CN107275417A - 多晶硅太阳能板 - Google Patents
多晶硅太阳能板 Download PDFInfo
- Publication number
- CN107275417A CN107275417A CN201710418322.1A CN201710418322A CN107275417A CN 107275417 A CN107275417 A CN 107275417A CN 201710418322 A CN201710418322 A CN 201710418322A CN 107275417 A CN107275417 A CN 107275417A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- parts
- polycrystalline silicon
- silicon solar
- solar plate
- antireflection layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 40
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical group O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 47
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims abstract description 18
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 claims abstract description 8
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 claims abstract description 8
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 claims description 22
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 21
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 claims description 21
- CDBYLPFSWZWCQE-UHFFFAOYSA-L Sodium Carbonate Chemical compound [Na+].[Na+].[O-]C([O-])=O CDBYLPFSWZWCQE-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims description 16
- UQSXHKLRYXJYBZ-UHFFFAOYSA-N Iron oxide Chemical compound [Fe]=O UQSXHKLRYXJYBZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 14
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 14
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 14
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 claims description 14
- 239000002994 raw material Substances 0.000 claims description 13
- UYTPUPDQBNUYGX-UHFFFAOYSA-N guanine Chemical compound O=C1NC(N)=NC2=C1N=CN2 UYTPUPDQBNUYGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);zirconium(4+) Chemical compound [O-2].[O-2].[Zr+4] RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 229910000029 sodium carbonate Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 229910001928 zirconium oxide Inorganic materials 0.000 claims description 8
- VGGSQFUCUMXWEO-UHFFFAOYSA-N Ethene Chemical compound C=C VGGSQFUCUMXWEO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 229910002601 GaN Inorganic materials 0.000 claims description 7
- JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N Gallium nitride Chemical compound [Ga]#N JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 229920002367 Polyisobutene Polymers 0.000 claims description 7
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- XTXRWKRVRITETP-UHFFFAOYSA-N Vinyl acetate Chemical compound CC(=O)OC=C XTXRWKRVRITETP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 125000000484 butyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 claims description 7
- 235000012241 calcium silicate Nutrition 0.000 claims description 7
- 239000005018 casein Substances 0.000 claims description 7
- BECPQYXYKAMYBN-UHFFFAOYSA-N casein, tech. Chemical compound NCCCCC(C(O)=O)N=C(O)C(CC(O)=O)N=C(O)C(CCC(O)=N)N=C(O)C(CC(C)C)N=C(O)C(CCC(O)=O)N=C(O)C(CC(O)=O)N=C(O)C(CCC(O)=O)N=C(O)C(C(C)O)N=C(O)C(CCC(O)=N)N=C(O)C(CCC(O)=N)N=C(O)C(CCC(O)=N)N=C(O)C(CCC(O)=O)N=C(O)C(CCC(O)=O)N=C(O)C(COP(O)(O)=O)N=C(O)C(CCC(O)=N)N=C(O)C(N)CC1=CC=CC=C1 BECPQYXYKAMYBN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 235000021240 caseins Nutrition 0.000 claims description 7
- 229920006218 cellulose propionate Polymers 0.000 claims description 7
- 239000004794 expanded polystyrene Substances 0.000 claims description 7
- 210000004209 hair Anatomy 0.000 claims description 7
- 229910000480 nickel oxide Inorganic materials 0.000 claims description 7
- GNRSAWUEBMWBQH-UHFFFAOYSA-N oxonickel Chemical compound [Ni]=O GNRSAWUEBMWBQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 229920000058 polyacrylate Polymers 0.000 claims description 7
- 229920001230 polyarylate Polymers 0.000 claims description 7
- 229920000915 polyvinyl chloride Polymers 0.000 claims description 7
- 239000004800 polyvinyl chloride Substances 0.000 claims description 7
- 239000004408 titanium dioxide Substances 0.000 claims description 7
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 claims description 7
- NUJOXMJBOLGQSY-UHFFFAOYSA-N manganese dioxide Chemical compound O=[Mn]=O NUJOXMJBOLGQSY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- KXGFMDJXCMQABM-UHFFFAOYSA-N 2-methoxy-6-methylphenol Chemical compound [CH]OC1=CC=CC([CH])=C1O KXGFMDJXCMQABM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 2
- 239000005011 phenolic resin Substances 0.000 claims description 2
- 229920001568 phenolic resin Polymers 0.000 claims description 2
- 230000008021 deposition Effects 0.000 claims 1
- 239000007792 gaseous phase Substances 0.000 claims 1
- 238000010025 steaming Methods 0.000 claims 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims 1
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 abstract description 9
- 230000009466 transformation Effects 0.000 abstract description 5
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 abstract description 3
- 239000013078 crystal Substances 0.000 abstract description 3
- 230000005611 electricity Effects 0.000 abstract description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract description 2
- AMWRITDGCCNYAT-UHFFFAOYSA-L hydroxy(oxo)manganese;manganese Chemical compound [Mn].O[Mn]=O.O[Mn]=O AMWRITDGCCNYAT-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 10
- 230000003667 anti-reflective effect Effects 0.000 description 7
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 7
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 6
- -1 phenolic aldehyde Chemical class 0.000 description 5
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 4
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 1
- 230000002708 enhancing effect Effects 0.000 description 1
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000000877 morphologic effect Effects 0.000 description 1
- 230000005693 optoelectronics Effects 0.000 description 1
- 230000035939 shock Effects 0.000 description 1
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/02—Details
- H01L31/0216—Coatings
- H01L31/02161—Coatings for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
- H01L31/02167—Coatings for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for solar cells
- H01L31/02168—Coatings for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for solar cells the coatings being antireflective or having enhancing optical properties for the solar cells
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
- H01L31/042—PV modules or arrays of single PV cells
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Sustainable Development (AREA)
- Sustainable Energy (AREA)
- Photovoltaic Devices (AREA)
- Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
Abstract
一种多晶硅太阳能板，所述多晶硅太阳能板从上至下分别由白玻璃、EVA、减反射层、太阳能电池板芯片组成，所述太阳能电池板芯片与所述减反射层接触面上蒸镀有缓冲层。本发明通过蒸镀缓冲层，将多晶硅中取向不同的晶粒与二氧化硅原子匹配，减少接触面产生的应力，更为充分的发挥减反射层作用，使得光线入射至太阳能电池板芯片；制得的多晶硅太阳能板光电转换效率可达到20％以上，使用15～20年依然保持较高的光电转化效率。
Description
技术领域
本发明涉及太阳能技术领域，具体涉及一种多晶硅太阳能板。
背景技术
多晶硅太阳能电池的制作工艺与单晶硅太阳能电池差不多，但是多晶硅太阳能电池的光电转换效率则要降低不少，其光电转换效率约12％左右(2004年7月1日日本夏普上市效率为14.8％的世界最高效率多晶硅太阳能电池)。从制作成本上来讲，比单晶硅太阳能电池要便宜一些，材料制造简便，节约电耗，总的生产成本较低，因此得到大量发展。此外，多晶硅太阳能电池的使用寿命也要比单晶硅太阳能电池短。因而如何提高多晶硅太阳能电池的光电转换效率和延长其使用寿命成本迫切需要解决的问题。
发明内容
本发明为解决上述问题，提供一种光电转换效率高、使用寿命长的多晶硅太阳能板。
本发明所要解决的技术问题采用以下的技术方案来实现：
一种多晶硅太阳能板，所述多晶硅太阳能板从上至下分别由白玻璃、EVA、减反射层、太阳能电池板芯片组成。
所述太阳能电池板芯片与所述减反射层接触面上蒸镀有缓冲层。
所述缓冲层为碳化硅层。
所述碳化硅层厚度为10～15nm。
所述碳化硅层通过化学气相沉积蒸镀在所述太阳能电池板芯片上。
所述减反射层为二氧化硅层。
所述二氧化硅层厚度为60～80nm。
所述白玻璃包括以下重量份的原料：
二氧化硅30-50份，珠光粉0.2-0.6份，氧化锆0.1-0.3份，碳酸钠5-8份，硅酸钙2-4份，银粉0.2-0.8份，二氧化锰0.3-0.5份，二氧化钛0.5-0.8份，氧化铁0.1-0.3份，氮化镓0.2-0.5份，氧化锌0.5-0.8份，氧化镍0.3-0.7份。
所述EVA由以下重量份的原料组成：
乙烯20-30份，醋酸乙烯脂20-25份，醋酸-丙酸纤维素1.0-1.5份，氯化聚乙烯1.2-1.8份，酪蛋白0.3-0.5份，发泡聚苯乙烯0.6-0.8份，聚芳酯1.5-2.0份，聚丙烯酸丁酯0.2-0.4份，聚氯乙烯0.6-1.0份发，酚醛树脂0.3-0.7份，聚异丁烯0.5-0.8份。
本发明的有益效果为：多晶硅组成的太阳能电池板芯片在其表面直接蒸镀减反射层，特别是当减反射层为二氧化硅时，由于多晶硅中硅原子以金刚石晶格形态排列成许多晶核，这些晶核长成晶面取向不同的晶粒，难以与二氧化硅原子结合，使得减反射层不能很好的与多晶硅接触面融合，造成减反射层与多晶硅的不匹配，通过蒸镀缓冲层，将多晶硅中取向不同的晶粒与二氧化硅原子匹配，减少接触面产生的应力，更为充分的发挥减反射层作用，使得光线入射至太阳能电池板芯片；白玻璃中添加珠光粉、氧化锆、碳酸钠等添加剂，使得白玻璃透光率更高，同时增强白玻璃抗腐蚀、耐油污能力，延长使用寿命；本发明提供的EVA配方，制得的EVA抗拉强度大于35MPa，可见光透射率在98％以上，粘接轻度在3～5kg/cm，同时具有较好的耐热、耐湿性，抗冲击性能好；本发明制得的多晶硅太阳能板光电转换效率可达到20％以上，使用15～20年依然保持较高的光电转化效率。
具体实施方式
为了使本发明实现的技术手段、创作特征、达成目的与功效易于明白了解，下面结合实施例，进一步阐述本发明。
实施例1
一种多晶硅太阳能板，所述多晶硅太阳能板从上至下分别由白玻璃、EVA、减反射层、太阳能电池板芯片组成。
所述太阳能电池板芯片与所述减反射层接触面上蒸镀有缓冲层。
所述缓冲层为碳化硅层。
所述碳化硅层厚度为10nm。
所述碳化硅层通过化学气相沉积蒸镀在所述太阳能电池板芯片上。
所述减反射层为二氧化硅层。
所述二氧化硅层厚度为60nm。
所述白玻璃包括以下重量份的原料：
二氧化硅30份，珠光粉0.2份，氧化锆0.1份，碳酸钠5份，硅酸钙2份，银粉0.2份，二氧化锰0.3份，二氧化钛0.5份，氧化铁0.1份，氮化镓0.2份，氧化锌0.5份，氧化镍0.3份。
所述EVA由以下重量份的原料组成：
乙烯20份，醋酸乙烯脂20份，醋酸-丙酸纤维素1.0份，氯化聚乙烯1.2份，酪蛋白0.3份，发泡聚苯乙烯0.6份，聚芳酯1.5份，聚丙烯酸丁酯0.2份，聚氯乙烯0.6份发，酚醛树脂0.3份，聚异丁烯0.5份。
实施例2
一种多晶硅太阳能板，所述多晶硅太阳能板从上至下分别由白玻璃、EVA、减反射层、太阳能电池板芯片组成。
所述太阳能电池板芯片与所述减反射层接触面上蒸镀有缓冲层。
所述缓冲层为碳化硅层。
所述碳化硅层厚度为13nm。
所述碳化硅层通过化学气相沉积蒸镀在所述太阳能电池板芯片上。
所述减反射层为二氧化硅层。
所述二氧化硅层厚度为70nm。
所述白玻璃包括以下重量份的原料：
二氧化硅40份，珠光粉0.4份，氧化锆0.2份，碳酸钠6份，硅酸钙3份，银粉0.5份，二氧化锰0.4份，二氧化钛0.6份，氧化铁0.2份，氮化镓0.3份，氧化锌0.7份，氧化镍0.5份。
所述EVA由以下重量份的原料组成：
乙烯20份，醋酸乙烯脂20份，醋酸-丙酸纤维素1.0份，氯化聚乙烯1.2份，酪蛋白0.3份，发泡聚苯乙烯0.6份，聚芳酯1.5份，聚丙烯酸丁酯0.2份，聚氯乙烯0.6份发，酚醛树脂0.3份，聚异丁烯0.5份。
实施例3
一种多晶硅太阳能板，所述多晶硅太阳能板从上至下分别由白玻璃、EVA、减反射层、太阳能电池板芯片组成。
所述太阳能电池板芯片与所述减反射层接触面上蒸镀有缓冲层。
所述缓冲层为碳化硅层。
所述碳化硅层厚度为15nm。
所述碳化硅层通过化学气相沉积蒸镀在所述太阳能电池板芯片上。
所述减反射层为二氧化硅层。
所述二氧化硅层厚度为80nm。
所述白玻璃包括以下重量份的原料：
二氧化硅50份，珠光粉0.6份，氧化锆0.3份，碳酸钠8份，硅酸钙4份，银粉0.8份，二氧化锰0.5份，二氧化钛0.8份，氧化铁0.3份，氮化镓0.5份，氧化锌0.8份，氧化镍0.7份。
所述EVA由以下重量份的原料组成：
乙烯20份，醋酸乙烯脂20份，醋酸-丙酸纤维素1.0份，氯化聚乙烯1.2份，酪蛋白0.3份，发泡聚苯乙烯0.6份，聚芳酯1.5份，聚丙烯酸丁酯0.2份，聚氯乙烯0.6份发，酚醛树脂0.3份，聚异丁烯0.5份。
实施例4
一种多晶硅太阳能板，所述多晶硅太阳能板从上至下分别由白玻璃、EVA、减反射层、太阳能电池板芯片组成。
所述太阳能电池板芯片与所述减反射层接触面上蒸镀有缓冲层。
所述缓冲层为碳化硅层。
所述碳化硅层厚度为13nm。
所述碳化硅层通过化学气相沉积蒸镀在所述太阳能电池板芯片上。
所述减反射层为二氧化硅层。
所述二氧化硅层厚度为70nm。
所述白玻璃包括以下重量份的原料：
二氧化硅40份，珠光粉0.4份，氧化锆0.2份，碳酸钠6份，硅酸钙3份，银粉0.5份，二氧化锰0.4份，二氧化钛0.6份，氧化铁0.2份，氮化镓0.3份，氧化锌0.7份，氧化镍0.5份。
所述EVA由以下重量份的原料组成：
乙烯25份，醋酸乙烯脂23份，醋酸-丙酸纤维素1.3份，氯化聚乙烯1.5份，酪蛋白0.4份，发泡聚苯乙烯0.7份，聚芳酯1.8份，聚丙烯酸丁酯0.3份，聚氯乙烯0.8份发，酚醛树脂0.5份，聚异丁烯0.6份。
实施例5
一种多晶硅太阳能板，所述多晶硅太阳能板从上至下分别由白玻璃、EVA、减反射层、太阳能电池板芯片组成。
所述太阳能电池板芯片与所述减反射层接触面上蒸镀有缓冲层。
所述缓冲层为碳化硅层。
所述碳化硅层厚度为13nm。
所述碳化硅层通过化学气相沉积蒸镀在所述太阳能电池板芯片上。
所述减反射层为二氧化硅层。
所述二氧化硅层厚度为70nm。
所述白玻璃包括以下重量份的原料：
二氧化硅40份，珠光粉0.4份，氧化锆0.2份，碳酸钠6份，硅酸钙3份，银粉0.5份，二氧化锰0.4份，二氧化钛0.6份，氧化铁0.2份，氮化镓0.3份，氧化锌0.7份，氧化镍0.5份。
所述EVA由以下重量份的原料组成：
乙烯30份，醋酸乙烯脂25份，醋酸-丙酸纤维素1.5份，氯化聚乙烯1.8份，酪蛋白0.5份，发泡聚苯乙烯0.8份，聚芳酯2.0份，聚丙烯酸丁酯0.4份，聚氯乙烯1.0份发，酚醛树脂0.7份，聚异丁烯0.8份。
以上显示和描述了本发明的基本原理、主要特征和本发明的优点。本行业的技术人员应该了解，本发明不受上述实施例的限制，上述实施例和说明书中描述的仅为本发明的优选例，并不用来限制本发明，在不脱离本发明精神和范围的前提下，本发明还会有各种变化和改进，这些变化和改进都落入要求保护的本发明范围内。本发明要求保护范围由所附的权利要求书及其等效物界定。
Claims (8)
1.一种多晶硅太阳能板，所述多晶硅太阳能板从上至下分别由白玻璃、EVA、减反射层、太阳能电池板芯片组成，其特征在于，所述太阳能电池板芯片与所述减反射层接触面上蒸镀有缓冲层。
2.如权利要求1所述的多晶硅太阳能板，其特征在于，所述缓冲层为碳化硅层。
3.如权利要求2所述的多晶硅太阳能板，其特征在于，所述碳化硅层厚度为10～15nm。
4.如权利要求2或3所述的多晶硅太阳能板，其特征在于，所述碳化硅层通过化学气相沉积蒸镀在所述太阳能电池板芯片上。
5.如权利要求1所述的多晶硅太阳能板，其特征在于，所述减反射层为二氧化硅层。
6.如权利要求5所述的多晶硅太阳能板，其特征在于，所述二氧化硅层厚度为60～80nm。
7.如权利要求1所述的多晶硅太阳能板，其特征在于，所述白玻璃包括以下重量份的原料：
二氧化硅30-50份，珠光粉0.2-0.6份，氧化锆0.1-0.3份，碳酸钠5-8份，硅酸钙2-4份，银粉0.2-0.8份，二氧化锰0.3-0.5份，二氧化钛0.5-0.8份，氧化铁0.1-0.3份，氮化镓0.2-0.5份，氧化锌0.5-0.8份，氧化镍0.3-0.7份。
8.如权利要求1所述的多晶硅太阳能板，其特征在于，所述EVA由以下重量份的原料组成：
乙烯20-30份，醋酸乙烯脂20-25份，醋酸-丙酸纤维素1.0-1.5份，氯化聚乙烯1.2-1.8份，酪蛋白0.3-0.5份，发泡聚苯乙烯0.6-0.8份，聚芳酯1.5-2.0份，聚丙烯酸丁酯0.2-0.4份，聚氯乙烯0.6-1.0份发，酚醛树脂0.3-0.7份，聚异丁烯0.5-0.8份。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201710418322.1A CN107275417A (zh) | 2017-06-06 | 2017-06-06 | 多晶硅太阳能板 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201710418322.1A CN107275417A (zh) | 2017-06-06 | 2017-06-06 | 多晶硅太阳能板 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN107275417A true CN107275417A (zh) | 2017-10-20 |
Family
ID=60064365
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201710418322.1A Pending CN107275417A (zh) | 2017-06-06 | 2017-06-06 | 多晶硅太阳能板 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN107275417A (zh) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN107935452A (zh) * | 2017-12-14 | 2018-04-20 | 马鞍山松鹤信息科技有限公司 | 一种光伏太阳能发电板专用材料及其制备方法 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN202513162U (zh) * | 2012-04-01 | 2012-10-31 | 武汉兴隆源太阳能科技有限公司 | 一种多晶硅太阳能电池组件 |
| CN103137448A (zh) * | 2011-12-02 | 2013-06-05 | 上海凯世通半导体有限公司 | 掺杂方法、pn结构、太阳能电池及其制作方法 |
| WO2013141651A1 (ko) * | 2012-03-23 | 2013-09-26 | 한국에너지기술연구원 | 텍스처층을 포함하는 2중 텍스처 구조의 칼코게나이드계 태양전지의 제조방법 및 이에 따라 제조된 칼코게나이드계 태양전지 |
| JP2014103259A (ja) * | 2012-11-20 | 2014-06-05 | Mitsubishi Electric Corp | 太陽電池、太陽電池モジュールおよびその製造方法 |
-
2017
- 2017-06-06 CN CN201710418322.1A patent/CN107275417A/zh active Pending
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN103137448A (zh) * | 2011-12-02 | 2013-06-05 | 上海凯世通半导体有限公司 | 掺杂方法、pn结构、太阳能电池及其制作方法 |
| WO2013141651A1 (ko) * | 2012-03-23 | 2013-09-26 | 한국에너지기술연구원 | 텍스처층을 포함하는 2중 텍스처 구조의 칼코게나이드계 태양전지의 제조방법 및 이에 따라 제조된 칼코게나이드계 태양전지 |
| CN202513162U (zh) * | 2012-04-01 | 2012-10-31 | 武汉兴隆源太阳能科技有限公司 | 一种多晶硅太阳能电池组件 |
| JP2014103259A (ja) * | 2012-11-20 | 2014-06-05 | Mitsubishi Electric Corp | 太陽電池、太陽電池モジュールおよびその製造方法 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN107935452A (zh) * | 2017-12-14 | 2018-04-20 | 马鞍山松鹤信息科技有限公司 | 一种光伏太阳能发电板专用材料及其制备方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN203639397U (zh) | 一种双层结构光伏组件封装胶膜 | |
| MY161007A (en) | Solar cell sealing material, and solar cell module | |
| CN103943717A (zh) | 一种采用管式pecvd制备太阳能电池叠层减反射膜的方法 | |
| JP2012519967A5 (zh) | ||
| CN104112785B (zh) | 一种太阳能电池背板用薄膜及其制备方法 | |
| JP4882124B2 (ja) | 太陽電池封止材の製造方法 | |
| CN104479271A (zh) | 一种太阳能电池背板用薄膜及其制备方法 | |
| CN102632669A (zh) | 一种具有光反射功能的氟素薄膜背板 | |
| CN107275417A (zh) | 多晶硅太阳能板 | |
| CN107240612B (zh) | 单晶硅太阳能板 | |
| CN102199758B (zh) | 一种生长绒面结构ZnO-TCO薄膜的方法及应用 | |
| CN202275849U (zh) | 一种柔性透明高阻隔封装膜 | |
| CN204303833U (zh) | 太阳能电池背板 | |
| CN103613291B (zh) | 一种玻璃防霉隔离粉及其制备方法 | |
| CN103094393B (zh) | 基于三碘化铯锡的荧光聚光太阳能电池及其制备方法 | |
| CN211080754U (zh) | 一种建筑用多功能复合板 | |
| CN202384361U (zh) | 太阳能电池背板复合膜 | |
| JP2012129475A (ja) | 薄膜太陽電池用透明導電膜 | |
| CN204707077U (zh) | 基于多种柔性材料的光伏建筑一体化弧形构件 | |
| CN103173080A (zh) | 反射性隔热涂料及其制备方法 | |
| CN209896078U (zh) | 一种高散热的双玻组件 | |
| CN203071107U (zh) | 一种皮革柔性太阳能组件 | |
| CN202549871U (zh) | 太阳能光伏组件用eva胶膜 | |
| CN108753083A (zh) | 一种柳编用耐沾污仿石漆 | |
| CN202352704U (zh) | 新型太阳能光伏电池用绝缘背板 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| RJ01 | Rejection of invention patent application after publication | ||
| RJ01 | Rejection of invention patent application after publication |
Application publication date: 20171020 |