CN107221581A - 一种黑硅制绒清洗机及其工艺 - Google Patents

一种黑硅制绒清洗机及其工艺 Download PDF

Info

Publication number
CN107221581A
CN107221581A CN201710572759.0A CN201710572759A CN107221581A CN 107221581 A CN107221581 A CN 107221581A CN 201710572759 A CN201710572759 A CN 201710572759A CN 107221581 A CN107221581 A CN 107221581A
Authority
CN
China
Prior art keywords
washing trough
silver
colored
silicon chip
flower basket
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN201710572759.0A
Other languages
English (en)
Other versions
CN107221581B (zh
Inventor
邵玉林
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Wuxi kunsheng Intelligent Equipment Co., Ltd
Original Assignee
Wuxi Kun Sheng Technology Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Wuxi Kun Sheng Technology Co Ltd filed Critical Wuxi Kun Sheng Technology Co Ltd
Priority to CN201710572759.0A priority Critical patent/CN107221581B/zh
Publication of CN107221581A publication Critical patent/CN107221581A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN107221581B publication Critical patent/CN107221581B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/18Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
    • H01L31/1876Particular processes or apparatus for batch treatment of the devices
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/18Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
    • H01L31/1804Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof comprising only elements of Group IV of the Periodic Table
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02PCLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
    • Y02P70/00Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
    • Y02P70/50Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Cleaning By Liquid Or Steam (AREA)
  • Cleaning And De-Greasing Of Metallic Materials By Chemical Methods (AREA)
  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)

Abstract

本发明公开了一种黑硅制绒清洗机及其工艺,由机架、机械手板块、硅片花篮、槽体板块、冷热循环用液板块、控制台、上料台和下料台组成,所述机械手板块运载硅片花篮横向偏移和纵向升降,使硅片花篮浸入槽体板块中,所述槽体板块首尾连接冷热循环用液板块,所述控制台位于机架中部且控制机械手板块、槽体板块、冷热循环用液板块、上料台和下料台的工作状态,所述槽体板块包括32个工位槽,制成绒面反射率低,硅片表面清洗充分,实现了制绒清洗工序的自动化,碎片率较低,本发明适用于黑硅制绒清洗机及其工艺。

Description

一种黑硅制绒清洗机及其工艺
技术领域
本发明涉及一种黑硅制绒清洗机及其工艺领域,特别涉及一种黑硅制绒清洗机及其工艺。
背景技术
太阳能电池硅片的表面处理的目的在于清楚表面油污和金属杂质形成起伏不平的绒面,增加硅片对太阳光的吸收,硅片表面绒面的成型与清洁程度直接影响着硅片的光反射率。
目前通常采用制绒清洗机实现硅片的制绒清洗工序,制绒清洗机一般分为手动洗槽式、半自动式和全自动式,现有技术的制绒清洗机通常具有以下弊端:
1. 脏污、指纹来源:脱胶不良、切割后未及时清洗,清洗剂残留、包装过程胶带、裸手触片等;线痕源于切割:单晶、多线、硬点(尽多晶有);划伤;硅片间摩擦、擦片摩擦等;
2. 槽体清洁:久未洗槽,维修后引入脏污未及时清除;温度均匀:鼓泡不均匀,加热器加热故障,探温热电偶损坏;溶液均匀:搅拌不充分,鼓泡或加热故障;
3. 清洗本身导致表面产生差异;硅酸钠残留、挂碱印,硅片清洗后未及时清洗,风干导致局部脏污。
故以上问题亟待解决。
发明内容
为了克服上述现有技术的不足,本发明提供了一种黑硅制绒清洗机及其工艺,制成绒面反射率低,硅片表面清洗充分,实现了制绒清洗工序的自动化,碎片率较低。
为达到上述目的,本发明解决其技术问题所采用的技术方案是:一种黑硅制绒清洗机,由机架、机械手板块、硅片花篮、槽体板块、冷热循环用液板块、控制台、上料台和下料台组成,所述机械手板块运载硅片花篮横向偏移和纵向升降,使硅片花篮浸入槽体板块中,所述槽体板块首尾连接冷热循环用液板块,所述控制台位于机架中部且控制机械手板块、槽体板块、冷热循环用液板块、上料台和下料台的工作状态,所述槽体板块包括32个工位槽,32个所述工位槽依次为碱洗槽A、碱洗槽B、漂洗槽、硝酸洗槽、漂洗槽、添银酸洗槽A、添银酸洗槽B、漂洗槽、氢氟酸洗槽A、氢氟酸洗槽B、漂洗槽、初步去银洗槽A、漂洗槽、初步去银洗槽B、漂洗槽、纯氢氟酸洗槽、酸洗连体槽、漂洗槽、纯碱洗槽、漂洗槽、二次去银洗槽A、漂洗槽、二次去银洗槽B、漂洗槽、双酸洗槽、漂洗槽、漂洗槽、预脱水槽、烘干槽A、烘干槽B、烘干槽C和烘干槽D,所述碱洗槽A和碱洗槽B均装有氢氧化钾和无醇辅助剂,所述添银酸洗槽A和添银酸洗槽B均装有硝酸银和氢氟酸,所述初步去银洗槽A和初步去银洗槽B中均装有氨水和过氧化氢,所述酸洗连体槽内装有氢氟酸和硝酸,所述二次去银洗槽A内装有氨水、氢氧化钾和过氧化氢,所述二次去银洗槽B内装有氨水和过氧化氢,所述双酸洗槽内装有氢氟酸和盐酸。
作为优选,所述工位槽均加有透明管RECHNER开关。
作为优选,所述碱洗槽和酸洗槽均有PVDF板材构成。
作为优选,所述烘干槽A、烘干槽B、烘干槽C和烘干槽D由SUS喷氟材料构成。
作为优选,所述硝酸洗槽、初步去银洗槽A、初步去银洗槽B、酸洗连体槽、二次去银洗槽A、二次去银洗槽B内均带有抽风。
基于上述的一种黑硅制绒清洗机,研发了一种工艺,该工艺包括以下步骤:
a.上料:上料台上硅片花篮,通过机械手运载进入槽体板块;
b.初步碱洗:硅片花篮进入碱洗槽A、碱洗槽B并漂洗;
c.多重酸洗:硅片花篮进入硝酸洗槽、添银酸洗槽A、添银酸洗槽B、氢氟酸洗槽A、氢氟酸洗槽B并分别漂洗;
d.初步去银碱洗:硅片花篮进入初步去银洗槽A、初步去银洗槽B并分别漂洗;
e.去银中间酸碱洗:硅片花篮进入纯氢氟酸洗槽、酸洗连体槽、纯碱洗槽并分别漂洗;
f.二次去银碱洗:硅片花篮进入二次去银洗槽A、二次去银洗槽并分别漂洗;
g.终步酸洗:硅片花篮进入双酸洗槽并二次漂洗;
h.预脱水:硅片花篮进入预脱水槽进行脱水准备;
i.烘干:硅片花篮依次进入烘干槽A、烘干槽B、烘干槽C和烘干槽D完成烘干;
j.出料:机械手运载硅片花篮至出料台离开机架。
由于上述技术方案的运用,本发明与现有技术相比具有下列有益效果:
1.对于硅片充分的酸洗、碱洗、药洗,且每一步充分漂洗,减少药物残留,使硅片表面充分清洁,促进绒面成型质量;
2.实现了硅片制绒清洗的自动化大批量加工,相对于手动槽洗或者半自动化机洗,减少了劳动成本,极大的提高了工作效率;
3. 制成绒面反射率低,碎片率低,良品率高,保证了制绒清洗的质量,使硅片具备更好的光用性能。
附图说明
图1是本发明中黑硅制绒清洗机的结构示意图。
图2是本发明中黑硅制绒清洗机的正视图。
图3是本发明的工艺流程图。
图中:1、机架;2、机械手板块;3、硅片花篮;4、槽体板块;5、冷热循环用液板块;6、控制台;7、上料台;8、下料台;9、工位槽;10、碱洗槽A;11、碱洗槽B;12、漂洗槽;13、硝酸洗槽;14、添银酸洗槽A;15、添银酸洗槽B;16、氢氟酸洗槽A;17、氢氟酸洗槽B;18、初步去银洗槽A;19、初步去银洗槽B;20、纯氢氟酸洗槽;21、酸洗连体槽;22、纯碱洗槽;23、二次去银洗槽A;24、二次去银洗槽B;25、双酸洗槽;26、预脱水槽;27、烘干槽A;28、烘干槽B;29、烘干槽C;30、烘干槽D。
具体实施方式
下面结合具体实施例,对本发明的内容做进一步的详细说明:
结合图1和图2,本实施例提供的设备是用于硅片绒面成型和清洗的自动化一体机,由机架1、机械手板块2、硅片花篮3、槽体板块4、冷热循环用液板块5、控制台6、上料台7和下料台8组成,所述机械手板块2运载硅片花篮3横向偏移和纵向升降,使硅片花篮3浸入槽体板块4中,所述槽体板块4首尾连接冷热循环用液板块5,所述控制台6位于机架1中部且控制机械手板块2、槽体板块4、冷热循环用液板块5、上料台7和下料台8的工作状态。
如图2所示,所述槽体板块4包括32个工位槽9,32个所述工位槽9依次为碱洗槽A10、碱洗槽B11、漂洗槽12、硝酸洗槽13、漂洗槽12、添银酸洗槽A14、添银酸洗槽B15、漂洗槽12、氢氟酸洗槽A16、氢氟酸洗槽B17、漂洗槽12、初步去银洗槽A18、漂洗槽12、初步去银洗槽B19、漂洗槽12、纯氢氟酸洗槽20、酸洗连体槽21、漂洗槽12、纯碱洗槽22、漂洗槽12、二次去银洗槽A23、漂洗槽12、二次去银洗槽B24、漂洗槽12、双酸洗槽25、漂洗槽12、漂洗槽12、预脱水槽26、烘干槽A27、烘干槽B28、烘干槽C29和烘干槽D30,所述碱洗槽A10和碱洗槽B11均装有氢氧化钾和无醇辅助剂,所述添银酸洗槽A14和添银酸洗槽B15均装有硝酸银和氢氟酸,所述初步去银洗槽A18和初步去银洗槽B19中均装有氨水和过氧化氢,所述酸洗连体槽21内装有氢氟酸和硝酸,所述二次去银洗槽A23内装有氨水、氢氧化钾和过氧化氢,所述二次去银洗槽B24内装有氨水和过氧化氢,所述双酸洗槽25内装有氢氟酸和盐酸,所述工位槽9均加有透明管RECHNER开关,所述碱洗槽和酸洗槽均有PVDF板材构成,所述烘干槽A27、烘干槽B28、烘干槽C29和烘干槽D30由SUS喷氟材料构成,所述硝酸洗槽13、初步去银洗槽A18、初步去银洗槽B19、酸洗连体槽21、二次去银洗槽A23、二次去银洗槽B24内均带有抽风。
基于本发明提供的一种黑硅制绒清洗机,研发的一种工艺,该工艺包括以下步骤:
a.上料:上料台7上硅片花篮3,通过机械手运载进入槽体板块4;
b.初步碱洗:硅片花篮3进入碱洗槽A10、碱洗槽B11并漂洗;
c.多重酸洗:硅片花篮3进入硝酸洗槽13、添银酸洗槽A14、添银酸洗槽B15、氢氟酸洗槽A16、氢氟酸洗槽B17并分别漂洗;
d.初步去银碱洗:硅片花篮3进入初步去银洗槽A18、初步去银洗槽B19并分别漂洗;
e.去银中间酸碱洗:硅片花篮3进入纯氢氟酸洗槽20、酸洗连体槽21、纯碱洗槽22并分别漂洗;
f.二次去银碱洗:硅片花篮3进入二次去银洗槽A23、二次去银洗槽B24并分别漂洗;
g.终步酸洗:硅片花篮3进入双酸洗槽25并二次漂洗;
h.预脱水:硅片花篮3进入预脱水槽26进行脱水准备;
i.烘干:硅片花篮3依次进入烘干槽A27、烘干槽B28、烘干槽C29和烘干槽D30完成烘干;
j.出料:机械手运载硅片花篮3至出料台离开机架1。
本发明的有益效果是:对于硅片充分的酸洗、碱洗、药洗,且每一步充分漂洗,减少药物残留,使硅片表面充分清洁,促进绒面成型质量;实现了硅片制绒清洗的自动化大批量加工,相对于手动槽洗或者半自动化机洗,减少了劳动成本,极大的提高了工作效率;制成绒面反射率低,碎片率低,良品率高,保证了制绒清洗的质量,使硅片具备更好的光用性能。
上述实施例只为说明本发明的技术构思及特点,其目的在于让熟悉此项技术的人士能够了解本发明的内容并加以实施,并不能以此限制本发明的保护范围,凡根据本发明精神实质所作的等效变化或修饰,都应涵盖在本发明的保护范围内。

Claims (6)

1.一种黑硅制绒清洗机,由机架、机械手板块、硅片花篮、槽体板块、冷热循环用液板块、控制台、上料台和下料台组成,所述机械手板块运载硅片花篮横向偏移和纵向升降,使硅片花篮浸入槽体板块中,所述槽体板块首尾连接冷热循环用液板块,所述控制台位于机架中部且控制机械手板块、槽体板块、冷热循环用液板块、上料台和下料台的工作状态,其特征在于:所述槽体板块包括32个工位槽,32个所述工位槽依次为碱洗槽A、碱洗槽B、漂洗槽、硝酸洗槽、漂洗槽、添银酸洗槽A、添银酸洗槽B、漂洗槽、氢氟酸洗槽A、氢氟酸洗槽B、漂洗槽、初步去银洗槽A、漂洗槽、初步去银洗槽B、漂洗槽、纯氢氟酸洗槽、酸洗连体槽、漂洗槽、纯碱洗槽、漂洗槽、二次去银洗槽A、漂洗槽、二次去银洗槽B、漂洗槽、双酸洗槽、漂洗槽、漂洗槽、预脱水槽、烘干槽A、烘干槽B、烘干槽C和烘干槽D,所述碱洗槽A和碱洗槽B均装有氢氧化钾和无醇辅助剂,所述添银酸洗槽A和添银酸洗槽B均装有硝酸银和氢氟酸,所述初步去银洗槽A和初步去银洗槽B中均装有氨水和过氧化氢,所述酸洗连体槽内装有氢氟酸和硝酸,所述二次去银洗槽A内装有氨水、氢氧化钾和过氧化氢,所述二次去银洗槽B内装有氨水和过氧化氢,所述双酸洗槽内装有氢氟酸和盐酸。
2.根据权利要求1所述的一种黑硅制绒清洗机,其特征在于:所述工位槽均加有透明管RECHNER开关。
3.根据权利要求1所述的一种黑硅制绒清洗机,其特征在于:所述碱洗槽和酸洗槽均有PVDF板材构成。
4.根据权利要求1所述的一种黑硅制绒清洗机,其特征在于:所述烘干槽A、烘干槽B、烘干槽C和烘干槽D由SUS喷氟材料构成。
5.根据权利要求1所述的一种黑硅制绒清洗机,其特征在于:所述硝酸洗槽、初步去银洗槽A、初步去银洗槽B、酸洗连体槽、二次去银洗槽A、二次去银洗槽B内均带有抽风。
6.基于权利要求1所述的一种黑硅制绒清洗机,研发了一种工艺,其特征在于,包括以下步骤:
a.上料:上料台上硅片花篮,通过机械手运载进入槽体板块;
b.初步碱洗:硅片花篮进入碱洗槽A、碱洗槽B并漂洗;
c.多重酸洗:硅片花篮进入硝酸洗槽、添银酸洗槽A、添银酸洗槽B、氢氟酸洗槽A、氢氟酸洗槽B并分别漂洗;
d.初步去银碱洗:硅片花篮进入初步去银洗槽A、初步去银洗槽B并分别漂洗;
e.去银中间酸碱洗:硅片花篮进入纯氢氟酸洗槽、酸洗连体槽、纯碱洗槽并分别漂洗;
f.二次去银碱洗:硅片花篮进入二次去银洗槽A、二次去银洗槽并分别漂洗;
g.终步酸洗:硅片花篮进入双酸洗槽并二次漂洗;
h.预脱水:硅片花篮进入预脱水槽进行脱水准备;
i.烘干:硅片花篮依次进入烘干槽A、烘干槽B、烘干槽C和烘干槽D完成烘干;
j.出料:机械手运载硅片花篮至出料台离开机架。
CN201710572759.0A 2017-07-14 2017-07-14 一种黑硅制绒清洗机及其工艺 Active CN107221581B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201710572759.0A CN107221581B (zh) 2017-07-14 2017-07-14 一种黑硅制绒清洗机及其工艺

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201710572759.0A CN107221581B (zh) 2017-07-14 2017-07-14 一种黑硅制绒清洗机及其工艺

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN107221581A true CN107221581A (zh) 2017-09-29
CN107221581B CN107221581B (zh) 2018-12-18

Family

ID=59952504

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201710572759.0A Active CN107221581B (zh) 2017-07-14 2017-07-14 一种黑硅制绒清洗机及其工艺

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN107221581B (zh)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN108231956A (zh) * 2018-01-09 2018-06-29 江苏荣马新能源有限公司 一种黑硅电池片的清洗槽工艺
CN109326538A (zh) * 2018-09-13 2019-02-12 江西展宇新能源股份有限公司 一种湿法黑硅制绒清洗槽、制绒机台及湿法黑硅制绒方法
CN109872964A (zh) * 2019-04-04 2019-06-11 乐山新天源太阳能科技有限公司 黑硅太阳能电池的制绒装置及制绒工艺

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN202150481U (zh) * 2011-07-26 2012-02-22 韩华新能源(启东)有限公司 全自动高效太阳能电池片制绒与酸洗连体设备
EP2429005A2 (en) * 2010-09-14 2012-03-14 Wakom Semiconductor Corporation Method for manufacturing a mono-crystalline silicon solar cell and etching method thereof
CN105220235A (zh) * 2015-10-12 2016-01-06 常州捷佳创精密机械有限公司 一种单多晶制绒方法
CN106206381A (zh) * 2016-08-30 2016-12-07 苏州聚晶科技有限公司 一种单晶制绒清洗机及其工艺方法
CN106449878A (zh) * 2016-10-31 2017-02-22 苏州宝馨科技实业股份有限公司 一种黑硅制备方法、制绒机及采用该制备方法制成的黑硅

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP2429005A2 (en) * 2010-09-14 2012-03-14 Wakom Semiconductor Corporation Method for manufacturing a mono-crystalline silicon solar cell and etching method thereof
CN202150481U (zh) * 2011-07-26 2012-02-22 韩华新能源(启东)有限公司 全自动高效太阳能电池片制绒与酸洗连体设备
CN105220235A (zh) * 2015-10-12 2016-01-06 常州捷佳创精密机械有限公司 一种单多晶制绒方法
CN106206381A (zh) * 2016-08-30 2016-12-07 苏州聚晶科技有限公司 一种单晶制绒清洗机及其工艺方法
CN106449878A (zh) * 2016-10-31 2017-02-22 苏州宝馨科技实业股份有限公司 一种黑硅制备方法、制绒机及采用该制备方法制成的黑硅

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN108231956A (zh) * 2018-01-09 2018-06-29 江苏荣马新能源有限公司 一种黑硅电池片的清洗槽工艺
CN109326538A (zh) * 2018-09-13 2019-02-12 江西展宇新能源股份有限公司 一种湿法黑硅制绒清洗槽、制绒机台及湿法黑硅制绒方法
CN109872964A (zh) * 2019-04-04 2019-06-11 乐山新天源太阳能科技有限公司 黑硅太阳能电池的制绒装置及制绒工艺
CN109872964B (zh) * 2019-04-04 2024-04-12 乐山新天源太阳能科技有限公司 黑硅太阳能电池的制绒装置及制绒工艺

Also Published As

Publication number Publication date
CN107221581B (zh) 2018-12-18

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN104393118B (zh) 将制绒与清洗分步进行的晶硅太阳能电池湿化学处理方法
CN101700520B (zh) 单晶/多晶硅片的清洗方法
CN107221581A (zh) 一种黑硅制绒清洗机及其工艺
CN103151423A (zh) 一种多晶硅片制绒清洗工艺方法
CN109004062A (zh) 利用臭氧实现碱性体系对硅片刻蚀抛光的方法及设备
CN110665893A (zh) 一种超大尺寸单晶硅片的清洗方法
CN102412173B (zh) 切割、研磨硅片表面清洗设备
CN104014504A (zh) 轮毂表面前处理工艺
CN206003748U (zh) 多功能硅料清洗机
CN102010797A (zh) 硅料清洗剂及硅料清洗的方法
CN103199005A (zh) 一种晶体硅片的清洗工艺方法
CN109585272A (zh) 一种提高光电效率的硅片清洗方法
CN110416369A (zh) Perc电池清洗制绒工艺及系统
CN101590476A (zh) 一种单晶硅片的清洗方法
CN105220235A (zh) 一种单多晶制绒方法
CN103170467B (zh) 铸锭循环料清洁处理方法
CN102698983A (zh) 一种太阳能级硅片的清洗方法
CN108753478A (zh) 一种半导体单晶硅清洗剂及其清洗方法
CN210296311U (zh) 一种单晶硅制绒装置
CN211914783U (zh) 一种超大尺寸单晶硅片的清洗系统
CN202018950U (zh) 一种硅片预清洗设备
CN207183226U (zh) 一种硅太阳能电池湿法刻蚀水洗装置
CN201394556Y (zh) 石墨载板清洗装置
CN212934645U (zh) 一种硅片用槽式抛光装置
CN100385629C (zh) 半导体晶圆片的清洗方法及其清洗设备

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant
CP03 Change of name, title or address

Address after: No.106, Xixian Road, Xinwu District, Wuxi City, Jiangsu Province

Patentee after: Wuxi kunsheng Intelligent Equipment Co., Ltd

Address before: 214000 No. 30 Wanquan Road, Xishan District, Jiangsu, Wuxi

Patentee before: WUXI KUNSHENG TECHNOLOGY Co.,Ltd.

CP03 Change of name, title or address