CN107221580A - 提升perc背钝化效果的电池制备方法 - Google Patents
提升perc背钝化效果的电池制备方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN107221580A CN107221580A CN201710451290.5A CN201710451290A CN107221580A CN 107221580 A CN107221580 A CN 107221580A CN 201710451290 A CN201710451290 A CN 201710451290A CN 107221580 A CN107221580 A CN 107221580A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- silicon chip
- carries
- phosphorus
- thermal oxide
- perc
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000002161 passivation Methods 0.000 title claims abstract description 31
- 230000000694 effects Effects 0.000 title claims abstract description 20
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 title claims abstract description 13
- 101001073212 Arabidopsis thaliana Peroxidase 33 Proteins 0.000 title claims abstract description 11
- 101001123325 Homo sapiens Peroxisome proliferator-activated receptor gamma coactivator 1-beta Proteins 0.000 title claims abstract description 11
- 102100028961 Peroxisome proliferator-activated receptor gamma coactivator 1-beta Human genes 0.000 title claims abstract description 11
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 32
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 32
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims abstract description 32
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 22
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 claims abstract description 22
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 claims abstract description 22
- 241000407429 Maja Species 0.000 claims abstract description 16
- 238000005406 washing Methods 0.000 claims abstract description 13
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 claims abstract description 10
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 9
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 claims abstract description 9
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 claims abstract description 9
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 46
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 claims description 23
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 15
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims description 15
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims description 15
- 229910017107 AlOx Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 claims description 8
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 claims description 6
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 claims description 6
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 claims description 4
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910004205 SiNX Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000004411 aluminium Substances 0.000 claims description 3
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 238000003698 laser cutting Methods 0.000 claims description 3
- 239000011259 mixed solution Substances 0.000 claims description 3
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 claims description 3
- 238000000623 plasma-assisted chemical vapour deposition Methods 0.000 claims description 3
- 239000011148 porous material Substances 0.000 claims description 3
- 238000005245 sintering Methods 0.000 claims description 3
- 229910021645 metal ion Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 238000007747 plating Methods 0.000 claims description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 8
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 abstract description 8
- 239000012535 impurity Substances 0.000 abstract description 2
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 2
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 2
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 2
- 206010033799 Paralysis Diseases 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 230000007812 deficiency Effects 0.000 description 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- 235000015220 hamburgers Nutrition 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 1
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
- H01L31/1804—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof comprising only elements of Group IV of the Periodic Table
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
- H01L31/186—Particular post-treatment for the devices, e.g. annealing, impurity gettering, short-circuit elimination, recrystallisation
- H01L31/1868—Passivation
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
- Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Battery Electrode And Active Subsutance (AREA)
Abstract
本发明提供一种提升PERC背钝化效果的电池制备方法，包括清洗、扩散、洗磷、热氧化、背钝化、正面镀膜、激光刻槽和丝网印刷。本发明提供的一种提升PERC背钝化效果的电池制备方法，在洗磷后经热氧化解决洗磷后存在的杂质等，并且热氧化过程中硅片表面易生成一层薄薄的SiOx层，这层SiOx层可以提高MAIA的背钝化效果，增加氧化铝的致密性，改善了EL等良率问题，从而提升MAIA的背钝化效率。
Description
技术领域
本发明涉及电池工艺技术领域，特别是涉及一种提升PERC背钝化效果的电池制备方法。
背景技术
目前，背钝化电池作为一种新兴的高效电池技术，有效的钝化了电池背面复合，并降低了背面的发射率，从而有效的吸收了长波段的光，使得电池效率有了大的飞跃；并且由于钝化层的介入，电池片的翘曲度也得到了一定的改善。
常规的电池制备工艺依次经过清洗、扩散、洗磷、MAIA、正镀、激光刻槽和印刷等几个步骤，其中，硅片在洗磷后直接做MAIA，但是，洗磷过后存在风刀未彻底吹干，硅片表面容易残留部分的药液，表面存在水纹印等，这些残留物会影响AlOx，影响MAIA的背钝化效果不好，最终导致电致发光EL的异常，如水纹印，黑边，黑点等，从而影响效率。其中，MAIA是指MEYER BURGER TECHNOLOGY公司的背钝化设备。
发明内容
本发明所要解决的技术问题是：为了克服现有技术中洗磷后残留药液和水纹印等的不足，本发明提供一种提升PERC背钝化效果的电池制备方法。
本发明解决其技术问题所要采用的技术方案是：一种提升PERC背钝化效果的电池制备方法，包括在硅片上进行清洗、扩散、洗磷、MAIA、正面镀膜、激光刻槽和丝网印刷，其特征在于，在洗磷和MAIA工艺之间增加热氧化工艺。
所述热氧化具体包括，
步骤1：将硅片送入炉中，其中进舟时间为750s，通大氮进行保护，其中，大氮的流量为8000～15000sccm；
步骤2：硅片送入炉中过后，通小氧进行热氧化，小氧的流量范围为20～200sccm，通氧时间为3000～5000s，同时通大氮，大氮的流量范围为8000～15000sccm之间；
步骤3：热氧化结束后，关闭小氧流量器，继续通大氮进行保护，其中，大氮的流量范围为8000～15000sccm之间，出舟时间为750s。
大氮在整个热氧化过程中起到了保护气体和携带气体的作用，先通过通大氮将炉中的空气排出，然后通小氧，由于氧的流量很小，直接通入炉内不好控制，易造成分布不均匀，使硅片的热氧化反应也不均匀，采用大氮作为携带体，能充分与小氧混合，使硅片的热氧化效果更好，热氧化结束后，炉内硅片温度还会维持在一个较高的温度范围内，因此，采用继续通大氮一方面是避免空气进入炉内产生多余的反应，对硅片起到一定的保护作用；另一方面，采用大氮带走炉内的热量可以实现降温散热。
上述步骤具体包括：
清洗，将硅片在HF/HNO3混合溶液中清洗，去除表面损伤层、切割线痕以及金属离子等；
扩散，将硅片进行常压扩散，其方阻控制在70Ω～150Ω范围内；
洗磷，利用HF/HNO3和KOH进行清洗，除去表面的PSG和进行背面抛光；
热氧化，洗磷过后，将硅片送入氧化炉中，温度控制在500℃～900℃范围内，时间控制在50min～200min范围内；
背钝化：利用MAIA进行背钝化，利用该设备同时镀上AlOx和SiNx层，其中总厚度控制在50nm～300nm之间；
正面镀膜，为减少正面反射，增加载流子寿命，提高电流，利用管式PECVD进行正面镀膜，其膜厚控制在50nm～120nm之间；
激光刻槽，为了导出电流，将硅片背面进行激光开凿，其中孔直径控制在50um～250um之间；由于激光是一束光斑，检测激光的好坏都是以光斑大小来说明，刻槽宽度就是激光光斑的直径，长度随硅片尺寸进行相应变换，因此，采用孔直径来对刻槽进行限定。
丝网印刷，将刻槽后的硅片进行丝网印刷烧结背铝浆、背电极和正电极即可。
本发明在洗磷后经热氧化解决洗磷后存在的杂质等，并且热氧化过程中硅片表面易生成一层薄薄的SiOx层，这层SiOx层可以提高后续MAIA的背钝化效果，增加氧化铝的致密性，改善了EL等良率问题，从而提升MAIA的效率。
本发明的有益效果是：一是利用热氧化解决洗磷后残留的药液和水纹印等问题，二是利用退火沉积一层SiOx遂穿层薄膜，正面SiOx层具有钝化效果，背面的SiOx不仅可以起到钝化效果，还可以使AlOx的钝化效果更好，原因是SiOx经退火后结晶变好，呈现四面体结构，而AlOx在四面体结构上生长更容易得到四面体结构的AlOx，相对于八面体结构的AlOx其钝化效果会更好。从而可以提升MAIA的背钝化效果。
附图说明
下面结合附图和实施例对本发明作进一步说明。
图1是现有技术电池制备流程示意图；
图2是本发明电池制备流程示意图。
具体实施方式
现在结合附图对本发明作详细的说明。此图为简化的示意图，仅以示意方式说明本发明的基本结构，因此其仅显示与本发明有关的构成。
如图2所示，本发明的一种提升PERC背钝化效果的电池制备方法，包括在硅片上进行清洗、扩散、洗磷、MAIA、正面镀膜、激光刻槽和丝网印刷，其特征在于，在洗磷和MAIA工艺之间增加热氧化工艺。
本实施例的具体步骤包括：
步骤1：清洗，将硅片在HF/HNO3混合溶液中清洗，去除表面损伤层、切割线痕以及金属离子等；
步骤2：扩散，将硅片进行常压扩散，其方阻控制在70～150范围内；
步骤3：洗磷，利用HF/HNO3和KOH进行清洗，除去表面的PSG和进行背面抛光；
步骤4：热氧化，洗磷过后，将硅片送入氧化炉中，温度控制在500℃～900℃范围内，时间控制在50min～200min范围内；
所述热氧化(退火)具体包括，
步骤4.1：将硅片送入炉中，其中进舟时间为750s，通大氮进行保护，其中，大氮的流量为8000～15000sccm；
步骤4.2：硅片送入炉中过后，通小氧进行热氧化，小氧的流量范围为20～200sccm，通氧时间为3000～5000s，同时通大氮，大氮的流量范围为8000～15000sccm之间；
步骤4.3：热氧化结束后，关闭小氧流量器，继续通大氮进行保护，其中，大氮的流量范围为8000～15000sccm之间，出舟时间为750s。
步骤5：背钝化：利用MAIA进行背钝化，利用该设备同时镀上AlOx和SiNx层，其中总厚度控制在50nm～300nm之间；
步骤6：正面镀膜，为减少正面反射，增加载流子寿命，提高电流，利用管式PECVD进行正面镀膜，其膜厚控制在50nm～120nm之间；
步骤7：为了导出电流，将硅片背面进行激光开凿，其中孔直径控制在50um～250um之间；
步骤8：丝网印刷，将刻槽后的硅片进行丝网印刷烧结背铝浆、背电极和正电极即可。
以上述依据本发明的理想实施例为启示，通过上述的说明内容，相关的工作人员完全可以在不偏离本发明的范围内，进行多样的变更以及修改。本项发明的技术范围并不局限于说明书上的内容，必须要根据权利要求范围来确定其技术性范围。
Claims (3)
1.一种提升PERC背钝化效果的电池制备方法，包括在硅片上进行清洗、扩散、洗磷、背钝化、正面镀膜、激光刻槽和丝网印刷，其特征在于，在洗磷和背钝化工艺之间增加热氧化工艺。
2.如权利要求1所述的提升PERC背钝化效果的电池制备方法，其特征在于：所述热氧化具体包括，
步骤1：将硅片送入炉中，其中进舟时间为750s，通大氮进行保护，其中，大氮的流量为8000～15000sccm；
步骤2：硅片送入炉中过后，通小氧进行热氧化，小氧的流量范围为20～200sccm，通氧时间为3000～5000s，同时通大氮，大氮的流量范围为8000～15000sccm之间；
步骤3：热氧化结束后，关闭小氧流量器，继续通大氮进行保护，其中，大氮的流量范围为8000～15000sccm之间，出舟时间为750s。
3.如权利要求1或2所述的提升PERC背钝化效果的电池制备方法，其特征在于：具体步骤包括：
清洗，将硅片在HF/HNO3混合溶液中清洗，去除表面损伤层、切割线痕以及金属离子等；
扩散，将硅片进行常压扩散，其方阻控制在70Ω～150Ω范围内；
洗磷，利用HF/HNO3和KOH进行清洗，除去表面的PSG和进行背面抛光；
热氧化，洗磷过后，将硅片送入氧化炉中，温度控制在500℃～900℃范围内，时间控制在50min～200min范围内；
背钝化：利用MAIA进行背钝化，利用该设备同时镀上AlOx和SiNx层，其中总厚度控制在50nm～300nm之间；
正面镀膜，为减少正面反射，增加载流子寿命，提高电流，利用管式PECVD进行正面镀膜，其膜厚控制在50nm～120nm之间；
激光刻槽，为了导出电流，将硅片背面进行激光开凿，其中孔直径控制在50um～250um之间；
丝网印刷，将刻槽后的硅片进行丝网印刷烧结背铝浆、背电极和正电极即可。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201710451290.5A CN107221580B (zh) | 2017-06-15 | 2017-06-15 | 提升perc背钝化效果的电池制备方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201710451290.5A CN107221580B (zh) | 2017-06-15 | 2017-06-15 | 提升perc背钝化效果的电池制备方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN107221580A true CN107221580A (zh) | 2017-09-29 |
| CN107221580B CN107221580B (zh) | 2018-10-12 |
Family
ID=59949587
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201710451290.5A Active CN107221580B (zh) | 2017-06-15 | 2017-06-15 | 提升perc背钝化效果的电池制备方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN107221580B (zh) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN112599633A (zh) * | 2020-12-03 | 2021-04-02 | 无锡日托光伏科技有限公司 | 一种降低el黑点不良的方法 |
| CN114122190A (zh) * | 2021-10-14 | 2022-03-01 | 山西潞安太阳能科技有限责任公司 | 常压扩散设备实现单晶perc热氧工艺的改造方法 |
Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20120199202A1 (en) * | 2011-02-03 | 2012-08-09 | Katholieke Universiteit Leuven | Method for fabricating photovoltaic cells |
| CN103618028A (zh) * | 2013-11-15 | 2014-03-05 | 中电电气（南京）光伏有限公司 | 一种制备具有表面钝化的pn结和晶体硅太阳能电池的方法 |
| CN103746039A (zh) * | 2014-01-09 | 2014-04-23 | 东莞南玻光伏科技有限公司 | 晶体硅太阳能电池的背钝化方法及晶体硅太阳能电池的制备方法 |
| CN104716224A (zh) * | 2013-12-13 | 2015-06-17 | 上海神舟新能源发展有限公司 | 一种背钝化高效perl电池工艺 |
| CN105355723A (zh) * | 2015-12-14 | 2016-02-24 | 内蒙古日月太阳能科技有限责任公司 | 晶体硅太阳电池二氧化硅钝化膜的制备方法 |
| CN106449895A (zh) * | 2016-12-16 | 2017-02-22 | 浙江晶科能源有限公司 | 一种perc电池正面减反膜的制备方法 |
-
2017
- 2017-06-15 CN CN201710451290.5A patent/CN107221580B/zh active Active
Patent Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20120199202A1 (en) * | 2011-02-03 | 2012-08-09 | Katholieke Universiteit Leuven | Method for fabricating photovoltaic cells |
| CN103618028A (zh) * | 2013-11-15 | 2014-03-05 | 中电电气（南京）光伏有限公司 | 一种制备具有表面钝化的pn结和晶体硅太阳能电池的方法 |
| CN104716224A (zh) * | 2013-12-13 | 2015-06-17 | 上海神舟新能源发展有限公司 | 一种背钝化高效perl电池工艺 |
| CN103746039A (zh) * | 2014-01-09 | 2014-04-23 | 东莞南玻光伏科技有限公司 | 晶体硅太阳能电池的背钝化方法及晶体硅太阳能电池的制备方法 |
| CN105355723A (zh) * | 2015-12-14 | 2016-02-24 | 内蒙古日月太阳能科技有限责任公司 | 晶体硅太阳电池二氧化硅钝化膜的制备方法 |
| CN106449895A (zh) * | 2016-12-16 | 2017-02-22 | 浙江晶科能源有限公司 | 一种perc电池正面减反膜的制备方法 |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN112599633A (zh) * | 2020-12-03 | 2021-04-02 | 无锡日托光伏科技有限公司 | 一种降低el黑点不良的方法 |
| CN114122190A (zh) * | 2021-10-14 | 2022-03-01 | 山西潞安太阳能科技有限责任公司 | 常压扩散设备实现单晶perc热氧工艺的改造方法 |
| CN114122190B (zh) * | 2021-10-14 | 2023-12-26 | 山西潞安太阳能科技有限责任公司 | 常压扩散设备实现单晶perc热氧工艺的改造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN107221580B (zh) | 2018-10-12 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US9355867B2 (en) | Process for the production of solar cells having a local back surface field (LBSF) | |
| US8723340B2 (en) | Process for the production of solar cells comprising a selective emitter | |
| CN102569530B (zh) | 一种晶体硅太阳电池背面钝化介质层局部刻蚀方法 | |
| CN106098839B (zh) | 一种高效晶硅perc电池的制备方法 | |
| TWI585991B (zh) | Method for manufacturing solar cell unit | |
| CN102554472B (zh) | 一种用于薄膜太阳能电池的划线方法及其设备 | |
| CN104701424A (zh) | 基于丝网印刷的硅太阳能电池制备方法 | |
| CN104934500A (zh) | 一种选择性发射极的背钝化晶体硅太阳能电池的制备方法 | |
| TW201507192A (zh) | 太陽電池及其製造方法、與太陽電池模組及其製造方法 | |
| CN107221580A (zh) | 提升perc背钝化效果的电池制备方法 | |
| CN103413860A (zh) | 一种局域背面钝化晶体硅电池的制备方法 | |
| JP4842655B2 (ja) | 太陽電池製造用スクリーンマスク | |
| CN105762202B (zh) | 一种点线结合的太阳能电池正面电极及其制备方法 | |
| CN106340559B (zh) | 一种硅异质结太阳能电池及其制备方法 | |
| CN103348489B (zh) | 太阳能电池元件的制造方法及太阳能电池元件 | |
| CN102969390B (zh) | 一种太阳能晶硅电池的开窗工艺 | |
| JP5693503B2 (ja) | 太陽電池およびその製造方法 | |
| JP5174179B2 (ja) | 光電変換装置の製造方法 | |
| CN105161553A (zh) | 一种新型全背电极晶体硅太阳电池的制备方法 | |
| CN105336817B (zh) | 一种晶体硅太阳能电池片串及其制备方法 | |
| CN103222064A (zh) | 背面电极型太阳能电池 | |
| CN107275418A (zh) | 单面polo电池及其制备方法 | |
| CN208797019U (zh) | P型晶体硅perc电池 | |
| CN105529381A (zh) | 一种高效太阳电池的制备方法 | |
| JP2006344883A (ja) | 太陽電池の製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant |