CN107079558A - 光电子组件和用于运行光电子组件的方法 - Google Patents

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Abstract

在不同的实施例中提供一种光电子组件（100、200、300、500、700、800）。所述光电子组件（100、200、300、500、700、800）具有：至少一个光电子器件（180）；和传感器电路（170），该传感器电路具有至少一个供能电路（160）和具有至少一个储能单元（132）和检测单元（134）的确定电路（130）；其中确定电路（130）和至少一个光电子器件（150）彼此电并联；其中至少一个供能电路（160）被设立用于将电能输送到至少一个光电子器件（150）和储能单元（132），其中在储能单元（132）中存储的能量与输送给至少一个光电子器件（180）的电能无关地输送；并且其中确定电路（130）被设立成，使得检测单元（134）根据在至少一个光电子器件（180）中存储的能量的变化来检测在储能单元（132）中存储的电能的变化。

Description

光电子组件和用于运行光电子组件的方法
技术领域
本发明涉及一种光电子组件和一种用于运行光电子组件的方法。
背景技术
光电子组件例如可以具有一个，两个或更多个发光二极管元件。所述发光二极管元件例如可以是发光二极管（LED）和/或有机发光二极管（OLED）或者发光二极管（LED）或有机发光二极管（OLED）的部分或区段。
尽管进行了发光二极管元件的耗费的质量控制，但不能完全排除，发光二极管元件在应用中自发地失效。例如在OLED的情况下，自发失效的典型错误形成是相应的发光二极管元件的电极之间的短路（英文：Short）。发光二极管元件的电极的短路内在地短路发光二极管元件的寄生电容，或使其放电。这种短路通常是小面积的。因此总电流的大部分集中在小面积的短路点处。因此，电流密度在短路点处显著提高，因此该短路点可以依赖于其面积范围地被强烈加热。这可能导致电极的熔化、OLED的发光图像中的黑斑、完全暗的OLED和/或OLED上的变热的位置。
为了防止由于该过热所致的潜在危险（燃烧危险，火灾，爆裂等），这样的短路应该被光电子组件的驱动器电子设备识别并且引入合适的保护反应（切断OLED或光电子组件，将供电电流从短路的OLED改道，输出警告信号等）。例如，在汽车领域中要求例如尾灯中的有缺陷的OLED或LED以电子方式被识别并且至少向车载系统报告。
应用中的光电子组件的发光二极管元件、例如OLED的常见互连出于技术原因并且出于成本原因是发光二极管元件的串联。例如，多个发光二极管元件可以串联成一个发光二极管和/或多个发光二极管可以串联。在许多应用中，例如在汽车领域中或在普通照明的领域中，因此更多的发光二极管元件电串联。如果应该以简单的方法识别串联电路中的各个有缺陷的发光二极管元件，则这是特殊的挑战。
从US 2011 204 792 A1、WO 2010 060 458 A1和WO 2012 004 720 A2已知用于确定各个OLED的短路的方法，其中相应的OLED上的过压或欠压被用作为缺陷的标准。以使控制电流改道（旁路）和/或以错误信号产生的方式对识别出短路进行反应。
在普通照明的领域中典型的是，灵活的控制设备具有可变的输出电压范围。由此，可变数量的发光二极管元件可以连接到控制设备上。
用于确定各个发光二极管元件的短路的其他方法可能在确定的应用中具有缺点，例如其形式是，所述方法要求在关于短路的测试之前将发光二极管元件充电到大于发光二极管元件的阈值电压的电压上，之后切断所述发光二极管元件并且紧接着测量电压或放电电流。然而，这要求发光二极管元件在测试时短暂地被接通并且又被切断。这可能应用特定地不是所期望的，例如在短路测试中在启动机动车之前并且在接通灯之前。在这样的机动车应用中，在短路测试期间灯的短暂的亮一下是不期望的。替代地，短路测试可以在运行发光二极管元件期间短时间地执行。然而，这要求发光二极管元件的短时间的切断。短时间的切断可以尽可能短地进行，使得短路测试是不可见的。然而，这样的切断可能应用特定地也不是所期望的。替代地，可以在切断光电子器件时执行短路测试。然而，这可能应用特定地不是所期望的，因为在该情况下可能过晚地识别短路。
发明内容
本发明的另一个任务是提供一种光电子组件，其能够实现：可靠地识别光电子组件的单个光电子器件的短路，可靠地识别光电子组件的光电子器件的串联电路和/或并联电路中的一个光电子器件的短路，最小化老化和/或温度对识别短路的干扰参量影响。
本发明的任务是提供一种用于运行光电子组件的方法，该方法能够实现：可靠地识别光电子组件的单个光电子器件的短路，可靠地识别光电子组件的光电子器件的串联电路和/或并联电路中的一个光电子器件的短路，最小化老化和/或温度对识别短路的干扰参量影响。
该任务根据本发明的一个方面通过一种光电子组件来解决，该光电子组件具有：至少一个光电子器件和传感器电路。传感器电路具有至少一个供能电路和确定电路。确定电路具有至少一个储能单元和检测单元。确定电路和至少一个光电子器件彼此电并联。至少一个供能电路被设立用于将电能输送到所述至少一个光电子器件和储能单元，其中在储能单元中存储的能量与输送给所述至少一个光电子器件的电能无关地输送。确定电路被设立成，使得检测单元根据在所述至少一个光电子器件中存储的能量的变化来检测在储能单元中存储的电能的变化。
所存储的能量的变化可以借助在至少一个第一时间和第二时间检测所存储的能量并且确定所存储的能量在第二时间相对于第一时间的差来确定。即可以检测所存储的能量的相对变化。
所存储的能量的变化也可以是相对于预先给定的额定值的偏差，该偏差借助所存储的能量的检测并且确定所检测的能量相对于例如参考器件的预先给定的值或所存储的值的差来确定。即可以检测与预先给定的值的绝对变化或偏差。
在储能单元中存储的能量的变化能够借助检测单元来检测。在储能单元中存储的能量的变化在具有不含短路的至少一个光电子器件的子电路中与具有含短路的至少一个光电子器件的子电路显著不同。在光电子子电路中存在短路意味着光电子子电路中的光电子器件之一具有短路。
该光电子组件能够实现新型的、简单的并且成本适宜的方法，以便已经在接通之前和/或在运行期间关于短路检查应用中的OLED。此外，利用该光电子组件可以同时并行监控具有光电子器件的多个子电路。
作为对识别到短路的反应，例如可以切断驱动电路，可以产生警告信号并且输送到上一级单元、例如计算单元、例如机动车的车载计算机，和/或可以电绕行所短路的光电子器件。这例如可能在汽车领域中和/或在普通照明的领域中、例如在耗电器领域中、例如在具有单个有机发光二极管的手提灯中是令人感兴趣的。
借助该光电子组件还能够实现：检测单元的信号可以或允许与驱动电路的信号时间上无关、即不相关或异步。至少一个光电子器件关于短路的测试可以借助确定电路在没有与运行电路时间同步的情况下实施。驱动电路例如是能量源或控制设备。还能够实现：在具有至少一个光电子器件的至少一个光电子子电路上下降的电压不直接在该光电子子电路上检测、确定或测量。因此可以构造独立的、成本适宜的电子单元。
根据不同改进方案的光电子组件能够实现经济上成本适宜的模拟电路，例如没有微控制器。
在合适设计发光光电子组件的部件的情况下，至少一个发光光电子器件在测试期间是光学不活跃的。由此能够在不影响光电子组件的显型的情况下执行测试。
在至少一个光电子器件关于短路的测试之前，还不需要给光电子器件或至少一个光电子子电路通电。
传感器电路还可以在至少一个光电子器件的脉冲调制控制下在关闭状态中关于短路自动地（没有主动控制地）测试至少一个光电子器件。
在一种改进方案中，至少一个光电子器件是有机发光二极管。
在一种改进方案中，储能单元具有至少一个电容器。检测单元具有至少一个电压表。电压表可以与储能单元的至少一个电容器电并联。
这能够实现，简单并且成本适宜地检测在至少一个光电子器件中能够存储的能量。
在一种改进方案中，确定电路具有截止单元，该截止单元在电流路径中被布置在储能单元和至少一个光电子器件之间。
这能够实现，确定单元与至少一个光电子器件的通电的耦合和去耦。
在一种改进方案中，光电子组件还具有至少一个控制设备、例如线性调节器、脉冲的调节器或开关，用于调节或控制输送到至少一个光电子器件上的能量。
这例如能够实现，对于至少一个光电子器件的脉冲调制的控制可以使用更简单和/或更鲁棒的能量源。替代地或附加地，能量源可以用作光电子子电路的电流调节器。
在一种改进方案中，光电子组件具有至少一个具有至少一个光电子器件的第一光电子子电路和具有至少一个光电子器件的第二光电子子电路，其中第一光电子子电路与第二光电子子电路电并联。
在一种改进方案中，光电子组件具有至少一个光电子子电路，该光电子子电路具有彼此电串联的第一光电子器件和第二光电子器件。
在一种改进方案中，储能单元和供能电路被构造成，使得在储能单元上下降的电压小于或约等于彼此电串联并且与储能单元导电连接的光电子器件的合计的阈值电压。在储能单元上下降的电压还可以小于或约等于合计的阈值电压和在截止单元和/或控制设备上下降的电压，所述截止单元和/或控制设备布置在储能单元和导电连接的光电子器件的电流路径中。
在一种改进方案中，储能单元和供能电路被构造成，使得在储能单元上下降的电压大于或约等于彼此电串联并且与储能单元导电连接的光电子器件的合计的阈值电压，其中导电连接的光电子器件中的至少一个具有电短路。
所短路的光电子器件具有大约0V的阈值电压。因此，在储能单元上下降的电压大于或约等于完好的光电子器件的合计的阈值电压。由此，在储能单元上下降的电压在至少一个光电子器件短路的情况下大于在完好的光电子器件和所述至少一个所短路的光电子器件上下降的电压。在切断光电子器件的通电之后，由此可以检测在储能单元中存储的能量的变化。
例如在储能单元上下降的电压可以被设定成，使得只有当预先给定数量的光电子器件、例如两个或更多光电子器件短路时，传感器电路才探测到电短路。
在一种改进方案中，光电子组件还具有分析单元，该分析单元被设立用于根据在储能单元中存储的能量的所检测的变化来确定，是否至少一个光电子器件具有短路。
该任务根据本发明的另一方面通过一种用于运行光电子组件的方法来解决。该方法具有：借助供能电路将电能输送到储能单元。该方法还具有：借助检测单元检测在储能单元中所存储的电能。该方法还具有：确定在储能单元中所检测的、所存储的电能相对于预先给定的值的变化。
预先给定的值例如是在另外的时间所存储的能量、关于参考器件或在分析单元中存储的值的电压降。
该方法可以在上文中解释的光电子组件上实施。关于光电子组件所提及的优点和改进方案可以毫无困难地转移到方法的优点和改进方案上。供能电路例如可以是驱动电路，被称为驱动电路或是驱动电路的一部分。
根据一种改进方案，第一时间所检测的所存储的能量与大于零的预先给定的额定值进行比较。如果在第一时间所检测的在储能单元中所存储的能量小于预先给定的额定值，则识别出：至少一个光电子器件在第一时间具有短路。如果在第一时间所检测的在储能单元中所存储的能量等于或至少近似等于预先给定的额定值，则识别出：没有光电子器件具有短路。这有助于：在光电子子电路和/或光电子组件具有两个、三个或更多光电子器件的情况下以简单的方式识别短路。预先给定的额定值例如可以对应于在去耦合的供能电路的情况下所有与储能单元电串联的完好器件的阈值电压、阈电压或导通电压。例如可以凭经验确定、存储并且然后预先给定额定值。
根据一种改进方案，如果直接由供能电路将能量输送到至少一个光电子器件，则借助确定电路的截止单元中断储能单元与至少一个光电子器件的电连接，其中截止单元在电流路径中被布置在储能单元和所述至少一个光电子器件之间。
该电连接例如可以通过以下方式中断，即至少一个光电子器件与供能电路导电连接和/或中断储能单元与至少一个光电子器件的电连接。
这能够实现，确定电路可以与所述至少一个光电子器件耦合或去耦。
根据一种改进方案，光电子组件具有至少一个拥有唯一的光电子器件的子电路，并且预先给定在储能单元中存储的能量，使得在储能单元上下降的电压基本上小于该光电子器件的阈电压。然而，在储能单元上下降的电压也大于零。
根据一种改进方案，光电子组件具有至少一个子电路，该子电路具有彼此电串联的第一光电子器件和第二光电子器件，并且预先给定在储能单元中存储的能量，使得在储能单元上下降的电压基本上小于至少一个第一光电子器件和第二光电子器件的合计的阈电压并且基本上大于至少一个第一光电子器件或第二光电子器件的阈电压。
这能够实现，确定第一光电子器件和/或第二光电子器件中的至少一个短路。
附图说明
本发明的实施例在附图中示出并且在下文中详细解释。
其中：
图1示出光电子组件的一个实施例的电路图；
图2示出光电子组件的一个实施例的电路图；
图3示出光电子组件的一个实施例的电路图；
图4示出具有电压的示例性曲线的图形；
图5示出光电子组件的一个实施例的电路图；
图6示出具有电压的示例性曲线的图形；
图7示出光电子组件的一个实施例的电路图；
图8示出光电子组件的一个实施例的电路图；以及
图9示出用于运行光电子组件的方法的流程图。
具体实施方式
在下面的详细描述中参考附图，所述附图构成该说明书的一部分，并且在所述附图中为了阐明示出特定实施例，在所述实施例中可以实践本发明。在这方面，方向术语，诸如“上”、“下”、“前”、“后”、“前面的”“后面的”等参考所描述的图的定向来使用。因为实施例的部件可以以多个不同的定向来定位，所以方向术语仅用于阐明并且绝不是限制性的。易于理解的是，其他实施例可以被利用，并且进行结构的或逻辑的变化，而不偏离本发明的保护范围。易于理解的是，这里描述的不同实施例的特征可以彼此组合，除非另外特别说明。因此下面的详细描述不应该限制性地来理解，并且本发明的保护范围通过所附的权利要求来限定。
在本说明书的范围内，术语“连接”、“联接”以及“耦合”被用于描述直接和间接的连接，直接或间接的联接以及直接或间接的耦合。在附图中，相同或相似的元件配备有相同的附图标记，只要这是适宜的。
光电子组件可以具有一个、两个或更多光电子器件。可选地，光电子组件也可以具有一个、两个或更多电子器件。电子器件例如可以具有有源和/或无源器件。有源电子器件例如可以具有计算单元、控制单元和/或调节单元和/或晶体管。无源电子器件例如可以具有电容器、电阻、二极管或线圈。
光电子器件可以是发射电磁辐射的器件或吸收电磁辐射的器件。吸收电磁辐射的器件例如可以是太阳能电池或光电探测器。发射电磁辐射的器件可以在不同的实施例中是发射电磁辐射的半导体器件，和/或被构造为发射电磁辐射的二极管、发射电磁辐射的有机二极管、发射电磁辐射的晶体管或发射电磁辐射的有机晶体管。辐射例如可以是可见范围内的光、UV光和/或红外光。在该上下文中，发射电磁辐射的器件例如可以被构造为发光二极管（发光二极管，LED）、有机发光二极管（有机发光二极管，OLED）、发光晶体管或有机发光晶体管。发光器件在不同实施例中可以是集成电路的一部分。此外，多个发光器件可以被设置、例如安装在共同的壳体中。
光电子器件具有本征电容和本征电极电阻。不同类型的光电子器件可以布置在一个光电子子电路中。彼此电并联布置的子电路可以以相同或不同数量具有相同或不同的光电子器件。
图1示出根据不同实施例的光电子组件的示意性电路图。图1中示出的电路图阐明具有成本适宜的拓扑的光电子组件100，该拓扑例如在汽车应用中是期望的或必需的。
光电子组件100具有至少一个光电子器件150、180和传感器电路170。
传感器电路170具有至少一个供能电路160和确定电路130。
在不同的改进方案中，供能电路160可以具有电能量源110和供能子电路120。
供能电路160具有第一端子和第二端子。
供能电路160被设立用于将电能输送到至少一个光电子器件150、180和储能单元132，其中在储能单元132中存储的能量例如借助供能子电路120与输送给至少一个光电子器件150、180的电能无关地来输送。
然而，供能电路160也可以被构造成，使得电能量源110和供能子电路120没有直接的电连接，例如以电气上不相互电连接的器件的形式。即储能单元132借助供能子电路120来供电并且至少一个光电子器件150、180借助能量源110来供电。随后，仅仅为了简化描述，供能子电路120作为与能量源110电连接的方式来描述。
供能子电路120例如与能量源110电连接。供能电路160被设立成，使得输送到传感器电路的能量、即传感器电路的能量供应是可调节的，例如根据光学有效连接的或要接通的光电子器件或光电子子电路的数量。
电能量源110例如是对于光电子组件常见的能量源、例如电源件或镇流器。能量源110具有第一端子和第二端子。
供能电路160的第一端子可以与能量源的第一端子相同。供能电路160的第二端子可以与能量源的第二端子相同或与地电连接。能量源110被设立用于提供电压U1和电流，其中电压U1施加在能量源110的第一端子和第二端子上。第二端子例如可以位于地上。
供能子电路120具有输入端、第一输出端和第二输出端。供能子电路120的输入端与电能量源110的第一端子连接并且供能子电路120的第一输出端与电能量源110的第二端子或与地电连接。供能子电路120的第二端子与储能单元132的输入端电连接。
供能子电路120被设立成，使得预先给定的能量输送给储能单元132并且在输送预先给定的能量之后例如借助第三截止单元中断该输送，如下面还更详细地描述的那样。
确定电路130具有至少一个储能单元132和检测单元134。
确定电路130和至少一个光电子器件150、180例如关于能量源110或供能电路160彼此电并联。确定电路130被设立成，使得检测单元134根据在至少一个光电子器件150、180中存储的能量的变化来检测在储能单元132中存储的电能的变化。
储能单元132借助供能电路160的电压U1来充能，使得电压U2降落到储能单元136上。
在一种改进方案中，储能单元132具有至少一个电容器，电压U2降落到该电容器上并且电能存储在该电容器中。
在一种改进方案中，检测单元134具有至少一个电压表。该电压表例如与储能单元132的至少一个电容器电并联。由此可以检测电容器中所存储的能量的变化。
在一种改进方案中，由检测单元134检测参考地的电压U2，即U2参考地。
至少一个光电子器件或至少一个光电子子电路具有输入端和输出端。至少一个光电子器件也可以被称为具有至少一个光电子器件的至少一个光电子子电路180。光电子器件具有阈值电压，也称为导通电压或阈电压，从该阈值电压起，光电子器件光学激活，即例如是发光的或产生显著电流或测量信号。具有多个电串联的光电子器件的光电子子电路的阈值电压由电串联的光电子器件的各个阈值电压的和得出。
在不同的改进方案中，至少一个光电子器件是有机发光二极管。
仅仅为了阐明根据不同改进方案的光电子组件的工作原理，在随后的描述中描述一致光电子组件100，其具有完好的光电子器件180和电短路的光电子器件150，光电子器件180和光电子器件150为了陈述情况彼此电并联，如图1中所示。
有机光电子器件、例如有机发光二极管（有机发光二极管-OLED）具有有机功能层系统（有机物），该有机功能层系统具有至少一个发射层，该发射层具有在第一电极层和一个电极层之间的颜料和/或发光物。电极层中的至少一个对于可见光透明地构造，例如由透明的导电氧化物（透明导电氧化物-TCO）、例如氧化铟锡（氧化铟锡-ITO）构成。在一侧光学激活的光电子器件中，光学未激活的侧的电极层通常高导电地构造，例如构造为Ag层或AgMg层。该高导电的电极层的电阻可忽略不计地小。
因此，完好的光电子器件180在等效电路图中作为透明的电极层的电阻188（RITO）和有机物的电特性的串联电路来示出。有机物在等效电路图中（例如图1中所示）可以作为光学有效的二极管182、电容器184和体电阻186（Rbulk）的并联电路来示出，所述光学有效的二极管182、电容器184和体电阻186与透明的电极层的电阻188电串联。电容器184像平板电容器那样由光电子器件的层结构的寄生电容构成。体电阻186与有机物的结构和其导电性有关。
在具有完好的一个或多个光电子器件的光电子子电路中，即如果在光电子子电路的光电子器件中不存在短路，则在该光电子子电路上的电压降U3大约对应于储能单元132上的电压降U2。
在光电子器件150（其中电极层电短路）中，有机物的等效电路图具有低欧姆的短路电阻152（Rshort），该短路电阻与二极管182、电容184和体电阻186电并联。在短路的光电子电阻的情况下，电流基本上经过短路电阻152流出并且因此不流经二极管182、电容器184或体电阻186。因此，短路的光电子器件是光学未激活的并且在电容器184中基本上不再存储电荷。
也就是说，如果在光电子器件之一中存在短路，则在该光电子器件150中存储的能量通过短路电阻152放电并且具有短路的光电子器件150的光电子子电路的总电压U3减小了这一个阈电压。在具有至少一个短路的光电子器件150的光电子子电路中，即如果在至少一个光电子器件中所短路的光电子器件的电极层直接相互电连接并且因此所短路的光电子器件的寄生电容基本上被桥接，则与储能单元电连接的光电子子电路上的电压降U3小于储能单元132上的电压降U2。
在n个光电子器件之一短路的情况下，即在数量n-1个完好的光电子器件和一个短路的光电子器件的情况下，短路的光电子器件通过短路电阻152很快地放电并且在电连接之后所存在的电压减小了单个阈值电压Uthreshold。然而，电极电阻RITO的数量保持不变。
由此，在储能器132中存储的能量大约变化到至U3的值上，因此在储能单元132中存储的能量小于在没有短路的光电子器件的光电子子电路中的能量。在储能单元中存储的能量从U2至U3的变化可以借助检测单元134来检测。
在具有不同阈值电压的电串联的光电子器件中进行电串联的光电子器件的各个阈值电压的求和，以便可以确定电压U3。仅仅为了更简单的阐明，随后考虑具有相同阈值电压的电串联的光电子器件。电压U3在构造为OLED的光电子器件中也被称为UOLED。
如果存在一个具有短路的光电子器件，则在所涉及的子电路中存储的能量因此是在没有短路的光电子器件的完好的光电子子电路中的（n-1）/n倍。
换句话说：在没有给光电子器件输送能量、即没有通电的情况下，光电子器件180的被充电的电容器184放电。
例如在切断光电子组件100，例如断开电流路径中在供能电路160和光电子器件180之间的开关的情况下中断光电子器件的通电。
例如光电子组件100具有第一截止单元140、例如开关，该截止单元在电流路径中布置在能量源110和至少一个光电子器件150、180之间，如下面还更详细地描述的那样。
此外，光电子器件的通电例如可以在光电子器件的脉冲控制、例如光电子器件的脉宽调制、脉冲频率调制和/或脉冲幅度调制的情况下中断。
在至少一个完好的光电子器件（在图1中作为光电子器件180示出）上下降的电压U3在通电和切断能量源（U3off_no_short）之后出现到U3off_no_short=n*Uthreshold的值上，具有数量n个电串联的（相同的）光电子器件和光电子器件或相同的电串联的光电子器件的阈值电压或导通电压Uthreshold。
如果一个光电子器件短路（在图1中作为光电子器件150示出），则所短路的光电子器件150不放电到Uthreshold上，而是基本上放电到0V上。由此，在具有一个短路的光电子器件150的子电路上下降的电压U3出现到Uoff_short=（n-1）*Uthreshold上。在x个短路的光电子器件的情况下，电压出现到Uoff_short=（n-x）*Uthreshold上。
供能子电路120被设立并且与确定电路130电连接，使得例如借助供能子电路120的电阻122或第三截止元件、例如开关来高欧姆地将预先给定的电能输送到储能单元132，使得预先给定的电压U2降落到储能单元132上。在储能单元132上下降的电压U2大于或等于完好的光电子器件的阈值电压，例如在具有总共n个光电子器件的光电子子电路中一个短路的光电子器件的情况下U2≥（n-1）*Uthreshold。
预先给定的电压U2例如除了（n-1）*Uthreshold之外还可以具有第二截止单元136的导通电压的值和控制设备190的损耗电压的值，它们在下面还更详细地描述。
此外，预先给定的电压U2应该小于或等于n*Uthreshold，例如U2应该小于或等于n*Uthreshold加上第二截止单元136的阈值电压和控制设备190的损耗电压。
原理上，U2也可以略大于n*Uthreshold，其中然而所述至少一个光电子器件、例如OLED在测试中却是光学未激活的、例如不发光的。
只要没有光电子器件短路，储能单元132就不通过至少一个光电子器件180、例如OLED和/或在下面还更详细描述的第二截止单元136放电。即OLED保持关掉或光学未激活的。如果电压U2小于至少一个光电子器件的阈值电压，则光电子器件即使在完好的状态中在测试或方法期间是光学未激活的。
然而，如果至少一个光电子器件电短路，则具有短路的光电子器件150的子电路的电压U3下降到小于在储能单元132上下降的电压U2的值上，因为该电压U2大于或等于（n-1）*Uthreshold，所以使得储能单元132至少部分放电。在具有二极管的第二截止单元136的情况下，该第二截止单元是导电的，因为U3小于U2。
在储能单元132中存储的能量的变化可以借助检测单元134来检测，例如在具有电容器132的储能单元132的情况下例如借助电压测量电路134中的电压表或比较器电路来检测。
在储能单元132中存储的能量的变化的检测例如可以通过经由电容器132上的电压测量的放电检测来进行，例如以超出或低于阈值电压的形式或者以关于时间跟踪（追踪）所存储的能量的形式。替代地或附加地，放电检测可以通过电容器132上电流测量来进行，即检测电容器132的放电电流和/或充电电流。替代地或附加地，放电检测可以间接通过测量至少一个光电子子电路中的电流来实现。
至少一个光电子器件中存储的能量的变化例如可以在有机光电子器件的情况下借助有机光电子器件上的电压降关于至少一个无机光电子参考器件上的电压降的比较来确定。该比较能够实现“零值”的设定，即在至少一个有机光电子器件进行运行之前还设立参考值。由此能够防止，在至少一个光电子器件开始运行之前已经存在的短路保持不被识别。此外，借助参考器件能够确定至少一个有机光电子器件中的温度和老化影响。替代地，可以以相似的方式将参考值作为电额定值存储在分析单元中。
光电子器件中的该过程可以用作用于关于电短路测试光电子组件的测试方法。该测试可以在激活至少一个光电子器件、例如接通至少一个光电子器件之前进行，以及也可以在光电子器件的脉冲调制运行中自动地进行。替代地，该测试可以在切断光电子组件时进行，例如在汽车领域中在切断具有光电子组件100的汽车灯时进行。替代地或附加地，测试方法可以在光电子组件100的脉冲运行（PWM运行）中例如在所述光电子组件时机动车的方向指示灯的一部分的情况下一次、多次和/或以一个或多个脉冲停顿定期地执行。在光电子组件100中，因此可以以简单的方式检查在该光电子组件中是否存在电短路。
在不同的改进方案中，光电子组件具有至少一个截止单元。截止单元被设立成，使得电流的电流强度是可调整的和/或电流的电流方向是可调整的。截止单元例如可以具有开关和/或二极管，例如成本适宜的N-MOSFET或NPN晶体管作为开关。截止单元具有输入端和输出端。在二极管作为截止单元的情况下，输入端是二极管的阳极并且输出端是二极管的阴极。
在不同的改进方案中，关于能量源110，在至少一个光电子器件的电流路径中布置有至少一个截止单元、也称为第一截止单元140。第一截止单元140的输出端与光电子子电路的输入端电连接并且第一截止单元140的输入端与供能电路160的第一端子电连接。
第一截止单元140的开关在第一开关状态中引起光电子子电路的输入端和供能电路160之间的电连接并且因此在其第一开关状态中是闭合的，并且在第二开关状态中禁止该电连接并且因此在其第二开关状态中是断开的。
第一截止单元140的二极管引起，在储能单元132或光电子子电路的至少一个光电子器件的寄生电容放电时阻止载流子到供能电路160中的回流。例如第一截止单元140具有二极管，该二极管的阳极与供能电路160电连接并且阴极与确定电路130和/或光电子器件电连接。
在不同的改进方案中，也被称为第二截止单元136的截止单元在电流路径中布置在储能单元132和至少一个光电子器件之间。
第二截止单元136例如能够实现确定电路130与至能量源110和/或至少一个光电子器件180的直接电流路径的耦合和去耦。
第二截止单元136的输出端与至少一个光电子器件的输入端电连接并且第二截止单元136的输入端与储能单元132的输出端电连接。
在不同的改进方案中，第二截止单元136被设立成，只有当在储能单元132上下降的电压U2大于在与储能单元132电连接的至少一个光电子器件上下降的电压U3时，才传递电流。否则截止单元136处于截止运行中，即不导电。
第二截止单元136的二极管引起，在光电子子电路180的至少一个光电子器件的寄生电容放电时或在闭合的第一截止单元140的情况下，即当从供能电路160向光电子器件输送电能时阻止载流子流到储能单元132中。例如第二截止单元136具有二极管，该二极管的阳极与储能单元132电连接并且阴极与光电子子电路电连接。由此，在给至少一个光电子器件通电时去耦确定电路130。借助第二截止单元可以保证，不在运行中测量电压U3，因为确定电路130借助第二截止单元136在至少一个光电子器件的运行中与所述至少一个光电子器件去耦。
换句话说：如果至少一个光电子器件例如借助将所述至少一个光电子器件与能量源110电连接、例如借助闭合第一截止单元140的开关而被通电，则电压U3上升到（正向）电压值上，该电压值大于在储能单元132中预充的能量、例如电压U2。在二极管形式的第二截止单元136的情况下，第二截止单元136在此期间不导电，因为二极管处于反向运行中。第二截止单元136将储能单元132与至少一个光电子器件或至少一个光电子子电路（自动）去耦。
换句话说：通过传感器电路170的设计，确定电路130在运行中、即在至少一个光电子器件的光学激活的情况下自动被去耦，并且在切断光电子器件时、即在光学去激活时自动耦合。由此能够实现关于短路简单地检查或简单地测试至少一个光电子器件。
在不同的改进方案中，第二截止单元136被构造为有源开关、例如晶体管，由此能够实现上述优点。
因此借助第二截止单元136能够实现确定电路在至少一个光电子器件的光学未激活或光学激活状态中的（自动的）耦合或去耦。
替代地或附加地，也被称为第三截止单元的截止单元在电流路径中布置在供能子电路120和储能单元132之间。
第三截止单元例如被设立用于断开或闭合电连接或者用于将连接从导电改变为不导电并且相反地改变。
例如供能子电路120具有高欧姆的电阻122和齐纳二极管124。电阻122具有输入端和输出端。电阻122的输入端与能量源110电连接并且电阻122的输出端与齐纳二极管124的阴极电连接。齐纳二极管124的阳极与供能子电路120的第一输出端电连接或对应于该第一输出端。因此，储能单元132的输入端与电阻122的输出端和齐纳二极管124的阴极电连接。借助齐纳二极管124的齐纳电压或击穿电压例如可以设定在储能单元132上下降的电压U2。由此例如能够调整确定电路130的供能。
在一种改进方案中，光电子组件100具有分析单元，该分析单元被设立用于根据在储能单元132中存储的能量的所检测的变化来确定，所述至少一个光电子器件180是否具有短路。分析单元、例如计算单元例如可以与检测单元134连接。
在一种改进方案中，光电子组件100具有至少一个控制设备190、例如线性调节器、脉冲调节器或开关，以用于调节或控制输送到至少一个光电子器件150、180的能量。控制设备190具有输入端和输出端。
分析单元例如可以与控制设备电连接。由此例如可以光学去激活或光学激活地切换各个光电子器件或光电子子电路。
在不同的改进方案中，两个或更多光电子子电路分别具有至少一个控制设备190（在图中作为190-1、190-2示出）。
替代地或附加地，控制设备190与两个或更多光电子子电路电连接，以便控制所述光电子子电路。
在光电子组件200的不同的改进方案中，用于控制或调节至少一个光电子器件的运行电流的控制设备190布置在至少一个光电子器件的阳极侧上（高侧控制），例如在图2中示出。
在光电子组件300的不同的改进方案中，用于控制或调节至少一个光电子器件的运行电流的控制设备190布置在至少一个光电子器件的阴极侧上（低侧控制），例如在图3中示出。
与线性调节器190的布置无关地，在储能单元132中存储的能量的变化可以参考地来检测。
此外，在图2和图3中示出的是，例如能够很大程度上对应于图1中示出的光电子组件100的光电子组件200、300在不同的改进方案中可以具有多于一个的光电子器件180-1、180-n和/或多于一个的光电子子电路210、220或310、320。
在不同的改进方案中，光电子组件具有至少一个第一能量源和第二能量源，其中第一能量源与至少一个第一光电子子电路电连接并且第二 能量源与至少一个第二光电子子电路电连接，其中第一能量源不同于第二能量源。为了储能单元能够通过第二截止单元132放电，光电子子电路210、220或310、320具有共同的地连接，即第一能量源和第二能量源具有至少一个共同的端子。在不同的改进方案中，至少一个光电子子电路可以具有用于给光电子子电路的至少一个光电子器件通电的能量源。
在不同的改进方案中，光电子组件具有至少一个第一光电子子电路210、310和第二光电子子电路220、320，其中第一光电子子电路210、310与第二光电子子电路220、320电并联。第一光电子子电路210、310具有输入端和输出端，它们在该上下文中被称为第一输入端或第一输出端。第二光电子子电路220、320具有第二输入端和第二输出端。第一输入端和第二输入端与供能电路160的第一端子和储能单元132的输出端电连接。此外，第一输入端与第二输入端电连接。可选地，第一输入端和第二输入端与第一截止单元140和/或第二截止单元136的输出端电连接。
第一光电子子电路210、310和第二光电子子电路220、320分别具有至少一个光电子器件180，例如分别具有n个或m个光电子器件，其中n或m是整数并且表征单个光电子器件。例如在n或m个光电子器件的情况下第一光电子器件利用180-1来表征并且第n个或第m个光电子器件利用180-n或180-m来表征。光电子子电路可以具有相同或不同的光电子器件并且具有相同或不同数量的光电子器件。
类似地，第一光电子子电路可以具有第一控制设备190-1并且第二光电子子电路具有第二控制设备190-2，其中第一控制设备190-1和第二控制设备190-2可以是相同或不同的。为了更简单的示出，子电路的控制设备190-1、190-2表示为控制设备190。
此外在图2和图3中示出的是，储能单元132可以与两个或更多光电子子电路210、220或310、320电连接。所述本征的或链接在多个电并联的光电子子电路210、220或310、320的情况下能够实现在所述光电子子电路之一中已经确定光电子器件的电短路。因此，利用仅仅一个确定电路130已经可以监控多个光电子子电路210、220或310、320。
如果光电子器件不具有短路，则其本征电容器在中断光电子子电路与供能电路160的电连接之后、例如在断开第一截止单元140之后通过其本征体电阻放电直至其阈电压上，其中各个阈电压相加成相应光电子子电路上的总电压。即该总电压对应于单电压的和。换句话说：由于本征电容器，剩余量的能量保留存储在光电子器件中，所述能量能够作为总电压来测量。
在一种改进方案中，储能单元132和供能电路160被构造成，使得在储能单元132上下降的电压U2小于或约等于彼此电串联并且与储能单元132导电连接的光电子器件的合计的阈值电压U3。
替代地或附加地，储能单元132和供能电路160被构造成，使得在储能单元上下降的电压U2大于或约等于在通电或切断能量源之后彼此电串联并且与储能单元132导电连接的光电子器件的合计的阈值电压U3，其中导电连接的光电子器件中的至少一个具有电短路。短路的光电子器件的阈值电压大约是0V。因此在储能单元上下降的电压大于或约等于完好的光电子器件的合计的阈值电压U3。
在不同的改进方案中，第一光电子子电路和第二光电子子电路分别具有开关，例如集成在控制设备190中。借助开关可以将相应的光电子子电路与能量源110电分离。
由此能够准确地辨识第一光电子子电路和/或第二光电子子电路中的电短路。
开关例如可以参考地地布置在相应光电子子电路的至少一个光电子器件的阴极侧上。
替代地或附加地，例如可以在相应的光电子子电路210、220或310、320中设置可高欧姆开关的线性调节器190-1、190-2作为控制设备190。由此例如可以检测并且比较各个光电子子电路的测量值并且因此实现冗余和/或补偿老化和/或温度影响。
图4示出具有由光电子组件的检测单元检测的电压的示例性曲线的图形400，该光电子组件例如可以很大程度上对应于在图2或图3中示出的光电子组件200或300。控制设备作为高侧控制或低侧控制的布置在质上不具有对可检测信号的影响。
光电子组件具有三个电并联的光电子子电路，所述光电子子电路分别具有有机发光二极管作为光电子器件。光电子子电路之一的光电子器件通过以下方式被假设为短路的，即可在储能单元上检测的电压曲线针对光电子子电路的短路电阻的不同电阻值来假设。
在图形400中，电压402（V）作为时间404（ms）的函数针对不同的短路电阻152（参见图1的描述）示出。示出的是储能单元的电容器上的示例性的电压曲线412，该电压曲线可以由检测单元、例如由并联的电压表来确定。光电子子电路例如脉冲调制地控制。储能单元的电容器在短路的光电子器件的情况下在脉冲之间的时间（脉冲停顿）内放电。
示出的是完好的光电子子电路的电压曲线，针对所述完好的光电子子电路假设短路电阻的10MΩ的电阻值。此外示出的是针对短路的光电子子电路的示例性的电压曲线406、408、410，针对该短路的光电子子电路假设短路电阻的1kΩ（406）、100Ω（408）、20Ω（410）的电阻值。
直至时间点414，光电子组件被通电，即光电子子电路处于运行中、即光学激活或被供应能量。在该时间期间，电压402对应于通过供能子电路120预先给定的电压U2的值，而与是否在光电子子电路之一存在短路无关，因为第二截止单元136的二极管处于截止运行中，因为OLED的运行电压大于电压U2。
在时间点414例如在脉冲控制的情况下中断光电子子电路的通电。在没有短路（412）的情况下，储能单元的电容器不放电。在具有短路的情况下，储能单元（406、408、410）的电容器放电。从图形中可见电压402随着时间而下降，其中短路电阻的电阻值越低，电压就越深并且越快地下降。
图5示出光电子组件的一个实施例的电路图，该光电子组件例如可以在很大程度上对应于在图2或图3中示出的光电子组件。与图2或图3中示出的光电子组件200、300不同，储能单元132的输出端或第二截止单元136的输出端与控制设备190-1的输出端和多个光电子子电路510、520的至少一个光电子子电路510的光电子器件180-1的输入端电连接（在图5中借助电连接502示出）。在不同的改进方案中，在合适的控制设备的情况下，关于短路监控所有光电子子电路。控制设备例如具有以下特性，即电流可以从“下向上”流动，即从光电子器件的方向到控制设备中并且经过控制设备的电流流动是可以的。如果在第一光电子子电路510存在短路，则储能单元132的电容器放电并且借助所存储的能量的变化来检测短路。如果在第二光电子子电路520中存在短路，则在第二光电子子电路520中的总电压由于短路而小于第一光电子子电路510中的总电压。第一光电子子电路510的电容通过第一光电子子电路的控制设备190-1放电。由此，在光电子子电路510、520上下降的电压相适应。因此，光电子子电路510上的电压也利用第二截止单元136的二极管下降。二极管变得导电并且使储能单元132的电容器放电。
图6类似于图4中的图形400中示出的控制电路地针对完好的光电子子电路（Rshort=10MΩ）的情况602和短路的光电子子电路（Rshort=20Ω）的情况604示出具有储能单元132的电容器的电压的示例性曲线的图形600。
在第一时间606期间，光电子子电路被通电，使得第二截止元件136不导通并且电压U2降落在电容器上。在第二时间608期间，光电子子电路的控制具有脉冲停顿，在所述脉冲停顿中光电子子电路不通电。在第二时间608中，第二截止元件136在光电子子电路之一中短路的情况下可以变得导电，并且可以检测储能单元的电容器上的电压降、即电容器的放电或储能单元中所存储的能量的变化。
图形600示出在与储能单元直接电连接（在图5中借助连接线502示出）的光电子子电路中的短路。如果应该在不直接与储能单元连接的光电子子电路中出现短路，则可以在储能单元上检测到质上非常相似的图形。放电电压的最小值610根据短路电阻Rshort（参见图1）并且根据在直接与储能单元连接的光电子子电路中是否存在短路而变化。最小值610在直接与储能单元连接的光电子子电路中的短路的情况下可以比在不直接与储能单元连接的光电子子电路中的短路的情况下更小。
因此，当仅仅监控光电子子电路的一部分时，也可以实现光电子组件关于短路的测试。测量的灵敏度（即在储能单元中存储的能量的所检测的变化是多明显可见的）与所使用的控制设备190、例如所使用的线性调节器、例如线性调节器的内部结构有关。
图7示出光电子组件的一个实施例的电路图，该光电子组件例如可以很大程度上对应于在图2、图3或图5中示出的光电子组件200、300或500。与这些光电子组件200、300或500不同，确定电路具有多个第二截止单元（在图7中作为截止单元136-1和截止单元136-2示出），所述截止单元的输入端与储能单元132的输出端连接并且所述截止单元的输出端分别与不同的光电子器件和/或光电子子电路电连接（在图7中借助电连接502-1、502-2示出）。在不同的改进方案中，因此光电子子电路中的所有或至少一部分单独地关于短路被监控。
图8示出光电子组件800的一个实施例的电路图，该光电子组件例如可以很大程度上对应于在图2中示出的光电子组件200。与在图2中示出的光电子组件200不同，光电子组件800的第一截止单元140附加于或替代于图2的光电子组件200的开关而具有二极管802，该二极管的阳极与能量源110的第一端子电连接并且该二极管的阴极与至少一个光电子子电路的输入端电连接。由此，在不同的改进方案中可以使用低欧姆的能量源110，因为第一截止单元140的二极管阻止载流子到能量源110中的流动。
也就是说，能量源110和储能单元132借助第一截止单元140的二极管802去耦，以便储能单元132不通过能量源110放电。这在以下情况下例如是有帮助的，即光电子器件的切断不通过第一截止单元140的开关进行，而是通过光电子器件的驱动电路的去激活连接、例如能量源110的去激活连接进行。去激活连接的能量源110可能包含不足够高欧姆的电流路径，所述电流路径在没有第一截止单元140的二极管的情况下将引起储能单元132的不期望的放电。
图9示出用于运行光电子组件的方法的流程图。该光电子组件例如可以很大程度上对应于上面示出的光电子组件。换句话说：该方法可以在上文中解释的光电子组件之一上实施。
该方法900具有：借助供能电路将电能输送到储能单元。
该方法还具有：例如在至少一个第一时间和第二时间或关于预先给定的额定值、例如参考器件上的电压降、在分析单元中存储的值或所存储的能量在第一时间的值，借助检测单元检测904储能单元中所存储的电能。
该方法还具有：确定906储能单元中所检测的、所存储的电能的变化。
参考光电子组件提及的优点和改进方案可以毫无困难地转移到方法的优点和改进方案上。供能电路例如可以是驱动电路，被称为驱动电路或是驱动电路的一部分。
根据一种改进方案，如果在储能单元中存储的能量的所检测的变化的绝对值大于或至少近似大于零，则识别出光电子子电路具有短路，并且如果在储能单元中存储的能量的所检测的变化的绝对值等于零，则识别出光电子子电路没有短路。这有助于，在光电子组件或光电子子电路仅具有一个光电子器件的情况下以简单的方式识别短路。
根据一种改进方案，例如第一时间所检测的所存储的能量与大于零的预先给定的额定值进行比较。如果在第一时间所检测的在储能单元中所存储的能量小于预先给定的额定值，则识别出：至少一个光电子器件在第一时间具有短路。如果在第一时间所检测的在储能单元中所存储的能量等于或至少近似等于预先给定的额定值，则识别出：没有光电子器件具有短路。这有助于：在光电子子电路和/或光电子组件具有两个、三个或更多光电子器件的情况下以简单的方式识别短路。预先给定的额定值例如可以是预先给定的电压U2的值并且对应于在去耦合的供能电路的情况下所有与储能单元电串联的n-1个完好器件的阈电压或导通电压。例如可以凭经验确定、存储并且然后预先给定额定值。
根据一种改进方案，如果直接由供能电路将能量输送到至少一个光电子器件，则借助确定电路的截止单元中断储能单元与至少一个光电子器件的电连接，其中截止单元在电流路径中被布置在储能单元和所述至少一个光电子器件之间。
该电连接例如可以通过以下方式中断，即至少一个光电子器件与供能电路导电连接或借助开关中断储能单元与至少一个光电子器件的电连接。
这能够实现，确定电路可以与所述至少一个光电子器件耦合或去耦。
根据一种改进方案，光电子组件具有至少一个拥有唯一的光电子器件的子电路，并且预先给定在储能单元中存储的能量，使得在储能单元上下降的电压基本上小于该光电子器件的阈电压。
根据一种改进方案，光电子组件具有至少一个子电路，该子电路具有彼此电串联的第一光电子器件和第二光电子器件，并且预先给定在储能单元中存储的能量，使得在储能单元上下降的电压基本上小于至少一个第一光电子器件和第二光电子器件的合计的阈电压并且基本上大于至少一个第一光电子器件或第二光电子器件的阈电压。
本发明不限于所说明的实施例。例如所示出的光电子子电路可以分别具有更多或更少的光电子器件。此外，光电子组件100可以具有一个、两个或更多另外的光电子子电路。此外，实施例可以相互组合。例如可以在所有实施例中使用无机光电子器件。
附图标记列表
光电子组件 100、200、300、500、700、800
电能量源 110
供能子电路 120
电阻 122
齐纳二极管 124
确定电路 130
储能单元 132
检测单元 134
（第二）截止单元 136
第一截止单元 140
光电子器件 150、180
短路电阻 152
供能电路 160
传感器电路 170
二极管 182
电容器 184
体电阻 186
电阻 188
控制设备 190
子电路 210、310、510、710
子电路 220、320、520、720
电压 U2
阈值电压 U3
图形 400
电压 402
时间 404
电压曲线 406、408、410、412
时间点 414
电连接 502
不同情况 602、604
时间 606、608
最小值 610
二极管 802
方法 900
方法步骤 902、904、906

Claims (15)

1. 一种光电子组件（100、200、300、500、700、800），具有：
- 至少一个光电子器件（180）；和
- 传感器电路（170），具有：
·至少一个供能电路（160），和
·具有至少一个储能单元（132）和检测单元（134）的确定电路（130）；
- 其中确定电路（130）和至少一个光电子器件（150）彼此电并联；
- 其中至少一个供能电路（160）被设立用于将电能输送到至少一个光电子器件（180）和储能单元（132），其中在储能单元（132）中存储的能量与输送给至少一个光电子器件（180）的电能无关地输送；并且
- 其中确定电路（130）被设立成，使得检测单元（134）根据在至少一个光电子器件（180）中存储的能量的变化来检测在储能单元（132）中存储的电能的变化。
2.根据权利要求1所述的光电子组件（100、200、300、500、700、800），其中所述至少一个光电子器件（180）是有机发光二极管。
3.根据权利要求1或2所述的光电子组件（100、200、300、500、700、800），其中储能单元（132）具有至少一个电容器并且检测单元（134）具有至少一个电压表，所述电压表与储能单元（132）的电容器电并联。
4.根据权利要求1至3之一所述的光电子组件（100、200、300、500、700、800），所述确定电路（130）还具有：截止单元（136），所述截止单元在电流路径中布置在储能单元（132）和至少一个光电子器件（180）之间。
5.根据权利要求1至4之一所述的光电子组件（100、200、300、500、700、800），还具有：至少一个控制设备（190）、优选线性调节器、脉冲调节器或开关，以用于调节或控制输送到至少一个光电子器件（180）的能量。
6.根据权利要求1至5之一所述的光电子组件（100、200、300、500、700、800），具有：至少一个具有至少一个光电子器件（180）的第一光电子子电路（210、310、510、710）和具有至少一个光电子器件（180）的第二光电子子电路（220、320、520、720），其中第一光电子子电路（210、310、510、710）与第二光电子子电路（220、320、520、720）电并联。
7.根据权利要求1至6之一所述的光电子组件（100、200、300、500、700、800），具有：至少一个光电子子电路，所述光电子子电路具有彼此电串联的第一光电子器件（180-1）和第二光电子器件（180-n）。
8.根据权利要求6或7所述的光电子组件（100、200、300、500、700、800），其中储能单元（132）和供能电路（160）被构造成，使得在储能单元（132）上下降的电压（U2）小于或约等于彼此电串联并且与储能单元（132）导电连接的光电子器件（180）的合计的阈值电压（U3）。
9.根据权利要求6至8之一所述的光电子组件（100、200、300、500、700、800），其中储能单元（132）和供能电路（160）被构造成，使得在储能单元上下降的电压（U2）大于或约等于彼此电串联并且与储能单元（132）导电连接的光电子器件（180）的合计的阈值电压（U3），其中导电连接的光电子器件中的至少一个具有电短路。
10.根据权利要求1至9之一所述的光电子组件（100、200、300、500、700、800），还具有：分析单元，所述分析单元被设立用于根据在储能单元（132）中存储的能量的所检测的变化来确定，是否至少一个光电子器件（180）具有短路。
11. 用于运行光电子组件（100、200、300、500、700、800）的方法（900），所述光电子组件（100、200、300、500、700、800）具有：
- 至少一个光电子器件（180）；和
- 传感器电路（170），具有：
·至少一个供能电路（160），和
·具有至少一个储能单元（132）和检测单元（134）的确定电路（130）；
- 其中确定电路（130）和至少一个光电子器件（150）彼此电并联；
- 其中至少一个供能电路（160）被设立用于将电能输送到至少一个光电子器件（150）和储能单元（132），其中在储能单元（132）中存储的能量与输送给至少一个光电子器件（180）的电能无关地输送；并且
- 其中确定电路（130）被设立成，使得检测单元（134）根据在至少一个光电子器件（180）中存储的能量的变化来检测在储能单元（132）中存储的电能的变化；
所述方法（900）具有：
- 借助供能电路（160）将电能输送（902）到储能单元（132）；
- 借助检测单元（134）检测（904）在储能单元（132）中存储的电能；以及
- 确定（906）在储能单元（132）中所检测的、所存储的电能的变化。
12.根据权利要求11所述的方法（900），其中第一时间所检测的所存储的能量与大于零的预先给定的额定值进行比较。
13.根据权利要求11或12所述的方法（900），其中如果直接由供能电路（160）将能量输送到至少一个光电子器件（180），则借助确定电路（130）的截止单元（136）中断储能单元（132）与至少一个光电子器件（180）的电连接，其中所述截止单元（136）在电流路径中布置在储能单元（132）和至少一个光电子器件（180）之间。
14.根据权利要求11至13之一所述的方法（900），其中光电子组件（100、200、300、500、700、800）具有至少一个拥有唯一的光电子器件（180）的子电路，并且预先给定储能单元（132）中所存储的能量，使得在储能单元（132）上下降的电压（U2）基本上小于光电子器件（180）的阈电压。
15.根据权利要求11至14之一所述的方法（900），其中光电子组件（100、200、300、500、700、800）具有至少一个子电路，所述子电路具有彼此电串联的第一光电子器件（180-1）和第二光电子器件（180-n），并且预先给定储能单元（132）中所存储的能量，使得在储能单元（132）上下降的电压（U2）基本上小于至少一个第一光电子器件（180-1）和第二光电子器件（180-n）的合计的阈电压并且基本上大于至少一个第一光电子器件（180-1）或第二光电子器件（180-n）的阈电压。
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