CN107101769A - 探测装置的制造方法和探测装置 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及一种探测装置的制造方法，具有以下步骤：在半导体衬底(14)上和/或中构造具有至少一个暴露感测面(12)的至少一个敏感区域(10)，这样封装至少一部分半导体衬底(14)，使得至少一个感测面(12)相对于外部环境气密、液密和/或颗粒密封地密封，并且这样构造至少一个开口，使得实现从外部环境通向至少一个感测面(12)的至少一个空气、液体和/或颗粒通道，其中，在构造至少一个开口之前至少进行一次第一测试和/或校准测量，对此通过至少一个气密、液密和/或颗粒密封地密封的感测面(12)获知至少一个敏感区域(10)的至少一个传感器信号作为至少一个第一测试和/或校准信号。本发明还涉及探测装置。

Description

探测装置的制造方法和探测装置
技术领域
本发明涉及一种探测装置的制造方法。此外，本发明涉及探测装置。
背景技术
DE 10 2010 064 108 A1描述了一种用于封装传感器芯片来制造探测装置/传感器装置的方法。对此，首先将传感器芯片安装在载体上，接着将传感器芯片至少部分埋嵌到模塑材料中，最后通过以后对模塑材料进行结构化处理而产生至少一个通向传感器芯片的介质通道区段。
发明内容
根据本发明，提出一种探测装置的制造方法和探测装置。
本发明简化了探测装置、例如传感器装置和放大器装置的制造，其方式是，在构造用于至少一个空气、液体和/或颗粒通道的至少一个开口之前已经实施至少一次第一测试和/或校准测量。因此，在构造至少一个开口之前例如已经能够根据至少一个第一测试和/或校准信号识别出中间产品是否存在缺陷，该缺陷显著损害制造完成的探测装置以后的使用。因此，必要时可以提前中止制造方法，而不必还实施不必要的方法步骤将中间产品继续加工为完成的探测装置。如下面还要详细解释的那样，同样可以利用至少一个敏感区域的至少一个感测面的气密、液密和/或颗粒密封的密封来进行探测装置的有利的和可简单实施的校准。因此，本发明有助于降低探测装置的制造费用。
测试费用和校准费用通常占据探测装置生产费用的很大一部分。借助于本发明可以显著降低测试费用和校准费用，使得能够更加低成本地制造探测装置。
在制造方法的一有利实施方式中，在构造至少一个开口以后实施至少一次第二测试和/或校准测量，为此在存在至少一个空气、液体和/或颗粒通道的情况下，至少一个敏感区域的至少一个传感器信号作为至少一次第二测试和/或校准测量的至少一个第二测试和/或校准信号被获知。至少一个第一测试和/或校准信号和至少一个第二测试和/或校准信号尤其可以使用于有利地并且低成本地校准制造完成的探测装置。例如借助于在至少一个感测面没有压力存在的情况下测量的至少一个第一测试和/或校准信号和在对至少一个感测面加载以压力的情况下测量的至少一个第二测试和/或校准信号可以容易并且可靠地校准作为压力传感器设计的探测装置。一般来说，压力传感器的特征在于(基本上)线性的特性，使得至少一个第一测试和/或校准信号和至少一个第二测试和/或校准信号足够用于确定与压力有关的检出特征，而不需要使用压力室来获知至少一个第一测试和/或校准信号或者至少一个第二测试和/校准信号。
在制造方法的一可能实施方式中，该探测装置构造有分析处理设备和存储器，其中，分析处理设备设计成用于在探测装置以后运行时至少在考虑至少一个传感器信号和保存在存储器上的分析处理关系的情况下确定并且输出关于至少一个物理量和/或至少一种待检出物质的信息，其中，分析处理关系至少在考虑至少一个第一测试和/或校准信号的情况下确定并且保存在存储器上。因此，可容易地实施根据制造方法的该实施方式的分析处理设备的校准。
替代地，该探测装置可以构造有放大器设备和存储器，其中，放大器设备设计成用于在探测装置以后运行时至少在考虑至少一个传感器信号和保存在存储器上的放大关系的情况下输出放大的信号，其中，放大关系至少在考虑至少一个第一测试和/或校准信号的情况下确定并且保存在存储器上。因此，也可容易地实施放大器设备的校准，如在制造方法的该实施方式中进行的那样。
优选地，至少在考虑至少一个第一测试和/或校准信号和至少一个第二测试和/校准信号的情况下确定分析处理关系或者放大关系。至少两个以简单方式获得的测试和/或校准信号尤其足够用于确定作为分析处理关系或者放大关系的线性关系。
在制造方法的另一有利实施方式中，在半导体衬底上和/或中构造至少一个敏感区域，该半导体衬底是晶片的一部分，其中，从晶片中结构化出半导体衬底，其中，在确定分析处理关系或者放大关系时一并考虑关于作为晶片一部分的半导体衬底的位置的至少一个位置信息。多个从晶片获得的半导体衬底之间的制造波动可能与其作为晶片的一部分的相应位置有关。通过少量抽样可以找到一种可靠的补偿算法，在确定分析处理关系或者放大关系时可以通过相应适配的一并考虑借助于该补偿算法补偿与相应半导体衬底的位置有关的制造波动。因此，这里所述的制造方法的实施方式有利于补偿大规模制造探测装置时出现的制造波动。
有利地，可以制造压力传感器、血压传感器、声传感器、麦克风、温度传感器、化学传感器、气体传感器、气味传感器、液体传感器和/或颗粒传感器作为探测装置。因此，本发明可以在多方面使用。尤其也可以利用本发明大规模制造所有上面列举的传感器类型。然而本发明的可应用性不限制于这里所列举的传感器类型。
例如可以这样构成具有作为至少一个敏感区域的膜片的电容器，该膜片至少部分覆盖在半导体衬底中构造的腔。优选这样进行，使得作为至少一个物理量存在于膜片感测面上的压力的改变引起膜片变形，由此电容器的电容改变。在这种情况下，与电容器的电容有关的电流强度和/或电压信号作为至少一个传感器信号也改变。这里所述制造方法的实施方式可以容易地实施并且可以在多方面使用，例如可以用于压力传感器、血压传感器、声传感器、麦克风和/或温度传感器。然而要指出的是，至少一个敏感区域的可构造性不局限于构造具有膜片的电容器。
优选地，在膜片上没有压力存在的情况下在至少一次第一测试和/或校准测量过程中测量至少一个第一测试和/或校准信号。优选地，在膜片暴露于不等于零的压力、优选是在膜片暴露于大气压的情况下，在至少一次第二测试和/或校准测量过程中测量至少一个第二测试和/或校准信号。主要利用大气压来获知至少一个第二测试和/或校准信号使得用于测试/校准制造完成的探测装置的压力室变得多余。因此，能够较快并且较低成本地实施制造完成的探测装置的测试/校准。
在一有利扩展方案中，在多个第一次测试和/或校准测量之间和/或多个第二次测试和/或校准测量之间可以改变膜片温度。因此，也可以简单并且快速地实施探测装置的与温度有关的校准。
也可以在根据本发明的探测装置中实现上述优点。要指出的是，可以根据前述制造方法的实施方式扩展根据本发明的探测装置。
附图说明
下面参照附图阐述本发明的其他特征和优点。附图示出：
图1a到1d用于阐述探测装置制造方法的实施方式的示意性横截面；
图2探测装置的第一实施方式的示意性横截面；和
图3探测装置的第二实施方式的示意性横截面。
具体实施方式
图1a到1d示出用于阐述探测装置制造方法的实施方式的示意性横截面。
在图1a到1d的实施方式中制造至少一个压力传感器作为探测装置。然而要指出的是，该制造方法的可实施性不限制于至少一个构造为压力传感器的探测装置的制造。例如也可以借助于(可能相应适配的)制造方法制造至少一个血压传感器、至少一个声传感器、至少一个麦克风、至少一个温度传感器、至少一个化学传感器(至少一个化学检出传感器和/或至少一个化学浓度测量计)、至少一个气体传感器、至少一个气味传感器、至少一个液体传感器和/或至少一个颗粒传感器作为至少一个探测装置。该制造方法的可实施性不限制于作为探测装置的确定类型的传感器装置和/或放大器装置。
此外，也可以大规模地实施这里所述的制造方法。如参照图1a和1b可看出，可以借助于这里所述的制造方法(几乎)同时制造多个探测装置。
在借助于图1a示意性表示的方法步骤中，在(以后的)半导体衬底14上和/或中构造具有至少一个暴露的感测面12的至少一个敏感区域10。至少一个敏感区域10在半导体衬底14的功能化侧面上和/或中的构造这样实现，使得在(完成的)探测装置以后运行时，在相应敏感区域10的感测面12上的至少一种待检出物质的至少一个物理量和/或至少一种化学浓度改变时，至少一个敏感区域10的至少一个传感器信号改变。至少一个传感器信号可以是至少一个从相应敏感区域10发出的信号和/或在相应敏感区域10上获知或量取的信号。至少一个传感器信号例如可以是至少一个电流强度和/或电压信号，该传感器信号由于通过在感测面12上的至少一种待检出物质的至少一个物理量和/或至少一种化学浓度的改变所触发的相应敏感区域10的至少一个子单元的变形和/或物理特性改变而改变。这也可以解释为，这样实现至少一个敏感区域10的构造，使得在感测面12上的至少一种待检出物质的至少一个物理量和/或至少一种化学浓度的改变引起能借助于至少一个传感器信号变化而获知的相应敏感区域10的至少子单元的变形和/或物理特性改变。在图1a到1d的实施方式中，在多个(以后分开的)半导体衬底14中相应地构造多个敏感区域10，所述半导体衬底分别为晶片16的一部分。
例如具有膜片18的电容器可以构成为至少一个敏感区域10，该膜片至少部分覆盖在半导体衬底14中构造的腔20。(为了更好的概要性，在图1a到1d中省略电容器的其他部件的标记。)因此，所配属的膜片18的远离腔20指向的面有利地适合作为这样构造的敏感区域10的感测面12。在膜片18的感测面12上存在的压力(作为至少一个物理量)的改变可以引起膜片18的变形，由此电容器的电容改变。这触发与电容器的电容有关的电流强度和/或电压信号(作为相应敏感区域10的至少一个传感器信号)的改变。因为由现有技术公知电容器的多个构造可行方案，在这里不进行更详细地探讨。
在图1a中表示的敏感区域10的构造适用于压力传感器(绝对压力传感器)，在该压力传感器中可以通过膜片18的变形/弯曲实施压力测量(绝对压力测量)。为此将待测量的压力施加到膜片18的感测面12上，而将存在于腔20中的参考压力施加到膜片18的(向离开感测面12方向指向并且限界腔20的)内面22上。真空或者非常小的压力作为参考压力是有利的，以便在温度增高时限制/避免(由于存在于腔20中的至少一种气体的膨胀所引起的)参考压力增大。因为由现有技术已知用于设定腔20中的限定的参考压力的技术，在这里不进行更详细地探讨。
在图1a的实施方式中，也可选择在(具有膜片18的)半导体衬底14的功能化侧面上构成接触垫24。此外，使可选择的粘接层26沉积在半导体衬底14(远离功能化侧面指向的)背面上。然而接触垫24和/或粘接层26的沉积是可选择的方法步骤。
图1b示出用于封装至少一部分半导体衬底的第一方法步骤。在图1b的实施方式中借助于至少一个键合和/或粘接层30将(可能部分挖空的)另一半导体衬底28作为至少一个封装结构28如此固定在半导体衬底14上，使得封装结构28覆盖至少一个敏感区域10/膜片18。可选择地，在至少一个敏感区域10/膜片18与封装结构28之间的中间容积32中可以包含真空/小的压力。
接着，可以从晶片16中结构化出半导体衬底14(具有在半导体衬底14上和/或中的至少一个敏感区域10)，所述半导体衬底是晶片16的一部分。然而在结构化出半导体衬底14之前，为了以后校准半导体衬底14，还可以确定和/或保存关于作为晶片16一部分的半导体衬底14的位置/位态的至少一个位置信息a1和a2。例如可以将半导体衬底14与(图中未绘出)晶片16中心点的第一距离a1和/或半导体衬底14与晶片16边缘的第二距离a2作为至少一个位置信息a1和a2确定和/或保存。在这种情况下，可以在以后校准时一并考虑至少一个位置信息a1和a2。(下面还要详细探讨在校准借助相应半导体衬底14构成的探测装置时一并考虑至少一个位置信息a1和a2。)
图1c示出用于封装至少一部分半导体衬底14(在该半导体衬底从晶片16分开以后)的另一方法步骤。为此半导体衬底14(借助于粘接层26)固定在印刷电路板34上。然后将至少一种封装材料36(例如至少一种模塑材料36)如此沉积在印刷电路板34上，使得(具有封装结构28的)半导体衬底14至少部分(可能完全)地埋嵌到该封装材料中。在图1c中所示的半导体衬底14的封装导致，至少一个敏感区域10/膜片18的至少一个感测面12相对于至少部分封装的半导体衬底的外部环境气密、液密和/或颗粒密封地密封。至少一个敏感区域10/膜片18的至少一个感测面12尤其借助于封装相对于外部环境这样密封，使得即使在至少部分封装的半导体衬底的外部环境中的至少一种待检出物质的至少一个物理量和/或至少一种化学浓度(显著)改变时也(基本上)不会对至少一个敏感区域10/膜片18产生影响。因此，尽管至少部分封装的半导体衬底的外部环境中的至少一种待检出物质的至少一个物理量和/或至少一种化学浓度(显著)改变，至少一个传感器信号(由于气密、液密和/或颗粒密封的密封)也不会/几乎不会改变。在制造至少一个压力传感器时，至少一个敏感区域10/膜片18的至少一个感测面12相对于至少部分封装的半导体衬底的外部环境例如气密(压力密封)地密封。
作为可选择的扩展方案，在图1a到1d的实施方式中探测装置构造有分析处理设备38和存储器40(可能作为分析处理设备38的子单元)，其中，分析处理设备38设计成用于在探测装置以后运行时至少在考虑至少一个传感器信号和保存在存储器40上的分析处理关系的情况下确定和输出关于至少一个物理量和/或至少一种待检出物质的信息。具有存储器40的分析处理设备38例如可以制造为(在半导体衬底14外部构造的)专用集成电路(Application-Specific Integrated Circuit，ASIC)。分析处理设备38和/或存储器40同样也可以在半导体衬底14上和/或中构成。此外，分析处理设备38和存储器40的可构造性不局限于一种确定的电路类型或者存储器类型。
分析处理设备38可以借助于另一粘接层42固定在印刷电路板34上。分析处理设备38的接触垫46可以通过第一键合线连接部44附接在半导体衬底14的接触垫24上。分析处理设备38的另一接触垫48可以通过第二键合线连接部50连接到印刷电路板34上。可选择地，也可以将分析处理设备38和/或键合线连接部44和50中的至少一个(与至少一部分半导体衬底14一起)埋嵌到至少一种封装材料36中。
在封装至少一部分半导体衬底14后，实施至少一次第一测试和/或校准测量，对此通过相对于至少部分封装的半导体衬底14的外部环境气密、液密和/或颗粒密封地密封的至少一个感测面12获知至少一个敏感区域10的至少一个传感器信号作为至少一个第一测试和/或校准信号。以这种方式获得的至少一个第一测试和/或校准信号良好地适用于测试/检查在图1c中示出的中间产物是否值得继续加工。如下面详细列举的那样，以这种方式获得的至少一个第一测试和/或校准信号也有利地适用于以后校准至少由半导体衬底14制造的探测装置。此外可能有利的是，将至少一个第一测试和/或校准信号暂时保存在存储器40上，直到以后实施校准。
在图1a到1d的实施方式中实施至少一次第一测试和/或校准测量，而在膜片18的表面12和22上(由于缺少空气通道/压力通道或者由于相对于外部环境气密的密封)施加(几乎)相同压力。即，针对“真空/无外部压力”测量(最接近)至少一个第一测试和/或校准信号。这也可以解释为，在膜片18没有压力存在的情况下在至少一次第一测试和/或校准测量过程中测量至少一个第一测试和/或校准信号。
图1d示出在至少部分封装的半导体衬底14上这样构造至少一个开口52以后的至少部分封装的半导体衬底14，使得实现从至少部分封装的半导体衬底14的外部环境通向至少一个感测面12的至少一个空气、液体和/或颗粒通道54。需要明确指出的是，在构造至少一个开口52之前实施至少一次第一测试和/或校准测量。然后如此进行至少一个开口52的构造，使得由于存在(敞开的)至少一个空气、液体和/或颗粒通道54，外部环境中的至少一种待检出物质的至少一个物理量和/或至少一种化学浓度的改变导致至少一个(暴露的)感测面12上的至少一个物理量和/或至少一种化学浓度发生(根据至少一个传感器信号的改变可识别的)改变。在制造至少一个压力传感器时，例如借助于至少一个开口52实现从至少部分封装的半导体衬底14的外部环境通向至少一个感测面12的空气通道/压力通道54，使得在至少部分封装的半导体衬底14的外部环境中存在的环境压力引起膜片18的变形。
在这里所述的制造方法的实施方式中，在构造至少一个开口52以后实施至少一次第二测试和/或校准测量，为此在存在至少一个(敞开的)空气、液体和/或颗粒通道54的情况下获知至少一个敏感区域10/膜片18的至少一个传感器信号作为至少一次第二测试和/或校准测量的至少一个第二测试和/或校准信号。例如在至少一次第二测试和/或校准测量过程中在膜片18暴露在大气压下的情况下测量至少一个第二测试和/或校准信号。
然后至少在考虑至少一个第一测试和/或校准信号和至少一个第二测试和/或校准信号的情况下确定分析处理关系(用于在探测装置以后运行时通过分析处理设备38分析处理至少一个传感器信号)。例如可以确定校准值/补偿值和/或至少一个校准算法/至少一个特性曲线作为分析处理关系。尽管可以容易地获知/测量至少一个第一测试和/或校准信号和至少一个第二测试和/或校准信号，这些信号仍有利地适用于确定分析处理关系。例如在考虑至少一个第一测试和/或校准信号和至少一个第二测试和/校准信号的情况下能够容易地确定线性关系作为分析处理关系。接着将分析处理关系保存在存储器上。
为了补偿制造波动，大多数压力传感器通常在其制造完成以后才进行校准。为此，根据现有技术将(制造完成的)压力传感器布置在压力室中。接着在至少两个不同压力值的情况下在压力室中实施校准测量。接着应根据在压力室中实施的校准测量对压力传感器进行相应补偿。然而仅能以相对较少数量的压力传感器(同时)在压力室中实施校准测量。
与此相对地，在这里所述的制造方法实现了成本较低的校准，该校准仍然保证至少一个已校准的探测装置具有高的测量和探测精度。尤其可以在不使用压力室的情况下实施校准，因此与现有技术相比可以更低成本并且更简单地实施。除了在至少一次第一测试和/或校准测量过程中在“真空/无外部压力”的情况下获知至少一个第一测试和/或校准信号之外，可以在大气压/室压的情况下针对至少一次第二测试和/或校准测量获知至少一个第二测试和/或校准信号。(大气压/室压可以附加地通过已校准的测量器具非常精确地确定。)由此在实施这里所述的制造方法时不再需要在压力室中用于校准的传统测量。取消压力室也允许探测装置的更简单的触点接通。由于探测装置的更简单的触点接通，也能够实现更好的温度联系和控制，由此可以在更短时间内测量和调整更多的探测装置。甚至能够实现晶片水平上的补偿。此外，与由于传统方式所需压力室的空间限制可能同时测量的探测装置相比，能够同时测量更多的探测装置。
在这里所述制造方法的一有利扩展方案中，在多个第一次测试和/或校准测量之间和/或在多个第二次测试和/或校准测量之间可以改变膜片18的温度(或者膜片18的空间环境中的温度)。接着可以使用第一测试和/或校准测量和/或第二测试和/或校准测量的与压力和温度有关的信号来确定与压力和温度有关的、用于校准探测装置的分析处理关系。因此，也能够在不使用压力室的情况下实施与压力和温度有关的校准。在传统方式所需的压力室中，温度只能缓慢改变，因此对于每个测量周期必须非常长时间占用压力室。与此相对地，可以相对较快并且容易地为了第一次测试和/或校准测量和/或第二次测试和/或校准测量改变膜片18的温度(或者膜片18的空间环境中的温度)。由于取消了压力室，原则上尤其也能够应用非常快的温度斜坡。在这种情况下特别有利于实施在压力传感器内部的温度测量。此外，也可以将构造至少一个开口52之前的第一测试和/或校准测量已经将温度测量值和/或构造至少一个开口52以后的第二测试和/或校准测量也将温度测量值暂时保存在存储器40中。在该扩展方案中能相对少费事并且较便宜地实施校准工序/补偿工序。
在另一有利扩展方案中，在确定分析处理关系时一并考虑关于作为晶片16的一部分的半导体衬底14(之前或者现在的)位置/位态的至少一个位置信息a1和a2。通过抽样可以找到一种可靠的补偿算法，该补偿算法可以至少部分补偿也与作为晶片16的一部分的半导体衬底14的位置/位态有关的制造波动/偏差(例如至少一次蚀刻过程中的“掩蔽效应”)。通过对晶片16实施一次少量抽样可以以统计方式可靠确定用于很多晶片18的所有半导体衬底14的补偿算法。然后可以附加地在考虑至少一个位置信息a1和a2和已确定的补偿算法的情况下来实施分析处理关系的确定。
在这里所述制造方法的一替代实施方式中，至少一个探测装置也可以构造有放大器设备和存储器40，其中，放大器设备设计成用于在探测装置以后运行时至少在考虑至少一个传感器信号和保存在存储器40上的放大关系的情况下输出已放大的信号。这在种情况下，至少在考虑至少一个第一测试和/或校准信号的情况下、优选也在考虑至少一个第二测试和/或校准信号的情况下和/或在考虑至少一个位置信息a1和a2和所确定的补偿算法的情况下实现放大关系的确定。然后将放大关系保存在存储器40上。
图2示出探测装置的第一实施方式的示意性横截面。
在图2中示意性示出的探测装置包括具有至少一个在半导体衬底14上和/或中构造的敏感区域10的半导体衬底14，其中，借助于至少一种封装材料36和/或至少一个封装结构28至少部分封装半导体衬底14。借助于分别从至少部分封装的半导体衬底14的外部环境通向至少一个感测面12并且至少部分穿过至少一种封装材料36和/或至少一个封装结构28延伸的至少一个空气、液体和/或颗粒通道54使至少一个敏感区域10的至少一个感测面12暴露。在相应敏感区域10的感测面12上的至少一种待检出物质的至少一个物理量和/或至少一个化学浓度改变时，至少一个敏感区域10的至少一个传感器信号改变。此外，探测装置具有带有存储器40的分析处理设备38，其中，分析处理设备38设计成用于在考虑至少一个传感器信号和保存在存储器40上的分析处理关系的情况下确定和输出关于至少一个物理量和/或至少一种待检出物质的信息。
根据上面列举的制造方法制造的探测装置例如可以由此被识别出：分析处理关系包括至少一个第一测试和/或校准信号，该测试和/或校准信号在至少部分封装的半导体衬底14的至少一个感测面12相对于外部环境气密、液密和/或颗粒密封地密封的情况下作为至少一个传感器信号被获知。例如通过关于压力(可能关于温度)的高精度测量可以证实是根据上面列举的制造方法制造的具有集成的压力传感器56和集成的加速度传感器58的探测装置。尤其通过关于压力(可能关于温度)的误差静态分析可以证实已在真空和环境压力下实施了校准。
此外，也可以对分析处理设备38/存储器40进行分析来证实借助于所述制造方法制造探测装置。在存储器40上例如存储校准值/补偿值和/或至少一种校准算法/至少一个特性曲线作为分析处理关系，由这些分析处理关系可以推断出在真空和/或正常环境压力下的补偿。
附图标记60涉及蚀刻阻挡层。替代于分析处理设备38，探测装置也可以有具有存储器40的放大器设备，其中，放大器设备设计成用于至少在考虑至少一个传感器信号和保存在存储器40上的放大关系的情况下输出放大信号，其中，放大关系包括至少一个第一测试和/或校准信号，该测试和/或校准信号在至少部分封装的半导体衬底14的至少一个感测面12相对于外部环境气密、液密和/或颗粒密封地密封的情况下作为至少一个传感器信号被获知。
图3示出探测装置的第二实施方式的示意性横截面。
如参照图3可看出，探测装置也可以构造为裸芯片元件(BARE-DIE-Element)。刚好在探测装置构造为裸芯片元件的情况下可以在晶片水平上实施第一测试和校准测量或者第一和第二测试和校准测量。附加地，可以放弃使用至少一种封装材料36。但是相应地也可以放弃至少一个封装结构28和/或印刷电路板34。

Claims (12)

1.探测装置的制造方法，所述制造方法具有以下步骤：
在半导体衬底(14)上和/或中这样构造具有至少一个暴露的感测面(12)的至少一个敏感区域(10)，使得在所述探测装置以后运行时，在相应的所述敏感区域(10)的所述感测面(12)上的至少一种待检出物质的至少一个物理量和/或至少一个化学浓度改变时所述至少一个敏感区域(10)的至少一个传感器信号改变；
这样封装所述半导体衬底(14)的至少一部分，使得所述至少一个敏感区域(10)的所述至少一个感测面(12)相对于至少部分封装的所述半导体衬底(14)的外部环境气密、液密和/或颗粒密封地密封；并且
在至少部分封装的所述半导体衬底(14)上这样构造至少一个开口(52)，使得实现从至少部分封装的所述半导体衬底(14)的所述外部环境通向所述至少一个感测面(12)的至少一个空气、液体和/或颗粒通道(54)；
其特征在于，
在构造所述至少一个开口(52)之前实施至少一次第一测试和/或校准测量，对此通过相对于至少部分封装的所述半导体衬底(14)的所述外部环境气密、液密和/或颗粒密封地密封的所述至少一个感测面(12)获知所述至少一个敏感区域(10)的所述至少一个传感器信号作为至少一次所述第一测试和/或校准测量的至少一个第一测试和/或校准信号。
2.根据权利要求1所述的制造方法，其中，在构造所述至少一个开口(52)以后实施至少一次第二测试和/或校准测量，对此在存在所述至少一个空气、液体和/或颗粒通道(54)的情况下获知所述至少一个敏感区域(10)的所述至少一个传感器信号作为至少一次所述第二测试和/或校准测量的至少一个第二测试和/或校准信号。
3.根据权利要求1或2所述的制造方法，其中，所述探测装置构造有分析处理设备(38)和存储器(40)，其中，所述分析处理设备(38)设计成用于在所述探测装置以后运行时至少在考虑所述至少一个传感器信号和保存在所述存储器(40)上的分析处理关系的情况下确定并且输出关于所述至少一个物理量和/或至少一种所述待检出物质的信息，其中，所述分析处理关系至少在考虑所述至少一个第一测试和/或校准信号的情况下确定并且保存在所述存储器(40)上。
4.根据权利要求1或2所述的制造方法，其中，所述探测装置构造有放大器设备和存储器(40)，其中，所述放大器设备设计成用于在所述探测装置以后运行时至少在考虑所述至少一个传感器信号和保存在所述存储器(40)上的放大关系的情况下输出放大信号，其中，所述放大关系至少在考虑所述至少一个第一测试和/或校准信号的情况下确定并且保存在所述存储器(40)上。
5.根据权利要求3或4所述的制造方法，其中，所述分析处理关系或者所述放大关系至少在考虑所述至少一个第一测试和/或校准信号和所述至少一个第二测试和/校准信号的情况下确定。
6.根据权利要求3到5中任一项所述的制造方法，其中，在所述半导体衬底(14)上和/或中构造所述至少一个敏感区域(10)，该半导体衬底是晶片(16)的一部分，其中，从所述晶片(16)中结构化出所述半导体衬底(14)，其中，在确定所述分析处理关系或者所述放大关系时一并考虑关于作为所述晶片(16)一部分的所述半导体衬底(14)的位置的至少一个位置信息(a1、a2)。
7.根据上述权利要求中任一项所述的制造方法，其中，能够制造压力传感器(56)、血压传感器、声传感器、麦克风、温度传感器、化学传感器、气体传感器、气味传感器、液体传感器和/或颗粒传感器作为所述探测装置。
8.根据上述权利要求中任一项所述的制造方法，其中，该膜片(18)至少部分覆盖在所述半导体衬底(14)中构造的腔(20)，这样使具有该膜片的电容器构成为所述至少一个敏感区域(10)，使得作为所述至少一个物理量在所述膜片(18)的所述感测面(12)上存在的压力的改变导致所述膜片(18)的变形，由此所述电容器的电容改变并且与所述电容器的电容有关的电流强度和/或电压信号作为所述至少一个传感器信号而改变。
9.根据权利要求8所述的制造方法，其中，在所述膜片(18)上没有压力存在的情况下在至少一次所述第一测试和/或校准测量过程中测量所述至少一个第一测试和/或校准信号，并且在所述膜片(18)暴露在大气压下的情况下在至少一次所述第二测试和/或校准测量过程中测量所述至少一个第二测试和/或校准信号。
10.根据权利要求9所述的制造方法，其中，在多次所述第一次测试和/或校准测量之间和/或多次所述第二次测试和/或校准测量之间改变所述膜片(18)的温度。
11.探测装置，所述探测装置具有：
半导体衬底(14)，该半导体衬底具有至少一个在所述半导体衬底(14)上和/或中构造的敏感区域(10)，其中，借助于至少一种封装材料(36)和/或至少一个封装结构(28)至少部分封装所述半导体衬底(14)，其中，所述至少一个敏感区域(10)的至少一个感测面(12)通过至少一个空气、液体和/或颗粒通道(54)暴露，该空气、液体和/或颗粒通道分别从至少部分封装的所述半导体衬底(14)的外部环境至少部分穿过至少一种所述封装材料(36)和/或所述至少一个封装结构(28)向着所述至少一个感测面(12)延伸，其中，在相应所述敏感区域(10)的所述感测面(12)上的至少一种待检出物质的至少一个物理量和/或至少一种化学浓度改变时所述至少一个敏感区域(10)的至少一个传感器信号改变；和
具有存储器(40)的分析处理设备(38)，其中，所述分析处理设备(38)设计成用于至少在考虑所述至少一个传感器信号和保存在所述存储器(40)上的分析处理关系的情况下确定和输出关于所述至少一个物理量和/或至少一种所述待检出物质的信息；
其特征在于，
所述分析处理关系包括至少一个第一测试和/或校准信号，该第一测试和校准信号在至少部分封装的所述半导体衬底(14)的所述至少一个感测面(12)相对于所述外部环境气密、液密和/或颗粒密封地密封的情况下作为所述至少一个传感器信号来获知。
12.探测装置，所述探测装置具有：
半导体衬底(14)，该半导体衬底具有在所述半导体衬底(14)上和/或中构造的至少一个敏感区域(10)，其中，借助于至少一种封装材料(36)和/或至少一个封装结构(28)至少部分封装所述半导体衬底(14)，其中，所述至少一个敏感区域(10)的至少一个感测面(12)通过至少一个空气、液体和/或颗粒通道(54)暴露，该空气、液体和/或颗粒通道分别从至少部分封装的所述半导体衬底(14)的外部环境至少部分穿过至少一种所述封装材料(36)和/或所述至少一个封装结构(28)向着所述至少一个感测面(12)延伸，其中，在相应所述敏感区域(10)的所述感测面(12)上的至少一种待检出物质的至少一个物理量和/或至少一种化学浓度改变时所述至少一个敏感区域(10)的至少一个传感器信号改变；和
具有存储器(40)的放大器设备，其中，所述放大器设备设计用于至少在考虑所述至少一个传感器信号和保存在所述存储器(40)上的放大关系的情况下输出放大信号；
其特征在于，
所述放大关系包括至少一个第一测试和/或校准信号，该第一测试和校准信号在至少部分封装的所述半导体衬底(14)的所述至少一个感测面(12)相对于所述外部环境气密、液密和/或颗粒密封地密封的情况下作为所述至少一个传感器信号被获知。
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