JP2016075683A - センサチップ較正方法および較正されたセンサチップ用の製造ライン - Google Patents
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- G01N33/0008—Details concerning storage of calibration data, e.g. in EEPROM
Abstract
Description
y=F(x1,…xN,p1,…pM) (1)
のような少なくとも1つの信号yを形成するように想定されており、ただし、
・ x1…xN(N>=1)は、センサチップが感度を有し、かつ、これが検出することのできる入力信号であり、
・ p1…pMは、較正パラメタである。
y=p1+p2・x1 (2)
のタイプの単純な線形関係として表すことができ、ここではN=1およびM=2であり、またx1は、センサ温度に依存する測定した電圧である。これに対してyは、この温度においてこのセンサチップが送出するように指定された出力値である。第1の構成測定には、例えば、異なる多数の基準温度下にセンサを置くことを含めることができ、これらの多数の基準温度のうちの各基準温度は、異なる値x1を生じさせる。これにより、線形回帰分析を使用して第1の較正パラメタp1’,p2’を求めることができる。これらの第1の較正パラメタp1’,p2’または第1の較正測定において導出したすべての較正データは有利にはセンサチップの外部に格納される。
・ 上で説明した例と同様に、第1の較正データは、第1の較正パラメタp1’,p2’…を求めるのに使用することができ、これらの較正パラメタのうちのいくつかはつぎに第2の較正データを考慮して置き換えられるか補正される。
・ 択一的には第1および第2の較正データは、(1つまたは複数)最終較正パラメタを計算するために直接、組み合わせることができる。例えば、第1および第2の較正データは共に、(1つまたは複数の)較正パラメタを計算するため、線形または非線形回帰分析に使用することができる。この回帰分析では、上記の計算した値と、予想される値との間のこれらの偏差の(例えば差分の二乗で表した)尺度の和が最小化される。この和において、第2の較正データの測定値には、第1の較正データの重み付けよりも大きな重み付けを設定することができる。重み付けした偏差の和を最小化する回帰分析用のアルゴリズムは、当業者には公知である。
Claims (14)
- センサチップを較正する方法において、
前記センサチップ(9)によって第1の較正測定を行って第1の較正データを求め、
前記センサチップ(9)に製造ステップを実行し、
前記センサチップ(9)によって別の較正測定を行って別の較正データを求め、
前記第1の較正データおよび前記別の較正データから少なくとも1つの較正パラメタを求め、
前記センサチップ(9)のメモリ(94)に前記少なくとも1つの較正パラメタを格納し、
動作中に、前記センサチップ(9)の検出素子(92)によって検出される信号に前記少なくとも1つの較正パラメタを適用する、
ことを特徴とする、センサチップを較正する方法。 - 前記製造ステップを前記第1の較正測定の後、実行し、
当該製造ステップの後、前記別の較正測定を行う、
請求項1に記載の方法。 - 複数のセンサチップ(9)を製造するためのウェハ(7)の一体部分をまだ構成している前記センサチップ(9)によって前記第1の較正測定を行い、
前記ウェハ(7)から前記センサチップ(9)を切り離した後、前記別の較正測定を行う、
請求項1または2に記載の方法。 - 前記製造ステップには、前記センサチップ(9)のパッケージングが含まれている、
請求項1から3までのいずれか1項に記載の方法。 - 前記製造ステップには、
・ 前記センサチップ(9)に1つの層を被着するステップと、
・ 前記センサチップ(9)にモールド材料を注ぐステップと、
・ 前記センサチップ(9)に接触接続要素を、特にはんだバンプを取り付けるステップと、
・ パッケージングしたセンサチップ(9)に薄膜を被着するステップと、
・ 前記センサチップ(9)を回路基板またはリードフレームに取り付ける、特にはんだ付けするステップと、
・ ウェハ(7)から前記センサチップ(9)を切り離すステップと
のうちの1つまたは複数のステップが含まれる、
請求項1から4までのいずれか1項に記載の方法。 - 前記第1の較正データまたは当該第1の較正データから導出したデータを少なくとも一時的に製造ラインの記憶装置に格納する、
請求項1から5までのいずれか1項に記載の方法。 - 前記第1の較正測定において、前記別の較正測定よりも大きな、較正データの集合を取得する、
請求項1から6までのいずれか1項に記載の方法。 - 前記センサチップ(9)によって第2の較正測定を行い、第2の較正データを求め、
前記第2の較正測定を行った後、前記センサチップ(9)に別の製造ステップを実行し、
前記センサチップ(9)によって前記別の較正測定を行い、前記別の較正データを求め、
前記第1の較正データ、前記第2の較正データおよび前記別の較正データから少なくとも1つの較正パラメタを求める、
請求項1から7までのいずれか1項に記載の方法。 - 前記センサチップの外部にある製造ラインの記憶装置に前記第2の較正データを少なくとも一時的に格納する、
請求項8に記載の方法。 - 前記センサチップ(9)は、流体の物質を検出するかまた前記センサチップ(9)の環境の特性を検出する検出素子(92)を有しており、
当該検出素子(92)は、前記第1の較正測定中および/または前記別の較正測定中に、さらに適用可能な場合には前記第2較正測定中に、所定の量の前記物質を含有する流体、または、所定の大きさの前記特性を有する環境にそれぞれ曝される、
請求項1から9までのいずれか1項に記載の方法。 - 前記検出素子(92)は、
・ 温度、
・ ガス成分、特に水分、
・ 圧力、
・ ガスまたは液体流量
のうちの少なくとも1つを検出する、
請求項1から10までのいずれか1項に記載の方法。 - さらに、
前記第1の較正ステップ中に前記センサチップ(9)に一意の識別子を付与するステップと、
前記第1の較正データまたは当該第1の較正データから導出したデータと共に前記一意の識別子を前記センサチップの外部の記憶装置に格納するステップと、
前記第1の較正データまたは当該第1の較正データから導出したデータを取り出すために前記一の識別子を使用して、前記少なくとも1つの較正パラメタを求める、
請求項1から11までのいずれか1項に記載の方法。 - さらに前記第1の較正測定において、前記一意の識別子を前記センサチップ(9)に格納するステップを有する、
請求項12に記載の方法。 - 請求項1から13までのいずれか1項に記載の方法にしたがって、較正されるセンサチップを製造するための製造ラインにおいて、
該製造ラインは、
前記第1の較正測定を行うための第1の装置(2)と、
前記製造ステップを実行する作業場所(3)と、
前記別の較正測定を行うための前記第1または別の装置(2)と、
前記最終較正データを求めるための計算装置(24,6)とを有する、
ことを特徴とする製造ライン。
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