CN107266916B - 树脂组合物、树脂薄膜、树脂薄膜的制造方法、半导体装置的制造方法及半导体装置 - Google Patents
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Abstract
本发明所要解决的问题在于，提供一种树脂组合物和树脂薄膜，并提供一种该树脂薄膜的制造方法、被该树脂薄膜塑封的半导体装置及该半导体装置的制造方法，所述树脂组合物能够将晶片总括地塑封，尤其对于大直径、薄膜晶片具有良好的塑封性，同时在塑封后给予低翘曲性以及良好的晶片保护性能、良好的密合性、良好的可靠性及良好的耐热性，且能够良好地进行塑封工序，并且能够适合用于晶片级封装。本发明的解决问题的技术方案是一种树脂组合物，其特征在于，含有：(A)硅酮树脂，其具有由下述组成式(1)表示的构成单元且重量平均分子量为3000～500000；(B)环氧树脂固化剂；以及，(C)填料，
Description
技术领域
本发明涉及一种树脂组合物、树脂薄膜与其制造方法及半导体装置与其制造方法。
背景技术
近年来用于制造半导体装置的晶片(wafer)的尺寸持续大直径化、薄膜化，要求以晶片级对这些晶片进行密封的技术。因此，除过去的固体型环氧树脂的传递成型方法以外，还提案了一种使用液状型环氧树脂的压缩成型方法(专利文献1)。
但是，在传递成型中，由于使树脂流动到狭窄部分，因此担心引起电线变形，存在也容易发生伴随密封面积增加而引起的填充不良这样的问题。此外，在压缩成型法中存在以下问题：难以细微控制在晶片的端面部分的成型范围，并且当将液状密封树脂流入成型机时，不易使流动性与物性最优化。而且，随着近年的晶片尺寸的大直径化、晶片的薄膜化，至今为止未变成问题的塑封后的晶片翘曲开始成为问题，进一步也要求良好的晶片保护性能。因此，希望开发一种晶片塑封材料，其能够在不发生对晶片表面填充不良等问题的情况下，将晶片总括地塑封，在塑封后具有低翘曲性以及良好的晶片保护性能、良好的密合性、良好的可靠性及良好的耐热性。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：国际公开第2009/142065号公报。
发明内容
本发明是为了解决上述问题而完成的，其目的在于，提供一种树脂组合物和树脂薄膜，并提供一种该树脂薄膜的制造方法、被该树脂薄膜塑封的半导体装置及该半导体装置的制造方法，所述树脂组合物能够将晶片总括地塑封(晶片塑封)，尤其对于大直径、薄膜晶片具有良好的塑封性，同时在塑封后给予低翘曲性以及良好的晶片保护性能、良好的密合性、良好的可靠性及良好的耐热性，且能够良好地进行塑封工序，并且能够适合用于晶片级封装。
为了解决上述问题，本发明中提供一种树脂组合物，其特征在于，含有：
(A)硅酮树脂，其具有由下述组成式(1)表示的构成单元且重量平均分子量为3000～500000，
式(1)中，R1～R4各自独立地表示碳原子数1～8的一价烃基，其中，R3与R4不同时为甲基，m与n各自独立地为0～300的整数，a、b都是正数且a+b＝1，X各自独立地为由选自下述通式(2)、(3)、(4)及(5)的群组中的二价基团表示的连结基，当将(A)硅酮树脂中包含的由下述通式(2)表示的单元的摩尔数设为c、将由下述通式(3)表示的单元的摩尔数设为d、将由下述通式(4)表示的单元的摩尔数设为e、将由下述通式(5)表示的单元的摩尔数设为f时，e是正数，c、d及f各自是0或正数，满足c+d+e+f/(A)硅酮树脂中包含的由X表示的连结基的摩尔数＝1，且在将e设为1而得的比例的情况下，是在c+d＝1～10、f＝0～1的范围内，
式(2)中，V是选自以下式中的任一个二价有机基团，
-CH2-、
p是0或1，此外，R5表示氢原子或甲基，g是0～7的整数，R6和R7各自独立地为碳数1～4的烷基或烷氧基，可彼此不同也可相同，h是0、1及2中的任一个，
式(3)中，R8表示氢原子或甲基，q是0～7的整数，
式(4)中，Y是选自以下式中的任一个二价基团，R9、R10各自独立地表示氢原子或甲基，
上述式中，R各自独立地表示氢原子或甲基，
式(5)中，R12与R13各自独立地表示碳原子数1～8的一价烃基，其中，R12与R13不同时为甲基，r与s各自独立地为0～300的整数，此外，R11表示氢原子或甲基，k是0～7的整数；
(B)环氧树脂固化剂；以及，
(C)填料。
如果是含有这种具有特征的(A)硅酮树脂的树脂组合物，则能够形成为薄膜状，因此能够将晶片总括地塑封(晶片塑封)，尤其对于大直径、薄膜晶片具有良好的塑封性，同时在塑封后的密合性、低翘曲性、晶片保护性、可靠性及耐热性优异，成为一种能够适合用于晶片级封装的树脂组合物。
此外，优选为，前述通式(4)中的Y是选自以下式中的任一个二价基团：
如果是含有这种Y为上述连结基中的任一种的(A)硅酮树脂的树脂组合物，则容易形成为薄膜状，因此能够易于将晶片总括地塑封，尤其对于大直径、薄膜晶片具有进一步良好的塑封性，并且在塑封后的密合性、低翘曲性、晶片保护性、可靠性及耐热性更进一步优异，成为一种能够进一步适合用于晶片级封装的树脂组合物。
此外，优选为，前述(B)成分为胺系、酚系及酸酐系中的任一种环氧树脂固化剂。
如果是含有这种(B)环氧树脂固化剂的树脂组合物，则容易形成为薄膜状，因此能够易于将晶片总括地塑封，尤其对于大直径、薄膜晶片具有进一步良好的塑封性，并且在塑封后的密合性、低翘曲性、晶片保护性、可靠性及耐热性更进一步优异，成为一种能够进一步适合用于晶片级封装的树脂组合物。
此外，优选为，相对于100质量份的前述(A)成分，前述(B)成分为5～50质量份，且前述(C)成分相对于总质量的质量分率为50～95质量％。
如果是这种树脂组合物，则容易形成为薄膜状，因此能够易于将晶片总括地塑封，尤其对于大直径、薄膜晶片具有进一步良好的塑封性，并且在塑封后的密合性、低翘曲性、晶片保护性、可靠性及耐热性更进一步优异，成为一种能够进一步适合用于晶片级封装的树脂组合物。
此外，本发明的树脂组合物优选为，进一步含有环氧树脂固化促进剂。
这样一来，根据本发明的树脂组合物含有环氧树脂固化促进剂，使对晶片的密合性、晶片保护性进一步良好，因此能够进一步适合用于晶片级封装。
此外，本发明的树脂组合物优选为，进一步含有除前述(A)成分以外的环氧树脂。
这样一来，根据掺合除前述(A)成分以外的环氧树脂，能够进一步提高对晶片的密合性、保护性。
此外，优选为，前述(C)成分为二氧化硅。
这样一来，如果是(C)成分为二氧化硅的树脂组合物，则能够进一步提高晶片保护性，进一步提高耐热性、耐湿性、强度等，能够更进一步提高可靠性，因此是合适的。
此外，本发明中提供一种树脂薄膜，其特征在于，是将前述树脂组合物薄膜化而得到的。
如果是这种被形成为薄膜状的树脂薄膜，则对于晶片、尤其对于大直径、薄膜晶片具有良好的塑封性能，在将晶片总括地塑封时，不需要将树脂流入，因此不会发生对晶片表面填充不良等问题。此外，这种将本发明的树脂组合物薄膜化而得的树脂薄膜，成为一种晶片塑封材料，其同时一并具有对于晶片的良好密合性、晶片保护性、低翘曲性、可靠性及耐热性。
此外，本发明中提供一种树脂薄膜的制造方法，其特征在于，根据将前述树脂组合物覆盖在剥离薄膜上，来制作并准备两片以上的树脂形成薄膜，所述树脂形成薄膜在前述剥离薄膜上具有树脂组合物层，并且，将该两片以上的树脂形成薄膜相互的前述树脂组合物层彼此叠合。
此外，此时优选为，将前述准备的树脂形成薄膜中的至少一片，制成一种树脂形成薄膜，所述树脂形成薄膜在前述剥离薄膜上依次形成有前述树脂组合物层及用来保护该树脂组合物层的保护薄膜，并且，根据以使要相互积层的前述树脂组合物层暴露的方式，从前述树脂形成薄膜除去前述保护薄膜或前述剥离薄膜，并将已暴露的树脂组合物层彼此叠合，从而进行前述树脂形成薄膜相互的前述树脂组合物层彼此的叠合。
如果是这样的树脂薄膜的制造方法，则能够易于制造一种由多层树脂薄膜构成的复合树脂薄膜。
此外，本发明中提供一种半导体装置的制造方法，其特征在于，包括以下工序：将前述树脂薄膜贴附在半导体晶片上，并利用前述树脂薄膜将该半导体晶片塑封；以及，将该塑封后的半导体晶片单片化。
这样一来，被前述树脂薄膜塑封的半导体晶片，其翘曲少且充分被保护，因此，根据将所述半导体晶片单片化，能够制造一种产率良好且高质量的半导体装置。
此外，本发明中提供一种半导体装置，其特征在于，是将已被前述树脂薄膜的加热固化皮膜塑封后的半导体晶片单片化而得。
这样一来，被加热固化皮膜塑封后的半导体晶片是一种翘曲少且充分被保护的晶片，所述加热固化皮膜是对树脂薄膜进行加热固化而得的，根据将所述半导体晶片单片化而获得的半导体装置，成为一种无翘曲的高质量半导体装置。
本发明的树脂组合物，能够加工成薄膜状，因此对于晶片、尤其对于大直径、薄膜晶片具有良好的塑封性能。此外，塑封后的密合性、低翘曲性、晶片保护性、可靠性、耐热性优异，能够将晶片总括地塑封，因此成为一种能够适合用于晶片级封装的树脂薄膜。此外，如果是本发明的树脂薄膜的制造方法，则能够易于制造一种由多层构成的树脂薄膜。此外，如果是本发明的半导体装置及其制造方法，则能够提供一种产率良好且高质量的半导体装置。
附图说明
图1的(A)是表示被本发明的树脂总括地塑封后的晶片的一个例子的剖面图，(B)是表示被本发明的树脂总括地塑封后的晶片的另一个例子的剖面图。
具体实施方式
如前所述，近年来，希望开发一种晶片塑封材料，其能够在不发生对晶片表面填充不良等问题的情况下，将晶片总括地塑封，在塑封后具有良好的密合性、低翘曲性、良好的晶片保护性能、良好的可靠性及良好的耐热性。
因此，本发明人为了解决上述问题而反复专心研究，结果发现，根据组合下述(A)硅酮树脂与下述(B)环氧树脂固化剂，获得一种对晶片的密合性、固化后的低翘曲性、耐热性优异的树脂组合物，进一步发现，下述(C)填料会提高晶片保护性以及固化后的树脂组合物的可靠性，因此，从由这些成分组成的树脂组合物获得的树脂薄膜，成为一种同时一并具有对于晶片的优异密合性、晶片保护性、低翘曲性、可靠性、耐热性的晶片塑封材料，从而完成本发明。
以下，详细地说明本发明的树脂组合物、由该树脂组合物获得的树脂薄膜(复合薄膜)及其制造方法、半导体装置及其制造方法，但本发明不限于这些说明内容。
本发明的树脂组合物，是含有下述(A)硅酮树脂、下述(B)环氧树脂固化剂及(C)填料的树脂组合物。
[(A)硅酮树脂]
在本发明中，(A)成分的硅酮树脂是作为给予形成薄膜的能力的成分来发挥功能。此外，当使用所获得的树脂薄膜作为晶片塑封材料时，会给予对晶片的密合性、低翘曲性、良好的塑封性及耐热性。
此(A)成分的硅酮树脂，是具有由下述组成式(1)表示的构成单元且重量平均分子量为3000～500000的硅酮树脂。
式(1)中，R1～R4各自独立地表示碳原子数1～8的一价烃基。其中，R3与R4不同时为甲基，m与n各自独立地为0～300的整数，此外，a、b都是正数且a+b＝1。X各自独立地为由选自下述通式(2)、(3)、(4)及(5)的群组中的二价基团表示的连结基，当将(A)硅酮树脂中包含的由下述通式(2)表示的单元的摩尔数设为c、将由下述通式(3)表示的单元的摩尔数设为d、将由下述通式(4)表示的单元的摩尔数设为e、将由下述通式(5)表示的单元的摩尔数设为f时，e是正数，c、d及f各自是0或正数，满足c+d+e+f/(A)硅酮树脂中包含的由X表示的连结基的摩尔数＝1，且在将e设为1而得的比例的情况下，是在c+d＝1～10、f＝0～1的范围内。
式(2)中，V是选自以下式中的任一个二价有机基团，
-CH2-、
p是0或1。此外，R5表示氢原子或甲基，g是0～7的整数。R6和R7各自独立地为碳数1～4的烷基或烷氧基，可彼此不同也可相同。h是0、1及2中的任一个。
式(3)中，R8表示氢原子或甲基，q是0～7的整数。
式(4)中，Y是选自以下式中的任一个二价基团，R9、R10各自独立地表示氢原子或甲基。
上述式中，R各自独立地表示氢原子或甲基。
式(5)中，R12与R13各自独立地表示碳原子数1～8的一价烃基。其中，R12与R13不同时为甲基。r与s各自独立地为0～300的整数。此外，R11表示氢原子或甲基，k是0～7的整数。
本发明的(A)硅酮树脂是含有由上述式(1)表示的重复单元且重量平均分子量为3000～500000、优选为5000～200000的聚合物，所述重量平均分子量是以四氢呋喃作为洗脱溶剂，利用凝胶渗透层析法(GPC)测量且以聚苯乙烯换算而得。
a、b表示(A)硅酮树脂中的各重复单元的摩尔比，都是正数且a+b＝1，但优选为0.05≤a≤0.8，特别优选为0.1≤a≤0.7，并且优选为0.2≤b≤0.95，特别优选为0.3≤b≤0.9。各单元可以随机地键合，也可以作为嵌段聚合物来键合。
上述式(1)中，m与n各自独立地为0～300的整数，优选为m是0～200，特别优选为m是0～100，并且优选为n是0～200，特别优选为n是0～100。
此外，X各自独立地为由选自上述通式(2)、(3)、(4)及(5)的群组中的二价基团表示的连结基，当将由上述通式(2)表示的单元的摩尔数设为c、将由上述通式(3)表示的单元的摩尔数设为d、将由上述通式(4)表示的单元的摩尔数设为e、将由上述通式(5)表示的单元的摩尔数设为f时，e是正数，c、d及f各自是0或正数，满足c+d+e+f/(A)硅酮树脂中包含的由X表示的连结基的摩尔数＝1，且在将e设为1而得的比例的情况下，是在c+d＝1～10、优选为c+d＝2～10，且f＝0～1、优选为f＝0～0.5的范围内。
此外，R1～R4各自独立地为碳原子数1～8的一价烃基，优选为碳原子数1～6的一价烃基，可以列举，烷基、环烷基、芳基等，并且可以列举例如，甲基、乙基、丙基、己基、环己基及苯基等。其中，从取得原料的容易程度来说，优选为甲基和苯基。其中，R3与R4不同时为甲基。
上述式(2)中，R5表示氢原子或甲基，R6和R7各自独立地为碳数1～4的烷基或烷氧基，可彼此不同也可相同。作为R6和R7，可以列举例如，甲基、乙基、丙基、丁基、甲氧基、乙氧基、丙氧基、丁氧基等。g是0～7的整数。p是0或1，h是0、1及2中的任一个。
上述式(3)中，R8表示氢原子或甲基，q是0～7的整数。上述式(4)中，R9、R10各自独立地表示氢原子或甲基。
此外，在上述中，上述式(4)中的Y优选为，选自下述连结基中的任一个。
上述式(5)中，R12与R13各自独立地表示碳原子数1～8的一价烃基，但R12与R13不同时为甲基。r与s各自独立地为0～300的整数，优选为r是0～200、特别优选为r是0～100，并且优选为s是0～200、特别优选为s是0～100。此外，R11表示氢原子或甲基，k是0～7的整数。
[(A)硅酮树脂的制造方法]
本发明中的(A)硅酮树脂，可以根据以下方式制造：使用从由下述通式(6)、下述通式(7)、下述通式(8)、下述通式(9)、下述通式(10)及下述通式(11)表示的化合物中选择出来的化合物，在金属催化剂存在下，进行加成聚合。
式(7)中，R1～R4各自独立地表示碳原子数1～8的一价烃基。其中，R3与R4不同时为甲基，m与n各自独立地为0～300的整数。
式(8)中，V是选自以下式中的任一个二价有机基团，
-CH2-、
p是0或1。此外，R5表示氢原子或甲基，g是0～7的整数。R6和R7各自独立地为碳数1～4的烷基或烷氧基，可彼此不同也可相同。h是0、1及2中的任一个。
式(9)中，R8表示氢原子或甲基，q是0～7的整数。
式(10)中，Y是选自以下式中的任一个二价基团，R9、R10各自独立地表示氢原子或甲基。
上述式中，R各自独立地表示氢原子或甲基。
式(11)中，R12与R13各自独立地表示碳原子数1～8的一价烃基。其中，R12与R13不同时为甲基。r与s各自独立地为0～300的整数。此外，R11表示氢原子或甲基，k是0～7的整数。
金属催化剂，可以使用例如，铂(包含铂黑)、铑、钯等铂族金属单质；H2PtCl4·xH2O、H2PtCl6·xH2O、NaHPtCl6·xH2O、KHPtCl6·xH2O、Na2PtCl6·xH2O、K2PtCl4·xH2O、PtCl4·xH2O、PtCl2、Na2HPtCl4·xH2O(所述式中，x优选为0～6的整数，特别优选为0或6)等氯化铂、氯铂酸及氯铂酸盐；醇改性氯铂酸(例如美国专利第3220972号中记载的物质)；氯铂酸与烯烃的络合物(例如美国专利第3159601号说明书、美国专利第3159662号说明书及美国专利第3775452号说明书中记载的物质)；氧化铝、二氧化硅、碳等载体上承载有铂黑和钯等铂族金属而得的物质；铑-烯烃络合物；氯化三(三苯基膦)合铑(所谓的威尔金森催化剂)；以及，氯化铂、氯铂酸或氯铂酸与含乙烯基硅氧烷(尤其是含乙烯基环状硅氧烷)的络合物。
催化剂的使用量，只要是催化剂量即可，就铂族金属来说，相对于提供用于反应的原料化合物的总量，是0.0001～0.1质量％，优选为0.001～0.01质量％。即使不存在溶剂，也能够实施加成反应，但可以根据需要来使用溶剂。作为溶剂，例如，优选为甲苯、二甲苯等烃系溶剂。反应温度，只要是催化剂不会失去活性并且能够在短时间内结束聚合的温度即可，例如40～150℃，特别优选为60～120℃。反应时间，只要根据聚合物的种类和量来适当选择即可，例如0.5～100小时，特别优选为0.5～30小时。当使用溶剂时，是在反应结束后实行减压馏除来馏除溶剂。
反应方法并无特别限制，但当使例如由式(6)表示的化合物、由式(7)表示的化合物、由式(8)表示的化合物及由式(10)表示的化合物反应时，优选为以下方法：首先混合由式(8)和式(10)表示的化合物并进行升温后，对前述混合液添加金属催化剂，接着耗费0.1～5小时来滴入由式(6)和式(7)表示的化合物。
各化合物的掺合比优选为，以由上述式(6)和式(7)表示的化合物所具有的氢硅烷基(hydrosilyl group)的摩尔数的总计、与由上述式(8)、上述式(9)、上述式(10)及上述式(11)表示的化合物所具有的烯基的摩尔数的总计，成为氢硅烷基的摩尔数的总计相对于烯基的摩尔数的总计是0.67～1.67、优选为0.83～1.25的方式，来进行掺合。聚合物的重量平均分子量能够根据以下方式控制：使用像邻烯丙基苯酚这种单烯丙基化合物、或像三乙基氢硅烷这种单氢硅烷和单氢硅氧烷来作为分子量调整剂。
[(B)环氧树脂固化剂]
(B)成分是用来与具有环氧基的(A)硅酮树脂进行交联反应的成分，利用加入(B)成分，会更提高树脂对晶片的密合性、保护性、可靠性。在本发明中，环氧树脂固化剂只要是通常使用于环氧树脂的固化的环氧树脂固化剂即可，并无特别限定，但从耐热性的观点来说，更优选为芳香族系固化剂和脂环式固化剂。
作为这种环氧树脂固化剂，可以列举例如，胺系固化剂、酚系固化剂、酸酐系固化剂、三氟化硼胺络盐等，特别优选为，胺系固化剂、酚系固化剂及酸酐系固化剂中的任一种环氧树脂固化剂。此外，环氧树脂固化剂可以单独地使用一种，也可以将两种以上并用。
作为胺系固化剂，可以列举例如，二亚乙基三胺、三亚乙基四胺、四亚乙基五胺等脂肪族胺系固化剂；异佛尔酮二胺等脂环式胺系固化剂；二氨基二苯基甲烷、苯二胺等芳香族胺系固化剂；二氰二胺等。
此外，也可以使用酚系固化剂作为环氧树脂固化剂。作为该酚系固化剂，可以列举例如，苯酚和双酚A、对叔丁基苯酚、辛基苯酚、对枯烯基苯酚等烷基苯酚；以对苯基苯酚、甲酚等作为原料来制备而得的甲阶酚醛(resol)型酚树脂及/或酚醛清漆型酚树脂。
作为酸酐系固化剂，可以列举例如，邻苯二甲酸酐、均苯四甲酸酐、偏苯三甲酸酐、六氢邻苯二甲酸酐等。
(B)环氧树脂固化剂的掺合量并无特别限制，但相对于100质量份的(A)成分，优选为5～50质量份，更优选为5～45质量份。如果环氧树脂固化剂的掺合量在上述范围内，则树脂组合物的密合性、保护性会进一步提高。此外，该树脂组合物的固化物会成为一种可靠性优异的固化物，因此优选。
[(C)填料]
(C)成分对于本发明的树脂组合物，能够给予芯片保护性，进一步地，提高耐热性、耐湿性、强度等，提高可靠性。作为填料，可以列举例如，滑石、煅烧粘土、未煅烧粘土、云母、玻璃等硅酸盐；氧化钛、氧化铝、熔融二氧化硅(熔融球状二氧化硅、熔融破碎二氧化硅)、结晶二氧化硅粉末等氧化物；碳酸钙、碳酸镁、水滑石等碳酸盐；氢氧化铝、氢氧化镁、氢氧化钙等氢氧化物；硫酸钡、硫酸钙、亚硫酸钙等硫酸盐或亚硫酸盐；硼酸锌、偏硼酸钡、硼酸铝、硼酸钙、硼酸钠等硼酸盐；氮化铝、氮化硼、氮化硅等氮化物等。这些填料可以单独地混合一种，也可以将两种以上一起混合。
这些填料中，优选为熔融二氧化硅、结晶二氧化硅等的二氧化硅粉末。作为前述二氧化硅粉末，可列举例如，气相二氧化硅(fumed silica)、沉淀性二氧化硅等增强性二氧化硅；石英等结晶性二氧化硅。具体来说，可以例示，日本AEROSIL股份有限公司制造的Aerosil R972、R974、R976；雅都玛股份有限公司((株)アドマテックス)制造的SE-2050、SC-2050、SE-1050、SO-E1、SO-C1、SO-E2、SO-C2、SO-E3、SO-C3、SO-E5、SO-C5；信越化学工业股份有限公司制造的Musil120A、Musil130A等。
填料的平均粒径并无特别限定，但优选为0.01μm以上且20μm以下，特别优选为0.01μm以上且10μm以下。如果填料的平均粒径为上述0.01μm以上，则填料不易凝集，强度变高，因此优选。此外，如果是20μm以下，则薄膜系性能变高，树脂向芯片间流动的流动性变高，填充性变良好，因此优选。另外，平均粒径可以利用根据激光衍射法的粒度分布测量装置来求得，能以质量平均值D50(即累积质量成为50％时的粒径或中值径)来测量。
填料的含量优选为，相对于本发明的树脂组合物的总质量，设为50质量％以上且95质量％以下(优选为60质量％以上且92质量％以下)。如果填充量的含量为95质量％以下，则薄膜系性能变高，树脂的流动性变高，使填充性良好，因此优选。此外，如果是50质量％以上，则会充分发挥作为填充量的效果。
<环氧树脂固化促进剂>
此外，本发明的树脂组合物，除前述环氧树脂固化剂以外，还可以进一步含有环氧树脂固化促进剂。根据含有环氧树脂固化促进剂，能够适当且均匀地进展固化反应。相对于100质量份的(A)成分，环氧树脂固化促进剂的掺合量是0.1～10质量份，特别优选为0.2～5质量份。
环氧树脂固化促进剂，可以列举例如，2-甲基咪唑、2-乙基咪唑、2-乙基-4-甲基咪唑及这些化合物的异氰酸乙酯化合物、2-苯基咪唑、2-苯基-4-甲基咪唑、2-苯基-4-甲基-5-羟基甲基咪唑、2-苯基-4,5-二羟基甲基咪唑等咪唑化合物；1,8-二氮杂二环[5.4.0]十一碳-7-烯(DBU)、1,5-二氮杂二环[4.3.0]壬-5-烯(DBN)、DBU的有机酸盐、DBU的酚树脂盐、DBU衍生物的四苯基硼酸盐等DBU系化合物；三苯基膦、三丁基膦、三(对甲基苯基)膦、三(对甲氧基苯基)膦、三(对乙氧基苯基)膦、三苯基膦-三苯基硼、四苯基硼酸四苯基膦等三有机基膦类、四级鏻盐；三苯基硼酸三亚乙基铵等三级胺及其四苯基硼酸盐等。上述环氧树脂固化促进剂可以单独地使用一种，也可以将两种以上并用。
<环氧树脂>
本发明的树脂组合物中，为了提高对晶片的密合性、保护性的目的，也可以进一步添加除(A)硅酮树脂以外的环氧树脂。环氧树脂与(A)硅酮树脂都与环氧树脂固化剂(B)进行交联反应，因此树脂对晶片的密合性、保护性、可靠性会更提高。
环氧树脂，可以列举例如，双酚A型环氧树脂、双酚F型环氧树脂、或对这些环氧树脂进行氢化而得的环氧树脂、苯酚酚醛清漆型环氧树脂、甲酚酚醛清漆型环氧树脂等缩水甘油基醚系环氧树脂；六氢邻苯二甲酸缩水甘油酯、二聚物酸缩水甘油酯等缩水甘油酯系环氧树脂；异氰尿酸三缩水甘油酯、四缩水甘油基二氨基二苯基甲烷等缩水甘油基胺系环氧树脂等；可以优选地列举，双酚A型环氧树脂、双酚F型环氧树脂、苯酚酚醛清漆型环氧树脂、甲酚酚醛清漆型环氧树脂。作为这些环氧树脂的市售品，可以列举例如，商品名jER1001(三菱化学股份有限公司制造)、EPICLON 830S(DIC股份有限公司制造)、jER517(三菱化学股份有限公司制造)、EOCN103S(日本化药股份有限公司制造)等。
环氧树脂的掺合量，当掺合所述环氧树脂时，相对于100质量份的(A)成分，是1～50质量份，特别优选为2～30质量份。
<硅烷偶联剂>
本发明的树脂组合物可以包含硅烷偶联剂。根据包含硅烷偶联剂，能够更进一步提高树脂组合物对被粘着物(晶片)的密合性。
作为硅烷偶联剂，可以列举，环氧硅烷偶联剂、含芳香族的氨基硅烷偶联剂等。这些硅烷偶联剂可以单独地使用，也可以将两种以上组合使用。硅烷偶联剂的含量并无特别限定，但当掺合所述硅烷偶联剂时，优选为设成本发明的树脂组合物的总质量的0.01质量％以上且5质量％以下。
此外，本发明的树脂组合物可以包含除上述以外的成分。例如，为了提高(A)硅酮树脂与(B)环氧树脂固化剂的相溶性，或是为了提高树脂组合物的储存稳定性或作业性等各种特性，可以适当添加各种添加剂。可以添加例如，脂肪酸酯、甘油酸酯、硬脂酸锌、硬脂酸钙等内部脱模剂；酚系、磷系或硫系抗氧化剂等。
<有机溶剂>
可以使用有机溶剂作为其他任意成分。即，本发明的树脂组合物能以无溶剂的方式使用，但也可以先溶解或分散于有机溶剂中，来制备作成溶液或分散液(以下仅称作“溶液”)再使用。作为此有机溶剂，可以列举，N,N-二甲基乙酰胺、甲基乙基酮、N,N-二甲基甲酰胺、环己酮、环戊酮、N-甲基-2-吡咯烷酮、甲苯、甲醇、乙醇、异丙醇、丙酮、丙二醇单甲基醚、丙二醇单甲基醚乙酸酯等，可以优选地列举，甲基乙基酮、环戊酮、丙二醇单甲基醚、丙二醇单甲基醚乙酸酯。这些有机溶剂可以单独地使用一种，也可以将两种以上并用。
＜树脂薄膜＞
本发明的树脂组合物优选为，形成为薄膜状。如果是这种将本发明的树脂组合物薄膜化而成的树脂薄膜，则尤其对于大直径、薄膜晶片具有良好的塑封性，当将晶片总括地塑封时，不需要将树脂流入。因此能够根本地消除过去传递成型可能产生的电线变形、对晶片表面填充不良以及压缩成型法可能产生的控制成型范围的困难度、液状密封树脂的流动性与物性的问题。
树脂薄膜的厚度并无特别限制，但优选为50μm以上且1000μm以下，进一步地，更优选为80μm以上且700μm以下。如果是这样的厚度，则会成为一种低翘曲性、保护性进一步优异的树脂薄膜，因此优选。
因此，本发明提供一种将前述树脂组合物薄膜化而形成的树脂薄膜。例如，利用附有保护层的树脂薄膜的方案，来提供这种树脂薄膜，所述附有保护层的树脂薄膜具有该树脂薄膜与用来覆盖该树脂薄膜的保护层。该保护层可以使用以下说明的保护层。以下说明本发明的树脂薄膜的制造方法的一个例子。
(树脂薄膜的制造方法)
预先混合本发明的(A)硅酮树脂、(B)环氧树脂固化剂、(C)填料，并根据需要来混合其他任意成分(包含有机溶剂)，来制作已制备成液状的树脂组合物溶液，使用反转辊式涂布器、逗号辊涂布器(comma coater)等，将该树脂组合物溶液涂布在保护层(剥离薄膜)上。使前述涂布有树脂组合物溶液的保护层通过内联式干燥器(inline dryer)，在80～160℃耗费2～20分钟除去有机溶剂，由此，使其干燥，接着使用辊式层压机，与另一保护层(保护薄膜)压合，来进行积层，由此，能够获得一种将本发明的树脂组合物薄膜化而形成的树脂薄膜。
另外，在本发明中，“剥离薄膜”是指覆盖有本发明的树脂组合物的薄膜，之后会被从由本发明的树脂组合物形成的树脂组合物层剥离。此外，“保护薄膜”是指用来覆盖并保护已被形成于剥离薄膜上的树脂组合物的薄膜。
此外，作为上述压合条件并无特别限制，但优选为，以温度50～100℃、线压0.5～5kgf/cm、速度0.1～5m/min的条件进行层压。
此外，作为另一方案，可以根据以下方式来制造一种由多层构成的复合树脂薄膜：根据将本发明的树脂组合物覆盖在剥离薄膜上，来制作并准备两片以上的树脂形成薄膜，所述树脂形成薄膜在前述剥离薄膜上具有树脂组合物层，并且，将该两片以上的树脂形成薄膜相互的前述树脂组合物层彼此叠合。
此外，此时优选为，将前述准备的树脂形成薄膜中的至少一片，制成一种树脂形成薄膜，所述树脂形成薄膜在前述剥离薄膜上依次形成有前述树脂组合物层及用来保护该树脂组合物层的保护薄膜，并且，根据以使要相互积层的前述树脂组合物层暴露的方式，从前述树脂形成薄膜除去前述保护薄膜或前述剥离薄膜，并将已暴露的树脂组合物层彼此叠合，从而进行前述树脂形成薄膜相互的前述树脂组合物层彼此的叠合。
这样一来，根据从树脂形成薄膜即由保护层(剥离薄膜)/树脂薄膜/保护层(保护薄膜)构成的积层体，除去任一保护层，并将残留的树脂薄膜/保护层彼此贴合，从而能够获得一种直接积层有2层以上树脂的树脂薄膜，并且，根据反复此过程，能够获得一种由多层树脂薄膜构成的积层体，优选为由2～4层构成的树脂薄膜，在本发明中是合适的。积层时优选为，一边以30～120℃进行升温，一边将薄膜彼此积层。
＜保护薄膜/剥离薄膜(保护层)＞
作为用来保护树脂薄膜(树脂组合物层)的保护薄膜、和涂布有树脂组合物溶液的剥离薄膜，只要是在无损由本发明的树脂组合物构成的树脂薄膜的形态的情况下可以剥离的薄膜，都无特别限定，但可以列举，作为晶片用的保护薄膜和剥离薄膜来活用的薄膜，通常是聚乙烯(PE)薄膜、聚丙烯(PP)薄膜、聚甲基戊烯(TPX)薄膜、施加脱模处理后的聚酯薄膜等塑胶薄膜。此外，剥离力优选为50～300mN/min，厚度是25～100μm，优选为38～75μm。
(被塑封的晶片)
作为总括地被本发明的树脂薄膜塑封的晶片，并无特别限制，但可以是表面装载有半导体元件(芯片)的晶片，也可以是表面制作有半导体元件的半导体晶片。本发明的树脂薄膜，在塑封前对于这种晶片表面的填充性良好，此外，在塑封后具有低翘曲性，对这种晶片的保护性优异。此外，本发明的树脂薄膜并无特别限制，但可以适合用于塑封直径8英寸(200mm)以上、例如直径8英寸(200mm)、12英寸(300mm)等大直径的晶片和薄膜晶片。此外，作为薄型晶片，优选为用于被薄型加工成厚度5～300μm的晶片。
(晶片的塑封方法)
关于使用本发明的树脂薄膜来实行的晶片的塑封方法，并无特别限定，但可以列举例如以下方法：将已被贴在树脂薄膜上的其中一保护层剥离，如图1所示，以将晶片2的电路面塑封的方式，配合电路面积来贴附树脂薄膜1(图1(A))；以及，以覆盖整个晶片2的方式，总括地将树脂薄膜1贴附在晶片2上(图1(B))。可以根据例如以下方式进行：使用高鸟股份有限公司制造的真空层压机(产品名：TEAM-100RF)，将真空腔室内设定成真空度50～1000Pa、优选为设定成50～500Pa、例如设定成100Pa，并在80～200℃、优选为在80～130℃、例如在100℃将贴有另一保护层的树脂薄膜总括地密合于上述晶片上，回归到常压后，将上述晶片冷却到室温为止，并从上述真空层压机取出，剥离另一保护层。然后，可以在120～220℃且15～180分钟的条件下对树脂薄膜进行加热固化。
＜半导体装置＞
进一步地，本发明中提供一种具有加热固化皮膜的半导体装置，其是将已被加热固化皮膜塑封后的半导体晶片单片化而得，所述加热固化皮膜是对前述树脂薄膜进行加热固化而得。塑封后的半导体晶片，是以塑封树脂面或晶片面接触于切割胶带等半导体加工用保护胶带的方式粘贴，并设置于切割器的吸附台上，此塑封后的半导体晶片是使用具备切割刀片的切片锯(dicing saw)(例如迪斯科(DISCO)公司制造的DFD6361)来切割。切割时的主轴旋转数和切割速度只要适当选择即可，但通常是主轴旋转数25000～45000rpm、切割速度10～50mm/sec。此外，单片化的尺寸是根据半导体封装体的设计，但大致是2mm×2mm～30mm×30mm左右。
根据本发明，通过使用切割刀片来实行的切割来将翘曲少且充分被保护的晶片单片化，从而获得的半导体装置，成为一种产率良好的高质量半导体装置。
＜半导体装置的制造方法＞
此外，本发明中提供一种半导体装置的制造方法，其特征在于，包括以下工序：将本发明的树脂薄膜贴附在半导体晶片上，并利用前述树脂薄膜将该半导体晶片塑封；以及，将该塑封后的半导体晶片单片化。
具体来说，可以列举例如以下方法：将双面形成有保护层的树脂薄膜的其中一保护层从树脂薄膜剥离，并将已露出的树脂薄膜贴附在半导体晶片的表面，然后将另一保护层从树脂薄膜剥离，并利用树脂薄膜将半导体晶片塑封，然后将塑封后的半导体晶片单片化。
[实施例]
以下表示合成例、实施例及比较例，进一步说明本发明，但本发明不受限于下述实施例。
下述合成例中，各聚合物的重量平均分子量是使用GPC管柱TSKgel Super HZM-H(东曹股份有限公司制造)，在流量为0.6毫升/分钟、洗脱溶剂为四氢呋喃、管柱温度为40℃的分析条件下，根据以单分散聚苯乙烯作为标准的凝胶渗透层析法(GPC)来进行测量。
合成例、比较合成例中使用的化合物如以下所示。
(合成例1)
在具备搅拌机、温度计、氮气取代装置及回流冷却器的3L烧瓶内，加入由上述式(S-1)表示的化合物84.1g(0.20摩尔)、由上述式(S-2)表示的化合物66.3g(0.25摩尔)、由上述式(S-3)表示的化合物28.5g(0.05摩尔)后，加入甲苯2000g，并升温到70℃。然后，投入氯铂酸甲苯溶液(铂浓度0.5质量％)1.0g，并耗费1小时滴入由上述式(S-5)表示的化合物58.3g(0.30摩尔)和由上述式(S-6)表示的化合物(y＝40)553g(0.20摩尔)(氢硅烷基的总计摩尔数/烯基的总计摩尔数＝1/1，硅酮含率70.0质量％，在将S-3的摩尔数e设为1的情况下，S-1的摩尔数c、S-2的摩尔数d是c+d＝9，S-4的摩尔数f是f＝0)。滴入结束后，升温到100℃为止，熟化6小时后，从反应溶液将甲苯减压馏除而获得生成物，所获得的生成物根据GPC测量出来的以聚苯乙烯换算而得的重量平均分子量是45000。将所获得的树脂设为树脂(1)，并提供用于实施例、比较例。
(合成例2)
在具备搅拌机、温度计、氮气取代装置及回流冷却器的3L烧瓶内，加入由上述式(S-2)表示的化合物44.1g(0.167摩尔)、由上述式(S-3)表示的化合物94.9g(0.167摩尔)、由上述式(S-4)表示的化合物31.0g(0.167摩尔)后，加入甲苯2000g，并升温到70℃。然后，投入氯铂酸甲苯溶液(铂浓度0.5质量％)1.0g，并耗费1小时滴入由上述式(S-5)表示的化合物58.3g(0.30摩尔)和由上述式(S-6)表示的化合物(y＝10)141g(0.20摩尔)(氢硅烷基的总计摩尔数/烯基的总计摩尔数＝1/1，硅酮含率46.6质量％，在将S-3的摩尔数e设为1的情况下，c+d＝1，f＝1)。滴入结束后，升温到100℃为止，熟化6小时后，从反应溶液将甲苯减压馏除而获得生成物，所获得的生成物根据GPC测量出来的以聚苯乙烯换算而得的重量平均分子量是41000。将所获得的树脂设为树脂(2)，并提供用于实施例。
(合成例3)
在具备搅拌机、温度计、氮气取代装置及回流冷却器的3L烧瓶内，加入由上述式(S-1)表示的化合物84.1g(0.20摩尔)、由上述式(S-2)表示的化合物53.0g(0.20摩尔)、由上述式(S-3)表示的化合物28.5g(0.05摩尔)、由上述式(S-4)表示的化合物9.3g(0.05摩尔)后，加入甲苯2000g，并升温到70℃。然后，投入氯铂酸甲苯溶液(铂浓度0.5质量％)1.0g，并耗费1小时滴入由上述式(S-5)表示的化合物58.3g(0.30摩尔)和由上述式(S-6)表示的化合物(y＝20)317g(0.20摩尔)(氢硅烷基的总计摩尔数/烯基的总计摩尔数＝1/1，硅酮含率59.3质量％，在将S-3的摩尔数e设为1的情况下，c+d＝8，f＝0)。滴入结束后，升温到100℃为止，熟化6小时后，从反应溶液将甲苯减压馏除而获得生成物，所获得的生成物根据GPC测量出来的以聚苯乙烯换算而得的重量平均分子量是43000。将所获得的树脂设为树脂(3)，并提供用于实施例。
(合成例4)
在具备搅拌机、温度计、氮气取代装置及回流冷却器的3L烧瓶内，加入由上述式(S-2)表示的化合物66.3g(0.25摩尔)、由上述式(S-3)表示的化合物143g(0.25摩尔)后，加入甲苯2000g，并升温到70℃。然后，投入氯铂酸甲苯溶液(铂浓度0.5质量％)1.0g，并耗费1小时滴入由上述式(S-5)表示的化合物58.3g(0.30摩尔)和由上述式(S-6)表示的化合物(y＝40)553g(0.20摩尔)(氢硅烷基的总计摩尔数/烯基的总计摩尔数＝1/1，硅酮含率67.4质量％，在将S-3的摩尔数e设为1的情况下，c+d＝1，f＝0)。滴入结束后，升温到100℃为止，熟化6小时后，从反应溶液将甲苯减压馏除而获得生成物，所获得的生成物根据GPC测量出来的以聚苯乙烯换算而得的重量平均分子量是39000。将所获得的树脂设为树脂(4)，并提供用于实施例。
(比较合成例1)
在具备搅拌机、温度计、氮气取代装置及回流冷却器的3L烧瓶内，加入由上述式(S-1)表示的化合物210g(0.50摩尔)后，加入甲苯2000g，并升温到70℃。然后，投入氯铂酸甲苯溶液(铂浓度0.5质量％)1.0g，并耗费1小时滴入由上述式(S-5)表示的化合物58.3g(0.30摩尔)和由上述式(S-6)表示的化合物(y＝40)553g(0.20摩尔)(氢硅烷基的总计摩尔数/烯基的总计摩尔数＝1/1，硅酮含率67.3质量％，由于不含S-3，因此S-3摩尔数e＝0)。滴入结束后，升温到100℃为止，熟化6小时后，从反应溶液将甲苯减压馏除而获得生成物，所获得的生成物根据GPC测量出来的以聚苯乙烯换算而得的重量平均分子量是42000。将所获得的树脂设为树脂(5)，并提供用于比较例。
(比较合成例2)
在具备搅拌机、温度计、氮气取代装置及回流冷却器的3L烧瓶内，加入由上述式(S-3)表示的化合物28.5g(0.05摩尔)、由上述式(S-7)表示的化合物194g(0.45摩尔)后，加入甲苯2000g，并升温到70℃。然后，投入氯铂酸甲苯溶液(铂浓度0.5质量％)1.0g，并耗费1小时滴入由上述式(S-5)表示的化合物58.3g(0.30摩尔)和由上述式(S-6)表示的化合物(y＝40)553g(0.20摩尔)(氢硅烷基的总计摩尔数/烯基的总计摩尔数＝1/1，硅酮含率66.4质量％，在将S-3的摩尔数e设为1的情况下，c+d＝0，f＝0)。滴入结束后，升温到100℃为止，熟化6小时后，从反应溶液将甲苯减压馏除而获得生成物，所获得的生成物根据GPC测量出来的以聚苯乙烯换算而得的重量平均分子量是45000。将所获得的树脂设为树脂(6)，并提供用于比较例。
＜树脂组合物的制备＞
(实施例1-1～1-6)
按照下述表1中记载的组成，掺合(A)上述合成例1～4所合成的硅酮树脂(上述树脂(1)～(4))、(B)环氧树脂固化剂、环氧树脂固化促进剂、(C)填料及任意成分。进一步地，添加固体成分浓度成为75质量％的量的环戊酮，并使用球磨机搅拌，进行混合和溶解分散，来制备树脂组合物的分散液(实施例1-1～1-6)。另外，表1中的表示掺合量的数值的单位是“质量份”。
(比较例1-1～1-3)
此外，比较例1-1是不含本发明中的(A)硅酮树脂的必要单元(由上述式(4)表示的单元)但包含与本发明中的(A)硅酮树脂不同的硅酮树脂(上述树脂(5))的树脂组合物，为未满足本发明的要件的组合物。比较例1-2是包含与本发明中的(A)硅酮树脂不同的硅酮树脂(上述树脂(6))的树脂组合物，为未满足本发明的要件的组合物。比较例1-3是包含本发明中的(A)硅酮树脂的组合物，但不含(C)填料，为未满足本发明的要件的组合物。
用于制备树脂组合物的各成分如下所述。
(B)环氧树脂固化剂
·PHENOLITE TD-2093(DIC股份有限公司制造，苯酚酚醛清漆树脂，OH当量：98～102)
·RIKACID HH(商品名)(新日本理化股份有限公司制造，六氢邻苯二甲酸酐，分子量：154)
进一步地，使用以下所示的环氧树脂固化促进剂。
环氧树脂固化促进剂：
·CUREZOL 2P4MHZ(商品名)(四国化成工业股份有限公司制造，2-苯基-4-甲基-5-羟基甲基咪唑)
(C)填料
·二氧化硅(雅都玛股份有限公司制造，平均粒径5.0μm)
＜其他成分＞
·EOCN-103S(商品名)(日本化药股份有限公司制造的环氧树脂，环氧当量：209～219)
此处，环氧当量是指各成分的每一分子具有的环氧基的当量。
[表1]
[树脂薄膜的制造]
用于制造树脂薄膜的剥离薄膜和保护薄膜，如以下所示。
剥离薄膜(1)：E7304(东洋纺绩股份有限公司制造的聚酯，厚度75μm，剥离力200mN/50mm)
剥离薄膜(2)：E7302(东洋纺绩股份有限公司制造的聚酯，厚度75μm，剥离力90mN/50mm)
保护薄膜：聚乙烯薄膜(100μm)
(实施例2-1)
使用模具涂布器作为薄膜涂布器，并使用上述E7304作为剥离薄膜(1)，将表1的实施例1-1所示的树脂组合物涂布在剥离薄膜上。接着，使其通过已设定成100℃的热风循环烘箱(长度4m)5分钟，由此，在上述剥离薄膜(1)上形成膜厚100μm的树脂薄膜。
接下来，从树脂薄膜上，使用层压辊，以线压力10N/cm贴合聚乙烯薄膜(厚度100μm)，来制作由剥离薄膜(1)/树脂薄膜/保护薄膜构成的积层薄膜(1)。
此外，使用上述E7302作为剥离薄膜(2)来代替剥离薄膜(1)，除此以外，与上述同样地进行，来制作由剥离薄膜(2)/树脂薄膜/保护薄膜构成的积层薄膜(2)。
进一步地，将所获得的积层薄膜(1)、(2)各自的聚乙烯薄膜(保护薄膜)除去，并将树脂薄膜彼此叠合，投入到已升温到60℃的热辊式层压机中，来制造具有膜厚为200μm的树脂薄膜且由剥离薄膜(1)/树脂薄膜/剥离薄膜(2)构成的复合薄膜。
(实施例2-2～2-6、比较例2-1～2-3)
利用与实施例2-1同样的方法，并使用实施例1-2～1-4、实施例1-6、比较例1-1～1-3所制备的树脂组合物，来制造具有膜厚为200μm的树脂薄膜的复合薄膜(实施例2-2～2-4、实施例2-6、比较例2-1～2-3)。此外，实施例2-5中，是使用与实施例1-4相同的树脂组合物也就是实施例1-5的树脂组合物，来制作膜厚为500μm的树脂薄膜。
[树脂薄膜对晶片的塑封]
准备晶片厚度100μm、直径12英寸(300mm)的硅晶片。对于实施例2-1～2-6及比较例2-1～2-3所制造的复合薄膜，将剥离薄膜(2)剥离，并使用真空层压机(高鸟股份有限公司制造，产品名：TEAM-300M)，将真空腔室内设定成真空度250Pa，在110℃，将树脂薄膜总括地贴附在上述硅晶片上。回归到常压后，将上述硅晶片冷却到25℃，并从上述真空层压机中取出，将残留的剥离薄膜(1)剥离。对所获得的附有树脂薄膜的晶片，根据在惰性烘箱(inert oven)中在180℃加热2小时，来进行树脂的固化。
[评价1：晶片翘曲量]
对树脂薄膜固化后的晶片翘曲量进行激光器(东朋科技股份有限公司制造，FLX-3300-T)测量，将所获得的值表示于表2中。另外，当翘曲量大而无法利用本装置测量时，表示使用规尺(JIS1级)测量而得的值。
[评价2：晶片支持性]
晶片支持性是测量在支持晶片的端部时的晶片的挠曲量，将20mm以内设为良好，将超过20mm的情况判断为不良，并将结果表示于表2中。
[评价3：密合力]
使用真空薄膜层压机(温度：100℃，压力：100Pa，TEAM-100，高鸟股份有限公司制造)，将各树脂薄膜贴合在直径6英寸(150mm)的半导体晶片(厚度625μm，信越化学工业股份有限公司制造)上。接着，使用具备切割刀片的切片锯(DAD685，DISCO公司制造)，切割成2mm×2mm见方的大小。在另外准备的15mm×15mm见方的硅晶片(基底基板)上，隔着树脂薄膜，以50mN的荷重将2mm×2mm见方的芯片贴合。然后，在180℃加热2小时使树脂薄膜固化，来获得试验片。分别制造各5个试验片，并提供用于以下的粘着力测量试验。
使用接合试验机(Dage系列4000-PXY：达歌(Dage)公司制造)，测量半导体芯片(2mm×2mm)从基底基板(15mm×15mm见方的硅晶片)剥离时所施加的抵抗力，来评价树脂薄膜层的密合力。试验条件是以试验速度200μm/sec、试验高度50μm来进行。将结果表示于表2中。表2所示的数值分别为5个试验片中的测量值的平均，数值越高，表示粘着薄片的粘着力越高。
[评价4：可靠性]
对固化后的附有树脂薄膜的晶片，使用具备切割刀片的切片锯(DAD685，DISCO公司制造，主轴旋转数是40000rpm，切割速度是20mm/sec)，来获得10mm×10mm见方的试验片。将所获得的试验片(分别各10片)提供用于热循环试验(在-25℃保持10分钟、在125℃保持10分钟，反复进行1000个循环)，并确认热循环后的树脂薄膜从晶片剥离的状态。将完全没有发生剥离的情形设为良好，将只要有1个发生剥离的情形就设为不良，并将判定的结果表示于表2中。
[评价5：耐热性]
测量在评价4所制作的试验片的试验前质量，然后将试验片放置于已加热到200℃的烘箱中1000小时后，从烘箱取出试验片，测量试验后质量。将试验前后的质量变化率小于0.5质量百分率的情况设为良好，将试验前后的质量变化率为0.5质量百分率以上的情况设为不良，并将判定的结果表示于表2中。
[表2]
由以上结果可知，由本发明的树脂组合物获得的树脂薄膜(实施例2-1～2-6)，与比较例2-1～2-3的树脂薄膜相比，晶片的翘曲量少，晶片支持性、密合性、可靠性、耐热性优异。
如以上说明，如果是本发明的树脂组合物，则能够形成为薄膜状，因此能够将晶片总括地塑封(晶片塑封)，显示对于大直径、薄膜晶片具有良好的塑封性。此外，由本发明的树脂组合物获得的树脂薄膜，显示低翘曲性和晶片保护性优异，密合性、可靠性、耐热性也优异。
另外，本发明并不限于上述的实施方式。上述实施方式是例示，只要是具有与本发明的权利要求书中记载的技术思想实质相同的构成并发挥同样的作用效果的技术方案，都被包括在本发明的技术范围中。
Claims (18)
1.一种树脂组合物，其特征在于，含有：
(A)硅酮树脂，具有由下述组成式(1)表示的构成单元且重量平均分子量为3000～500000，
式(1)中，R1～R4各自独立地表示碳原子数1～8的一价烃基，R3与R4不同时为甲基，m与n各自独立地为0～300的整数，a、b都是正数且a+b＝1，X各自独立地为由选自下述通式(2)、(3)、(4)及(5)的群组中的二价基团表示的连结基，当将(A)硅酮树脂中包含的由下述通式(2)表示的单元的摩尔数设为c、将由下述通式(3)表示的单元的摩尔数设为d、将由下述通式(4)表示的单元的摩尔数设为e、将由下述通式(5)表示的单元的摩尔数设为f时，d及e是正数，c及f各自是0或正数，满足c+d+e+f/(A)硅酮树脂中包含的由X表示的连结基的摩尔数＝1，且在将e设为1而得的比例的情况下，是在c+d＝1～10、f＝0～1的范围内，
式(2)中，V是选自以下式中的任一个二价有机基团，
p是0或1，此外，R5表示氢原子或甲基，g是0～7的整数，R6和R7各自独立地为碳数1～4的烷基或烷氧基，彼此不同或相同，h是0、1及2中的任一个，
式(3)中，R8表示氢原子或甲基，q是0～7的整数，
式(4)中，Y是选自以下式中的任一个二价基团，R9、R10各自独立地表示氢原子或甲基，
上述式中，R各自独立地表示氢原子或甲基，
式(5)中，R12与R13各自独立地表示碳原子数1～8的一价烃基，R12与R13不同时为甲基，r与s各自独立地为0～300的整数，此外，R11表示氢原子或甲基，k是0～7的整数；
(B)环氧树脂固化剂；以及，
(C)填料。
2.如权利要求1所述的树脂组合物，其中，前述通式(4)中的Y是选自以下式中的任一个二价基团：
3.如权利要求1所述的树脂组合物，其中，前述(B)成分为胺系、酚系及酸酐系中的任一种环氧树脂固化剂。
4.如权利要求2所述的树脂组合物，其中，前述(B)成分为胺系、酚系及酸酐系中的任一种环氧树脂固化剂。
5.如权利要求1所述的树脂组合物，其中，相对于100质量份的前述(A)成分，前述(B)成分为5～50质量份，且前述(C)成分相对于总质量的质量分率为50～95质量％。
6.如权利要求2所述的树脂组合物，其中，相对于100质量份的前述(A)成分，前述(B)成分为5～50质量份，且前述(C)成分相对于总质量的质量分率为50～95质量％。
7.如权利要求3所述的树脂组合物，其中，相对于100质量份的前述(A)成分，前述(B)成分为5～50质量份，且前述(C)成分相对于总质量的质量分率为50～95质量％。
8.如权利要求4所述的树脂组合物，其中，相对于100质量份的前述(A)成分，前述(B)成分为5～50质量份，且前述(C)成分相对于总质量的质量分率为50～95质量％。
9.如权利要求1所述的树脂组合物，其中，前述(A)硅酮树脂中包含的由前述通式(2)表示的单元的摩尔数c为正数。
10.如权利要求1至9中任一项所述的树脂组合物，其中，进一步含有环氧树脂固化促进剂。
11.如权利要求1至9中任一项所述的树脂组合物，其中，进一步含有除前述(A)成分以外的环氧树脂。
12.如权利要求10所述的树脂组合物，其中，进一步含有除前述(A)成分以外的环氧树脂。
13.如权利要求1至9中任一项所述的树脂组合物，其中，前述(C)成分为二氧化硅。
14.一种树脂薄膜，其特征在于，是将权利要求1至9中任一项所述的树脂组合物薄膜化而得到的。
15.一种树脂薄膜的制造方法，其特征在于，根据将权利要求1至9中任一项所述的树脂组合物覆盖在剥离薄膜上，来制作并准备两片以上的树脂形成薄膜，所述树脂形成薄膜在前述剥离薄膜上具有树脂组合物层，
将该两片以上的树脂形成薄膜相互的前述树脂组合物层彼此叠合。
16.如权利要求15所述的树脂薄膜的制造方法，其中，将前述准备的树脂形成薄膜中的至少一片，制成一种树脂形成薄膜，所述树脂形成薄膜在前述剥离薄膜上依次形成有前述树脂组合物层及用来保护该树脂组合物层的保护薄膜，并且，根据以使要相互积层的前述树脂组合物层暴露的方式，从前述树脂形成薄膜除去前述保护薄膜或前述剥离薄膜，并将已暴露的树脂组合物层彼此叠合，从而进行前述树脂形成薄膜相互的前述树脂组合物层彼此的叠合。
17.一种半导体装置的制造方法，其特征在于，包括以下工序：将权利要求14所述的树脂薄膜贴附在半导体晶片上，并利用前述树脂薄膜将该半导体晶片塑封；以及，将该塑封后的半导体晶片单片化。
18.一种半导体装置，其特征在于，是将已被权利要求14所述的树脂薄膜的加热固化被膜塑封后的半导体晶片单片化而得到的。
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