CN107276583A - 恒温晶体振荡器 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及电子产品技术领域,具体公开一种恒温晶体振荡器,包括第一电路板和晶体,所述第一电路板从上至下依次设有第一导电层、第二导电层、第三导电层和第四导电层,所述第一导电层与第二导电层之间、所述第二导电层与第三导电层之间、所述第三导电层与第四导电层之间均设有绝缘基材;所述第三导电层包括金属块,所述金属块通电时释放热量;所述第四导电层包括控温线路图形;所述晶体贴合于所述第四导电层远离所述第三导电层的一侧。本发明提供的恒温晶体振荡器具备结构简单、整体体积较小的优点。

Description

恒温晶体振荡器
技术领域
本发明涉及电子产品技术领域,尤其涉及一种恒温晶体振荡器。
背景技术
目前控制晶体振荡器恒温的技术主要是双槽控温技术,该技术不仅工艺复杂、成本较高,且生产出来的产品体积较大。
因此,需要一种结构简单、体积较小的恒温晶体振荡器。
发明内容
本发明的一个目的在于:提供一种恒温晶体振荡器,其具备结构简单、整体体积较小的优点。
为达此目的,本发明提供一种恒温晶体振荡器,包括第一电路板和晶体;
所述第一电路板包括依次叠合的第一导电层、第二导电层、第三导电层和第四导电层,所述第一导电层与第二导电层之间、所述第二导电层与第三导电层之间、所述第三导电层与第四导电层之间均设有绝缘基材;
所述第三导电层包括金属块,所述金属块通电时释放热量;
所述第四导电层包括控温线路图形;
所述晶体贴合于所述第四导电层远离所述第三导电层的一侧。
具体地,第一电路板为依次包括第一导电层、第二导电层、第三导电层和第四导电层的四层板。第三导电层主要包括一块金属块,当给金属块通电时,金属块发热,进而为晶体提供了一个数值较高的基础温度,第四导电层上的控温线路图形连接上第二电子元器件后,就形成控温电路,控温电路根据晶体的温度及晶体的工作情况再进行二次调温,即在基础温度的基础上进行精度更高的二次温度调节,进而使温度控制更加精准。
进一步地,设置晶体合理平贴于第四导电层上,并设置第四导电层上的控温线路图形与第一导电层上的线路图形相对独立,使控温线路图形专门负责晶体的加热工作,可以进一步提高温度控制的精度。
优选地,第三导电层的厚度为40μm~60μm,可以有效增大加热量。进一步地,第三导电层的厚度为50μm。
优选地,第一导电层、第二导电层、第三导电层和第四导电层的材料均为铜、银或者铝合金等导体。
优选地,金属块的材料为铜、银或者铝合金等导体。
进一步地,所述控温线路图形的形式多样,且不是本发明的主要发明点,故不进行赘述。本发明中提及的控温线路图形具体指当前已公开的现有技术中能实现温度检测与控制的线路图形。
作为一种优选的实施方式,所述金属块在垂直于第一电路板的厚度方向的平面上的截面面积大于或等于第一电路板在垂直于第一电路板的厚度方向的平面上的截面面积的一半。
具体地,可以在第三导电层中既设置线路图形又设置金属块,但是,为了保证发热效果和控制恒温晶体振荡器的整体体积,金属块在垂直于第一电路板的厚度方向的平面上的截面面积应该大于或等于第一电路板在垂直于第一电路板的厚度方向的平面上的截面面积的一半。
进一步地,所述金属块在垂直于第一电路板的厚度方向的平面上的截面面积等于第一电路板在垂直于第一电路板的厚度方向的平面上的截面面积。
具体地,也可以不在第三导电层中布置任何线路图形,直接将一整块金属块作为第三导电层。第三导电层整层敷设金属块,可以使整个线路板加热均衡,有利于实现温度检测与控制。
作为一种优选的实施方式,所述第一导电层包括电源输入触点和信号输出触点;
所述第三导电层和第四导电层分别与所述第一导电层电导通。
优选地,所述第三导电层与所述第一导电层通过镀通法实现电导通;所述第四导电层与所述第一导电层通过镀通法实现电导通。
进一步地,还包括第一引脚和第二引脚;
所述第一引脚与所述电源输入触点焊接连接,所述第二引脚与所述信号输出触点焊接连接。
具体地,焊接连接,工艺简单可靠,成本低廉。
进一步地,还包括第二电路板;
所述第一电路板与所述第二电路板通过所述第一引脚和第二引脚实现电导通。
具体地,通过将第一引脚和第二引脚接入第二电路板进而可以将第一电路板接入第二电路板中进行使用。
作为一种优选的实施方式,所述第一导电层为信号层;所述信号层包括稳压电路、滤波电路和震荡电路。
具体地,信号层中的具体线路图形及相应的连接关系本发明不进行赘述。本发明中提及的稳压电路、滤波电路和震荡电路具体指当前已公开的现有技术中的线路图形。
进一步地,还包括第一电子元器件;
所述第一电子元器件位于所述信号层远离所述第二导电层的一侧,且与所述信号层电导通。
具体地,将第一导电层设置为信号层,是为了方便在第一导电层上连接第一电子元器件。
作为一种优选的实施方式,所述第二导电层为地线层;
所述第一导电层、第三导电层和第四导电层分别与所述地线层电导通。
优选地,所述第一导电层与所述地线层通过镀通法实现电导通;所述第三导电层与所述地线层通过镀通法实现电导通;所述第四导电层与所述地线层通过镀通法实现电导通。
作为一种优选的实施方式,还包括第二电子元器件;
所述第二电子元器件与所述晶体位于所述第四导电层的同一侧,且所述第二电子元器件与所述控温线路图形电导通。
具体地,将第二电子元器件与晶体设置于第四导电层远离第三导电层的一侧,简单方便,可以降低加工的复杂程度。第四导电层上的控温线路图形连接上第二电子元器件后,就形成控温电路,控温电路根据晶体的温度及晶体的工作情况再进行二次调温,即在基础温度的基础上进行精度更高的二次温度调节,进而使温度控制更加精准。
本发明的有益效果为:提供一种恒温晶体振荡器,通过设置第三导电层提供基础温度和设置第四导电层进行二次控温,进而实现对晶体的恒温控制,结构简单、成本低廉,且产品的体积较小。
附图说明
下面根据附图和实施例对本发明作进一步详细说明。
图1为实施例提供的恒温晶体振荡器的剖面示意图;
图2为实施例提供的第一导电层在垂直于第一电路板的厚度方向的正面示意图。
图中:
1、第一导电层;101、电源输入触点;102、信号输出触点;2、第二导电层;3、第三导电层;4、第四导电层;5、绝缘基材;6、第一引脚;7、第二引脚;8、晶体。
具体实施方式
下面结合附图并通过具体实施方式来进一步说明本发明的技术方案。
如图1~图2所示,一种恒温晶体振荡器,包括第一电路板和晶体8。第一电路板包括依次叠合的第一导电层1、第二导电层2、第三导电层3和第四导电层4,第一导电层1与第二导电层2之间、第二导电层2与第三导电层3之间、第三导电层3与第四导电层4之间均设有绝缘基材5。第三导电层3包括金属块,金属块通电时释放热量。第四导电层4包括控温线路图形;晶体8贴合于第四导电层4远离第三导电层3的一侧。
具体地,第一电路板为依次包括第一导电层1、第二导电层2、第三导电层3和第四导电层4的四层板。第三导电层3主要包括一块金属块,当给金属块通电时,金属块发热,进而为晶体8提供了一个数值较高的基础温度,第四导电层4上的控温线路图形连接上第二电子元器件后,就形成控温电路,控温电路根据晶体8的温度及晶体8的工作情况再进行二次调温,即在基础温度的基础上进行精度更高的二次温度调节,进而使温度控制更加精准。进一步地,设置晶体8合理平贴于第四导电层4上,并设置第四导电层4上的控温线路图形与第一导电层1上的线路图形相对独立,使控温线路图形专门负责晶体8的加热工作,可以进一步提高温度控制的精度。
具体地,第三导电层3中的金属块的体积较大,升温速度较快,升温幅度也较大,用第三导电层3可以快速提供基础温度。第四导电层4的控温线路图形体积较小,升温速度较慢,升温幅度也较小,更有利于在固定温度范围内进行温度控制。例如提供同样的电流变化量,第三导电层3可能会产生3℃的温差,而第四导电层4则可能只会产生1℃的温差,即第三导电层3的温度分度值较大,第四导电层4的温度分度值较小。例如,晶体8需要的恒温温度为85℃,则第三导电层3通电后提供的基础温度为85℃(由于第三导电层3不是与晶体8贴合,因此,晶体8的温度一般会稍低于第三导电层3的温度),第四导电层4通电后检测晶体8的温度是否为85°:如果晶体8的温度为83°,则第四导电层4增大自身发热量并将晶体8温度控制为85°;如果晶体8的温度为84°,则第四导电层4减少自身发热量并将晶体8温度控制为85°。简单而言,第三导电层3和第四导电层4是两个相对独立的控温系统,二者的共同点在于都是以同样的目标温度指导自身发热的,二者的区别在于前者的温度分度值较大,后者的温度分度值较小。
于本实施例中,第三导电层3的厚度为50μm。于其它实施例中,第三导电层3的厚度也可以为40μm、45μm或者60μm,具体地,上述厚度下的第三导电层3可以有效增大加热量而又不至于使整体体积增大。
于本实施例中,第一导电层1、第二导电层2、第三导电层3和第四导电层4的材料均为铜、银或者铝合金等导体。于本实施例中,金属块的材料为铜、银或者铝合金等导体。
于本实施例中,控温线路图形的形式多样,且不是本发明的主要发明点,故不进行赘述。本发明中提及的控温线路图形具体指当前已公开的现有技术中能实现温度检测与控制的线路图形。
于本实施例中,金属块在垂直于第一电路板的厚度方向的平面上的截面面积等于第一电路板在垂直于第一电路板的厚度方向的平面上的截面面积。于其它实施例中,金属块在垂直于第一电路板的厚度方向的平面上的截面面积等于第一电路板在垂直于第一电路板的厚度方向的平面上的截面面积的一半、三分之二、五分之三或者五分之四。具体地,可以不在第三导电层3中布置任何线路图形,直接将一整块金属块作为第三导电层3。第三导电层3整层敷设金属块,可以使整个线路板加热均衡,有利于实现温度检测与控制。也可以在第三导电层3中既设置线路图形又设置金属块,但是,为了保证发热效果和控制恒温晶体振荡器的整体体积,金属块在垂直于第一电路板的厚度方向的平面上的截面面积应该大于或等于第一电路板在垂直于第一电路板的厚度方向的平面上的截面面积的一半。
于本实施例中,第一导电层1为信号层;信号层包括稳压电路、滤波电路和震荡电路、电源输入触点101和信号输出触点102;第三导电层3与第一导电层1通过镀通法实现电导通;第四导电层4与第一导电层1通过镀通法实现电导通。具体地,信号层中的具体线路图形及相应的连接关系本发明不进行赘述。本发明中提及的稳压电路、滤波电路和震荡电路具体指当前已公开的现有技术中的线路图形。
恒温晶体振荡器还包括第二电路板、第一引脚6和第二引脚7;第一引脚6与电源输入触点101焊接连接,第二引脚7与信号输出触点102焊接连接。第一电路板与第二电路板通过第一引脚6和第二引脚7实现电导通。具体地,通过将第一引脚6和第二引脚7接入第二电路板进而可以将第一电路板接入第二电路板中进行使用。进一步地,焊接连接工艺简单可靠、成本低廉。
恒温晶体振荡器还包括第一电子元器件和第二电子元器件。第一电子元器件位于信号层远离第二导电层2的一侧,且与信号层电导通。具体地,将第一导电层1设置为信号层,是为了方便在第一导电层1上连接第一电子元器件。第二电子元器件与晶体8位于第四导电层4的同一侧,且第二电子元器件与控温线路图形电导通。具体地,将第二电子元器件与晶体8设置于第四导电层4远离第三导电层3的一侧,简单方便,可以降低加工的复杂程度。第四导电层4上的控温线路图形连接上第二电子元器件后,就形成控温电路,控温电路根据晶体8的温度及晶体8的工作情况再进行二次调温,即在基础温度的基础上进行精度更高的二次温度调节,进而使温度控制更加精准。
于本实施例中,第二导电层2为地线层;第一导电层1、第三导电层3和第四导电层4分别与地线层电导通。具体地,第一导电层1与地线层通过镀通法实现电导通;第三导电层3与地线层通过镀通法实现电导通;第四导电层4与地线层通过镀通法实现电导通。
本文中的“第一”、“第二”等仅仅是为了在描述上加以区分,并没有特殊的含义。
另外需要声明的是,在上述具体实施方式中所描述的各个具体技术特征,在不矛盾的情况下,可以通过任何合适的方式进行组合,为了避免不必要的重复,本发明对各种可能的组合方式不再另行说明。
此外,本发明的各种不同的实施方式之间也可以进行任意组合,只要其不违背本发明的思想,其同样应当视为本发明所公开的内容。

Claims (10)

1.一种恒温晶体振荡器,其特征在于,
包括第一电路板和晶体;
所述第一电路板包括依次叠合的第一导电层、第二导电层、第三导电层和第四导电层,所述第一导电层与第二导电层之间、所述第二导电层与第三导电层之间、所述第三导电层与第四导电层之间均设有绝缘基材;
所述第三导电层包括金属块,所述金属块通电时释放热量;
所述第四导电层包括控温线路图形;
所述晶体贴合于所述第四导电层远离所述第三导电层的一侧。
2.根据权利要求1所述的恒温晶体振荡器,其特征在于,
所述金属块在垂直于第一电路板的厚度方向的平面上的截面面积大于或等于第一电路板在垂直于第一电路板的厚度方向的平面上的截面面积的一半。
3.根据权利要求2所述的恒温晶体振荡器,其特征在于,
所述金属块在垂直于第一电路板的厚度方向的平面上的截面面积等于第一电路板在垂直于第一电路板的厚度方向的平面上的截面面积。
4.根据权利要求1所述的恒温晶体振荡器,其特征在于,
所述第一导电层包括电源输入触点和信号输出触点;
所述第三导电层和第四导电层分别与所述第一导电层电导通。
5.根据权利要求4所述的恒温晶体振荡器,其特征在于,
还包括第一引脚和第二引脚;
所述第一引脚与所述电源输入触点焊接连接,所述第二引脚与所述信号输出触点焊接连接。
6.根据权利要求5所述的恒温晶体振荡器,其特征在于,
还包括第二电路板;
所述第一电路板与所述第二电路板通过所述第一引脚和第二引脚实现电导通。
7.根据权利要求1所述的恒温晶体振荡器,其特征在于,
所述第一导电层为信号层;所述信号层包括稳压电路、滤波电路和震荡电路。
8.根据权利要求7所述的恒温晶体振荡器,其特征在于,
还包括第一电子元器件;
所述第一电子元器件位于所述信号层远离所述第二导电层的一侧,且与所述信号层电导通。
9.根据权利要求1所述的恒温晶体振荡器,其特征在于,
所述第二导电层为地线层;
所述第一导电层、第三导电层和第四导电层分别与所述地线层电导通。
10.根据权利要求1所述的恒温晶体振荡器,其特征在于,
还包括第二电子元器件;
所述第二电子元器件与所述晶体位于所述第四导电层的同一侧,且所述第二电子元器件与所述控温线路图形电导通。
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