CN107154396B - 功率半导体封装体及其应用 - Google Patents

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Abstract

一种功率半导体封装体包括参考电压端子、电源电压端子、相端子、第一功率晶体管和第二功率晶体管。所述第一功率晶体管和所述第二功率晶体管串联连接，并且形成半桥电路的低压侧开关和高压侧开关。

Description

功率半导体封装体及其应用
技术领域
本公开总体上涉及半导体装置。更具体地，本公开涉及功率半导体封装体及其应用。
背景技术
功率半导体封装体可应用于例如汽车电子装置的各种技术领域和应用中。在汽车电子部件的运行期间，可出现损耗，这导致车辆的燃料消耗和排放的不期望的增加。必须不断地改进功率半导体及它们的封装体。特别地，可令人期望的是提高汽车电子部件的效率，以便减少燃料消耗和排放。
发明内容
根据本发明的一个方面，提供了一种功率半导体封装体，包括：参考电压端子；电源电压端子；相端子；第一功率晶体管；和第二功率晶体管，其中，所述第一功率晶体管和所述第二功率晶体管串联连接，并且形成半桥电路的低压侧开关和高压侧开关。
根据本发明的一个可选实施例，所述电源电压端子电耦接至所述第一功率晶体管的漏极电极，所述参考电压端子电耦接至所述第二功率晶体管的源极电极，并且所述相端子在所述第一功率晶体管的源极电极与所述第二功率晶体管的漏极电极之间电互连。
根据本发明的一个可选实施例，所述功率半导体封装体还包括：被配置用来控制所述第一功率晶体管的栅极电极的第一控制器；和被配置用来控制所述第二功率晶体管的栅极电极的第二控制器。
根据本发明的一个可选实施例，所述第一控制器在所述第一功率晶体管的所述栅极电极与所述参考电压端子之间互连，并且所述第二控制器在所述第二功率晶体管的所述栅极电极与所述电源电压端子之间互连。
根据本发明的一个可选实施例，所述第一控制器和所述第二控制器中的每个被配置成：基于施加到所述电源电压端子的电源电压与施加到所述参考电压端子的参考电压之间的电势差来被供电。
根据本发明的一个可选实施例，所述第一控制器和所述第二控制器的电源独立于封装体内部功率源。
根据本发明的一个可选实施例，所述第一控制器和所述第一功率晶体管单片集成在第一半导体芯片中，并且所述第二控制器和所述第二功率晶体管单片集成在第二半导体芯片中。
根据本发明的一个可选实施例，所述第一半导体芯片和所述第二半导体芯片在竖直方向上彼此堆叠。
根据本发明的一个可选实施例，所述第一半导体芯片和所述第二半导体芯片在横向方向上偏移。
根据本发明的一个可选实施例，所述功率半导体封装体还包括：将所述参考电压端子与所述第一半导体芯片电耦接的第一电耦接元件，其中，所述第一电耦接元件被布置成横向相对于所述第二半导体芯片偏移，并且在所述竖直方向上延伸；和将所述电源电压端子与所述第二半导体芯片电耦接的第二电耦接元件，其中，所述第二电耦接元件被布置成横向相对于所述第一半导体芯片偏移，并且在所述竖直方向上延伸。
根据本发明的一个可选实施例，所述第一电耦接元件和所述第二电耦接元件中的至少一个包括管脚。
根据本发明的一个可选实施例，所述电源电压端子和所述相端子中的每个包括管脚。
根据本发明的一个可选实施例，所述参考电压端子包括基板。
根据本发明的一个可选实施例，所述参考电压端子、所述电源电压端子和所述相端子中的每个都能够从所述功率半导体封装体的外部接触到。
根据本发明的一个可选实施例，所述功率半导体封装体是3端子封装体。
根据本发明的一个可选实施例，所述功率半导体封装体是压配式封装体。
根据本发明的一个可选实施例，所述功率半导体封装体被配置成作为多相整流器的支路运行。
根据本发明的另一方面，提供了一种电路，包括：电源电压端子；参考电压端子；第一功率晶体管；第二功率晶体管，其中，所述第一功率晶体管和所述第二功率晶体管串联连接，并且形成半桥电路的低压侧开关和高压侧开关；被配置成用来控制所述第一功率晶体管的第一控制器，其中，所述第一控制器在所述第一功率晶体管与所述参考电压端子之间互连；和被配置成用来控制所述第二功率晶体管的第二控制器，其中，所述第二控制器在所述第二功率晶体管与所述电源电压端子之间互连。
根据本发明的一个可选实施例，所述第一控制器和所述第二控制器中的每个被配置成：由施加到所述电源电压端子的电源电压与施加到所述参考电压端子的参考电压之间的电势差来供电。
根据本发明的又一方面，提供了一种包括多个支路的多相整流器，其中，所述多个支路中的至少一个包括半导体封装体，所述半导体封装体包括：参考电压端子；电源电压端子；相端子；第一功率晶体管；和第二功率晶体管，其中，所述第一功率晶体管和所述第二功率晶体管串联连接，并且形成半桥电路的低压侧开关和高压侧开关。
根据本发明的一个可选实施例，所述多相整流器被配置成用来在机动车交流发电机中运行。
附图说明
附图被包括以提供对多个方面的进一步理解，并且附图被结合并构成本说明书的一部分。附图示出多个方面，并与说明书一起用于解释多个方面的原理。其他方面和各方面的许多预期优点由于通过参考下文详细描述变得更好理解而容易被领会。附图的元件不一定相对彼此按比例绘制。相似的附图标记可表示相应的类似部分。
图1示意性地示出根据本公开的功率半导体封装体100。
图2示意性地示出根据本公开的电路200。
图3示意性地示出根据本公开的电路300。
图4示意性地示出根据本公开的装置400的侧剖视图。
图5示意性地示出根据本公开的装置500的侧剖视图。
图6示意性地示出成压配式封装体形式的根据本公开的装置600的侧剖视图。
图7示出包括多相整流器的电路700的示意图。
图8示出包括多相整流器的电路800的示意图。该多相整流器包括根据本公开的功率半导体封装体。
具体实施方式
在下文的详细描述中，参考了附图，在所述附图中，通过图示的方式示出了可实践本公开的具体方面。在这点上，可参考所描述的附图的取向，来使用诸如“上”，“下”，“前”，“后”等的方向性术语。由于所描述的装置的部件可以许多不同的取向放置，因此所述方向性术语可用于说明的目的，而绝非限制的目的。在不背离本公开的思想的情况下，可使用其他方面并可做出结构或逻辑的改变。因此，下文的详细描述不应以限制的意义理解，本公开的思想由所附权利要求限定。
如本说明书中所使用的那样，术语“连接”，“耦接”，“电连接”和/或“电耦接”不一定意味着元件必须直接连接或耦接在一起。可在“连接”，“耦接”，“电连接”或“电耦接”的元件之间提供中间元件。
另外，对于例如形成于或位于物体的表面“之上”的材料层中所使用的词语“之上”可在本文中用来表示所述材料层可“直接”位于(例如形成于、沉积于等)所述表面之上，例如与所述表面直接接触。对于例如形成于或位于表面“之上”的材料层中所使用的词语“之上”也可在本文中用来表示所述材料层可“非直接地”位于(例如形成于、沉积于等)所述表面之上，例如一个或一个以上附加层布置在所述表面与所述材料层之间。
本文描述了装置和用于制造装置方法。与所描述的装置做出的相关说明对于相应的方法也可成立，并且反之亦然。例如，如果描述了装置的具体部件，则用于制造装置的相应方法可包括以合适的方式提供所述部件的步骤，即使没有明确地描述或在图中示出这种步骤。此外，除非另有特别说明，否则本文所描述的各种示例性方面的特征可彼此结合起来。
本文所描述的装置可包括一个或一个以上半导体芯片。通常，半导体芯片可包括集成电路、无源电子部件、有源电子部件等。集成电路可被设计为逻辑集成电路、模拟集成电路、混合信号集成电路、功率集成电路等。半导体芯片不需要由特定的半导体材料制造，并且可包含非半导体的无机和/或有机材料，例如绝缘体、塑料、金属等。在一个示例中，半导体芯片可由元素半导体材料、例如Si等制造。在一个另外的示例中，半导体芯片可由化合物半导体材料、例如GaN、SiC、SiGe、GaAs等制造。
在一个示例中，半导体芯片可包括功率半导体。通常，功率半导体芯片可被配置为二极管、功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管：Metal Oxide SemiconductorField Effect Transistor)、IGBT(绝缘栅双极型晶体管：Insulated Gate BipolarTransistor)、JFET(结栅场效应晶体管：Junction Gate Field Effect Transistor)、HEMT(高电子迁移率晶体管：High Electron Mobility Transistor)、超结器件、功率双极晶体管等。在第一种情况下，功率半导体芯片可具有竖直结构，即半导体芯片可被制造成使得电流可基本上在与半导体芯片的主表面垂直的方向上流动。例如，功率MOSFET的栅极电极和源极电极可布置在一个主表面之上，而功率MOSFET的漏极电极可布置在另一个主表面之上。在第二种情况下，功率半导体芯片可具有横向结构，即半导体芯片可被制造成使得电流可基本上在与半导体芯片的主表面平行的方向上流动。例如，功率MOSFET的栅极电极、源极电极和漏极电极可布置在功率MOSFET的一个主表面之上。
在一个另外的示例中，根据本公开，半导体芯片可被配置成用来控制(或驱动)装置的电子部件。例如，这种控制(或驱动)半导体芯片可被配置成用来控制一个或一个以上功率半导体芯片的集成电路。控制电路可被配置成用来驱动装置的一个或一个以上电子部件，例如大功率晶体管。在此，控制电路和大功率晶体管可单片集成在一个半导体芯片中。被驱动的部件可以是电压驱动或电流驱动的。在一种情况下，可通过栅极驱动器电路来执行对包括栅极电极的部件的驱动。驱动过程可包括将不同电压、例如以导通和关断的切换波形的形式的电压施加至栅极电极。
本文所描述的装置可包括一个或一个以上电端子，例如电源电压端子、参考电压端子、相端子。半导体封装体的电端子可特别地允许从半导体封装体的外部与所包括的并且布置在半导体封装体中的内部电子结构和电子部件(例如半导体芯片)进行电接触。这种端子可特别地位于半导体封装体的周边并因此代表半导体封装体的外部端子。所述端子于是可具有暴露的部分并因此可从半导体封装体的外部接触到。在这点上，接触端子可与可以是半导体封装体的内部结构的一部分的电端子区分开。在一个示例中，端子(例如电源端子或相端子)可包括或可相应于管脚或引线。在另一示例中，端子(例如参考端子)可包括或可相应于基板(例如压配式封装体的基板)。端子可由金属和/或金属合金、特别是铜和/或铜合金制成。半导体封装体可基于其(外部)端子的数量来分类。例如，3端子半导体封装体可相应于具有正好三个可从半导体封装体外接触到的端子的半导体封装体。
图1示意性地示出根据本公开的功率半导体封装体100。该功率半导体封装体100以一般性方式示出，以便定性地详细说明本公开的一个方面。为简单起见，功率半导体封装体100可包括未示出的另外的部件。例如，根据本公开，功率半导体封装体100可还包括其他装置的一个或一个以上部件。
功率半导体封装体100可包括参考电压端子2(参见VREF)，电源电压端子4(参见VSUP)和相端子6(参见PHASE)。特别地，端子2、4、6中的每个可相应于功率半导体封装体100的可从功率半导体封装体100外接触到的外部端子。图1中，功率半导体封装体100的外围由虚线示出。鉴于此，功率半导体封装体100可特别地相应于3端子封装体。功率半导体封装体100可还包括第一功率晶体管8和第二功率晶体管10。第一功率晶体管8和第二功率晶体管10可串联连接，并且可形成半桥电路的低压侧开关和高压侧开关。
如稍后将描述的那样，在一个示例中，功率半导体封装体100可被配置成作为多相整流器的支路来运行。在这种整流器的运行期间，可在整流器的支路处出现电压降。对于使用二极管来实现整流器支路的情况，这种电压降的值可为大约1V。与此不同的是，当基于根据本公开的功率半导体部件实现支路时，支路处的电压降可减小到约0.2V的值。结合图8来进行描述包括根据本公开的功率半导体部件的整流器的具体示例。
图2示意性地示出根据本公开的电路200。电路200以一般性方式示出，以便定性地详细说明本公开的一个方面。为简单起见，电路200可包括未示出的另外的部件。例如，根据本公开，电路200可还包括其他装置的一个或一个以上部件。
电路200可包括参考电压端子2(参见VREF)和电源电压端子4(参见VSUP)。电路200可还包括第一功率晶体管8和第二功率晶体管10。所述第一功率晶体管8和所述第二功率晶体管10可串联连接，并且可形成半桥电路的低压侧开关和高压侧开关。电路200可还包括被配置成用来控制第一功率晶体管8的第一控制器12，其中，所述第一控制器12可在第一功率晶体管8与参考电压端子2之间互连。此外，电路200可包括被配置成用来控制第二功率晶体管10的第二控制器14，其中，所述第二控制器14可在第二功率晶体管10与电源电压端子4之间互连。
在图2的示例中，第一控制器12和第二控制器14中的每个连接在电路200中，使得控制器12和14中的每个可被配置成基于施加到参考电压端子2的参考电压与施加到电源电压端子4的电源电压之间的电势差而被供电。就是说，可利用电势差来为控制器12和14供电。因此，第一控制器12和第二控制器14的电源可独立于封装体内部功率源。因此，包括电路200的功率半导体封装体可不需要包括为第一控制器12和第二控制器14供电的附加功率源。
图3示意性地示出根据本公开的电路300。电路300可被视为电路200的更详细的实现，使得下文描述的电路300的细节可同样应用于电路200。电路300可被包括在根据本公开的功率半导体封装体中。这种功率半导体封装体可例如被配置成作为多相整流器的支路运行。
电路300可包括参考电压端子2、电源电压端子4和相端子6。另外，电路300可包括第一功率晶体管8、第二功率晶体管10、第一控制器12和第二控制器14。第一功率晶体管8和第一控制器12可形成第一半导体芯片16，而第二功率晶体管10和第二控制器14可形成第二半导体芯片18。特别地，第一功率晶体管8和第一控制器12可单片集成在第一半导体芯片16中，第二功率晶体管10和第二控制器14可单片集成在第二半导体芯片18中。
在图3的示例中，电源电压端子4可电耦接到电源(未示出)，特别是电耦接到例如电池的DC电源的端子。在这点上，参考电压端子2可电耦接到DC电源的另外的端子。特别地，参考电压端子可接地。相端子6可电耦接至发电机(未示出)。
第一功率晶体管8和第二功率晶体管10中的每个可相应于功率MOSFET。在这点上，第一功率晶体管8和第二功率晶体管10中的每个可包括栅极电极(参见G1，G2)、源极电极(参见S1，S2)和漏极电极(参见D1，D2)。第一功率晶体管8的漏极电极D1可电耦接至电源电压端子4，第一功率晶体管8的栅极电极G1可电耦接至第一控制器12，第一功率晶体管8的源极电极S1可电耦接至第二功率晶体管10的漏极电极D2。另外，第二功率晶体管10的栅极电极G2可电耦接至第二控制器14，第二功率晶体管10的源极电极S2可电耦接至参考电压端子2。因此，第一功率晶体管8和第二功率晶体管14可串联连接，其中，相端子6可在第一功率晶体管8的源极电极S1与第二功率晶体管10的漏极电极D2之间互连。
第一控制器12可在第一功率晶体管8的栅极电极G1与参考电压端子2之间互连。以类似方式，第二控制器14可在第二功率晶体管10的栅极电极G2与电源电压端子4之间互连。由于它们在电路300中的布置结构，控制器12和14中的每个可被配置成基于施加到电源电压端子4的电源电压与施加到参考电压端子2的参考电压之间的电势差而被供电。因此，可省略为第一控制器12和第二控制器14提供电源的附加功率源。
第一功率晶体管8和第二功率晶体管10可被配置成作为布置在参考电压端2与电源电压端子4之间的半桥电路的低压侧开关和高压侧开关来运行。在这点上，第一控制器12可被配置成作为栅极驱动器来运行，并且用来控制第一功率晶体管8的栅极电极G1。类似地，第二控制器14可被配置成作为栅极驱动器来运行，并且用来控制第二功率晶体管10的栅极电极G2。
图4示意性地示出根据本公开的装置400的侧剖视图。装置400可被配置成用来根据图3的电路300来运行。为简单起见，装置400可包括未示出的另外的部件。例如，装置400可还包括根据本公开的其他装置的一个或一个以上部件。
装置400可包括参考电压端子2、电源电压端子4、相端子6、第一半导体芯片16和第二半导体芯片18。如图4中示出的那样，部件可在竖直方向上(参见y轴线)彼此堆叠。第一半导体芯片16和第二半导体芯片18中的每个可包括功率晶体管和控制器，使得类似于图3的电路可在装置400中实现。装置400可还包括第一电耦接元件20和第二电耦接元件22。
例如，参考电压端子2可以是可由铜和/或铜合金制成的金属基板。参考电压端子2可接地并且被配置成用来消散由半导体芯片16和18产生的运行热。第二半导体芯片18可包括具有竖直结构的(第二)功率MOSFET。第二功率MOSFET的栅极电极和源极电极可布置在第二半导体芯片18的下表面之上，而第二功率MOSFET的漏极电极可布置在第二半导体芯片18的上表面之上。第二功率MOSFET的源极电极(或第二半导体芯片18的阳极端子)可电耦接至参考电压端子2。
相端子6的下表面可电耦接至第二功率MOSFET的漏极电极(或电耦接至第二半导体芯片18的阴极端子)。相端子6可以是高导电性的，并且可例如由金属和/或金属合金，特别是铜和/或铜合金制造。相端子6因此可被配置成用来将第一半导体芯片16和第二半导体芯片18电耦接并且热耦合。第二半导体芯片18的上表面的至少一部分可保持不被相端子6覆盖，使得可通过第二电耦接元件22建立电源电压端子4与第二半导体芯片18之间的电连接。
第一半导体芯片16可包括具有竖直结构的(第一)功率MOSFET。第一功率MOSFET的栅极电极和源极电极可布置在第一半导体芯片16的下表面之上，而第一功率MOSFET的漏极电极可布置在第一半导体芯片16的上表面之上。相端子6的上表面可电耦接至第一功率MOSFET的源极电极(或电耦接至第一半导体芯片16的阳极端子)。第一半导体芯片16的下表面的至少一部分可保持不被相端子6覆盖，使得可通过第一电耦接元件20建立参考电压端子2与第一半导体芯片16之间的电连接。电源电压端子4的下表面可电耦接至第一功率MOSFET的漏极电极(或电耦接至第一半导体芯片16的阴极端子)。
第一电耦接元件20和第二电耦接元件22中的每个可以是由金属和/或金属合金，特别是铜和/或铜合金制造的管脚(或引线)。第一电耦接元件20可提供集成在第一半导体芯片16中的(第一)控制器与参考电压端子2之间的电耦接。另外，第二电耦接元件22可提供集成在第二半导体芯片18中的(第二)控制器与电源电压端子4之间的电耦接。在一个示例中，第二电耦接元件22可在延伸出或进入图4的绘图平面的方向(参见z轴线)上横向相对于第二半导体芯片18偏移，使得第二电耦接元件22可旁绕过去并因此不接触第二半导体芯片18，以便到达并接触参考电压端子2。在一个另外的示例中，第二电耦接元件22可通过从第二半导体芯片18的上表面延伸至第二半导体芯片18的下表面的直通连接，接触第二半导体芯片18的下表面。
第一半导体芯片16和第二半导体芯片18可包括类似的部件，并因此可具有类似的几何尺寸。在图4的示例中，半导体芯片16和18可在横向方向上(参见x轴线)偏移地布置，使得电耦接元件20和22可基本上在竖直方向上(参见y轴线)延伸，从而建立半导体芯片16和18中的控制器与端子2和4之间的电连接。
图5示意性地示出根据本公开的装置500的侧剖视图。装置500可至少部分地类似于装置400，并且可包括类似的部件，使得结合图4做出的说明对于图5也可成立。装置500可被配置成用来根据图3的电路300来运行。为简单起见，装置500可包括未示出的另外的部件。例如，装置500可还包括根据本公开的其他装置的一个或一个以上部件。
装置500的电耦接元件20和22可不同于图4中的装置400的类似部件。如结合图4所说明的那样，图5中的第一电耦接元件20可建立第一半导体芯片16中的第一控制器与参考电势端子2之间的电耦接，但是所述第一电耦接元件20可在形式和尺寸上有所不同。图5中的第二电耦接元件22可以是L形的，包括在x方向上延伸的第一部分和在y方向上延伸的第二部分。竖直的第一部分可电耦接至电源电压端子4，横向的第二部分可电耦接至布置在第二半导体芯片18的下表面之上的电极，该电极电耦接至第二半导体芯片18的第二控制器。例如，当半导体芯片16和18在它们的x方向上的横向尺寸可能不同时，可使用图5的布置结构。
图6示意性地示出根据本公开的装置600的侧剖视图。装置600可被配置成用来根据图3的电路300来运行，并可相应于压配式封装体。
装置600可至少部分地类似于图4的装置400，并且可包括类似的部件。此外，装置600可包括形成腔的金属杯24、电源电压端子管脚(或引线)26、相端子管脚(或引线)28和包封材料30。金属杯24的底部可包括可相应于上文所述的参考电压端子2的基板。金属杯24可电耦接至参考电势，特别是接地。电源电压管脚26和电源电压端子4可形成为一体。电源电压管脚26可电耦接至例如电池的电源电压。相端子管脚28和相端子6可形成为一体。在图6的侧剖视图中，相端子管脚28与相端子6之间的连接可在第二半导体芯片16和电源电压端子4之后延伸，并因此可被隐藏起来。金属杯24的腔可填充有可覆盖布置在腔中的一个或一个以上部件的电绝缘包封材料30。在图6的示例中，仅管脚26和28可延伸出包封材料30。
如上所述，在图6的示例中，金属杯24的基板可电耦接至参考电势，而管脚26可电耦接至电源电压。应当注意的是，在另外的示例中，施加到金属杯24的基板和管脚26的电势可颠倒。也就是说，金属杯24的基板可电耦接至电源电压，而管脚26可电耦接至参考电势，特别是接地。在这种情况下，可颠倒装置600的在y方向上的部件的顺序，以便实现类似的电路。
图7示出可在车辆中使用的电路700的示意图。电路700可包括交流发电机32、多相整流器34、负载36和电池38。多相整流器34可包括三个支路40，其中，支路40中的每个均可包括两个二极管42.1、42.2。
在图7的示例中，交流发电机32可以是被配置成用来生成三个独立AC电流(参见P1、P2、P3)的三相交流发电机。三个AC电流可具有相同的频率，相同的幅度，并且可相对于彼此相移120°的值。三个AC电流中的每个可以是到多相整流器34的相应支路40的输入，所述多相整流器34可因此相应于三相整流器。整流器34的三个支路40可被配置成用来整流AC电流，使得可在整流器34的输出端提供DC电压。该DC电压(参见VSUP，VREF)可例如用来为负载36供电。此外，DC电压可用来为电池38充电。应当注意的是，在一个另外的示例中，电路700可基于六相。就是说，交流发电机32和整流器34可相应于六相交流发电机和六相整流器。在又一个另外的示例中，电路700可基于五相。就是说，交流发电机32和整流器34可相应于五相交流发电机和五相整流器。
图8示出包括根据本公开的功率半导体封装体的电路800的示意图。电路800可类似于图7的电路700地运行。
电路800可至少部分地包括与电路700类似的部件。与电路700不同的是，在三相整流器34的每个支路中，相应的二极管42.1、42.2对可由如结合之前附图进行描述的包括端子2、4和6的功率半导体封装体50替代。功率半导体封装体50可类似于根据本公开的所讨论的任何功率半导体封装体或电路。
如结合图1所描述的那样，与在整流器34的支路中使用二极管的电路700相比，使用功率半导体封装体50的电路800可在整流器34的支路处提供减小的电压降。此外，如结合图2所描述的那样，功率半导体封装体50不需要包括内部功率源来为包括在功率半导体封装体中的控制器供电。而是控制器可基于电源电压VSUP与参考电势VREF之间的电势差而被供电。
尽管可能已经关于几个实施方式中的仅一个来公开本公开的特定特征或方面，但是如对于任何给定的或特定的应用可令人期望的和有利的是，这种特征或方面可与其他实施方式的一个或一个以上其他特征或方面结合起来。另外，就术语“包括”，“具有”，“带有”或它们的其他变型使用于具体实施方式或权利要求中来说，这些术语旨在以与术语“包含”类似的方式表示包括性的。此外，术语“示例性的”仅仅意味着示例，而不是最佳的或最优的。还应当理解的是，为简单和易于理解的目的，本文所示的特征和/或元件是以相对于彼此特定的尺寸示出的，并且实际尺寸基本上可与本文所示的尺寸不同。
尽管本文已经示出并描述了具体方面，但是本领域技术人员将理解的是，在不背离本公开的思想的情况下，多种替代方案和/或等同实施方式可替代所示出和描述的具体方面。本申请旨在覆盖本文所讨论的具体方面的任何修改或变化。因此，本公开旨在仅由权利要求及其等同方案限制。

Claims (17)

1.一种功率半导体封装体，包括：
参考电压端子；
电源电压端子；
相端子；
第一功率晶体管；
第二功率晶体管，其中，所述第一功率晶体管和所述第二功率晶体管串联连接，并且形成半桥电路的低压侧开关和高压侧开关；
被配置用来控制所述第一功率晶体管的栅极电极的第一控制器；和
被配置用来控制所述第二功率晶体管的栅极电极的第二控制器，
其中，所述第一控制器在所述第一功率晶体管的所述栅极电极与所述参考电压端子之间互连，
其中，所述第二控制器在所述第二功率晶体管的所述栅极电极与所述电源电压端子之间互连，并且
其中，所述第一控制器和所述第二控制器中的每个被配置成：基于施加到所述电源电压端子的电源电压与施加到所述参考电压端子的参考电压之间的电势差来被供电。
2.根据权利要求1所述的功率半导体封装体，其中，
所述电源电压端子电耦接至所述第一功率晶体管的漏极电极，
所述参考电压端子电耦接至所述第二功率晶体管的源极电极，并且
所述相端子在所述第一功率晶体管的源极电极与所述第二功率晶体管的漏极电极之间电互连。
3.根据权利要求1所述的功率半导体封装体，其中，所述第一控制器和所述第二控制器的电源独立于封装体内部功率源。
4.根据权利要求1或2所述的功率半导体封装体，其中，
所述第一控制器和所述第一功率晶体管单片集成在第一半导体芯片中，并且
所述第二控制器和所述第二功率晶体管单片集成在第二半导体芯片中。
5.根据权利要求4所述的功率半导体封装体，其中，所述第一半导体芯片和所述第二半导体芯片在竖直方向上彼此堆叠。
6.根据权利要求5所述的功率半导体封装体，其中，所述第一半导体芯片和所述第二半导体芯片在横向方向上偏移。
7.根据权利要求6所述的功率半导体封装体，还包括：
将所述参考电压端子与所述第一半导体芯片电耦接的第一电耦接元件，其中，所述第一电耦接元件被布置成横向相对于所述第二半导体芯片偏移，并且在所述竖直方向上延伸；和
将所述电源电压端子与所述第二半导体芯片电耦接的第二电耦接元件，其中，所述第二电耦接元件被布置成横向相对于所述第一半导体芯片偏移，并且在所述竖直方向上延伸。
8.根据权利要求7所述的功率半导体封装体，其中，所述第一电耦接元件和所述第二电耦接元件中的至少一个包括管脚。
9.根据权利要求1-2、5-8中任一项所述的功率半导体封装体，其中，所述电源电压端子和所述相端子中的每个包括管脚。
10.根据权利要求1-2、5-8中任一项所述的功率半导体封装体，其中，所述参考电压端子包括基板。
11.根据权利要求1-2、5-8中任一项所述的功率半导体封装体，其中，所述参考电压端子、所述电源电压端子和所述相端子中的每个都能够从所述功率半导体封装体的外部接触到。
12.根据权利要求1-2、5-8中任一项所述的功率半导体封装体，其中，所述功率半导体封装体是3端子封装体。
13.根据权利要求1-2、5-8中任一项所述的功率半导体封装体，其中，所述功率半导体封装体是压配式封装体。
14.根据权利要求1-2、5-8中任一项所述的功率半导体封装体，其中，所述功率半导体封装体被配置成作为多相整流器的支路运行。
15.一种电路，包括：
电源电压端子；
参考电压端子；
第一功率晶体管；
第二功率晶体管，其中，所述第一功率晶体管和所述第二功率晶体管串联连接，并且形成半桥电路的低压侧开关和高压侧开关；
被配置成用来控制所述第一功率晶体管的第一控制器，其中，所述第一控制器在所述第一功率晶体管与所述参考电压端子之间互连；和
被配置成用来控制所述第二功率晶体管的第二控制器，其中，所述第二控制器在所述第二功率晶体管与所述电源电压端子之间互连，
其中，所述第一控制器和所述第二控制器中的每个被配置成：由施加到所述电源电压端子的电源电压与施加到所述参考电压端子的参考电压之间的电势差来供电。
16.一种包括多个支路的多相整流器，其中，所述多个支路中的至少一个包括根据权利要求1-14中任一项所述的半导体封装体。
17.根据权利要求16所述的多相整流器，其中，所述多相整流器被配置成用来在机动车交流发电机中运行。
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