CN107170755A - 扇出电路、薄膜晶体管阵列基板及显示面板 - Google Patents
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Abstract
一种扇出电路，包括第一扇出线组和第二扇出线组，该第一扇出线组包括设于同一层的第一引线和第二引线，该第二扇出线组包括设置于不同层的第三引线和第四引线。本发明还提供具有该扇出电路的薄膜晶体管阵列基板和包括该薄膜晶体管阵列基板的显示面板。
Description
技术领域
本发明涉及一种扇出电路、薄膜晶体管阵列基板及显示面板。
背景技术
现有的液晶显示技术中，为了达到窄边框设计，在薄膜晶体管阵列基板侧，从设置于非显示区处的栅极芯片引出的扇出线一般采用不同层交错设置，即，其中一部分与显示区的栅极线同层并可以与栅极线直接连接，而与显示区的栅极线位于不同层的扇出线需要在转入显示区时对应设置由透明氧化铟锡材料形成的桥接结构才可将信号传输到栅极线，且与显示区的栅极线同层的扇出线和与显示区的栅极线位于不同层的扇出线采用交替设置的方式从栅极芯片引出。
然而，设置桥接结构之后，其氧化铟锡会因为与彩色滤光片基板侧的氧化铟锡形成电场而发生腐蚀；并且由于现有的屏幕结构的特性，即屏幕的四角具有弧度，比较狭窄，使水汽容易进入显示面板的四角，导致显示面板的四角处的桥接结构的氧化铟锡将最容易先腐蚀。
另一方面，桥接结构由于靠近显示面板的边缘，也容易受到同样涂布于显示面板边缘的框胶的影响而被腐蚀，尤其是位于显示面板的四角处的桥接结构因为会同时受到端部和侧部的胶框的影响而容易被严重腐蚀。由于桥接结构腐蚀，会导致桥接处的电路断开，使信号无法传递到显示区，最终导致点亮的屏幕显示为很多水平的亮暗纹。即，造成显示面板和设有显示面板的电子产品损坏。
发明内容
鉴于以上，有必要提供一种能够减少甚至避免因桥接结构腐蚀而损坏的扇出电路，以及具有该扇出电路的薄膜晶体管阵列基板和显示面板。
一种扇出电路，包括第一扇出线组和第二扇出线组，该第一扇出线组包括设于同一层的第一引线和第二引线，该第二扇出线组包括设置于不同层的第三引线和第四引线。
本发明还提供了具有该扇出电路的薄膜晶体管阵列基板和包括该薄膜晶体管阵列基板的显示面板。
本发明提供的扇出电路、薄膜晶体管阵列基板和显示面板通过将位于显示面板的角落处的扇出线同层设置，无需桥接结构，避免了由于桥接结构腐蚀，桥接处的电路断开，信号无法传递到显示区，使薄膜晶体管阵列基板和设有薄膜晶体管阵列基板的显示面板损坏的问题。
附图说明
图1是本发明提供的薄膜晶体管阵列基板的平面示意图。
图2是图1所示的薄膜晶体管阵列基板的扇出区和显示区的剖视示意图，主要显示临近薄膜晶体管阵列基板的角落处的扇出线的设置情况。
图3是图1所示的薄膜晶体管阵列基板板的扇出区和显示区的剖视示意图，主要显示临近薄膜晶体管阵列基板的边缘中部的扇出线的设置情况。
图4是应用本发明薄膜晶体管阵列基板的较佳实施例的显示面板的剖视示意图。
主要元件符号说明
如下具体实施方式将结合上述附图进一步说明本发明。
具体实施方式
为使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚明白，以下结合具体实施方式并参照附图，对本发明进一步详细说明。
(实施方式一)
请结合参照图1、2和3，本实施方式提供的扇出电路应用于一显示面板100中的一薄膜晶体管阵列基板102，具体设置于薄膜晶体管阵列基板102的非显示区20。本实施方式的扇出电路采用的技术思路是通过使位于显示面板100的角落处的扇出线同层设置，使临近显示面板100的边缘中部处(即非角落处)的扇出线不同层设置，既可省略角落处的桥接结构40以避免产生腐蚀，也可以确保窄边框的结构。
扇出电路包括一基板50、形成于基板50上的第一金属层80、形成于第一金属层80上的第一绝缘层60、形成于第一绝缘层60上的第二金属层90、形成于第二金属层90上的第二绝缘层70和一导电层704。第二绝缘层70和第一绝缘层60共同形成有第一开口602以裸露出第一金属层80。第二绝缘层70形成第二开口702以露出第二金属层90。
扇出电路还包括电连接于一栅极芯片30的至少一第一扇出线组200和至少一第二扇出线组300。本实施方式中，基板50大致呈矩形，第一扇出线组200位于基板50的一角。第二扇出线组300临近基板50的边缘中部。
第一扇出线组200和第二扇出线组300具体可以由金属或者氧化铟锡制成，但也可以由其他导电材料制成。
第一扇出线组200的引线同层设置，第二扇出线组300的引线不同层设置。
具体的，每一第一扇出线组200至少包括第一引线202和第二引线204，第一引线202和第二引线204位于同一金属层。每一第二扇出线组300包括第三引线302和第四引线304。每一第二扇出线组300中有一引线和第一扇出线组200位于同一金属层，另一引线和第一扇出线组200位于不同的金属层。
本实施方式中，第三引线302与第一扇出线组200的第一引线202和第二引线204位于同一金属层，第四引线304和第三引线302位于不同金属层。当有多个第二扇出线组300时，该多个第二扇出线组300中的第三引线302和第四引线304交错地位于不同的金属层，如此可减小引线间的间距以达到窄边框的效果。
具体的，第三引线302与第一扇出线组200的第一引线202和第二引线204位于第一金属层80，第四引线304位于第二金属层90。第四引线304的远离栅极芯片30的一端通过一桥接结构40与位于显示区10且与第四引线304位于不同金属层的信号线电连接。本实施例中，第四引线304的远离栅极芯片30的一端通过桥接结构40与位于显示区10且位于第一金属层80的信号线电连接。
具体地，桥接结构40设于第四引线304和第一金属层80之间，使第四引线304电性连接于第一金属层80，使信号能够从第四引线304通过桥接结构40传输到第一金属层80再传递到显示区10的对应的信号线。
具体的，桥接结构40包括第一开口602、第二开口702和导电层704。导电层704形成于第二绝缘层70上，同时形成于第一开口602的底部和侧壁和第二开口702的底部和侧壁，以将位于第二金属层90的第四引线304和第一金属层80电连接，从而使第四引线304与位于显示区10的第一金属层80的信号线进行电连接。导电层704由氧化铟锡形成。
(实施方式二)
请结合参照图1、图2和图3，本实施方式提供一薄膜晶体管阵列基板102。
该薄膜晶体管阵列基板102采用的技术思路是通过使位于角落处的扇出线同层设置，使临近边缘中部处(即非角落处)的扇出线不同层设置，既可以省略角落处的桥接结构40，避免了由于桥接结构40腐蚀，桥接处的电路断开，信号无法传递到显示区10，使薄膜晶体管阵列基板102损坏的问题；也可以确保窄边框的设计。
基于上述思路，本实施方式的薄膜晶体管阵列基板102包括一显示区10、环绕设置于显示区10的四周的非显示区20及设置于非显示区20的扇出电路。
扇出电路包括一端电连接于一栅极芯片30的至少一第一扇出线组200和至少一第二扇出线组300。本实施方式中，薄膜晶体管阵列基板102大致呈矩形，第一扇出线组200位于薄膜晶体管阵列基板102的四角中的一角。第二扇出线组300临近薄膜晶体管阵列基板102的边缘中部。
第一扇出线组200和第二扇出线组300具体可以由金属或者氧化铟锡制成，但也可以由其他导电材料制成。
第一扇出线组200的引线同层设置，第二扇出线组300的引线不同层设置。
具体的，每一第一扇出线组200至少包括第一引线202和第二引线204，第一引线202和第二引线204位于同一金属层。每一第二扇出线组300包括第三引线302和第四引线304。每一第二扇出线组300中有一引线和第一扇出线组200位于同一金属层，另一引线和第一扇出线组200位于不同的金属层。
本实施方式中，第三引线302与第一扇出线组200的第一引线202和第二引线204位于同一金属层。第四引线304和第三引线302位于不同金属层。当有多个第二扇出线组300时，该多个第二扇出线组300中的第三引线302和第四引线304交错地位于不同的金属层，如此可减小引线间的间距以达到窄边框的效果。
薄膜晶体管阵列基板102具体包括层叠设置的基板50、形成于基板50上的第一金属层80、形成于第一金属层80上的第一绝缘层60、形成于第一绝缘层60上的第二金属层90、形成于第二金属层90上的第二绝缘层70和一导电层704。第一绝缘层60和第二绝缘层70共同形成有第一开口602以裸露出第一金属层80。第二绝缘层70形成第二开口702以露出第二金属层90。
本实施方式中的基板50、第一金属层80、第二金属层90、第一绝缘层60、第二绝缘层70、导电层704、第一扇出线组200、第二扇出线组300、第一开口602和第二开口702中的每一个与实施方式一中相同名称和标号的结构是同一个。
本实施方式中，第一引线202、第二引线204和第三引线302位于第一金属层80。第四引线304位于第二金属层90。
显示区10设置有若干位于第一金属层80的信号线。
第一扇出线组200与第二扇出线组300的另一端均与显示区10的信号线电连接。
第四引线304的远离栅极芯片30的一端通过一桥接结构40与位于显示区10且与第四引线304位于不同金属层的信号线电连接。本实施例中，第四引线304的远离栅极芯片30的一端通过桥接结构40与位于显示区10且位于第一金属层80的信号线电连接。
具体地，桥接结构40设于第四引线304和第一金属层80之间，使第四引线304电性连接于第一金属层80，使信号能够从第四引线304通过桥接结构40传输到第一金属层80再传递到显示区10的对应的信号线。
具体地，桥接结构40包括第一开口602、第二开口702和导电层704。导电层704形成于第二绝缘层70上，同时形成于第一开口602的底部和侧壁和第二开口702的底部和侧壁，以将位于第二金属层90的第四引线304和第一金属层80电连接，从而使第四引线304与位于显示区10的第一金属层80的信号线电连接。
本实施方式中，通过将薄膜晶体管阵列基板102的角落处的扇出线同层设置，无需桥接结构40，避免了由于桥接结构40腐蚀，桥接处的电路断开，信号无法传递到显示区10，使薄膜晶体管阵列基板102和设有薄膜晶体管阵列基板102的显示面板100损坏的问题；同时，临近显示面板100边缘中部的扇出线不同层设计，可以确保窄边框的设计。
(实施方式三)
请结合参照图1、2、3和4，本实施方式提供一显示面板100。
本发明提供的显示面板100应用于需要设置显示屏的电子装置，所述电子装置例如(但不限于)：移动电话、移动电视、智能电话、蓝牙装置、个人数据助理(PDA)、无线电子邮件接收器、手持型或携带型计算机、迷你笔记型计算机、笔记型计算机、智能本、平板计算机、打印机、复印机、扫描仪、传真机、全球定位系统(GPS)接收器/导航仪、摄影机、数字媒体播放器(例如，MP3播放器)、摄录像机、游戏控制面板、腕表、钟表、计算器、电视监视器、平板显示器、电子阅读装置(例如，电子阅读器)、移动健康装置、计算机监视器、汽车显示器(包含里程计显示器及速度计显示器等)、驾驶舱控制件及/或显示器、摄影机景观显示器(例如，车辆中的后视摄影机的显示器)、电子照片、电子广告牌或标识、投影仪、冰箱、洗涤器、干燥器、洗涤器/干燥器、美观结构(例如，关于一件珠宝或衣服的影像显示)，但并不以此为限。
显示面板100包括薄膜晶体管阵列基板102、彩色滤光片基板104和位于薄膜晶体管阵列基板102与彩色滤光片基板104之间的液晶层106。薄膜晶体管阵列基板102设置有如实施方式一所述的扇出电路。
本发明，并非被限定于所述的各实施方式，可在权利要求所示的范围内进行种种变更，将已在不同的实施方式分别被揭示的技术方案进行适当地组合而得到的实施方式也被包含在本发明的技术范围内。进而，通过将已在各实施方式分别被揭示的技术方案进行组合，可以形成新的技术特征。
Claims (10)
1.一种扇出电路，包括第一扇出线组和第二扇出线组，该第一扇出线组包括设于同一层的第一引线和第二引线，该第二扇出线组包括设置于不同层的第三引线和第四引线。
2.根据权利要求1所述的扇出电路，其特征在于，该扇出电路还包括一桥接结构，该第四引线通过该桥接结构与该第三引线所在的层电连接。
3.根据权利要求2所述的扇出电路，其特征在于，还包括一基板、形成于该基板上的第一金属层、形成于该第一金属层上的第一绝缘层、形成于该第一绝缘层上的第二金属层、形成于该第二金属层上的第二绝缘层和一导电层，该第一扇出线组和该第三引线位于该第一金属层，该第四引线位于该第二金属层。
4.根据权利要求3所述的扇出电路，其特征在于，该第一绝缘层和该第二绝缘层共同形成有第一开口以裸露出该第一金属层，该第二绝缘层形成有第二开口以露出该第二金属层。
5.根据权利要求4所述的扇出电路，其特征在于，该第一开口、该第二开口和该导电层共同构成该桥接结构，该导电层形成于第二绝缘层上，同时形成于该第一开口的底部和侧壁和该第二开口的底部和侧壁。
6.一种薄膜晶体管阵列基板，包括一显示区和一非显示区，其特征在于，该非显示区设置有如权利要求1-4任意一项所述的扇出电路。
7.根据权利要求6所述的薄膜晶体管阵列基板，其特征在于，该显示区设有若干同层设置的信号线，该第一扇出线组及该第三引线和该若干信号线位于同一金属层，该第四引线和该若干信号线位于不同的金属层。
8.根据权利要求6所述的薄膜晶体管阵列基板，其特征在于，该第二扇出线组临近薄膜晶体管阵列基板的边缘中部。
9.根据权利要求8所述的薄膜晶体管阵列基板，其特征在于，该第一扇出线组位于薄膜晶体管阵列基板的一角。
10.一种显示面板，包括彩色滤光片基板、薄膜晶体管阵列基板及位于该彩色滤光片基板和该薄膜晶体管阵列基板液晶层，其特征在于：该薄膜晶体管阵列基板为权利要求6所述的薄膜晶体管阵列基板。
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|---|---|
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Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN109410750A (zh) * | 2018-10-26 | 2019-03-01 | 合肥京东方光电科技有限公司 | 显示基板及其制作方法、显示装置 |
Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN101718929A (zh) * | 2009-10-23 | 2010-06-02 | 深超光电（深圳）有限公司 | 一种阵列基板的扇出线路 |
| CN102253507A (zh) * | 2011-04-08 | 2011-11-23 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 芯片扇出设计、其形成方法及使用所述设计的液晶显示器 |
| CN202120015U (zh) * | 2011-06-22 | 2012-01-18 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示元件及电子纸显示屏 |
| CN102890380A (zh) * | 2012-10-12 | 2013-01-23 | 京东方科技集团股份有限公司 | Tft阵列基板及其制作方法和液晶显示装置 |
| CN102902084A (zh) * | 2011-07-28 | 2013-01-30 | 瀚宇彩晶股份有限公司 | 扇出信号线区的结构及显示面板 |
| CN105609510A (zh) * | 2016-04-01 | 2016-05-25 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种阵列基板、显示面板和显示装置 |
| US20160254286A1 (en) * | 2014-08-06 | 2016-09-01 | Boe Technology Group Co., Ltd. | Flexible display panel |
-
2017
- 2017-05-17 CN CN201710350076.0A patent/CN107170755B/zh active Active
Patent Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN101718929A (zh) * | 2009-10-23 | 2010-06-02 | 深超光电（深圳）有限公司 | 一种阵列基板的扇出线路 |
| CN102253507A (zh) * | 2011-04-08 | 2011-11-23 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 芯片扇出设计、其形成方法及使用所述设计的液晶显示器 |
| CN202120015U (zh) * | 2011-06-22 | 2012-01-18 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示元件及电子纸显示屏 |
| CN102902084A (zh) * | 2011-07-28 | 2013-01-30 | 瀚宇彩晶股份有限公司 | 扇出信号线区的结构及显示面板 |
| CN102890380A (zh) * | 2012-10-12 | 2013-01-23 | 京东方科技集团股份有限公司 | Tft阵列基板及其制作方法和液晶显示装置 |
| US20160254286A1 (en) * | 2014-08-06 | 2016-09-01 | Boe Technology Group Co., Ltd. | Flexible display panel |
| CN105609510A (zh) * | 2016-04-01 | 2016-05-25 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种阵列基板、显示面板和显示装置 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN109410750A (zh) * | 2018-10-26 | 2019-03-01 | 合肥京东方光电科技有限公司 | 显示基板及其制作方法、显示装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
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