CN107065352B - 八畴像素结构 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种八畴像素结构。该八畴像素结构包括多个子像素在液晶显示面板内呈阵列式排布，每个子像素分为主区和次区，对应每一行子像素分别设置一条扫描线，该扫描线介于该主区和次区之间，对应每一列子像素分别设置一条数据线；还包括主区薄膜晶体管以及主区存储电容，次区薄膜晶体管以及次区存储电容；该主区存储电容由主区范围内的第一主区存储电极与相对的公共电极形成；该次区存储电容由次区范围内的次区存储电极及主区范围内的第二主区存储电极与相对的公共电极形成，该次区存储电极及第二主区存储电极跨过扫描线相互导通。本发明可以达到控制主区及次区压差比的目的，不会存在主区及次区最佳公共电压差异太大的问题。

Description

八畴像素结构
技术领域
本发明涉及液晶显示器领域，尤其涉及一种八畴像素结构。
背景技术
液晶显示面板通常由彩色滤光片基板、薄膜晶体管阵列基板以及配置于两基板间的液晶层所构成，并分别在两基板的相对内侧设置像素电极、公共电极，通过施加电压控制液晶分子改变方向，将背光模组的光线折射出来产生画面。液晶显示器包括扭曲向列(TN)模式、电子控制双折射(ECB)模式、垂直配向(VA)等多种显示模式，其中，VA模式是一种具有高对比度、宽视角、无须摩擦配向等优势的常见显示模式。但由于VA模式采用垂直转动的液晶，液晶分子双折射率的差异比较大，导致大视角下的色偏(color shift)问题比较严重。
随着液晶显示技术的发展，显示屏幕的尺寸越来越大，传统采用4domain(4畴)的PSVA(聚合物稳定垂直配向)像素会凸显视角色偏的不良表现。为了提升面板视角表现，3T_8domain(8畴3晶体管)的PSVA像素逐渐应用于大尺寸电视面板的设计，使同一个子像素(sub pixel)内主(main)区的4个畴与次(sub)区的4个畴的液晶分子的转动角度不一样，从而改善色偏。如图1所示，其为现有的3T像素结构的电路示意图。液晶显示面板内多个子像素呈阵列式排布，每个子像素可分为主(main)区和次(sub)区，包括主区薄膜晶体管TFT_m，主区液晶电容Clc_m，主区存储电容Cst_m，次区薄膜晶体管TFT_s，次区液晶电容Clc_s，次区存储电容Cst_s，以及共享薄膜晶体管TFT_share，对应每一行子像素分别设置一条扫描线Gate，对应每一列子像素分别设置一条数据线Data；主区薄膜晶体管TFT_m的栅极连接扫描线Gate，其源极/漏极连接数据线Data，在其漏极/源极与公共电极A_com(或C_com)之间并联连接主区液晶电容Clc_m和主区存储电容Cst_m；次区薄膜晶体管TFT_s的栅极连接扫描线Gate，其源极/漏极连接数据线Data，在其漏极/源极与公共电极A_com(或C_com)之间并联连接次区液晶电容Clc_s和次区存储电容Cst_s；共享薄膜晶体管TFT_share的栅极连接扫描线Gate，其源极和漏极分别连接该次区薄膜晶体管TFT_s的漏极/源极和公共电极A_com。本领域技术人员可以理解，虽然公共电极A_com和C_com名称不同，但是在实际液晶面板中两者通常电位相同，可以仅以公共电极A_com来表示；对于薄膜晶体管，由于其源极和漏极的特性一样，因此在电路中不对其源极和漏极进行特别限定；在液晶显示面板的立体结构中，液晶电容和存储电容的两极通常分别对应像素电极(或与像素电极电位相同的存储电极)和公共电极。
8畴像素已经成为大尺寸TV面板的像素设计趋势，但是在高分辨率高刷新频率下，为改善闪烁(Flicker)现象，主区与次区最佳公共电压(best vcom)的平衡始终是一个难点。如何解决这个难点是使用现有3T像素必须考虑的重要问题。
发明内容
因此，本发明的目的在于提供一种八畴像素结构，平衡主区和次区的压差比及最佳公共电压。
为实现上述目的，本发明提供了一种八畴像素结构，包括多个子像素在液晶显示面板内呈阵列式排布，每个子像素分为主区和次区，对应每一行子像素分别设置一条扫描线，该扫描线介于该主区和次区之间，对应每一列子像素分别设置一条数据线；还包括主区薄膜晶体管以及主区存储电容，次区薄膜晶体管以及次区存储电容；该主区存储电容由主区范围内的第一主区存储电极与相对的公共电极形成；该次区存储电容由次区范围内的次区存储电极及主区范围内的第二主区存储电极与相对的公共电极形成，该次区存储电极及第二主区存储电极跨过扫描线相互导通；该主区薄膜晶体管的栅极连接扫描线，其源极/漏极连接数据线，其漏极/源极连接第一主区存储电极或主区的像素电极；该次区薄膜晶体管的栅极连接扫描线，其源极/漏极连接数据线，其漏极/源极连接次区存储电极或次区的像素电极。
其中，所述主区和次区各自对应四个畴的液晶分子。
其中，所述第一主区存储电极经由过孔与主区的像素电极相连接。
其中，所述次区存储电极经由过孔与次区的像素电极相连接。
其中，所述第一主区存储电极，次区存储电极及第二主区存储电极通过同一金属层制作。
其中，所述主区薄膜晶体管的栅极，次区薄膜晶体管的栅极，以及扫描线通过同一金属层制作。
其中，所述主区薄膜晶体管的源极和漏极，次区薄膜晶体管的源极和漏极，以及数据线通过同一金属层制作。
其中，所述主区和次区的像素电极由氧化铟锡制成。
其中，其为PSVA像素。
综上，本发明的八畴像素结构通过减小主区存储电容，增大次区存储电容，可以达到控制主区及次区压差比的目的；另外，由于未形成与公共电极A_com直接放电的通路，不会存在主区及次区最佳公共电压差异太大的问题。
附图说明
下面结合附图，通过对本发明的具体实施方式详细描述，将使本发明的技术方案及其他有益效果显而易见。
附图中，
图1为现有的3T像素结构的电路示意图；
图2为本发明八畴像素结构的电路示意图；
图3为本发明八畴像素结构的示意图。
具体实施方式
参见图3，其为本发明八畴像素结构的示意图。本领域技术人员可以理解，本发明重点在于对八畴像素结构的改进，因此以下说明中对液晶显示面板及像素中包含的一般结构不再赘述。
本发明的八畴像素结构，包括多个子像素在液晶显示面板内呈阵列式排布，每个子像素分为主区10和次区20，对应每一行子像素分别设置一条扫描线30，该扫描线30介于该主区10和次区20之间，对应每一列子像素分别设置一条数据线40；还包括主区薄膜晶体管11以及主区存储电容，次区薄膜晶体管21以及次区存储电容；该主区存储电容由主区10范围内的主区存储电极12与相对的公共电极50形成；该次区存储电容由次区20范围内的次区存储电极22及主区10范围内的主区存储电极13与相对的公共电极50形成，该次区存储电极22及主区存储电极13跨过扫描线30相互导通；该主区薄膜晶体管11的栅极连接扫描线30，其源极/漏极连接数据线40，其漏极/源极连接主区存储电极12或主区10的像素电极14；该次区薄膜晶体管21的栅极连接扫描线30，其源极/漏极连接数据线40，其漏极/源极连接次区存储电极22或次区20的像素电极23。
主区10和次区20分别对应四个畴的液晶分子。制程中，主区存储电极12可以经由过孔与像素电极14相连接；次区存储电极22可以经由过孔与像素电极23相连接。主区存储电极12，次区存储电极22及主区存储电极13可以通过同一金属层制作。主区薄膜晶体管11的栅极，次区薄膜晶体管21的栅极，以及扫描线30可以通过同一金属层制作。主区薄膜晶体管11的源极和漏极，次区薄膜晶体管21的源极和漏极，以及数据线40可以通过同一金属层制作。像素电极14和像素电极23可以由氧化铟锡制成。本发明的八畴像素结构可以为PSVA像素。
参见图2，其为本发明八畴像素结构的电路示意图，结合图2及图3可进一步理解本发明。液晶显示面板内多个子像素呈阵列式排布，每个子像素可分为主区和次区，包括主区薄膜晶体管TFT_m，主区液晶电容Clc_m，主区存储电容Cst_m，次区薄膜晶体管TFT_s，次区液晶电容Clc_s，次区存储电容Cst_s，以及次区存储电容Cst_s1，对应每一行子像素分别设置一条扫描线Gate，对应每一列子像素分别设置一条数据线Data；主区薄膜晶体管TFT_m的栅极连接扫描线Gate，其源极/漏极连接数据线Data，在其漏极/源极与公共电极A_com(或C_com)之间并联连接主区液晶电容Clc_m和主区存储电容Cst_m；次区薄膜晶体管TFT_s的栅极连接扫描线Gate，其源极/漏极连接数据线Data，在其漏极/源极与公共电极A_com(或C_com)之间并联连接次区液晶电容Clc_s，次区存储电容Cst_s，以及次区存储电容Cst_s1。本发明的核心思想就是按照图2所示次区通过跨过扫描线Gate，在主区的公共电极A_com上方形成存储电容Cst_s1，使次区存储电容增大到极致，同时还相对减小了主区存储电容，可以达到控制主区及次区压差比的目的；另外，由于未像图1现有的3T像素结构的电路一样形成与A_com直接放电的通路，不会存在主区及次区最佳公共电压差异太大的问题。
综上，本发明的八畴像素结构通过减小主区存储电容，增大次区存储电容，可以达到控制主区及次区压差比的目的；另外，由于未形成与公共电极A_com直接放电的通路，不会存在主区及次区最佳公共电压差异太大的问题。
以上所述，对于本领域的普通技术人员来说，可以根据本发明的技术方案和技术构思作出其他各种相应的改变和变形，而所有这些改变和变形都应属于本发明后附的权利要求的保护范围。

Claims (9)

1.一种八畴像素结构，其特征在于，包括多个子像素在液晶显示面板内呈阵列式排布，每个子像素分为主区和次区，对应每一行子像素分别设置一条扫描线，该扫描线介于该主区和次区之间，对应每一列子像素分别设置一条数据线；还包括主区薄膜晶体管以及主区存储电容，次区薄膜晶体管以及次区存储电容；该主区存储电容由主区范围内的第一主区存储电极与相对的公共电极形成；该次区存储电容由次区范围内的次区存储电极及主区范围内的第二主区存储电极与相对的公共电极形成，该次区存储电极及第二主区存储电极跨过扫描线相互导通；该主区薄膜晶体管的栅极连接扫描线，其源极/漏极连接数据线，其漏极/源极连接第一主区存储电极或主区的像素电极；该次区薄膜晶体管的栅极连接扫描线，其源极/漏极连接数据线，其漏极/源极连接次区存储电极或次区的像素电极。
2.如权利要求1所述的八畴像素结构，其特征在于，所述主区和次区各自对应四个畴的液晶分子。
3.如权利要求1所述的八畴像素结构，其特征在于，所述第一主区存储电极经由过孔与主区的像素电极相连接。
4.如权利要求1所述的八畴像素结构，其特征在于，所述次区存储电极经由过孔与次区的像素电极相连接。
5.如权利要求1所述的八畴像素结构，其特征在于，所述第一主区存储电极，次区存储电极及第二主区存储电极通过同一金属层制作。
6.如权利要求1所述的八畴像素结构，其特征在于，所述主区薄膜晶体管的栅极，次区薄膜晶体管的栅极，以及扫描线通过同一金属层制作。
7.如权利要求1所述的八畴像素结构，其特征在于，所述主区薄膜晶体管的源极和漏极，次区薄膜晶体管的源极和漏极，以及数据线通过同一金属层制作。
8.如权利要求1所述的八畴像素结构，其特征在于，所述主区和次区的像素电极由氧化铟锡制成。
9.如权利要求1所述的八畴像素结构，其特征在于，其为PSVA像素。
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Applicant after: Shenzhen Huaxing photoelectric semiconductor display technology Co., Ltd.

Address before: 518132 9-2, Guangming Road, Guangming New District, Guangdong, Shenzhen

Applicant before: Shenzhen Huaxing Optoelectronic Technology Co., Ltd.

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