CN107240612A - 单晶硅太阳能板 - Google Patents
单晶硅太阳能板 Download PDFInfo
- Publication number
- CN107240612A CN107240612A CN201710418324.0A CN201710418324A CN107240612A CN 107240612 A CN107240612 A CN 107240612A CN 201710418324 A CN201710418324 A CN 201710418324A CN 107240612 A CN107240612 A CN 107240612A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- parts
- mono
- crystalline silicon
- silicon solar
- solar plate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 36
- 229910002601 GaN Inorganic materials 0.000 claims abstract description 32
- JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N Gallium nitride Chemical compound [Ga]#N JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 32
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 claims abstract description 18
- 239000005336 safety glass Substances 0.000 claims abstract description 18
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 18
- 239000006117 anti-reflective coating Substances 0.000 claims abstract description 17
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 claims abstract description 9
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 claims abstract description 9
- CDBYLPFSWZWCQE-UHFFFAOYSA-L Sodium Carbonate Chemical compound [Na+].[Na+].[O-]C([O-])=O CDBYLPFSWZWCQE-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims description 16
- UQSXHKLRYXJYBZ-UHFFFAOYSA-N Iron oxide Chemical compound [Fe]=O UQSXHKLRYXJYBZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 14
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 14
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 14
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 14
- 239000002994 raw material Substances 0.000 claims description 14
- UYTPUPDQBNUYGX-UHFFFAOYSA-N guanine Chemical compound O=C1NC(N)=NC2=C1N=CN2 UYTPUPDQBNUYGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 8
- RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);zirconium(4+) Chemical compound [O-2].[O-2].[Zr+4] RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 229910000029 sodium carbonate Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 229910001928 zirconium oxide Inorganic materials 0.000 claims description 8
- VGGSQFUCUMXWEO-UHFFFAOYSA-N Ethene Chemical compound C=C VGGSQFUCUMXWEO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 229920002367 Polyisobutene Polymers 0.000 claims description 7
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- XTXRWKRVRITETP-UHFFFAOYSA-N Vinyl acetate Chemical compound CC(=O)OC=C XTXRWKRVRITETP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 125000000484 butyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 claims description 7
- 235000012241 calcium silicate Nutrition 0.000 claims description 7
- 239000005018 casein Substances 0.000 claims description 7
- BECPQYXYKAMYBN-UHFFFAOYSA-N casein, tech. Chemical compound NCCCCC(C(O)=O)N=C(O)C(CC(O)=O)N=C(O)C(CCC(O)=N)N=C(O)C(CC(C)C)N=C(O)C(CCC(O)=O)N=C(O)C(CC(O)=O)N=C(O)C(CCC(O)=O)N=C(O)C(C(C)O)N=C(O)C(CCC(O)=N)N=C(O)C(CCC(O)=N)N=C(O)C(CCC(O)=N)N=C(O)C(CCC(O)=O)N=C(O)C(CCC(O)=O)N=C(O)C(COP(O)(O)=O)N=C(O)C(CCC(O)=N)N=C(O)C(N)CC1=CC=CC=C1 BECPQYXYKAMYBN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 235000021240 caseins Nutrition 0.000 claims description 7
- 229920006218 cellulose propionate Polymers 0.000 claims description 7
- 239000004794 expanded polystyrene Substances 0.000 claims description 7
- 210000004209 hair Anatomy 0.000 claims description 7
- 229910000480 nickel oxide Inorganic materials 0.000 claims description 7
- GNRSAWUEBMWBQH-UHFFFAOYSA-N oxonickel Chemical compound [Ni]=O GNRSAWUEBMWBQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 229920000058 polyacrylate Polymers 0.000 claims description 7
- 229920001230 polyarylate Polymers 0.000 claims description 7
- 229920000915 polyvinyl chloride Polymers 0.000 claims description 7
- 239000004800 polyvinyl chloride Substances 0.000 claims description 7
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 claims description 7
- 239000004408 titanium dioxide Substances 0.000 claims description 7
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 claims description 7
- NUJOXMJBOLGQSY-UHFFFAOYSA-N manganese dioxide Chemical compound O=[Mn]=O NUJOXMJBOLGQSY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- KXGFMDJXCMQABM-UHFFFAOYSA-N 2-methoxy-6-methylphenol Chemical compound [CH]OC1=CC=CC([CH])=C1O KXGFMDJXCMQABM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 230000003667 anti-reflective effect Effects 0.000 claims description 2
- 239000005011 phenolic resin Substances 0.000 claims description 2
- 229920001568 phenolic resin Polymers 0.000 claims description 2
- 230000008021 deposition Effects 0.000 claims 1
- 239000007792 gaseous phase Substances 0.000 claims 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 abstract description 4
- 230000005611 electricity Effects 0.000 abstract description 4
- 230000009466 transformation Effects 0.000 abstract description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 abstract description 3
- 230000008033 biological extinction Effects 0.000 abstract description 2
- 239000005038 ethylene vinyl acetate Substances 0.000 abstract 1
- AMWRITDGCCNYAT-UHFFFAOYSA-L hydroxy(oxo)manganese;manganese Chemical compound [Mn].O[Mn]=O.O[Mn]=O AMWRITDGCCNYAT-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 10
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 6
- -1 phenolic aldehyde Chemical class 0.000 description 5
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 4
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 3
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 239000002178 crystalline material Substances 0.000 description 1
- 230000002708 enhancing effect Effects 0.000 description 1
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 238000013082 photovoltaic technology Methods 0.000 description 1
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 230000035939 shock Effects 0.000 description 1
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
- H01L31/042—PV modules or arrays of single PV cells
- H01L31/048—Encapsulation of modules
- H01L31/0481—Encapsulation of modules characterised by the composition of the encapsulation material
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C3/00—Glass compositions
- C03C3/04—Glass compositions containing silica
- C03C3/062—Glass compositions containing silica with less than 40% silica by weight
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C3/00—Glass compositions
- C03C3/04—Glass compositions containing silica
- C03C3/076—Glass compositions containing silica with 40% to 90% silica, by weight
- C03C3/078—Glass compositions containing silica with 40% to 90% silica, by weight containing an oxide of a divalent metal, e.g. an oxide of zinc
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08L—COMPOSITIONS OF MACROMOLECULAR COMPOUNDS
- C08L23/00—Compositions of homopolymers or copolymers of unsaturated aliphatic hydrocarbons having only one carbon-to-carbon double bond; Compositions of derivatives of such polymers
- C08L23/02—Compositions of homopolymers or copolymers of unsaturated aliphatic hydrocarbons having only one carbon-to-carbon double bond; Compositions of derivatives of such polymers not modified by chemical after-treatment
- C08L23/04—Homopolymers or copolymers of ethene
- C08L23/08—Copolymers of ethene
- C08L23/0846—Copolymers of ethene with unsaturated hydrocarbons containing other atoms than carbon or hydrogen atoms
- C08L23/0853—Vinylacetate
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/02—Details
- H01L31/0216—Coatings
- H01L31/02161—Coatings for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
- H01L31/02167—Coatings for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for solar cells
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08L—COMPOSITIONS OF MACROMOLECULAR COMPOUNDS
- C08L2205/00—Polymer mixtures characterised by other features
- C08L2205/03—Polymer mixtures characterised by other features containing three or more polymers in a blend
- C08L2205/035—Polymer mixtures characterised by other features containing three or more polymers in a blend containing four or more polymers in a blend
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Photovoltaic Devices (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Geochemistry & Mineralogy (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Sustainable Development (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Medicinal Chemistry (AREA)
- Polymers & Plastics (AREA)
- Sustainable Energy (AREA)
Abstract
一种单晶硅太阳能板，所述单晶硅太阳能板从上至下分别由钢化玻璃、EVA、减反射膜、太阳能电池板芯片组成，所述太阳能电池板芯片与所述减反射膜接触面上蒸镀有缓冲层。本发明通过蒸镀一层缓冲层(氮化镓)，减少氮化硅与单晶硅之间的晶格失配，提高太阳能电池板芯片的吸光量，同时氮化镓薄层本身就是很好的透光材料，不会影响到太阳光的入射；制得的单晶硅太阳能板光电转换效率可达到26％以上，使用15～20年依然保持较高的光电转化效率。
Description
技术领域
本发明涉及太阳能技术领域，具体涉及一种单晶硅太阳能板。
背景技术
单晶硅是一种比较活泼的非金属元素，是晶体材料的重要组成部分，处于新材料发展的前沿。其主要用途是用作半导体材料和利用太阳能光伏发电、供热等。由于太阳能具有清洁、环保、方便等诸多优势，近三十年来，太阳能利用技术在研究开发、商业化生产、市场开拓方面都获得了长足发展，成为世界快速、稳定发展的新兴产业之一。
单晶硅可以用于二极管级、整流器件级、电路级以及太阳能电池级单晶产品的生产和深加工制造，其后续产品集成电路和半导体分离器件已广泛应用于各个领域，在军事电子设备中也占有重要地位。
在光伏技术和微小型半导体逆变器技术飞速发展的今天，利用硅单晶所生产的太阳能电池可以直接把太阳能转化为光能，实现了迈向绿色能源革命的开始。北京2008年奥运会将把绿色奥运做为重要展示面向全世界展现，单晶硅的利用在其中将是非常重要的一环。现在，国外的太阳能光伏电站已经到了理论成熟阶段，正在向实际应用阶段过渡，太阳能硅单晶的利用将是普及到全世界范围，市场需求量不言而喻。
目前单晶硅太阳能电池的光电转换效率为18％左右，最高的达到24％，如何进一步提高单晶硅太阳能电池的光电转化效率是摆在研发人员面前迫切需要解决的问题。
发明内容
本发明为解决上述问题，提供一种光电转换效率高、使用寿命长的单晶硅太阳能板。
本发明所要解决的技术问题采用以下的技术方案来实现：
一种单晶硅太阳能板，所述单晶硅太阳能板从上至下分别由钢化玻璃、EVA、减反射膜、太阳能电池板芯片组成。
所述太阳能电池板芯片与所述减反射膜接触面上蒸镀有缓冲层。
所述缓冲层为氮化镓层。
所述氮化镓层厚度为10～12nm。
所述氮化镓层通过化学气相沉积蒸镀在所述太阳能电池板芯片上。
所述减反射膜为氮化硅。
所述氮化硅厚度为50～70nm。
所述钢化玻璃包括以下重量份的原料：
二氧化硅30-50份，珠光粉0.2-0.6份，氧化锆0.1-0.3份，碳酸钠5-8份，硅酸钙2-4份，银粉0.2-0.8份，二氧化锰0.3-0.5份，二氧化钛0.5-0.8份，氧化铁0.1-0.3份，氮化镓0.2-0.5份，氧化锌0.5-0.8份，氧化镍0.3-0.7份。
所述EVA由以下重量份的原料组成：
乙烯20-30份，醋酸乙烯脂20-25份，醋酸-丙酸纤维素1.0-1.5份，氯化聚乙烯1.2-1.8份，酪蛋白0.3-0.5份，发泡聚苯乙烯0.6-0.8份，聚芳酯1.5-2.0份，聚丙烯酸丁酯0.2-0.4份，聚氯乙烯0.6-1.0份发，酚醛树脂0.3-0.7份，聚异丁烯0.5-0.8份。
本发明的有益效果为：单晶硅组成的太阳能电池板芯片在其表面直接蒸镀减反射膜，特别是当减反射膜为氮化硅时，由于氮化硅与单晶硅之间的晶格失配，在接触面产生较大的应力，从而使缺陷增多，过多的缺陷造成太阳光不能有效的到达太阳能电池板芯片，进而影响到光电转化效率，通过蒸镀一层缓冲层(氮化镓)，减少氮化硅与单晶硅之间的晶格失配，提高太阳能电池板芯片的吸光量，同时氮化镓薄层本身就是很好的透光材料，不会影响到太阳光的入射；钢化玻璃中添加珠光粉、氧化锆、碳酸钠等添加剂，使得钢化玻璃透光率更高，同时增强钢化玻璃抗腐蚀、耐油污能力，延长其使用寿命；本发明提供的EVA配方，制得的EVA抗拉强度大于35MPa，可见光透射率在98％以上，粘接强度在3～5kg/cm，同时具有较好的耐热、耐湿性，抗冲击性能好；本发明制得的单晶硅太阳能板光电转换效率可达到26％以上，使用15～20年依然保持较高的光电转化效率。
具体实施方式
为了使本发明实现的技术手段、创作特征、达成目的与功效易于明白了解，下面结合实施例，进一步阐述本发明。
实施例1
一种单晶硅太阳能板，所述单晶硅太阳能板从上至下分别由钢化玻璃、EVA、减反射膜、太阳能电池板芯片组成。
所述太阳能电池板芯片与所述减反射膜接触面上蒸镀有缓冲层。
所述缓冲层为氮化镓层。
所述氮化镓层厚度为10nm。
所述氮化镓层通过化学气相沉积蒸镀在所述太阳能电池板芯片上。
所述减反射膜为氮化硅。
所述氮化硅厚度为50nm。
所述钢化玻璃包括以下重量份的原料：
二氧化硅30份，珠光粉0.2份，氧化锆0.1份，碳酸钠5份，硅酸钙2份，银粉0.2份，二氧化锰0.3份，二氧化钛0.5份，氧化铁0.1份，氮化镓0.2份，氧化锌0.5份，氧化镍0.3份。
所述EVA由以下重量份的原料组成：
乙烯20份，醋酸乙烯脂20份，醋酸-丙酸纤维素1.0份，氯化聚乙烯1.2份，酪蛋白0.3份，发泡聚苯乙烯0.6份，聚芳酯1.5份，聚丙烯酸丁酯0.2份，聚氯乙烯0.6份发，酚醛树脂0.3份，聚异丁烯0.5份。
实施例2
一种单晶硅太阳能板，所述单晶硅太阳能板从上至下分别由钢化玻璃、EVA、减反射膜、太阳能电池板芯片组成。
所述太阳能电池板芯片与所述减反射膜接触面上蒸镀有缓冲层。
所述缓冲层为氮化镓层。
所述氮化镓层厚度为11nm。
所述氮化镓层通过化学气相沉积蒸镀在所述太阳能电池板芯片上。
所述减反射膜为氮化硅。
所述氮化硅厚度为60nm。
所述钢化玻璃包括以下重量份的原料：
二氧化硅40份，珠光粉0.4份，氧化锆0.2份，碳酸钠6份，硅酸钙3份，银粉0.5份，二氧化锰0.4份，二氧化钛0.6份，氧化铁0.2份，氮化镓0.3份，氧化锌0.7份，氧化镍0.5份。
所述EVA由以下重量份的原料组成：
乙烯20份，醋酸乙烯脂20份，醋酸-丙酸纤维素1.0份，氯化聚乙烯1.2份，酪蛋白0.3份，发泡聚苯乙烯0.6份，聚芳酯1.5份，聚丙烯酸丁酯0.2份，聚氯乙烯0.6份发，酚醛树脂0.3份，聚异丁烯0.5份。
实施例3
一种单晶硅太阳能板，所述单晶硅太阳能板从上至下分别由钢化玻璃、EVA、减反射膜、太阳能电池板芯片组成。
所述太阳能电池板芯片与所述减反射膜接触面上蒸镀有缓冲层。
所述缓冲层为氮化镓层。
所述氮化镓层厚度为12nm。
所述氮化镓层通过化学气相沉积蒸镀在所述太阳能电池板芯片上。
所述减反射膜为氮化硅。
所述氮化硅厚度为70nm。
所述钢化玻璃包括以下重量份的原料：
二氧化硅50份，珠光粉0.6份，氧化锆0.3份，碳酸钠8份，硅酸钙4份，银粉0.8份，二氧化锰0.5份，二氧化钛0.8份，氧化铁0.3份，氮化镓0.5份，氧化锌0.8份，氧化镍0.7份。
所述EVA由以下重量份的原料组成：
乙烯20份，醋酸乙烯脂20份，醋酸-丙酸纤维素1.0份，氯化聚乙烯1.2份，酪蛋白0.3份，发泡聚苯乙烯0.6份，聚芳酯1.5份，聚丙烯酸丁酯0.2份，聚氯乙烯0.6份发，酚醛树脂0.3份，聚异丁烯0.5份。
实施例4
一种单晶硅太阳能板，所述单晶硅太阳能板从上至下分别由钢化玻璃、EVA、减反射膜、太阳能电池板芯片组成。
所述太阳能电池板芯片与所述减反射膜接触面上蒸镀有缓冲层。
所述缓冲层为氮化镓层。
所述氮化镓层厚度为11nm。
所述氮化镓层通过化学气相沉积蒸镀在所述太阳能电池板芯片上。
所述减反射膜为氮化硅。
所述氮化硅厚度为60nm。
所述钢化玻璃包括以下重量份的原料：
二氧化硅40份，珠光粉0.4份，氧化锆0.2份，碳酸钠6份，硅酸钙3份，银粉0.5份，二氧化锰0.4份，二氧化钛0.6份，氧化铁0.2份，氮化镓0.3份，氧化锌0.7份，氧化镍0.5份。
所述EVA由以下重量份的原料组成：
乙烯25份，醋酸乙烯脂23份，醋酸-丙酸纤维素1.3份，氯化聚乙烯1.5份，酪蛋白0.4份，发泡聚苯乙烯0.7份，聚芳酯1.8份，聚丙烯酸丁酯0.3份，聚氯乙烯0.8份发，酚醛树脂0.5份，聚异丁烯0.6份。
实施例5
一种单晶硅太阳能板，所述单晶硅太阳能板从上至下分别由钢化玻璃、EVA、减反射膜、太阳能电池板芯片组成。
所述太阳能电池板芯片与所述减反射膜接触面上蒸镀有缓冲层。
所述缓冲层为氮化镓层。
所述氮化镓层厚度为11nm。
所述氮化镓层通过化学气相沉积蒸镀在所述太阳能电池板芯片上。
所述减反射膜为氮化硅。
所述氮化硅厚度为60nm。
所述钢化玻璃包括以下重量份的原料：
二氧化硅40份，珠光粉0.4份，氧化锆0.2份，碳酸钠6份，硅酸钙3份，银粉0.5份，二氧化锰0.4份，二氧化钛0.6份，氧化铁0.2份，氮化镓0.3份，氧化锌0.7份，氧化镍0.5份。
所述EVA由以下重量份的原料组成：
乙烯30份，醋酸乙烯脂25份，醋酸-丙酸纤维素1.5份，氯化聚乙烯1.8份，酪蛋白0.5份，发泡聚苯乙烯0.8份，聚芳酯2.0份，聚丙烯酸丁酯0.4份，聚氯乙烯1.0份发，酚醛树脂0.7份，聚异丁烯0.8份。
以上显示和描述了本发明的基本原理、主要特征和本发明的优点。本行业的技术人员应该了解，本发明不受上述实施例的限制，上述实施例和说明书中描述的仅为本发明的优选例，并不用来限制本发明，在不脱离本发明精神和范围的前提下，本发明还会有各种变化和改进，这些变化和改进都落入要求保护的本发明范围内。本发明要求保护范围由所附的权利要求书及其等效物界定。
Claims (8)
1.一种单晶硅太阳能板，所述单晶硅太阳能板从上至下分别由钢化玻璃、EVA、减反射膜、太阳能电池板芯片组成，其特征在于，所述太阳能电池板芯片与所述减反射膜接触面上蒸镀有缓冲层。
2.如权利要求1所述的单晶硅太阳能板，其特征在于，所述缓冲层为氮化镓层。
3.如权利要求2所述的单晶硅太阳能板，其特征在于，所述氮化镓层厚度为10～12nm。
4.如权利要求2或3所述的单晶硅太阳能板，其特征在于，所述氮化镓层通过化学气相沉积蒸镀在所述太阳能电池板芯片上。
5.如权利要求1所述的单晶硅太阳能板，其特征在于，所述减反射膜为氮化硅。
6.如权利要求5所述的单晶硅太阳能板，其特征在于，所述氮化硅厚度为50～70nm。
7.如权利要求1所述的单晶硅太阳能板，其特征在于，所述钢化玻璃包括以下重量份的原料：
二氧化硅30-50份，珠光粉0.2-0.6份，氧化锆0.1-0.3份，碳酸钠5-8份，硅酸钙2-4份，银粉0.2-0.8份，二氧化锰0.3-0.5份，二氧化钛0.5-0.8份，氧化铁0.1-0.3份，氮化镓0.2-0.5份，氧化锌0.5-0.8份，氧化镍0.3-0.7份。
8.如权利要求1所述的单晶硅太阳能板，其特征在于，所述EVA由以下重量份的原料组成：
乙烯20-30份，醋酸乙烯脂20-25份，醋酸-丙酸纤维素1.0-1.5份，氯化聚乙烯1.2-1.8份，酪蛋白0.3-0.5份，发泡聚苯乙烯0.6-0.8份，聚芳酯1.5-2.0份，聚丙烯酸丁酯0.2-0.4份，聚氯乙烯0.6-1.0份发，酚醛树脂0.3-0.7份，聚异丁烯0.5-0.8份。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201710418324.0A CN107240612B (zh) | 2017-06-06 | 2017-06-06 | 单晶硅太阳能板 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201710418324.0A CN107240612B (zh) | 2017-06-06 | 2017-06-06 | 单晶硅太阳能板 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN107240612A true CN107240612A (zh) | 2017-10-10 |
| CN107240612B CN107240612B (zh) | 2019-02-12 |
Family
ID=59985353
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201710418324.0A Expired - Fee Related CN107240612B (zh) | 2017-06-06 | 2017-06-06 | 单晶硅太阳能板 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN107240612B (zh) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN107648935A (zh) * | 2017-11-07 | 2018-02-02 | 邵莹 | 真空过滤机 |
| CN107935452A (zh) * | 2017-12-14 | 2018-04-20 | 马鞍山松鹤信息科技有限公司 | 一种光伏太阳能发电板专用材料及其制备方法 |
Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20100096006A1 (en) * | 2008-10-16 | 2010-04-22 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Monolithic imod color enhanced photovoltaic cell |
| CN101866967A (zh) * | 2010-04-30 | 2010-10-20 | 华中科技大学 | 太阳能电池 |
| CN102080244A (zh) * | 2010-11-23 | 2011-06-01 | 中国科学院电工研究所 | 一种硅基介质膜的制备方法 |
| CN103746008A (zh) * | 2014-01-23 | 2014-04-23 | 通用光伏能源(烟台)有限公司 | 一种太阳能电池用减反射层及其制备工艺 |
| CN104409536A (zh) * | 2014-12-08 | 2015-03-11 | 常州天合光能有限公司 | 用于建筑内部装饰的彩色光伏组件及其制备方法 |
| CN106663700A (zh) * | 2014-06-27 | 2017-05-10 | 太阳能公司 | 用高能隙(eg)材料钝化太阳能电池的光接收表面 |
-
2017
- 2017-06-06 CN CN201710418324.0A patent/CN107240612B/zh not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20100096006A1 (en) * | 2008-10-16 | 2010-04-22 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Monolithic imod color enhanced photovoltaic cell |
| CN101866967A (zh) * | 2010-04-30 | 2010-10-20 | 华中科技大学 | 太阳能电池 |
| CN102080244A (zh) * | 2010-11-23 | 2011-06-01 | 中国科学院电工研究所 | 一种硅基介质膜的制备方法 |
| CN103746008A (zh) * | 2014-01-23 | 2014-04-23 | 通用光伏能源(烟台)有限公司 | 一种太阳能电池用减反射层及其制备工艺 |
| CN106663700A (zh) * | 2014-06-27 | 2017-05-10 | 太阳能公司 | 用高能隙(eg)材料钝化太阳能电池的光接收表面 |
| CN104409536A (zh) * | 2014-12-08 | 2015-03-11 | 常州天合光能有限公司 | 用于建筑内部装饰的彩色光伏组件及其制备方法 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN107648935A (zh) * | 2017-11-07 | 2018-02-02 | 邵莹 | 真空过滤机 |
| CN107935452A (zh) * | 2017-12-14 | 2018-04-20 | 马鞍山松鹤信息科技有限公司 | 一种光伏太阳能发电板专用材料及其制备方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN107240612B (zh) | 2019-02-12 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN104064613B (zh) | 一种高散热型太阳能电池用一体化背板及其制造方法 | |
| CN103887347A (zh) | 一种双面p型晶体硅电池结构及其制备方法 | |
| CN101097968A (zh) | 一种高效叠层太阳能电池及其制备方法 | |
| CN103943717A (zh) | 一种采用管式pecvd制备太阳能电池叠层减反射膜的方法 | |
| CN107240612B (zh) | 单晶硅太阳能板 | |
| CN206259371U (zh) | 一种多孔硅太阳能电池组件 | |
| CN206921838U (zh) | 一种轻型太阳能组件 | |
| CN104282795B (zh) | GaInP/GaAs/InGaAs/Ge太阳能电池的制备方法 | |
| CN204706571U (zh) | 单晶硅太阳能半柔性组件 | |
| CN102587545A (zh) | 一种光伏建筑玻璃幕墙组件 | |
| CN109888057A (zh) | 晶硅perc太阳电池双面钝化方法 | |
| CN102270667A (zh) | 提高n型单晶硅光伏电池发电效率的组件及其制造方法 | |
| CN107275417A (zh) | 多晶硅太阳能板 | |
| CN204857749U (zh) | 一种太阳能电池板 | |
| CN210073873U (zh) | 一种电池背板 | |
| CN208028076U (zh) | 一种新型节能电池片 | |
| CN202163060U (zh) | N型单晶硅光伏电池组件中的折反射胶膜 | |
| CN206076259U (zh) | 一种铟镓氮薄膜太阳能电池 | |
| CN203883023U (zh) | 一种柔性晶硅太阳能电池组件 | |
| CN203950820U (zh) | 一种柔性晶硅太阳能电池组件 | |
| CN203950817U (zh) | 一种柔性晶硅太阳能电池组件 | |
| CN203787443U (zh) | 一种柔性晶硅太阳能电池组件 | |
| CN202153523U (zh) | 提高n型单晶硅光伏电池发电效率的组件 | |
| CN210926040U (zh) | Pcb太阳能电池组件用层压板 | |
| CN207038534U (zh) | 一种太阳能电池 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee |
Granted publication date: 20190212 Termination date: 20210606 |
|
| CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee |