CN107275416A - 一种光探测器及其制备方法 - Google Patents
一种光探测器及其制备方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN107275416A CN107275416A CN201710322180.9A CN201710322180A CN107275416A CN 107275416 A CN107275416 A CN 107275416A CN 201710322180 A CN201710322180 A CN 201710322180A CN 107275416 A CN107275416 A CN 107275416A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- germanium
- insulating barrier
- photo
- substrate
- passivation layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 title claims abstract description 26
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 108
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 108
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 claims abstract description 77
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 69
- 238000002161 passivation Methods 0.000 claims abstract description 34
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 24
- 238000013404 process transfer Methods 0.000 claims abstract description 5
- 238000009413 insulation Methods 0.000 claims abstract description 3
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 claims description 15
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 claims description 15
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 9
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 8
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 claims description 7
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 6
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 claims description 4
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 3
- YBMRDBCBODYGJE-UHFFFAOYSA-N germanium oxide Inorganic materials O=[Ge]=O YBMRDBCBODYGJE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910000449 hafnium oxide Inorganic materials 0.000 claims description 3
- WIHZLLGSGQNAGK-UHFFFAOYSA-N hafnium(4+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[Hf+4] WIHZLLGSGQNAGK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- PVADDRMAFCOOPC-UHFFFAOYSA-N oxogermanium Chemical compound [Ge]=O PVADDRMAFCOOPC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 238000003631 wet chemical etching Methods 0.000 claims description 3
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 2
- 238000000231 atomic layer deposition Methods 0.000 claims 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 abstract description 2
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 6
- 229910000577 Silicon-germanium Inorganic materials 0.000 description 5
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- LEVVHYCKPQWKOP-UHFFFAOYSA-N [Si].[Ge] Chemical compound [Si].[Ge] LEVVHYCKPQWKOP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 3
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 3
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 3
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 3
- 230000008859 change Effects 0.000 description 2
- 238000005137 deposition process Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000004377 microelectronic Methods 0.000 description 2
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 2
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 230000004075 alteration Effects 0.000 description 1
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 1
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 description 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 230000005693 optoelectronics Effects 0.000 description 1
- 238000006385 ozonation reaction Methods 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/02—Details
- H01L31/0216—Coatings
- H01L31/02161—Coatings for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/08—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof in which radiation controls flow of current through the device, e.g. photoresistors
- H01L31/10—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof in which radiation controls flow of current through the device, e.g. photoresistors characterised by potential barriers, e.g. phototransistors
- H01L31/101—Devices sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation
- H01L31/102—Devices sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation characterised by only one potential barrier
- H01L31/105—Devices sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation characterised by only one potential barrier the potential barrier being of the PIN type
- H01L31/1055—Devices sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation characterised by only one potential barrier the potential barrier being of the PIN type the devices comprising amorphous materials of Group IV of the Periodic Table
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
- H01L31/1804—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof comprising only elements of Group IV of the Periodic Table
- H01L31/1808—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof comprising only elements of Group IV of the Periodic Table including only Ge
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
- Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Light Receiving Elements (AREA)
Abstract
本发明公开了一种光探测器及其制备方法，该方法包括：提供一锗衬底，于所述锗衬底表面形成第一绝缘层和界面钝化层；将形成了第一绝缘层和界面钝化层的锗衬底采用衬底键合工艺转移到一生长了第二绝缘层的支撑衬底上，形成绝缘层上锗结构；减薄所述绝缘层上锗的锗衬底厚度；于所述绝缘层上锗的锗衬底上形成绝缘层上锗/界面钝化层/第三绝缘层结构；于所述绝缘层上锗的锗衬底上制作重掺杂区域和电极。本发明利用绝缘层上锗结构制备光探测器，并且，通过在锗衬底表面和锗衬底‑绝缘层界面同时引入界面钝化层，进一步降低光探测器的暗电流。
Description
技术领域
本发明涉及一种半导体光探测器件及其制备方法，特别是涉及一种绝缘层上锗光探测器及其制备方法。
背景技术
随着计算技术的快速发展和云计算和数据中心等新应用的不断产生，集成电路中传统的电互连技术将面临功耗和带宽的限制。光互连和光通信是解决上述问题的关键，而硅(Si)基光电子集成采用成熟的微电子加工工艺，将光学器件与多种功能的微电子电路集成，是实现先进光通信系统和光互连的有效途径。其中高速、高响应度、低功耗的光探测器是实现硅基光电集成的关键器件之一。硅基锗(Ge)光探测器由于锗材料对近红外波长具有高吸收系数，可以实现对光通讯波段(1.31μm和1.55μm)的有效探测，以及与现有的硅半导体工艺相兼容，成为当今研究的一大热点。硅基锗光探测器可以通过金属-半导体-金属(metal-semiconductor-metal，MSM)及p型掺杂-本征掺杂-n型掺杂(p-i-n)等形式实现。然而，现有的硅基锗光探测器仍具有暗电流较大等缺点，严重限制了器件的性能。
基于以上原因，提供一种可以有效降低暗电流的硅基锗光探测器结构及其制备方法实属必要。
发明内容
鉴于以上现有技术的缺点，本发明的目的在于提供一种光探测器及其制备方法，用以解决现有技术中硅基锗光探测器暗电流较大的问题。
为实现上述目的及其他相关目的，本发明提供一种光探测器及其制备方法，所述光探测器从下至上依次为：支撑衬底、绝缘层、界面钝化层、锗衬底、界面钝化层、绝缘层。
进一步地，所述锗衬底厚度为10nm至400nm。
进一步地，所述绝缘层的材料包括但不限于氧化硅，氧化铝及氧化铪。
进一步地，所述界面钝化层的材料包括但不限于氧化锗及硅。
一种光探测器的制备方法，该方法包括以下步骤：
1)提供一锗衬底，于所述锗衬底表面形成第一绝缘层和界面钝化层；
2)将形成了第一绝缘层和界面钝化层的锗衬底采用衬底键合工艺转移到一生长了第二绝缘层的支撑衬底上，形成绝缘层上锗结构；
3)减薄所述绝缘层上锗的锗衬底厚度；
4)于所述绝缘层上锗的锗衬底上形成绝缘层上锗/界面钝化层/第三绝缘层结构；
5)于所述绝缘层上锗的锗衬底上制作重掺杂区域和电极。
进一步地，步骤1)中，采用原子层沉积工艺于所述锗衬底形成第一绝缘层。
进一步地，步骤1)中，采用低温臭氧氧化及等离子体氧化工艺于锗衬底和第一绝缘层之间形成界面钝化层。
进一步地，所述低温臭氧氧化及等离子体氧化工艺所用温度为25℃至350℃。
进一步地，步骤3)中，采用机械研磨、化学机械研磨和选择性刻蚀等方法，减薄绝缘层上锗的锗衬底厚度，所述选择性刻蚀方法包括反应离子刻蚀和化学湿法刻蚀。
进一步地，步骤3)中，所述绝缘层上锗的锗衬底厚度从100μm以上减小到500nm。
本发明利用绝缘层上锗结构制备光探测器，并且，通过在锗层表面和锗-埋氧化层界面同时引入界面钝化层，进一步降低光探测器的暗电流。
附图说明
图1a～1b显示为本发明的光探测器的结构示意图。其中图1a为金属-半导体-金属型光探测器的结构示意图，图1b为p型掺杂-本征掺杂-n型掺杂型光探测器的结构示意图。
图2显示为本发明的光探测器的制备方法的步骤流程示意图。
图3～4显示为本发明的光探测器的制备方法的步骤1)所呈现的结构示意图。
图5～7显示为本发明的光探测器的制备方法的步骤2)所呈现的结构示意图。
图8显示为本发明的光探测器的制备方法的步骤3)所呈现的结构示意图。
图9显示为本发明的光探测器的制备方法的步骤4)所呈现的结构示意图。
图10a～10b显示为本发明的光探测器的制备方法的步骤5)所呈现的结构示意图。其中图10a为金属-半导体-金属型光探测器的结构示意图，图10b为p型掺杂-本征掺杂-n型掺杂型光探测器的结构示意图。
图中，锗衬底10、界面钝化层20、绝缘层30、第一绝缘层301、第二绝缘层302、支撑衬底40、第三绝缘层50、电极60、锗p型掺杂区701、锗n型掺杂区702。
具体实施方式
以下通过特定的具体实例说明本发明的实施方式，本领域技术人员可以由本说明书所揭露的内容轻易地了解本发明的其他优点与功效。本发明还可以通过另外不同的具体实施方式加以实施或应用，本说明书的各项细节也可以基于不同观点与应用，在没有背离本发明的精神下进行各种修饰或改变。
请参阅图1～图10。需要说明的是，本实施例中所提供的图示仅以示意方式说明本发明的基本构想，遂图示中仅显示与本发明中有关的组件而非按照实际实施时的组件数目、形状及尺寸绘制，其实际实施时各组件的形态、数量及比例可谓一种随意的改变，且其组建布局形态也可能更为复杂。
如图1a～1b所示，本实施例提供一种光探测器结构，所述的光探测器包括特征：1)基于绝缘层上锗结构制备光探测器；2)所述绝缘层上锗光探测器结构，表面和锗-埋氧化层界面同时具有界面钝化层。其中图1a为金属-半导体-金属型光探测器的结构示意图，图1b为p型掺杂-本征掺杂-n型掺杂型光探测器的结构示意图。
作为示例，绝缘层上锗结构中，锗层厚度为10nm至400nm。埋氧化层的材料包括但不限于氧化硅，氧化铝及氧化铪。界面钝化层的材料包括但不限于氧化锗及硅。
如图2～图10所示，本实施例提供所述光探测器的制备方法，所述制备方法包括步骤：
如图2～图4所示，首先进行步骤1)S11，提供一锗衬底10，于所述锗衬底10表面形成第一绝缘层301和界面钝化层20。
作为示例，可以采用原子层沉积工艺于所述锗衬底10形成第一绝缘层301。
作为示例，可以采用低温臭氧氧化及等离子体氧化工艺于锗衬底10和第一绝缘层301之间形成界面钝化层20。进一步地，所述低温臭氧氧化及等离子体氧化工艺，低温的范围为25℃至350℃。在本实施例中，所采用工艺为臭氧氧化工艺，所述的低温为300℃。采用其他温度和工艺同样可以在锗衬底10和第一绝缘层301之间形成高质量的界面钝化层20。
如图5～图7所示，然后进行步骤2)S12，将所述形成了第一绝缘层301和界面钝化层20的锗衬底10采用衬底键合工艺转移到一生长了第二绝缘层302的支撑衬底40上，形成绝缘层上锗结构。所述支撑衬底40可采用硅衬底。
在本步骤中，衬底键合工艺在常温下完成，键合和完成后退火可以增强键合的强度。
如图8所示，接着进行步骤3)S13，采用机械研磨、化学机械研磨和选择性刻蚀等方法，减薄所述绝缘层上锗的锗衬底10厚度。
作为示例，首先采用机械研磨和化学机械研磨的方法，将所述绝缘层上锗的锗衬底10厚度从数百μm减小到数μm。接着采用选择性刻蚀的方法进一步减薄所述绝缘层上锗的锗衬底10厚度。
在本实施例中，本步骤可以采用反应离子刻蚀和化学湿法刻蚀进一步控制所述绝缘层上锗的锗衬底10厚度。在本实施例中，采用反应离子刻蚀法将所述绝缘层上锗的锗衬底10厚度减小到500nm。
如图9所示，接着进行步骤4)S14，于所述绝缘层上锗的锗衬底10上形成绝缘层上锗/界面钝化层20/第三绝缘层50结构。
在本步骤中，绝缘层上锗/界面钝化层20/第三绝缘层50结构可以采用原子层沉积工艺于锗衬底10上形成第三绝缘层50，采用低温臭氧氧化及等离子体氧化工艺于锗衬底10和第三绝缘层50之间形成界面钝化层20。
如图10所示，接着进行步骤5)S15，于所述绝缘层上锗的锗衬底上制作重掺杂区域和电极60。
作为示例，如图10a所示的金属-半导体-金属型光探测器中，所述电极60材料可以为镍(Ni)等，但不限于此。
作为示例，如图10b所示的p型掺杂-本征掺杂-n型掺杂型光探测器中，所述重掺杂区域包括锗p型掺杂区701和锗n型掺杂区702。所述电极60材料可以为镍(Ni)等，但不限于此。
如上所述，本发明提供一种光探测器及其制备方法，所含光探测器的特征在于：1)基于绝缘层上锗结构制备光探测器；2)所述绝缘层上锗光探测器结构，锗衬底表面和锗衬底10-绝缘层30界面同时具有界面钝化层20。
。本发明提供所述光探测器的制备方法，所含制备方法包括步骤：1)提供一锗衬底10，于所述锗衬底10表面形成第一绝缘层301和界面钝化层20；2)将所述形成了第一绝缘层301和界面钝化层20的锗衬底10采用衬底键合工艺转移到一支撑衬底40上，形成绝缘层上锗结构；3)采用机械研磨和选择性刻蚀等方法，减薄所述绝缘层上锗的锗衬底10厚度；4)于所述绝缘层上锗的锗衬底10上形成绝缘层上锗/界面钝化层20/第三绝缘层50结构；5)于所述绝缘层上锗的锗衬底上制作重掺杂区域和电极60。本发明利用绝缘层上锗结构制备光探测器，并且，通过在锗衬底表面和锗衬底-绝缘层界面同时引入界面钝化层，进一步降低光探测器的暗电流。
上述实施例仅是理性说明本发明的原理及其功效，而非用于限制本发明。任何熟悉此技术的人士皆可在不违背本发明的精神及范畴下，对上述实施例进行修饰或改变。因此，举凡所属技术领域中具有通常知识者在未脱离本发明所揭示的精神与技术思想下所完成的一切等效修饰或改变，仍应由本发明的权利要求所涵盖。
Claims (10)
1.一种光探测器，其特征在于，从下至上依次为：支撑衬底、绝缘层、界面钝化层、锗衬底、界面钝化层、绝缘层。
2.根据权利要求1所述的光探测器，其特征在于，所述锗衬底厚度为10nm至400nm。
3.根据权利要求1所述的光探测器，其特征在于，所述绝缘层的材料包括但不限于氧化硅，氧化铝及氧化铪。
4.根据权利要求1所述的光探测器，其特征在于，所述界面钝化层的材料包括但不限于氧化锗及硅。
5.一种光探测器的制备方法，其特征在于，该方法包括以下步骤：
1)提供一锗衬底，于所述锗衬底表面形成第一绝缘层和界面钝化层；
2)将形成了第一绝缘层和界面钝化层的锗衬底采用衬底键合工艺转移到一生长了第二绝缘层的支撑衬底上，形成绝缘层上锗结构；
3)减薄所述绝缘层上锗的锗衬底厚度；
4)于所述绝缘层上锗的锗衬底上形成绝缘层上锗/界面钝化层/第三绝缘层结构；
5)于所述绝缘层上锗的锗衬底上制作重掺杂区域和电极。
6.根据权利要求5所述的光探测器的制备方法，其特征在于，步骤1)中，采用原子层沉积工艺于所述锗衬底形成第一绝缘层。
7.根据权利要求5所述的光探测器的制备方法，其特征在于，步骤1)中，采用低温臭氧氧化及等离子体氧化工艺于锗衬底和第一绝缘层之间形成界面钝化层。
8.根据权利要求7所述的光探测器的制备方法，其特征在于，所述低温臭氧氧化及等离子体氧化工艺所用温度为25℃至350℃。
9.根据权利要求5所述的光探测器的制备方法，其特征在于，步骤3)中，采用机械研磨、化学机械研磨和选择性刻蚀等方法，减薄绝缘层上锗的锗衬底厚度，所述选择性刻蚀方法包括反应离子刻蚀和化学湿法刻蚀。
10.根据权利要求5所述的光探测器的制备方法，其特征在于，步骤3)中，所述绝缘层上锗的锗衬底厚度从100μm以上减小到500nm。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201710322180.9A CN107275416A (zh) | 2017-05-09 | 2017-05-09 | 一种光探测器及其制备方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201710322180.9A CN107275416A (zh) | 2017-05-09 | 2017-05-09 | 一种光探测器及其制备方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN107275416A true CN107275416A (zh) | 2017-10-20 |
Family
ID=60074115
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201710322180.9A Pending CN107275416A (zh) | 2017-05-09 | 2017-05-09 | 一种光探测器及其制备方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN107275416A (zh) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN115000208A (zh) * | 2022-04-26 | 2022-09-02 | 昆明物理研究所 | 碲化锡薄膜/锗异质结宽谱光电探测器及其制备方法 |
Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5525828A (en) * | 1991-10-31 | 1996-06-11 | International Business Machines Corporation | High speed silicon-based lateral junction photodetectors having recessed electrodes and thick oxide to reduce fringing fields |
| CN101981703A (zh) * | 2008-02-15 | 2011-02-23 | 新加坡科技研究局 | 具有化合价修正吸附物区域的光电探测器及其制备方法 |
| CN102169888A (zh) * | 2011-03-10 | 2011-08-31 | 清华大学 | 应变GeOI结构及其形成方法 |
| CN102201364A (zh) * | 2011-05-26 | 2011-09-28 | 北京大学 | 一种绝缘体上锗衬底的制备方法 |
| CN102339768A (zh) * | 2010-07-15 | 2012-02-01 | 硅绝缘体技术有限公司 | 形成键合半导体结构的方法及该方法形成的半导体结构 |
| CN105118804A (zh) * | 2015-09-29 | 2015-12-02 | 厦门大学 | 超薄硅薄膜钝化制备绝缘体上锗的方法 |
| CN105378937A (zh) * | 2013-08-02 | 2016-03-02 | 英特尔公司 | 低电压光电检测器 |
-
2017
- 2017-05-09 CN CN201710322180.9A patent/CN107275416A/zh active Pending
Patent Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5525828A (en) * | 1991-10-31 | 1996-06-11 | International Business Machines Corporation | High speed silicon-based lateral junction photodetectors having recessed electrodes and thick oxide to reduce fringing fields |
| CN101981703A (zh) * | 2008-02-15 | 2011-02-23 | 新加坡科技研究局 | 具有化合价修正吸附物区域的光电探测器及其制备方法 |
| CN102339768A (zh) * | 2010-07-15 | 2012-02-01 | 硅绝缘体技术有限公司 | 形成键合半导体结构的方法及该方法形成的半导体结构 |
| CN102169888A (zh) * | 2011-03-10 | 2011-08-31 | 清华大学 | 应变GeOI结构及其形成方法 |
| CN102201364A (zh) * | 2011-05-26 | 2011-09-28 | 北京大学 | 一种绝缘体上锗衬底的制备方法 |
| CN105378937A (zh) * | 2013-08-02 | 2016-03-02 | 英特尔公司 | 低电压光电检测器 |
| CN105118804A (zh) * | 2015-09-29 | 2015-12-02 | 厦门大学 | 超薄硅薄膜钝化制备绝缘体上锗的方法 |
Non-Patent Citations (3)
| Title |
|---|
| LONG CHEN: ""High performance germanium photodetectors integrated on submicron silicon waveguides by low temperature wafer bonding"", 《OPTICS EXPRESS》 * |
| MA XUE-ZHI: ""Reduction of Reactive-Ion Etching-Induced Ge Surface Roughness by SF6/CF4 Cyclic Etching for Ge Fin Fabrication"", 《CHIN.PHYS. LETT.》 * |
| RUI ZHANG: ""Aggressive EOT Scaling of Ge pMOSFETs With HfO2/AlOx /GeOx Gate-Stacks Fabricated by Ozone Postoxidation"", 《IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS》 * |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN115000208A (zh) * | 2022-04-26 | 2022-09-02 | 昆明物理研究所 | 碲化锡薄膜/锗异质结宽谱光电探测器及其制备方法 |
| CN115000208B (zh) * | 2022-04-26 | 2023-10-20 | 昆明物理研究所 | 碲化锡薄膜/锗异质结宽谱光电探测器及其制备方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| SG185248A1 (en) | A photodetector and a method of forming the same | |
| CN102904159B (zh) | 一种基于bcb键合工艺的混合集成激光器及其制作方法 | |
| WO2020103395A1 (zh) | 一种波导型光电探测器及其制造方法 | |
| CN110896112B (zh) | 波导集成的GeSn光电探测器及其制造方法 | |
| Zhao et al. | Design impact on the performance of Ge PIN photodetectors | |
| US20220350090A1 (en) | Photodetector with resonant waveguide structure | |
| CN112038441A (zh) | 一种波导耦合的硅基光电探测器及其制备方法 | |
| JP2021061395A (ja) | 太陽電池及びその製造方法 | |
| WO2022041550A1 (zh) | 一种雪崩光电探测器及其制备方法 | |
| CN110429157A (zh) | 太阳能电池的制备方法和太阳能电池 | |
| CN108878544A (zh) | 硅基光电探测器及其制作方法 | |
| TW201413986A (zh) | 太陽能電池 | |
| Wang et al. | High-performance GeSn photodetector covering all telecommunication bands | |
| Yoshiba et al. | Single crystalline silicon solar cells with rib structure | |
| CN112563349A (zh) | 一种光电探测器及其制备方法 | |
| CN103762265B (zh) | 基于标准cmos工艺的新型光互连结构及其制备方法 | |
| Li et al. | High performance silicon waveguide germanium photodetector | |
| CN102983225A (zh) | 一种局部背场的制备工艺 | |
| CN107275416A (zh) | 一种光探测器及其制备方法 | |
| CN111785791A (zh) | Ge光电探测器及其制备方法 | |
| JP2014154656A (ja) | 結晶シリコン型太陽電池、およびその製造方法 | |
| CN112379479B (zh) | 一种硅基光收发器件及其制备方法 | |
| CN116165813A (zh) | 光调制器及其形成方法 | |
| CN113270505B (zh) | 一种光电探测器结构及其制备方法 | |
| US10804418B2 (en) | Photodetector and method for fabricating the same |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| WD01 | Invention patent application deemed withdrawn after publication | ||
| WD01 | Invention patent application deemed withdrawn after publication |
Application publication date: 20171020 |