CN107086187A - 蚀刻装置、蚀刻方法以及由所述蚀刻方法所蚀刻的挠性膜 - Google Patents

蚀刻装置、蚀刻方法以及由所述蚀刻方法所蚀刻的挠性膜 Download PDF

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Abstract

本发明公开一种蚀刻装置及方法，能在挠性膜卷绕于滚筒式夹具的状态下进行蚀刻加工，以及一种利用所述蚀刻方法蚀刻的挠性膜。所述蚀刻装置包括:加工槽，所述加工槽中包括蚀刻剂；滚筒式夹具，可旋转地设置在所述加工槽中，在其上形成有薄膜的挠性膜卷绕于所述滚筒式夹具的状态下，所述滚筒式夹具浸泡于所述蚀刻剂中；以及滚筒式夹具驱动器，配置成用以旋转所述滚筒式夹具。所述蚀刻装置具有简洁的结构，能有效地在形成有薄膜的大面积挠性膜上进行蚀刻加工。

Description

蚀刻装置、蚀刻方法以及由所述蚀刻方法所蚀刻的挠性膜
技术领域
本发明涉及一种蚀刻装置。具体而言，本发明是关于一种利用浸渍法而可以均匀地蚀刻挠性膜表面的蚀刻装置以及方法，以及利用所述蚀刻方法蚀刻的挠性膜。
背景技术
一般而言，为了大量生产半导体元件，如光伏电池元件(photovoltaic-cellelement)、系统半导体或者显示器的光学膜元件(optical-film element)，必须具备能够在膜基板上持续形成大面积的微图案的技术。
在制造上述的半导体元件时，需要蚀刻加工，使具有微电路图案(micro-circuit pattern)的薄膜层叠于膜基板上，并且将不需要的部份从薄膜移除以显露所述的微电路图案。
蚀刻加工一般可分为湿方法(wet method)以及干方法(dry method)。湿蚀刻方法(wet etching method)是一种利用液体化工品将不需要的部份从层叠于膜基板上的薄膜剪下的方法。相反地，干蚀刻方法(dry etching method)是一种不利用液体化工品，而是利用气体，将不需要的部份从薄膜剪下的方法。
近来，由于电路的线条宽度变得非常精细且基板的尺寸增加，为了增加产量，干蚀刻方法的使用增加。然而，干蚀刻方法的缺点在于其相较于湿蚀刻方法更为昂贵以及繁琐。湿蚀刻方法例如包括浸渍法、喷洒法等。
举例来说，图1示意性地显示韩国专利第1021931号(2011/03/16)所揭露利用喷洒法的现有的蚀刻装置。
如图1所示，现有的蚀刻装置包括：第一喷嘴部10，使蚀刻剂沿基板1表面流动；第二喷嘴部20，从基板1的一侧喷洒蚀刻剂；以及固定部30，将基板1固定于预定位置。在基板1藉由固定部30固定成向上竖立的状态下，基板的一表面被从第一喷嘴部10流出的蚀刻剂所蚀刻，并且同时被从第二喷嘴部20喷洒的蚀刻剂所蚀刻。
然而，现有的蚀刻装置的缺点在于，在挠性膜被向上竖立的状态下，喷洒蚀刻剂于挠性膜上是困难的，因此将装置应用在用于挠性膜的蚀刻加工是困难的。
同时，为了藉由蚀刻方法利用浸渍法蚀刻大面积的膜基板，膜基板被连接到硬板后，直立或水平地被置放在含有刻蚀剂的刻蚀槽。在此状态下，执行蚀刻加工。
然而，现有的浸渍法需要大尺寸的蚀刻剂槽用于蚀刻大面积的挠性膜、大尺寸的输送装置用于输送连同板的挠性膜、大尺寸的洗涤装置以及干燥装置。因此，所述方法的缺点在于需要大量空间以及高昂成本。甚至，现有的蚀刻方法的缺点有，以不接触的方式处理挠性膜的表面并不容易，另外，对于设备而言，并不容易确保其能够均匀地对表面蚀刻的能力。甚至，为了确保所述能力，需要大量的构件，因而大幅地提升装置的成本。
发明内容
据此，本发明谨记相关技术中所存在的上述问题，并且本发明的目的在于提案一种对卷绕于滚筒式夹具的挠性膜进行蚀刻加工的蚀刻装置以及方法，因而简化装置的结构、减少作业空间以及改进蚀刻均匀性，以及藉由所述蚀刻方法所蚀刻的挠性膜。
为了达成目标，本发明提供一种蚀刻装置，包括：一加工槽，所述加工槽中包含蚀刻剂；一滚筒式夹具，可旋转地设置在所述加工槽中，在其上形成有一薄膜的一挠性膜卷绕所述滚筒式夹具的状态下，所述滚筒式夹具浸泡于所述蚀刻剂中；以及一滚筒式夹具驱动器，配置成用以旋转所述滚筒式夹具。
所述蚀刻装置可以进一步包括：一注射喷嘴，设置在所述加工槽中，用以将所述蚀刻剂朝向卷绕所述滚筒式夹具的所述挠性膜喷洒；以及一加工泵，配置成用以将所述蚀刻剂泵送至所述注射喷嘴。
所述蚀刻装置可以进一步包括：一洗涤液供给单元，供给洗涤液至所述蚀刻剂排出的所述加工槽，以在卷绕所述滚筒式夹具的所述挠性膜上进行洗涤加工，其中，所述加工泵可以设置在所述加工槽中，以泵送所述加工槽中所包含的所述蚀刻剂或所述洗涤液至所述注射喷嘴。
所述滚筒式夹具可以包括：多个沿其外周设置的流动导槽，以在所述滚筒式夹具旋转时，朝向卷绕所述滚筒式夹具的所述挠性膜，产生所述蚀刻剂的一流动。
所述蚀刻装置可以进一步包括：一旋转体，可旋转地设置在所述加工槽中；多个叶片，设置在所述旋转体上；以及一流动产生器，具有一旋转体驱动器，用以旋转所述旋转体并朝向卷绕所述滚筒式夹具的所述挠性膜，产生所述蚀刻剂的所述流动。
所述蚀刻装置可以进一步包括：一蚀刻剂槽，设置与所述加工槽相邻，以将所述蚀刻剂储存于其中，其中，在蚀刻加工中产生异物的所述蚀刻剂可以从所述加工槽溢流至所述蚀刻剂槽。
所述蚀刻装置可以进一步包括：一循环管，连接所述加工槽与所述蚀刻剂槽，以容许所述蚀刻剂在其中流动；以及一蚀刻剂泵，通过所述循环管将储存于所述蚀刻剂槽的所述蚀刻剂泵送至所述加工槽。
所述蚀刻装置可以进一步包括：一载体膜，耦合于所述挠性膜；以及一卷线滚筒，耦合于所述载体膜，向前或向后旋转以卷绕或松卷所述载体膜。
所述蚀刻装置可以进一步包括：一干燥单元，设置在由所述载体膜所输送的所述挠性膜的输送路径上，以喷洒空气于由所述载体膜所输送的所述挠性膜上，之后干燥所述载体膜。
所述蚀刻装置可以进一步包括：一洗涤单元，设置在由所述载体膜所输送的所述挠性膜的输送路径上，以喷洒洗涤液于由所述载体膜所输送的所述挠性膜上，之后洗涤所述载体膜。
另外，本发明也在于提案一种蚀刻方法，所述方法包括：(a)卷绕其上形成有一薄膜的一挠性膜于一滚筒式夹具的周围，之后将卷绕所述滚筒式夹具的所述挠性膜浸入一蚀刻剂；(b)在卷绕所述滚筒式夹具并浸入所述蚀刻剂的所述挠性膜周围产生所述蚀刻剂的流动，以蚀刻所述挠性膜；(c)在(b)的蚀刻加工后，用洗涤液洗涤所述挠性膜；以及(d)在(c)的洗涤加工后，干燥所述挠性膜。
(b)可以包括：持续供给一蚀刻剂至一包含所述滚筒式夹具以及所述蚀刻剂的加工槽；以及从所述加工槽溢流在蚀刻加工中产生异物的所述蚀刻剂。
(b)中：所述滚筒式夹具可以旋转且所述蚀刻剂可以朝向卷绕所述滚筒式夹具的所述挠性膜喷洒，以在所述挠性膜周围产生所述蚀刻剂的流动。
(c)中：可以供给所述洗涤液，以洗涤卷绕所述滚筒式夹具的所述挠性膜。
(c)中：可以供给所述洗涤液，以洗涤可以从所述滚筒式夹具松卷且输送的所述挠性膜。
(d)中：可以喷洒空气，以干燥所述挠性膜。
更进一步，本发明还在于提案一种根据上述方法所蚀刻的挠性膜。
如同上述清楚说明，根据本发明的蚀刻装置能够有效地在其上形成有简洁结构的薄膜(例如，石墨烯薄膜)的大面积挠性膜上进行蚀刻加工。
而且，本发明利用在挠性膜的表面产生均匀的蚀刻剂的流动，能够以均匀的品质蚀刻挠性膜的表面。
更进一步，本发明在挠性膜被移动时维持张力以避免挠性膜被弄皱，并且避免挠性膜与外部构件接触，因而避免形成于挠性膜上的薄膜被破坏。
而且，本发明的结构简单且具有容易的操作特性，因而容许以少量的作业员进行蚀刻操作。
附图说明
从以下具体实施方式连同附图可以清楚了解本发明的以上和其他方面的特征和优势，附图中：
图1是示意性显示现有的蚀刻装置。
图2是根据本发明一实施例的蚀刻装置的侧视图。
图3是根据本发明实施例的蚀刻装置的配置示意图。
图4是提供于根据本发明实施例的蚀刻装置中的蚀刻单元的一部份的配置的前侧剖面示意图。
图5至11显示由根据本发明实施例的蚀刻装置所进行的蚀刻方法。
图12是提供于根据本发明的蚀刻装置中的蚀刻单元的一种变化型的前侧剖面示意图。
图13是提供于根据本发明的蚀刻装置中的蚀刻单元的另一种变化型的前侧剖面示意图。
图14是图13的蚀刻单元的侧视剖面图。
其中，附图标记说明如下：
1 基板
10 第一喷嘴部
20 第二喷嘴部
30 固定部
100 蚀刻装置
110 输送单元
111 载体膜
112 卷线器
113 卷线滚筒
114 卷线滚筒驱动器
115、116、117 输送滚轮
120 蚀刻单元
121 加工槽
122 滚筒式夹具
123 滚筒式夹具驱动器
124 蚀刻剂槽
125 循环管
126 蚀刻剂泵
127 过滤器
130 注射喷嘴
131 引导管
132 加工泵
133 附属注射喷嘴
134 阀
140 排出管
145 废弃液体槽
150 洗涤液供给单元
151 洗涤液供给槽
152 洗涤液供给管
153 洗涤液供给泵
160 洗涤单元
161 洗涤液槽
162 洗涤液喷嘴
163 洗涤液泵
164 洗涤液注射管
170 干燥单元
171 送气机
172 空气喷嘴
173 送气管
220 蚀刻单元
222 滚筒式夹具
223 流动导槽
320 蚀刻单元
321 流动产生器
322 旋转体
323 叶片
324 旋转体驱动器
C 洗涤液
E 蚀刻剂
F 挠性膜
具体实施方式
以下，搭配图式详细说明本发明的蚀刻装置，蚀刻方法以及由所述蚀刻方法所蚀刻的挠性膜。
图2是根据本发明一实施例的蚀刻装置的侧视图，图3是根据本发明实施例的蚀刻装置的配置示意图，图4是提供于根据本发明实施例的蚀刻装置中的蚀刻单元的一部份的配置的前侧剖面示意图，图5至11显示由根据本发明的实施例的蚀刻装置所进行的蚀刻方法。
如图2、图3所示，根据本发明的实施例的蚀刻装置100包括输送单元110、蚀刻单元120、洗涤液供给单元150、洗涤单元160以及干燥单元170。所述蚀刻装置100可以蚀刻其上形成有多个薄膜的挠性膜F的表面。
举例来说，根据实施例的蚀刻装置100可用于蚀刻方法中，以在生产石墨烯薄膜(graphene thin-film)的过程中移除催化金属。
如本领域技术人员所周知，石墨烯是一种新发现于2004年的二维碳(two-dimensional carbon)成分，是一种由单一碳原子层形成的六角形蜂窝结构所组成的非常薄膜的结构。在现有成分中，石墨烯的多种特征，如强度，导热性，电子移动率(electron mobility)是最优良的。因此，对于人们来说，石墨烯是可应用于多种技术，包括显示器、二次电池(secondary batteries)、光伏电池(photovoltaic cells)、发光元件以及感应器等等的重要材料。
石墨烯主要藉由机械剥离(mechanical exfoliation)、化学气相沉积(chemical vapor deposition)、外延合成(epitaxial synthesis)或化学剥离(chemicalexfoliation)所产生。由于由上述方法产生的石墨烯具有数千Ω/sq的表面电阻(sheet resistance)，目前已经进行多种研究及发展，以减少表面电阻使石墨烯能应用在工业产业上。为了改善表面电阻，已经有一种将石墨烯堆叠成多层的方法的提案。然而，所述方法的缺点在于其必须包括更多程序，造成生产成本提高，且由于这些重复的程序，不良品的比例提高了。因此，石墨烯的发展目标在于加速电荷转移或提升单一层中的电荷密度。在提升单一层中的电荷密度的方法中，常用一种在产生石墨烯的程序中藉由湿处理(wet process)以移除催化金属并将化学物质掺入石墨烯的表面的方法。
本发明可用于蚀刻加工，其中合成于催化金属上的石墨烯被堆叠于挠性膜F上，且藉由湿处理将催化金属从挠性膜F上被移除。
现有的湿处理方法中，蚀刻加工是对摊平状的挠性样品进行。因此，挠性样品的尺寸被部份增大，但是其面积被有限制地增加。这是因为较大尺寸的挠性样品使挠性样品的处理以及均匀地将样品表面与溶液反应变得较为困难。本发明可以解决相关领域所发生的问题并有效地蚀刻多种挠性样品，如挠性膜F。
如图2及图3所示，输送单元110用以将挠性膜F输送至蚀刻单元120、洗涤单元160以及干燥单元170，并包括载体膜111、卷线器112以及多个输送滚轮115、116、117。载体膜111由可轻易弯曲变形的挠性材料制成。载体膜111在其一端与挠性膜F的一端耦合，并藉由卷线器112以及多个输送滚轮115、116、117输送以拉扯挠性膜F。载体膜111可以藉由胶贴或类似方法与挠性膜F耦合。
卷线器112具有卷线滚筒113，以及旋转卷线滚筒113的卷线滚筒驱动器114，其中载体膜111卷绕并储存于卷线滚筒113的周围。卷线滚筒113可以藉由卷线滚筒驱动器114向前或向后旋转。通过卷线滚筒113的旋转，载体膜111可以从卷线滚筒113松卷或重新卷绕于卷线滚筒113。挠性膜F同载体膜111可以卷绕于卷线滚筒113储存。由于挠性膜F卷绕于卷线滚筒113储存，可以缓和挠性膜F被弄皱或因为与外来物接触而破坏挠性膜的表面的问题。等待被蚀刻的挠性膜F或已经被蚀刻的挠性膜F可以卷绕于卷线滚筒113作暂时性的储存。
多个输送滚轮115、116、117设置于卷线器112与蚀刻单元120之间的挠性膜F的输送路径中。多个输送滚轮115、116、117引导载体膜111以及挠性膜F以稳定地输送载体膜111以及挠性膜F，避免其被折叠。
作业员剪下预定长度的载体膜111，藉由胶贴或类似方法将其一端耦合至蚀刻单元120的滚筒式夹具122，并耦合载体膜111的另一端至卷绕于卷线滚筒113的挠性膜F的一端，接着旋转滚筒式夹具122。藉此，卷绕于卷线滚筒113的挠性膜F可以被输送至蚀刻单元120的滚筒式夹具122。甚至，载体膜111可以从滚筒式夹具122分离，然后被输送的挠性膜F可以藉由胶贴或类似方法被固定至滚筒式夹具122。更进一步，在载体膜111从卷线滚筒113松卷以及载体膜的111一端耦合至卷绕于滚筒式夹具122的挠性膜F的一端后，卷线滚筒113可以旋转以将卷绕于滚筒式夹具122的挠性膜F朝向卷线滚筒113输送。
参照图2至图4，蚀刻单元120包括：加工槽121，加工槽121中容置蚀刻剂E；滚筒式夹具122，可旋转地被安装于所述加工槽121中；蚀刻剂槽124，相邻加工槽121安装；以及多个注射喷嘴130，朝向滚筒式夹具122设置。其上形成有薄膜的挠性膜F固定地卷绕于滚筒式夹具122的外周，因而滚筒式夹具122与挠性膜F一同浸泡于蚀刻剂中。滚筒式夹具122可以藉由滚筒式夹具驱动器123向前或向后旋转。位高于滚筒式夹具122的加工槽121的一上表面或部份对外开口，以使充盈于加工槽中的蚀刻剂E可以朝向蚀刻剂槽124溢流。
如上所述的蚀刻单元120供给蚀刻剂E至加工槽121，使挠性膜F在被固定地卷绕于滚筒式夹具122的状态下浸入蚀刻剂中，并旋转滚筒式夹具122，因而蚀刻挠性膜F的表面。浸入蚀刻剂E中的滚筒式夹具122旋转，以在挠性膜F的表面产生蚀刻剂E的均匀流动，藉此允许挠性膜F的表面被均匀地蚀刻，并提升蚀刻效率。
蚀刻加工中从挠性膜F移除的异物漂浮在蚀刻剂E中且可能聚集在蚀刻剂E的表面。因此，当蚀刻剂E在蚀刻加工后从加工槽121排出时，漂浮的异物可能附着于已经被蚀刻的挠性膜F上，而使挠性膜F被污染。
为了解决此问题，根据本实施例的蚀刻装置100将在蚀刻加工中异物进入的蚀刻剂E上层从加工槽121溢流至蚀刻剂槽124。因此，可以立即地从加工槽121移除蚀刻加工中产生的异物，并藉此解决已经被蚀刻的挠性膜F被异物污染的问题。
加工槽121以及蚀刻剂槽124彼此连接，使蚀刻剂E得以在循环管125中循环。蚀刻剂泵126以及过滤器127连接至循环管125。蚀刻剂泵126将蚀刻剂槽124的蚀刻剂E朝向加工槽121泵送或者将加工槽121的蚀刻剂E朝向蚀刻剂槽124泵送。蚀刻加工中，蚀刻剂槽124中的蚀刻剂E可以藉由过滤器被过滤，然后持续地被供给至加工槽121。
如图3以及图4所示，多个注射喷嘴130彼此间隔地安装于加工槽121中，并朝向卷绕滚筒式夹具122的挠性膜F喷洒蚀刻剂E。多个注射喷嘴130通过引导管131与加工泵132连接。加工泵132安装于加工槽121中，浸入蚀刻剂E中，并通过引导管131泵送加工槽121中所包含的蚀刻剂E至多个注射喷嘴130。在蚀刻加工中，多个注射喷嘴130朝向卷绕滚筒式夹具122的挠性膜F喷洒蚀刻剂E。这些注射喷嘴130在挠性膜F的表面产生均匀的蚀刻剂E的流动，因此更加强了挠性膜F的蚀刻效率。蚀刻加工后，多个注射喷嘴130可在初级洗涤加工中用于朝向挠性膜F喷洒洗涤液C(见图10)。初级洗涤加工将于后说明。注射喷嘴130的安装数量或安装配置可以有各种变化。
除了多个注射喷嘴130，附属注射喷嘴133连接至连接至加工泵132的引导管131。附属注射喷嘴133位于加工槽121的上部位置，用于在洗涤加工时喷洒洗涤液C。阀134安装于加工泵132与附属注射喷嘴133之间，以控制通过引导管31至附属注射喷嘴133的液体的流动。通过使用阀134，附属注射喷嘴133可以仅用于喷洒洗涤液C。
排出管140连接至蚀刻单元120的加工槽121以及蚀刻剂槽124。加工槽121中的蚀刻剂E或洗涤液C可以通过排出管140排出至废弃液体槽145。甚至，蚀刻剂槽124中的蚀刻剂E可以通过排出管140排出至废弃液体槽145。
参考图2以及图3，洗涤液供给单元150包括洗涤液供给槽151、洗涤液供给管152以及洗涤液供给泵153。蚀刻加工后，上述的洗涤液供给单元150在初级洗涤加工中供给洗涤液C至加工槽121。储存于洗涤液供给槽151的洗涤液C可以被泵送至洗涤液供给泵153，然后藉由洗涤液供给管152供给至加工槽121。
蚀刻加工后，蚀刻剂E从加工槽121被排出，洗涤液供给单元150供给洗涤液C至加工槽121以对卷绕滚筒式夹具122的挠性膜F进行初级洗涤加工。洗涤液C被供给至加工槽121，并由加工泵132泵送，以通过多个注射喷嘴130喷洒洗涤液C于卷绕滚筒式夹具122的挠性膜F上，因而初级洗涤已经被蚀刻的挠性膜F。通过在初级洗涤加工中旋转滚筒式夹具122，可以提升洗涤挠性膜F的效率。完成初级洗涤加工后，供给至加工槽121的洗涤液C通过排出管140排出至废弃液体槽145。
如图2以及图3所示，洗涤单元160设置于挠性膜F被输送单元110输送的路径上，以对已被蚀刻的挠性膜F进行次级洗涤加工。洗涤单元160包括洗涤液槽161、多个洗涤液喷嘴162以及洗涤液泵163。多个洗涤液喷嘴162透过洗涤液注射管164连接至洗涤液泵163。洗涤液泵163安装于洗涤液槽161中以朝向多个洗涤液喷嘴162泵送储存于洗涤液槽161的洗涤液C。经过了蚀刻加工以及初级洗涤加工的卷绕于滚筒式夹具122的挠性膜F藉由载体膜111被输送至卷线器112时，多个洗涤液喷嘴162喷洒洗涤液C于挠性膜F上，以在挠性膜F上进行次级洗涤加工。洗涤液槽161连接至排出管140以将储存于洗涤液槽161中的洗涤液C排出至废弃液体槽145，
干燥单元170设置于挠性膜F被输送单元110输送的路径上，以对已经经由次级洗涤加工的挠性膜F进行干燥加工。干燥单元170包括送气机171以及多个空气喷嘴172。多个空气喷嘴172透过送气管173与送气机171连接。送气机171迫使空气通过送气管173被运送至多个空气喷嘴172，然后多个空气喷嘴172喷洒空气于挠性膜F上，以从挠性膜F上移除蚀刻剂E以及洗涤液C。
以下搭配相应图式说明利用根据本实施例的蚀刻装置100的蚀刻方法。
首先，如图5所示，卷绕于卷线器112的卷线滚筒113并且准备被蚀刻的挠性膜F藉由载体膜111被输送至蚀刻单元120的滚筒式夹具122。
此时，作业员藉由胶贴或类似方法将剪成预定长度的载体膜111的一端连接至挠性膜F的一端，并且拉动载体膜111的另一端以利用胶贴或类似方法耦合其至滚筒式夹具122。而且，通过胶贴或类似方法，挠性膜F的另一端与卷绕于卷线滚筒113的另一载体膜111连接。这样，可以进行输送挠性膜F的准备工作。接下来，如图6所示，滚筒式夹具122旋转以将载体膜111卷绕于滚筒式夹具122。藉此，卷绕于卷线滚筒113的挠性膜F可以被拉动并朝向滚筒式夹具122输送。此时，卷绕于卷线滚筒113的另一载体膜111在相反方向上对挠性膜F施加反作用力，因而挠性膜F可以在适当地保持张力同时被输送至滚筒式夹具122。
挠性膜F被输送至滚筒式夹具122后，如图7所示，作业员将挠性膜F的两端从载体膜111分离，并将挠性膜F卷绕于滚筒式夹具122，藉由胶贴或类似方法固定至滚筒式夹具122。
接下来，如图8所示，蚀刻剂E被供给至加工槽21，用以将挠性膜F浸泡于蚀刻剂E中。在此状态下，在挠性膜F上进行蚀刻加工。此时，滚筒式夹具122旋转，且藉由多个注射喷嘴130朝向挠性膜F喷洒蚀刻剂E，因而于挠性膜F周围产生蚀刻剂E的流动。如此一来，在蚀刻加工中，如果在挠性膜周围产生蚀刻剂E的流动，可以加强蚀刻挠性膜F的效率。
在蚀刻加工中，从挠性膜F移除的异物可能漂浮于蚀刻剂E中。藉由将异物漂浮的蚀刻剂E上层从加工槽121溢流至蚀刻剂槽124，可以即刻地将蚀刻加工中所产生的异物从加工槽121移除。更进一步，在蚀刻加工中，在蚀刻剂槽124中的蚀刻剂E被蚀刻剂泵126泵送并且被过滤器127过滤后，蚀刻剂持续地被供给至加工槽121，因此防止蚀刻效率变差。
如果蚀刻加工已经完成，蚀刻剂E从加工槽121排出，且洗涤液C透过洗涤液供给单元150被供给至加工槽121，以在挠性膜F上进行初级洗涤加工。此时，在滚筒式夹具122旋转被旋转时，供给至加工槽121的洗涤液C藉由加工泵132以及多个注射喷嘴130被喷洒至卷绕于筒式夹具122的挠性膜F上。藉此，可以加强洗涤挠性膜F的效率。
如果挠性膜F的初级洗涤加工已经完成，如图9所示，洗涤液C从加工槽121被排出，且卷绕于滚筒式夹具122的挠性膜F的一端通过胶贴或类似方法连接到载体膜111的一端。更进一步，如图10所示，卷线滚筒113旋转，以通过载体膜111将挠性膜F从滚筒式夹具122输送至卷线滚筒113。
当挠性膜F如上述被输送至卷线滚筒113，洗涤单元160喷洒洗涤液C于挠性膜F上，以于挠性膜F上进行次级洗涤加工。更进一步，在经由次级洗涤加工的挠性膜F通过干燥单元170时，干燥单元170喷洒空气于挠性膜F上，以于挠性膜F上进行干燥加工。
在挠性膜F依序地通过洗涤单元160以及干燥单元170后，挠性膜F可以被卷绕于卷线滚筒113回收，如图11所示。作业员可以将以上述同样方式蚀刻的挠性膜F以卷绕挠性膜于卷线滚筒113的方式暂时地储存或将挠性膜F从卷线滚筒113分离，以将挠性膜运送到另一位置。
如上所述，根据本实施例的蚀刻装置100具有简洁的结构，能够有效地在大面积的挠性膜F上进行蚀刻加工。且，于挠性膜F的表面上产生均匀的蚀刻剂E的流动，因此容许挠性膜F以统一的品质被蚀刻。更进一步，在挠性膜F被输送时，维持其张力以避免挠性膜被弄皱，且挠性膜不与外部构件接触以避免挠性膜F上所形成的薄膜被破坏。
与此同时，图12至14显示提供于根据本发明的蚀刻装置中的蚀刻单元的多种变化型。
首先，图12的蚀刻单元220包括加工槽121，以及可旋转地安装于加工槽121中的滚筒式夹具222。多个流动导槽223沿着滚筒式夹具222的外周形成。当夹具旋转时，多个流动导槽223朝向卷绕于滚筒式夹具222上的挠性膜F产生蚀刻剂E的流动。上述的蚀刻单元220配置成当夹具旋转时，多个流动导槽223在卷绕于滚筒式夹具222上的挠性膜F的表面上产生均匀的蚀刻剂E的流动，因而容许挠性膜F的表面被均匀地蚀刻并提高蚀刻效率。因此，即使未安装注射喷嘴130，也可以与上述的蚀刻单元120达到相同的效果。
图13、14的蚀刻单元320包括加工槽121、可旋转地安装于加工槽121中的滚筒式夹具122以及可旋转地安装于加工槽121中的流动产生器321。流动产生器321具有旋转体322、多个提供于旋转体322中的叶片323以及旋转旋转体322的旋转体驱动器324。旋转体322可旋转地安装于加工槽121中以围绕滚筒式夹具122。当旋转体322被旋转体驱动器324旋转时，多个提供于旋转体322中的叶片323在旋转体322中产生蚀刻剂E的流动。因此，在卷绕于滚筒式夹具122的挠性膜F的表面上产生均匀的蚀刻剂E的流动，而能均匀地蚀刻挠性膜F的表面并提升蚀刻效率。
虽然如图所示，一对流动产生器321被置于滚筒式夹具122的两端，即滚筒式夹具122的每一端设置有一个流动产生器，流动产生器的安装数量或安装配置可以有多种变化。甚至，虽然如图所示流动产生器321围绕滚筒式夹具122，然而只要其结构能够旋转旋转体并产生提供至加工槽121的液体流动，多种结构皆可以作为流动产生器。
虽然已经说明了本发明的较佳实施例，本发明的范围并不限于参考附图的前述说明。
输送单元110可以以多种不同的形态被提供，例如，卷线器112可以被省略。
蚀刻单元120基本上具有加工槽121以及安装于其中的滚筒式夹具122，在基本结构上还能附加地设置多种构件以构成多种不同的结构。如另一例，蚀刻单元可以改变成一个没有洗涤功能的结构。
甚至，洗涤单元160可以以如所示的结构，以及以能够进行洗涤加工的多种不同的形态来设置，干燥单元170可以以如所示的结构，以及以能够进行干燥加工的多种不同的形态来设置。
更进一步，根据本发明的蚀刻装置可以以多种不同的形态来设置，包括以具有蚀刻功能的蚀刻单元作为基本元件，以及以其他构件作为附加元件。
虽然为了说明的目的揭露了本发明的较佳实施例，本领域技术人能够预期在不脱离如权利要求所揭露的本发明范围以及要旨下，尚有多种变化、附加以及替代的可能。

Claims (17)

1.一种蚀刻装置，其特征在于，所述装置包括：
一加工槽，所述加工槽中包含蚀刻剂；
一滚筒式夹具，可旋转地设置在所述加工槽中，在其上形成有一薄膜的一挠性膜卷绕所述滚筒式夹具的状态下，所述滚筒式夹具浸泡于所述蚀刻剂中；以及
一滚筒式夹具驱动器，配置成用以旋转所述滚筒式夹具。
2.根据权利要求1所述的蚀刻装置，其特征在于，更包括：
一注射喷嘴，设置在所述加工槽中，用以将所述蚀刻剂朝向卷绕所述滚筒式夹具的所述挠性膜喷洒；以及
一加工泵，配置成用以将所述蚀刻剂泵送至所述注射喷嘴。
3.根据权利要求2所述的蚀刻装置，其特征在于，更包括：
一洗涤液供给单元，供给洗涤液至所述蚀刻剂排出的所述加工槽，以在卷绕所述滚筒式夹具的所述挠性膜上进行洗涤加工，
其中，所述加工泵设置在所述加工槽中，以泵送所述加工槽中所包含的所述蚀刻剂或所述洗涤液至所述注射喷嘴。
4.根据权利要求1所述的蚀刻装置，其特征在于，所述滚筒式夹具还包括多个沿其外周设置的流动导槽，以在所述滚筒式夹具旋转时，朝向卷绕所述滚筒式夹具的所述挠性膜，产生所述蚀刻剂的流动。
5.根据权利要求1所述的蚀刻装置，其特征在于，更包括：
一旋转体，可旋转地设置在所述加工槽中；
多个叶片，设置在所述旋转体上；以及
一流动产生器，具有一旋转体驱动器，用以旋转所述旋转体并朝向卷绕所述滚筒式夹具的所述挠性膜，产生所述蚀刻剂的所述流动。
6.根据权利要求1所述的蚀刻装置，其特征在于，更包括：
一蚀刻剂槽，设置与所述加工槽相邻，以将所述蚀刻剂储存于其中，
其中，在蚀刻加工中产生异物的所述蚀刻剂从所述加工槽溢流至所述蚀刻剂槽。
7.根据权利要求6所述的蚀刻装置，其特征在于，更包括：
一循环管，连接所述加工槽与所述蚀刻剂槽，以容许所述蚀刻剂在其中流动；以及
一蚀刻剂泵，通过所述循环管将储存于所述蚀刻剂槽的所述蚀刻剂泵送至所述加工槽。
8.根据权利要求1所述的蚀刻装置，其特征在于，更包括：
一载体膜，耦合于所述挠性膜；以及
一卷线滚筒，耦合于所述载体膜，向前或向后旋转以卷绕或松卷所述载体膜。
9.根据权利要求8所述的蚀刻装置，其特征在于，更包括：
一干燥单元，设置在由所述载体膜所输送的所述挠性膜的输送路径上，以喷洒空气于由所述载体膜所输送的所述挠性膜上，之后干燥所述载体膜。
10.根据权利要求8所述的蚀刻装置，其特征在于，更包括：
一洗涤单元，设置在由所述载体膜所输送的所述挠性膜的输送路径上，以喷洒洗涤液于由所述载体膜所输送的所述挠性膜上，之后洗涤所述载体膜。
11.一种蚀刻方法，其特征在于，所述方法包括：
(a)卷绕其上形成有一薄膜的一挠性膜于一滚筒式夹具的周围，之后将卷绕所述滚筒式夹具的所述挠性膜浸入一蚀刻剂；
(b)在卷绕所述滚筒式夹具并浸入所述蚀刻剂的所述挠性膜周围产生所述蚀刻剂的流动，以蚀刻所述挠性膜；
(c)在(b)的蚀刻加工后，用洗涤液洗涤所述挠性膜；以及
(d)在(c)的洗涤加工后，干燥所述挠性膜。
12.根据权利要求11所述的蚀刻方法，其特征在于，(b)包括：
持续供给一蚀刻剂至一包含所述滚筒式夹具以及所述蚀刻剂的加工槽；以及
从所述加工槽溢流在蚀刻加工中产生异物的所述蚀刻剂。
13.根据权利要求11所述的蚀刻方法，其特征在于，(b)中：所述滚筒式夹具旋转且所述蚀刻剂朝向卷绕所述滚筒式夹具的所述挠性膜喷洒，以在所述挠性膜周围产生所述蚀刻剂的流动。
14.根据权利要求11所述的蚀刻方法，其特征在于，(c)中：供给所述洗涤液，以洗涤卷绕所述滚筒式夹具的所述挠性膜。
15.根据权利要求11所述的蚀刻方法，其特征在于，(c)中：供给所述洗涤液，以洗涤从所述滚筒式夹具松卷且输送的所述挠性膜。
16.根据权利要求11所述的蚀刻方法，其特征在于，(d)中：喷洒空气，以干燥所述挠性膜。
17.一种挠性膜，其特征在于，由根据权利要求11至16中任一项所述的蚀刻方法所蚀刻。
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Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10502705B2 (en) * 2018-01-04 2019-12-10 Lyten, Inc. Resonant gas sensor
US11137368B2 (en) * 2018-01-04 2021-10-05 Lyten, Inc. Resonant gas sensor

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002004069A (ja) * 2000-06-15 2002-01-09 Mitsui Chemicals Inc エッチング装置
JP2004249181A (ja) * 2003-02-19 2004-09-09 Fuji Photo Film Co Ltd 平版印刷版の製造装置
CN101155477A (zh) * 2006-09-28 2008-04-02 东京化工机株式会社 药液处理装置
JP2010179987A (ja) * 2009-02-04 2010-08-19 Sumitomo Metal Mining Co Ltd 表面処理システムおよび表面処理方法
CN104159742A (zh) * 2012-12-11 2014-11-19 阿莫绿色技术有限公司 防水传声片材及其生产方法

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3748677A (en) * 1970-09-18 1973-07-31 Western Electric Co Methods and apparatus for scrubbing thin, fragile slices of material
US4521214A (en) * 1982-09-30 1985-06-04 American Hoechst Corporation Continuous gradient dyeing of plastic ribbon
US7029597B2 (en) * 2001-01-23 2006-04-18 Lorin Industries, Inc. Anodized aluminum etching process and related apparatus
US6814089B1 (en) * 2003-06-03 2004-11-09 The Material Works, Ltd. Conditioning liquid cleaning and recycling system for sheet metal conditioning apparatus
JP2006030432A (ja) * 2004-07-14 2006-02-02 Matsushita Electric Ind Co Ltd 画像形成装置
KR20100045124A (ko) * 2008-10-23 2010-05-03 삼성전자주식회사 스퍼터 트레이 이송 시스템
GB2512270B (en) * 2013-01-16 2015-07-01 Aquavitrum Ltd Apparatus For Washing Contaminated Material

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002004069A (ja) * 2000-06-15 2002-01-09 Mitsui Chemicals Inc エッチング装置
JP2004249181A (ja) * 2003-02-19 2004-09-09 Fuji Photo Film Co Ltd 平版印刷版の製造装置
CN101155477A (zh) * 2006-09-28 2008-04-02 东京化工机株式会社 药液处理装置
JP2010179987A (ja) * 2009-02-04 2010-08-19 Sumitomo Metal Mining Co Ltd 表面処理システムおよび表面処理方法
CN104159742A (zh) * 2012-12-11 2014-11-19 阿莫绿色技术有限公司 防水传声片材及其生产方法

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