梁三轴加速度传感器，在制作过程中，SOI片的device层刻蚀出梁结构后，形成质量块和SOI片的device层其余部分之间留有一定的间隙，相当于在质量块四周布置了四个限位模块，可以控制质量在笛卡尔坐标系中X方向和Y方向的位移，达到抗过载的能力；盖板可以控制质量块在笛卡尔坐标系中Z方向的位移，达到抗过载的能力。
本发明具有结构简单、工艺可行性高以及成本低的特点。
附图说明
图1表示本发明传感器的正面示意图。
图2表示图1中虚线框部分的放大示意图。
图3表示压敏电阻分布图。
图4表示SOI氧化片。
图5表示刻蚀SOI片device层有源区域氧化硅。
图6表示刻蚀SOI片handle层有源区域氧化硅。
图7表示刻蚀SOI片handle层。
图8表示质量块减薄。
图9表示从背面刻蚀SOI片的埋氧层。
图10表示SOI片与硅片键合。
图11表示轻掺杂制作压敏电阻。
图12表示重掺杂制作欧姆接触区域。
图13表示在SOI片正面生长一层氧化硅。
图14表示制作欧姆接触孔。
图15表示SOI正面片溅射金属及图形化。
图16表示从SOI片正面刻蚀硅释放梁。
图17表示SOI片正面键合盖板。
图中：1-质量块，2-矩形梁，3-压敏电阻，4-金属引线，5-焊盘，6-抗过载间隙。
具体实施方式
下面结合附图对本发明的具体实施例进行详细说明。
一种具有抗过载能力的压阻式三轴加速度传感器，如图1、2所示，包括基片，所述基片的中心刻蚀出质量块1和八个矩形梁2，所述质量块1上部边缘四边通过矩形梁2与基片一体连接，即质量块1右边通过梁L1和梁L2与基片边框连接、其上边通过梁L3和梁L4与基片边框连接、其左边通过梁L5和梁L6与基片边框连接、其下边通过梁L7和梁L8与基片边框连接；则，梁与梁之间、质量块边缘与基片之间、梁与基片之间均留有抗过载间隙6。
如图1所示，八个矩形梁的每个梁上分布有两个压敏电阻3，每个压敏电阻3的两端分别通过金属引线4与位于基片边缘的相应焊盘5连接。
所述基片底面和顶面均键合有盖板，所述质量块和盖板之间留有抗过载间隙，即在制备步骤6中刻蚀质量块一定的厚度。
本发明通过限制质量块的移动位移实现了三轴加速度传感器在笛卡尔坐标系中X、Y和Z三个方向的抗过载。在Z方向通过盖板限制质量块在Z方向的位移实现加速度传感器在Z方向的抗过载能力；在X方向和Y方向通过薄板限制质量块在X方向和Y方向的位移实现加速度传感器在X方向和Y方向的抗过载能力。
如图3所示，压敏电阻在八个矩形梁上的分布如下：
梁L1的内端（靠近质量块一端，下同）设有压敏电阻X4、其外端（靠近边框一端，下同）设有压敏电阻H3；
梁L2的内端设有压敏电阻Z1、其外端设有压敏电阻X2；
梁L3的内端设有压敏电阻Y4、其外端设有压敏电阻Z3；
梁L4的内端设有压敏电阻H1、其外端设有压敏电阻Y2；
梁L5的内端设有压敏电阻H4、其外端设有压敏电阻X1；
梁L6的内端设有压敏电阻X3、其外端设有压敏电阻Z2；
梁L7的内端设有压敏电阻Z4、其外端设有压敏电阻Y1；
梁L8的内端设有压敏电阻Y3、其外端设有压敏电阻H3。
其中，压敏电阻X1、X2、X3、X4组成检测笛卡尔坐标系中X方向加速度的惠斯通电桥。
压敏电阻标Y1、Y2、Y3、Y4组成检测笛卡尔坐标系中Y方向加速度的惠斯通电桥。
压敏电阻Z1、Z2、Z3、Z4和压敏电阻H1、H2、H3、H4组成检测笛卡尔坐标系中Z方向加速度的惠斯通电桥，即压敏电阻Z1和H1构成电桥的一个臂，压敏电阻Z2和H2构成电桥的一个臂，压敏电阻Z3和H3构成电桥的一个臂，压敏电阻Z4和H4构成电桥的一个臂。
具体工艺实现包括以下步骤：
1)、备片：选择4寸SOI片（作为基片）和4英寸硅片、玻璃片（作为盖板），SOI片device层的厚度15μm，埋氧层的厚度为500nm，handle层的厚度为380μm，如图4所示。
2）、对SOI片进行热氧处理得到500nm的氧化层作为焊盘与SOI片device层之间的绝缘层，如图4所示。
3）、进行第一次光刻，刻蚀SOI片device层有源区域的氧化层，如图5所示。
4）、进行第二次光刻，刻蚀SOI片handle层有源区域的氧化层，如图6所示。
5）、进行第三次光刻，刻蚀handle层得到质量块在笛卡尔坐标系中X轴和Y轴方向的位移空间，如图7所示。
6）、去除光刻胶以氧化硅作掩膜刻蚀10μm的质量块厚度，如图8所示，即质量块底面与盖板之间的防过载间隙距离为10μm。
7）、刻蚀质量块位移空间中的SOI片埋氧层，如图9所示。
8）、将SOI片与硅片进行硅硅键合，如图10所示。
9）、将键合片在1100℃下进行退火处理。
10）、在SOI片device层生长20nm的氧化层，本步骤的20nm氧化硅是进入离子注入时使用的，避免离子直接轰击硅产生晶格损伤，同时起到了避免沟道效应的目的。
11）、进行第一次离子注入得到压敏电阻条，如图11所示。
12）、进行退火处理。
13）、进行第二次离子注入得到欧姆接触区域，如图12所示。
14）、进行退火处理。
15）、在SOI片device层生长200nm的氧化层作为金属引线与device层之间的绝缘层，如图13所示。
16）、刻蚀氧化层及device层得到欧姆接触孔，如图14所示。
17）、在SOI片device层溅射金属并图形化得到引线及焊盘，如图15所示。
18）、刻蚀SOI片device层释放梁，如图16所示。
19）、SOI正面阳极键合一已刻蚀出质量块位移空间的玻璃板，如图17所示。
以上仅为本发明的具体实施例，但并不局限于此。任何以本发明为基础解决基本相同的技术问题，或实现基本相同的技术效果，所作出地简单变化、等同替换或者修饰等，均属于本发明的保护范围内。

Claims (2)

1.一种具有抗过载能力的压阻式三轴加速度传感器，其特征在于：包括基片，所述基片的中心刻蚀出质量块（1）和八个矩形梁（2），所述质量块（1）上部边缘四边通过矩形梁（2）与基片一体连接，即质量块（1）右边通过梁L1和梁L2与基片边框连接、其上边通过梁L3和梁L4与基片边框连接、其左边通过梁L5和梁L6与基片边框连接、其下边通过梁L7和梁L8与基片边框连接；则，梁与梁之间、质量块边缘与基片之间、梁与基片之间均留有抗过载间隙（6）；
八个矩形梁的每个梁上分布有两个压敏电阻（3），每个压敏电阻（3）的两端分别通过金属引线（4）与位于基片边缘的相应焊盘（5）连接；
所述基片底面和顶面均键合有盖板，所述质量块和盖板之间留有抗过载间隙；
压敏电阻在八个矩形梁上的分布如下：
所述梁L1的内端设有压敏电阻X4、其外端设有压敏电阻H3，
所述梁L2的内端设有压敏电阻Z1、其外端设有压敏电阻X2，
所述梁L3的内端设有压敏电阻Y4、其外端设有压敏电阻Z3，
所述梁L4的内端设有压敏电阻H1、其外端设有压敏电阻Y2，
所述梁L5的内端设有压敏电阻H4、其外端设有压敏电阻X1，
所述梁L6的内端设有压敏电阻X3、其外端设有压敏电阻Z2，
所述梁L7的内端设有压敏电阻Z4、其外端设有压敏电阻Y1，
所述梁L8的内端设有压敏电阻Y3、其外端设有压敏电阻H3；
其中，压敏电阻X1、X2、X3、X4组成检测笛卡尔坐标系中X方向加速度的惠斯通电桥；
压敏电阻标Y1、Y2、Y3、Y4组成检测笛卡尔坐标系中Y方向加速度的惠斯通电桥；
压敏电阻Z1、Z2、Z3、Z4和压敏电阻H1、H2、H3、H4组成检测笛卡尔坐标系中Z方向加速度的惠斯通电桥，即压敏电阻Z1和H1构成电桥的一个臂，压敏电阻Z2和H2构成电桥的一个臂，压敏电阻Z3和H3构成电桥的一个臂，压敏电阻Z4和H4构成电桥的一个臂。
2.一种权利要求1所述的具有抗过载能力的压阻式三轴加速度传感器的制备方法，其特征在于：包括以下步骤：
a)、对SOI片进行氧化并刻蚀SOI片device层有源区域中的氧化硅；
b)、刻蚀SOI片的handle层中有源区域的氧化硅；
c）、从SOI片的背面刻蚀硅到埋氧层形成质量块的位移空间；
d)、刻蚀掉一定厚度的质量块；
e)、从SOI片的背面刻蚀质量块位移空间中SOI的埋氧层；
f)、将SOI片与硅片进行硅硅键合；
g)、从SOI片的正面进行离子注入得到压敏电阻；
h)、从SOI的正面进行离子注入形成欧姆接触区域；
i)、对SOI片进行氧化，形成金属引线与device层之的绝缘层；
j)、刻蚀出引线接触孔；
k)、对SOI片正面溅射金属并图形化得到引线和焊盘；
l)、从SOI片正面刻蚀硅释放梁；
m)、SOI片正面键合一已刻蚀出质量块位移空间的玻璃板。
CN201710350326.0A 2017-05-18 2017-05-18 具有抗过载能力的压阻式三轴加速度传感器及制备方法 Pending CN107290567A (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201710350326.0A CN107290567A (zh) 2017-05-18 2017-05-18 具有抗过载能力的压阻式三轴加速度传感器及制备方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201710350326.0A CN107290567A (zh) 2017-05-18 2017-05-18 具有抗过载能力的压阻式三轴加速度传感器及制备方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN107290567A true CN107290567A (zh) 2017-10-24

Family

ID=60094955

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201710350326.0A Pending CN107290567A (zh) 2017-05-18 2017-05-18 具有抗过载能力的压阻式三轴加速度传感器及制备方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN107290567A (zh)

Cited By (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN107727885A (zh) * 2017-11-13 2018-02-23 中北大学 高输出稳定性的压阻式三轴加速度计
CN108328568A (zh) * 2018-02-09 2018-07-27 中北大学 一种适应于高温环境的SiC压阻式加速度传感器制备方法
CN109110727A (zh) * 2018-07-24 2019-01-01 中国航空工业集团公司西安飞行自动控制研究所 一种高过载微机械惯性传感器的封装方法
CN109342836A (zh) * 2018-10-24 2019-02-15 清华大学 基于压电压阻式宽频高场强微型电场传感器的生产工艺
CN109579975A (zh) * 2018-12-19 2019-04-05 中北大学 X、y方向振动抑制的压阻式三维矢量水听器
CN110887977A (zh) * 2019-11-28 2020-03-17 上海应用技术大学 一种纳米级压阻式加速度传感器及其制备方法
CN111273057A (zh) * 2018-12-05 2020-06-12 苏州明皜传感科技有限公司 三轴加速度计
CN113138049A (zh) * 2021-03-18 2021-07-20 宁波大学 一种用于水体温盐深检测的集成微纳传感器及其制作方法
CN116143062A (zh) * 2023-04-21 2023-05-23 中北大学 一种“h”型单晶薄膜压电振动传感器及其制备方法

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5295386A (en) * 1989-12-28 1994-03-22 Kazuhiro Okada Apparatus for detecting acceleration and method for testing this apparatus
CN1898571A (zh) * 2003-12-24 2007-01-17 日立金属株式会社 半导体型三轴加速度传感器
CN101042411A (zh) * 2007-04-19 2007-09-26 中北大学 三轴压阻微加速度计
CN101858928A (zh) * 2009-04-10 2010-10-13 利顺精密科技股份有限公司 微电机系统电容式三轴加速度器
CN102768291A (zh) * 2012-07-21 2012-11-07 中北大学 压阻式单片集成四梁三轴加速度计
CN103616531A (zh) * 2013-12-11 2014-03-05 中北大学 基于双路循环电桥检测的三轴压阻式加速度传感器

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5295386A (en) * 1989-12-28 1994-03-22 Kazuhiro Okada Apparatus for detecting acceleration and method for testing this apparatus
CN1898571A (zh) * 2003-12-24 2007-01-17 日立金属株式会社 半导体型三轴加速度传感器
CN101042411A (zh) * 2007-04-19 2007-09-26 中北大学 三轴压阻微加速度计
CN101858928A (zh) * 2009-04-10 2010-10-13 利顺精密科技股份有限公司 微电机系统电容式三轴加速度器
CN102768291A (zh) * 2012-07-21 2012-11-07 中北大学 压阻式单片集成四梁三轴加速度计
CN103616531A (zh) * 2013-12-11 2014-03-05 中北大学 基于双路循环电桥检测的三轴压阻式加速度传感器

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
石云波 等: ""基于SOI 的三轴压阻微加速度计的设计"", 《传感技术学报》 *

Cited By (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN107727885A (zh) * 2017-11-13 2018-02-23 中北大学 高输出稳定性的压阻式三轴加速度计
CN108328568A (zh) * 2018-02-09 2018-07-27 中北大学 一种适应于高温环境的SiC压阻式加速度传感器制备方法
CN109110727A (zh) * 2018-07-24 2019-01-01 中国航空工业集团公司西安飞行自动控制研究所 一种高过载微机械惯性传感器的封装方法
CN109110727B (zh) * 2018-07-24 2020-09-22 中国航空工业集团公司西安飞行自动控制研究所 一种高过载微机械惯性传感器的封装方法
CN109342836A (zh) * 2018-10-24 2019-02-15 清华大学 基于压电压阻式宽频高场强微型电场传感器的生产工艺
CN109342836B (zh) * 2018-10-24 2021-03-26 清华大学 基于压电压阻式宽频高场强微型电场传感器的生产工艺
CN111273057A (zh) * 2018-12-05 2020-06-12 苏州明皜传感科技有限公司 三轴加速度计
CN109579975A (zh) * 2018-12-19 2019-04-05 中北大学 X、y方向振动抑制的压阻式三维矢量水听器
CN110887977A (zh) * 2019-11-28 2020-03-17 上海应用技术大学 一种纳米级压阻式加速度传感器及其制备方法
CN110887977B (zh) * 2019-11-28 2021-12-07 上海应用技术大学 一种纳米级压阻式加速度传感器及其制备方法
CN113138049A (zh) * 2021-03-18 2021-07-20 宁波大学 一种用于水体温盐深检测的集成微纳传感器及其制作方法
CN116143062A (zh) * 2023-04-21 2023-05-23 中北大学 一种“h”型单晶薄膜压电振动传感器及其制备方法
CN116143062B (zh) * 2023-04-21 2023-06-23 中北大学 一种“h”型单晶薄膜压电振动传感器及其制备方法

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN107290567A (zh) 具有抗过载能力的压阻式三轴加速度传感器及制备方法
CN103335753B (zh) 硅-玻璃基梁膜结构的超微压力传感器芯片及制造方法
CN101692099B (zh) 具有片上零偏补偿的压阻式双轴微加速度计及制作方法
WO2017028466A1 (zh) 一种mems应变计芯片及其制造工艺
CN103777037B (zh) 一种多梁式双质量块加速度传感器芯片及其制备方法
CN102261979B (zh) 用于真空测量的低量程压阻式压力传感器的制造方法
EP0672898B1 (en) Semiconductor pressure sensor with polysilicon diaphragm and single-crystal gage elements and fabrication method therefor
CN102721829B (zh) 电容式微加速度传感器及其单片制作方法
CN105137121A (zh) 一种低应力加速度计的制备方法
CN110015632A (zh) 传感器件及其制造方法
CN104729784A (zh) 一种梁槽结合台阶式岛膜微压传感器芯片及制备方法
CN110371921A (zh) 一种面内双轴压阻加速度传感器芯片及其制备方法
CN110668394A (zh) 一种抗干扰耐过载mems加速度计的制备方法
CN114323396B (zh) 一种mems电容式六轴力传感器芯片及其制备工艺
CN105668500B (zh) 一种高灵敏度宽量程力传感器及其制造方法
KR101442426B1 (ko) 스트레인 게이지 및 이의 제조 방법
CN103234669A (zh) 一种利用静电负刚度的压力传感器及其制作方法
JP4867792B2 (ja) ウェハレベルパッケージ構造体およびセンサ装置
JPH03114272A (ja) 感歪センサおよびその製造方法
JP3938199B1 (ja) ウェハレベルパッケージ構造体およびセンサ装置
JPH10111203A (ja) 静電容量式半導体センサ及びその製造方法
JP2009250874A (ja) 物理量センサおよびその製造方法
CN107764459A (zh) 压力传感器以及其制造方法
JP3938201B1 (ja) センサ装置およびその製造方法
JP2010032389A (ja) 物理量センサ及びその製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
RJ01 Rejection of invention patent application after publication
RJ01 Rejection of invention patent application after publication

Application publication date: 20171024