CN107058960B - 一种溅射机 - Google Patents

一种溅射机 Download PDF

Info

Publication number
CN107058960B
CN107058960B CN201611254636.4A CN201611254636A CN107058960B CN 107058960 B CN107058960 B CN 107058960B CN 201611254636 A CN201611254636 A CN 201611254636A CN 107058960 B CN107058960 B CN 107058960B
Authority
CN
China
Prior art keywords
plate
prevent
sputter
center
prevents
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN201611254636.4A
Other languages
English (en)
Other versions
CN107058960A (zh
Inventor
张毅
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Wuhan China Star Optoelectronics Technology Co Ltd
Original Assignee
Wuhan China Star Optoelectronics Technology Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Wuhan China Star Optoelectronics Technology Co Ltd filed Critical Wuhan China Star Optoelectronics Technology Co Ltd
Priority to CN201611254636.4A priority Critical patent/CN107058960B/zh
Publication of CN107058960A publication Critical patent/CN107058960A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN107058960B publication Critical patent/CN107058960B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/34Sputtering
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/06Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the coating material
    • C23C14/08Oxides
    • C23C14/086Oxides of zinc, germanium, cadmium, indium, tin, thallium or bismuth

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)

Abstract

本发明公开一种溅射机,其中,所述溅射机的腔体内设有:中央防着板,其两侧分别设有侧边防着板,所述侧边防着板与所述中央防着板间隔设置;条形靶,其设置在所述侧边防着板远离所述中央防着板的一侧,所述侧边防着板靠近所述条形靶的侧面上开有凹槽。本发明的溅射机结构简单,能够防止喷射腔室内存在颗粒,通过在侧边防着板上开有凹槽,还能有效防止侧边防着板与中央防着板之间的间距变小而导致异常放电的发生,异常放电将侧边防着板表面的铝熔射层溅出,而污染氧化铟锡膜层,即本发明的溅射机可以有效地防止污染氧化铟锡膜层。

Description

一种溅射机
技术领域
本发明涉及一种氧化铟锡膜加工制造技术领域,特别涉及一种溅射机。
背景技术
目前,常见氧化铟锡(ITO)溅射机台上,条形靶中间使用是一根铝(Al)合金材质的中央防着板(GS),溅射过程中颗粒(Particle)容易飘高,所以颗粒物(PM)周期较短。在T3物理气相沉积(PVD)使用G6代氧化铟锡溅射机台上,但喷射腔室(Sputtering Chamber)内存在颗粒,导致污染了ITO膜层。
为解决现用的问题,有必要提出一种新的液晶显示模组。
发明内容
本发明的溅射机结构简单,能够防止喷射腔室内存在颗粒,还能有效防止侧边防着板与中央防着板之间的间距变小而导致异常放电的发生,异常放电将侧边防着板表面的铝熔射层溅出,而污染氧化铟锡膜层,即本发明的溅射机可以有效地防止污染氧化铟锡膜层。
为实现上述目的,本发明提供了一种溅射机,本发明的溅射机的腔体内设有:
中央防着板,其两侧分别设有侧边防着板,所述侧边防着板设置在所述中央防着板上;
条形靶,其设置在所述侧边防着板远离所述中央防着板的一侧,
所述侧边防着板靠近所述条形靶的侧面上开有凹槽。
如上所述的溅射机,其中,所述凹槽的深度为1mm~2mm。如上所述的溅射机,其中,所述条形靶设置在基座上。
如上所述的溅射机,其中,所述基座为铜背板。
如上所述的溅射机,其中,所述条形靶的长度小于所述基座的长度。
如上所述的溅射机,其中,所述中央防着板包括中央防着板本体和设于所述中央防着板本体的下端的支架,所述支架包括竖直部和凸设在所述竖直部上的水平部,所述竖直部靠近所述侧边防着板的一侧设有所述水平部,所述侧边防着板与所述竖直部之间间隔设置。
如上所述的溅射机,其中,所述水平部和所述侧边防着板均位于所述基座的上方。
如上所述的溅射机,其中,所述侧边防着板靠近所述竖直部的一侧设有内槽,所述水平部伸入所述内槽内。
如上所述的溅射机,其中,所述铜背板内设有冷却管路。
如上所述的溅射机,其中,所述侧边防着板与所述中央防着板之间的间隙的宽度为1mm。
本发明的溅射机结构简单,能够防止喷射腔室内存在颗粒,本发明的侧边防着板与中央防着板之间的间距小,通过在侧边防着板上设置凹槽,可以防止侧边防着板的侧边缘上产生毛刺,从而实现有效防止侧边防着板与中央防着板之间的间距变小而导致的异常放电发生,异常放电将侧边防着板表面的铝熔射层溅出,而污染氧化铟锡膜层,即本发明的溅射机可以有效地防止污染氧化铟锡膜层。
附图说明
在此描述的附图仅用于解释目的,而不意图以任何方式来限制本发明公开的范围。另外,图中的各部件的形状和比例尺寸等仅为示意性的,用于帮助对本发明的理解,并不是具体限定本发明各部件的形状和比例尺寸。本领域的技术人员在本发明的教导下,可以根据具体情况选择各种可能的形状和比例尺寸来实施本发明。
图1为本发明的溅射机的结构示意图;
图2为本发明的侧边防着板的结构示意图。
具体实施方式
结合附图和本发明具体实施方式的描述,能够更加清楚地了解本发明的细节。但是,在此描述的本发明的具体实施方式,仅用于解释本发明的目的,而不能以任何方式理解成是对本发明的限制。在本发明的教导下,技术人员可以构想基于本发明的任意可能的变形,这些都应被视为属于本发明的范围,下面将结合附图对本发明作进一步说明。
本发明的溅射机的腔体内设有中央防着板1、侧边防着板2和条形靶3,其中,中央防着板1的两侧分别设有侧边防着板2,侧边防着板2设置在中央防着板1上;条形靶3设置在侧边防着板2远离中央防着板1的一侧,侧边防着板2靠近条形靶3的侧面21上开有凹槽22。
具体的,中央防着板1包括中央防着板本体11和设于中央防着板本体11的下端的支架12,支架12包括竖直部121和凸设在竖直部121上的水平部122,水平部122位于竖直部121靠近侧边防着板2的一侧,侧边防着板2与竖直部121之间间隔设置,在一实施例中,中央防着板1由铝合金制成,侧边防着板2由陶瓷(ceramic)材料制成,当然也可采用其他材料制成,在此不做具体限制。
具体的,条形靶3设置在基座4上,在本实施例中,水平部122和侧边防着板2均位于基座4的上方,在一实施例中,条形靶3的长度L1小于基座4的长度L2。
在一具体实施例中,侧边防着板2设于水平部122上,具体地,侧边防着板2靠近中央防着板1的一侧设有内槽23,水平部122伸入内槽23内,从而实现稳定地将侧边防着板2设置在水平部122上。
具体的,中央防着板1的竖直部121和侧边防着板2之间的间距较小,在一实施例中,侧边防着板2与竖直部121之间的间隙的宽度w为1mm。在本发明中,条形靶3与凹槽22相对设置,条形靶3正对凹槽22溶射出铝颗粒,从而通过溶射加工技术在凹槽22的内表面形成铝溶射层,而不会在侧边防着板2的侧边缘26上不产生铝毛刺,也即保证铝溶射层能够在侧边防着板2的凹槽22内形成,并不会在侧边防着板2的侧边缘26上不产生铝毛刺,即达到从物理上防止侧边防着板2与中央防着板1之间间距变短的情况发生,铝溶射层能够增加侧边防着板2的粗糙度,更利于ITO膜附着。
在本发明中,凹槽22的深度d为1mm~2mm之间,若凹槽22的深度d过小,则不能起到防止侧边防着板2与中央防着板1之间间距变短的情况发生的效果,另外,若凹槽22的深度d过大,则会导致凹槽22的加工难度增加,还会造成溶射层的厚度增加,从而造成消耗大量的铝的缺陷。
在一具体实施例中,基座4为铜背板,由于铜背板具有较好地导热性能,可以很好地对条形靶3进行冷却;进一步地,铜背板内设有冷却管路(图中未示出),从而进一步地增加基座4对条形靶3进行冷却。
本发明的溅射机结构简单,能够防止喷射腔室内存在颗粒,侧边防着板2与中央防着板1之间的间距小,通过在侧边防着板2上设置凹槽22,可以防止侧边防着板2的侧边缘26上产生毛刺,从而实现有效防止侧边防着板2与中央防着板1之间的间距变小而导致的异常放电发生,异常放电将侧边防着板表面的铝熔射层溅出,而污染氧化铟锡膜层,即本发明的溅射机可以有效地防止污染氧化铟锡膜层。
上述技术方案只是本发明的一种实施方式,对于本领域内的技术人员而言,在本发明公开了应用方法和原理的基础上,很容易做出各种类型的改进或变形,而不仅限于本发明上述具体实施方式所描述的方法。虽然已经参考优选实施例对本发明进行了描述,但在不脱离本发明的范围的情况下,可以对其进行各种改进并且可以用等效物替换其中的部件。尤其是,只要不存在结构冲突,各个实施例中所提到的各项技术特征均可以任意方式组合起来。本发明并不局限于文中公开的特定实施例,而是包括落入权利要求的范围内的所有技术方案。

Claims (10)

1.一种溅射机,其特征在于,所述溅射机的腔体内设有:
中央防着板,其两侧分别设有侧边防着板,所述侧边防着板设置在所述中央防着板上;
条形靶,其设置在所述侧边防着板远离所述中央防着板的一侧,
所述侧边防着板靠近所述条形靶的侧面上开有凹槽。
2.如权利要求1所述的溅射机,其特征在于,所述凹槽的深度为1mm~2mm。
3.如权利要求1所述的溅射机,其特征在于,所述条形靶设置在基座上。
4.如权利要求3所述的溅射机,其特征在于,所述基座为铜背板。
5.如权利要求3所述的溅射机,其特征在于,所述条形靶的长度小于所述基座的长度。
6.如权利要求5所述的溅射机,其特征在于,所述中央防着板包括中央防着板本体和设于所述中央防着板本体的下端的支架,所述支架包括竖直部和凸设在所述竖直部上的水平部,所述竖直部靠近所述侧边防着板的一侧设有所述水平部,所述侧边防着板与所述竖直部之间间隔设置。
7.如权利要求6所述的溅射机,其特征在于,所述水平部和所述侧边防着板均位于所述基座的上方。
8.如权利要求7所述的溅射机,其特征在于,所述侧边防着板靠近所述竖直部的一侧设有内槽,所述水平部伸入所述内槽内。
9.如权利要求4所述的溅射机,其特征在于,所述铜背板内设有冷却管路。
10.如权利要求6至8中任意一项所述的溅射机,其特征在于,所述侧边防着板与所述竖直部之间的间隙的宽度为1mm。
CN201611254636.4A 2016-12-30 2016-12-30 一种溅射机 Active CN107058960B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201611254636.4A CN107058960B (zh) 2016-12-30 2016-12-30 一种溅射机

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201611254636.4A CN107058960B (zh) 2016-12-30 2016-12-30 一种溅射机

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN107058960A CN107058960A (zh) 2017-08-18
CN107058960B true CN107058960B (zh) 2019-04-30

Family

ID=59623562

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201611254636.4A Active CN107058960B (zh) 2016-12-30 2016-12-30 一种溅射机

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN107058960B (zh)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN107604327A (zh) * 2017-10-25 2018-01-19 苏州凡特真空溅镀科技有限公司 一种改进的溅镀机防着板结构

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8808513B2 (en) * 2008-03-25 2014-08-19 Oem Group, Inc Stress adjustment in reactive sputtering
JP5146106B2 (ja) * 2008-05-26 2013-02-20 パナソニック株式会社 スパッタ装置
CN105525269B (zh) * 2016-02-16 2018-10-02 京东方科技集团股份有限公司 一种磁控溅射设备

Also Published As

Publication number Publication date
CN107058960A (zh) 2017-08-18

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI400350B (zh) Target support plate assembly
CN1869280B (zh) 具有互补斜边以于其间形成倾斜间隙的多靶材牌
CN107058960B (zh) 一种溅射机
CN108877536A (zh) 柔性显示组件堆叠结构
CN102791903A (zh) 溅射用钽制线圈及该线圈的加工方法
JP3164152U (ja) ペアシェイブ型バーマグネット
TWI458849B (zh) Indium target and its manufacturing method
KR20160103538A (ko) 스퍼터링 타겟
TWI515315B (zh) ITO sputtering target
TW448237B (en) Oxide sintered compact sputtering target assembly
CN203128642U (zh) 用于oled镀膜的蒸镀罩
JP2018009251A (ja) 円筒型スパッタリングターゲット及びその製造方法
JP4821999B2 (ja) シリコンターゲット材
JP2006316339A (ja) Al系スパッタリングターゲット
JP5003667B2 (ja) 薄膜の製造方法および薄膜製造装置
CN205845955U (zh) 一种掩模板、oled显示基板和显示装置
CN102345100B (zh) 铝铈金属靶材及利用该铝铈金属靶材制作铝铈膜的方法
CN204982104U (zh) 电镀陪镀条
CN207483841U (zh) 一种磁场可调的磁控溅射镀膜阴极机构
CN103348035B (zh) 溅射靶
CN206895031U (zh) 防止金手指或者金面沾锡的载板
CN104078529A (zh) 沟槽加工工具、及使用其的沟槽加工装置
CN203007392U (zh) 防着板、防着板-靶材组件及等离子体溅射设备
CN205803567U (zh) 一种耐高温合金笼搅拌装置
JP2007237269A (ja) 溶融半田のドロス抑制方法及びフロー半田付け装置若しくは半田製造用溶解炉

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant