CN107154449A - 一种降低多晶电池片漏电的工艺方法 - Google Patents
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Abstract
本发明涉及一种降低多晶电池片漏电的工艺方法，在现有工艺中增加了槽式清洗的步骤，硅片在经过槽式清洗后，进一步清洗了硅片表面的金属离子和有机污染，降低了硅片内部的漏电，提升了成品率，提升了RSH，进一步提升了电池片的转换效率。
Description
技术领域
本发明涉及电池片技术领域，尤其是涉及一种降低多晶电池片漏电的工艺方法。
背景技术
传统的降低多晶电池片漏电的工艺方法为：前清洗-扩散-湿法刻蚀-PECVD镀膜-印刷，即：先经过前道的清洗，然后磷扩散，接着经过湿法刻蚀洗去表面磷硅玻璃和边缘刻蚀，接着再经过PECVD镀膜，最后经过丝网印刷工艺完成正背面电极的印刷。但是，由于在湿法刻蚀下料端的自动化设备上，存在用于传送硅片的皮带及滚轮装置，其材料的清洁度非常关键，随着生产时间的延长，皮带及滚轮装置的磨损会不可避免的产生金属离子对硅片接触面造成污染，导致电池片表面会出现零星漏电，降低了电池片的成品率，同时漏电会导致组件热斑效应，带来风险。
发明内容
本发明要解决的技术问题是：为了克服现有技术中的降低多晶电池片漏电的工艺方法容易对硅片接触面造成污染，导致电池片表面会出现零星漏电，降低了电池片的成品率，同时漏电会导致组件热斑效应，带来风险的问题，提供一种降低多晶电池片漏电的工艺方法。
本发明解决其技术问题所采用的技术方案是：一种降低多晶电池片漏电的工艺方法，其工艺步骤为：前清洗—扩散—湿法刻蚀—槽式清洗—PECVD镀膜—印刷，所述槽式清洗的步骤为：
(1)、在槽式清洗机的第一槽体中加入双氧水、氢氟酸和水的混合物，双氧水、氢氟酸和水的配比是：1:1:30；
(2)、将电池片放入槽式清洗机的第一槽体内，电池片通过双氧水的氧化作用，氧化掉硅片表面的有机脏污，同时把金属离子由低价态氧化成高价态，同时在硅片表面形成一层二氧化硅薄层，然后用氢氟酸洗掉二氧化硅薄层，带走部分有机污染和金属离子；
(3)、将电池片放入装有纯水的第二槽体中进行漂洗，洗掉硅片表面残余的氢氟酸；
(4)、在第三个槽体中加入盐酸和水的混合物，盐酸和水的配比是：1:30；
(5)、将电池片放入第三槽体内，电池片上的高价态金属离子与盐酸之间形成络合物，可以去掉硅片表面的金属污染；
(6)、将电池片放入装有纯水的第四槽体中进行漂洗，洗去硅片表面残余的盐酸；
(7)、将电池片从第四槽体内取出，进行慢提拉脱水；
(8)、使用热风刀对电池片表面进行吹干处理。
步骤(6)至少操作两次。
步骤(1)中，双氧水的质量浓度为68％-72％，氢氟酸的质量浓度为49％-51％。
步骤(4)中，盐酸的质量浓度为36％-38％。
本发明的有益效果是:本发明的一种降低多晶电池片漏电的工艺方法，在现有工艺中增加了槽式清洗的步骤，硅片在经过槽式清洗后，进一步清洗了硅片表面的金属离子和有机污染，降低了硅片内部的漏电，提升了成品率，提升了RSH，进一步提升了电池片的转换效率。
附图说明
下面结合附图和实施例对本发明进一步说明。
图1是本发明的工艺方法流程简图；
图2是本发明中槽式清洗的工艺方法流程简图。
具体实施方式
现在结合附图对本发明做进一步详细的说明。这些附图均为简化的示意图，仅以示意方式说明本发明的基本结构，因此其仅显示与本发明有关的构成。
一种降低多晶电池片漏电的工艺方法，其工艺步骤如图1所示：前清洗—扩散—湿法刻蚀—槽式清洗—PECVD镀膜—印刷，所述槽式清洗的步骤如图2所示：
(1)、在槽式清洗机的第一槽体中加入双氧水、氢氟酸和水的混合物，双氧水、氢氟酸和水的配比是：1:1:30；
(2)、将电池片放入槽式清洗机的第一槽体内，电池片通过双氧水的氧化作用，氧化掉硅片表面的有机脏污，同时把金属离子由低价态氧化成高价态，同时在硅片表面形成一层二氧化硅薄层，然后用氢氟酸洗掉二氧化硅薄层，带走部分有机污染和金属离子；
(3)、将电池片放入装有纯水的第二槽体中进行漂洗，洗掉硅片表面残余的氢氟酸；
(4)、在第三个槽体中加入盐酸和水的混合物，盐酸和水的配比是：1:30；
(5)、将电池片放入第三槽体内，电池片上的高价态金属离子与盐酸之间形成络合物，可以去掉硅片表面的金属污染；
(6)、将电池片放入装有纯水的第四槽体中进行漂洗，洗去硅片表面残余的盐酸；
(7)、将电池片从第四槽体内取出，进行慢提拉脱水；
(8)、使用热风刀对电池片表面进行吹干处理。
步骤(6)至少操作两次。
步骤(1)中，双氧水的质量浓度为68％-72％，氢氟酸的质量浓度为49％-51％。
步骤(4)中，盐酸的质量浓度为36％-38％。
以上述依据本发明的理想实施例为启示，通过上述的说明内容，相关工作人员完全可以在不偏离本项发明技术思想的范围内，进行多样的变更以及修改。本项发明的技术性范围并不局限于说明书上的内容，必须要根据权利要求范围来确定其技术性范围。
Claims (4)
1.一种降低多晶电池片漏电的工艺方法，其特征在于：其工艺步骤为：前清洗—扩散—湿法刻蚀—槽式清洗—PECVD镀膜—印刷，所述槽式清洗的步骤为：
(1)、在槽式清洗机的第一槽体中加入双氧水、氢氟酸和水的混合物，双氧水、氢氟酸和水的配比是：1:1:30；
(2)、将电池片放入槽式清洗机的第一槽体内，电池片通过双氧水的氧化作用，氧化掉硅片表面的有机脏污，同时把金属离子由低价态氧化成高价态，同时在硅片表面形成一层二氧化硅薄层，然后用氢氟酸洗掉二氧化硅薄层，带走部分有机污染和金属离子；
(3)、将电池片放入装有纯水的第二槽体中进行漂洗，洗掉硅片表面残余的氢氟酸；
(4)、在第三个槽体中加入盐酸和水的混合物，盐酸和水的配比是：1:30；
(5)、将电池片放入第三槽体内，电池片上的高价态金属离子与盐酸之间形成络合物，可以去掉硅片表面的金属污染；
(6)、将电池片放入装有纯水的第四槽体中进行漂洗，洗去硅片表面残余的盐酸；
(7)、将电池片从第四槽体内取出，进行慢提拉脱水；
(8)、使用热风刀对电池片表面进行吹干处理。
2.如权利要求1所述的一种降低多晶电池片漏电的工艺方法，其特征在于：步骤(6)至少操作两次。
3.如权利要求1所述的一种降低多晶电池片漏电的工艺方法，其特征在于：步骤(1)中，双氧水的质量浓度为68％-72％，氢氟酸的质量浓度为49％-51％。
4.如权利要求1所述的一种降低多晶电池片漏电的工艺方法，其特征在于：步骤(4)中，盐酸的质量浓度为36％-38％。
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