CN107118825A - 一种发光二极管的切割保护液和切割方法 - Google Patents

一种发光二极管的切割保护液和切割方法 Download PDF

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Abstract

本发明公开了一种发光二极管的切割保护液和切割方法，属于光电子技术领域。该切割保护液包括非离子表面活性剂、丙烯乙二醇和水，其中非离子表面活性剂的质量分数为3～30％，丙烯乙二醇的质量分数为5～35％，水的质量分数为35～92％，在切割发光二极管的过程中，将切割保护液与去离子水混合使用，去离子水可以对刀轮和晶元进行冷却和清洗，避免出现刀轮或晶元过热，并及时去除碎屑，非离子表面活性剂和丙烯乙二醇可以在切割过程中对刀轮和晶元进行润滑，降低刀轮的磨损，同时可以减少单个LED的边缘崩裂的情况，从而提高了产品的良率。

Description

一种发光二极管的切割保护液和切割方法
技术领域
本发明涉及光电子技术领域，特别涉及一种发光二极管的切割保护液和切割方法。
背景技术
发光二极管(英文：Light Emitting Diode，简称：LED)作为光电子产业中极具影响力的新产品，具有体积小、使用寿命长、颜色丰富多彩、能耗低等特点，广泛应用于照明、显示屏、信号灯、背光源、玩具等领域。
在制作LED时，在晶元的一侧面完成LED的生长后，通常会对晶元进行切割，以将晶圆分割成多个独立的LED芯片。在采用金刚石刀轮切割晶元时，会使用去离子水连续对刀轮和晶元进行冷却和清洗，带走切割过程中形成的碎屑，并对刀轮和晶元进行降温，从而降低刀轮的磨损，提高切割的质量。
但是由于去离子水在切割过程中对刀轮和晶元的润滑作用十分有限，因此使得切割过程中仍会对刀轮产生较大的磨损，且容易出现分割出的单个LED的边缘崩裂的情况，从而降低产品良率。
发明内容
为了解决去离子水在切割过程中的润滑作用有限，导致产品良率降低的问题，本发明实施例提供了一种发光二极管的切割保护液和切割方法。所述技术方案如下：
一方面，本发明实施例提供了一种发光二极管的切割保护液，所述切割保护液包括非离子表面活性剂、丙烯乙二醇和水，其中所述非离子表面活性剂的质量分数为3～30％，所述丙烯乙二醇的质量分数为5～35％，所述水的质量分数为35～92％。
优选地，所述非离子表面活性剂为脂肪醇聚氧乙烯醚。
另一方面，本发明实施例还提供了一种发光二极管的切割方法，所述切割方法包括：
将待切割的晶元正面朝上置于切割机的工作台上；
通过刀轮对所述晶元进行切割，且在切割过程中，采用预定流量的切割保护液和去离子水的混合液对所述刀轮和所述晶元进行连续地冷却和清洗；
其中，所述切割保护液为前述的任一种切割保护液。
可选地，所述刀轮的转速为34000rpm～36000rpm。
可选地，所述刀轮的进给速度为55～65mm/s。
优选地，所述混合液中所述切割保护液和所述去离子水的体积比为1∶2000。
进一步地，所述混合液的预定流量为2L/min。
可选地，所述混合液的温度与室温之间的差值不超过1℃。
可选地，在所述将待切割的晶元正面朝上置于切割机的工作台上之前，所述切割方法还包括：
在所述晶元的背面粘贴胶膜。
进一步地，所述切割方法还包括：
对切割后的所述晶元进行干燥处理。
本发明实施例提供的技术方案带来的有益效果是：切割保护液包括非离子表面活性剂、丙烯乙二醇和水，其中非离子表面活性剂的质量分数为3～30％，丙烯乙二醇的质量分数为5～35％，水的质量分数为35～92％，在切割发光二极管的过程中，将切割保护液与去离子水混合使用，去离子水可以对刀轮和晶元进行冷却和清洗，避免出现刀轮或晶元过热，并及时去除碎屑，非离子表面活性剂和丙烯乙二醇可以在切割过程中对刀轮和晶元进行润滑，降低刀轮的磨损，提高晶圆切割的效率，同时可以减少单个LED的边缘崩裂的情况，从而提高了产品的良率。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1是本发明实施例提供的一种发光二极管的切割方法的流程图；
图2是本发明实施例提供的另一种发光二极管的切割方法的流程图。
具体实施方式
为使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图对本发明实施方式作进一步地详细描述。
本发明实施例提供了一种切割保护液，在切割发光二极管时与去离子水同时使用，该切割保护液包括非离子表面活性剂、丙烯乙二醇和水，其中非离子表面活性剂的质量分数为3～30％，丙烯乙二醇的质量分数为5～35％，水的质量分数为35～92％。
通过切割保护液包括非离子表面活性剂、丙烯乙二醇和水，其中非离子表面活性剂的质量分数为3～30％，丙烯乙二醇的质量分数为5～35％，水的质量分数为35～92％，在切割发光二极管的过程中，将切割保护液与去离子水混合使用，去离子水可以对刀轮和晶元进行冷却和清洗，避免出现刀轮或晶元过热，并及时去除碎屑，非离子表面活性剂和丙烯乙二醇可以在切割过程中对刀轮和晶元进行润滑，降低刀轮的磨损，提高晶圆切割的效率，同时可以减少单个LED的边缘崩裂的情况，从而提高了产品的良率。
优选地，非离子表面活性剂为脂肪醇聚氧乙烯醚，脂肪醇聚氧乙烯醚是一种常用的非离子表面活性剂，能降低刀轮和晶元表面的摩擦系数，有效降低刀轮的磨损和单个LED的边缘崩裂的情况。
优选地，切割保护液中的水可以是去离子水，在对LED进行清洗时，通常采用去离子水清洗，为了避免引入杂质元素，切割保护液中的水也可以采用去离子水。
图1是本发明实施例提供的一种发光二极管的切割方法的流程图，如图1所示，该切割方法包括：
S11：将待切割的晶元正面朝上置于切割机的工作台上。
S12：通过刀轮对晶元进行切割，且在切割过程中，采用预定流量的切割保护液和去离子水的混合液对刀轮和晶元进行连续地冷却和清洗。
其中，切割保护液为前述的任一种切割保护液。
通过切割保护液包括非离子表面活性剂、丙烯乙二醇和水，其中非离子表面活性剂的质量分数为3～30％，丙烯乙二醇的质量分数为5～35％，水的质量分数为35～92％，在切割发光二极管的过程中，将切割保护液与去离子水混合使用，去离子水可以对刀轮和晶元进行冷却和清洗，避免出现刀轮或晶元过热，并及时去除碎屑，非离子表面活性剂和丙烯乙二醇可以在切割过程中对刀轮和晶元进行润滑，降低刀轮的磨损，提高晶圆切割的效率，同时可以减少单个LED的边缘崩裂的情况，从而提高了产品的良率。
图2是本发明实施例提供的另一种发光二极管的切割方法的流程图，如图2所示，该切割方法包括：
S21：在晶元的背面粘贴胶膜。
具体地，步骤S21可以包括：
将晶元正面朝下放置于贴片机的承载盘上；
将切割机的铁环固定在晶元的环状侧壁上，并在晶元的背面粘贴胶膜；
将晶元置于烤箱内烘烤。
在进行烘烤时，可以将晶元的正面朝上放置于烤箱中，通过对粘贴胶膜后的晶元进行烘烤，可以使胶膜牢固的粘贴在晶元的背面，确保在切割后，晶元依然连成一个整体。
可选地，烘烤温度可以为78～82℃。
可选地，烘烤时间可以为28～32min。
优选地，对晶元进行烘烤之前，还可以将超出晶元和铁环的胶膜去除，避免多余的胶膜影响晶元的切割。
进一步地，在粘贴胶膜时，还需去除胶膜中的气泡，以确保胶膜和晶元完全贴合。
此外，胶膜应选用不留胶薄膜，避免在去除胶膜时，在切割后的单个LED芯片上残留粘胶。
可选地，胶膜可以包括聚氯乙烯(Polyvinyl chloride，简称PVC)基材和亚克力系粘着剂，不易残胶。
同时，胶膜的厚度差(最厚处的厚度与最薄处的厚度之差)不超过4μm，以提高加工精度。
S22：对晶元进行切割。
具体地，可以采用金刚石刀轮进行切割。
实现时，刀轮的转速可以为34000rpm～36000rpm，转速过低，会使得形成的切口粗糙，难以达到工艺要求，可以综合考虑工艺要求和切割机的性能选择合适的转速。
可选地，刀轮的进给速度可以为55～65mm/s，刀轮的进给速度与切割效率和切割质量都有关系，若刀轮的进给速度过慢，则会使得切割效率过低，从而导致生产效率降低，若刀轮的进给速度过快，则会出现切口粗糙甚至崩边，从而降低切割的质量。
在进行切割时，可以将晶元置于切割机的承载盘上，晶元的正面朝上放置。
具体地，切割机的承载盘可以是在陶瓷微孔承载盘，陶瓷微孔承载盘上产生有负压，从而将晶元固定在承载盘上。
进一步地，陶瓷微孔承载盘的真空度可以达到-0.6MPa。
S23：对刀轮和晶元进行连续地冷却和清洗。
具体地，采用预定流量的切割保护液和去离子水的混合液对刀轮和晶元进行连续地冷却和清洗，其中，切割保护液为前述的任一种切割保护液。
可选地，混合液中切割保护液和去离子水的体积比可以为1∶2000，若混合液中切割保护液的体积比过小，则会降低对刀轮和晶元的润滑作用，从而无法有效降低刀轮的磨损和单个LED的边缘崩裂的情况，若混合液中切割保护液的体积比过大，则会造成切割保护液的浪费。
进一步地，混合液的预定流量可以为2L/min，若混合液的流量过小，则不能对刀轮和晶元进行有效的冷却和清洗，若混合液的流量过大，则会造成混合液的浪费。
需要说明的是，混合液可以在切割进行之前先行配置，以供切割过程中使用，配置好的混合液呈弱酸性，使用时，混合液的温度与室温之间的差值应不超过1℃，其中室温指进行切割的车间环境温度。
此外，步骤S23与步骤S22应同时进行。
S24：对切割后的晶元进行干燥处理。
具体地，可以将切割后的晶元整体置于甩干机中进行甩干。
可选地，甩干机的转速可以为1900～2100rpm。
在本发明的一种实施方式中，刀轮以35000rpm的转速和60mm/s的进给速度对4inch的红黄光发光二极管的晶元进行切割，将切割后的产品与采用现有技术切割的产品进行对比，对比结果如下表：
红黄光发光二极管的衬底材料通常为GaAs或GaP，在切割过程中较容易出现刀轮磨损、单个LED的边缘崩裂等不良情况，通过上表中的对比可知，本实施例在焊线推力、崩边率、焊线拉力、焊线不良比例和生产效率上均有明显改善。
以上所述仅为本发明的较佳实施例，并不用以限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。

Claims (10)

1.一种发光二极管的切割保护液，其特征在于，所述切割保护液包括非离子表面活性剂、丙烯乙二醇和水，其中所述非离子表面活性剂的质量分数为3～30％，所述丙烯乙二醇的质量分数为5～35％，所述水的质量分数为35～92％。
2.根据权利要求1所述的切割保护液，其特征在于，所述非离子表面活性剂为脂肪醇聚氧乙烯醚。
3.一种发光二极管的切割方法，其特征在于，所述切割方法包括：
将待切割的晶元正面朝上置于切割机的工作台上；
通过刀轮对所述晶元进行切割，且在切割过程中，采用预定流量的切割保护液和去离子水的混合液对所述刀轮和所述晶元进行连续地冷却和清洗；
其中，所述切割保护液为权利要求1～2任一项所述的切割保护液。
4.根据权利要求3所述的切割方法，其特征在于，所述刀轮的转速为34000rpm～36000rpm。
5.根据权利要求3所述的切割方法，其特征在于，所述刀轮的进给速度为55～65mm/s。
6.根据权利要求3所述的切割方法，其特征在于，所述混合液中所述切割保护液和所述去离子水的体积比为1∶2000。
7.根据权利要求3所述的切割方法，其特征在于，所述混合液的预定流量为2L/min。
8.根据权利要求3所述的切割方法，其特征在于，所述混合液的温度与室温之间的差值不超过1℃。
9.根据权利要求3～8任一项所述的切割方法，其特征在于，在所述将待切割的晶元正面朝上置于切割机的工作台上之前，所述切割方法还包括：
在所述晶元的背面粘贴胶膜。
10.根据权利要求3～8任一项所述的切割方法，其特征在于，所述切割方法还包括：
对切割后的所述晶元进行干燥处理。
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