CN107025073B - 一种NAND FLASH阵列Mapping信息存储方法 - Google Patents

一种NAND FLASH阵列Mapping信息存储方法 Download PDF

Info

Publication number
CN107025073B
CN107025073B CN201710256533.XA CN201710256533A CN107025073B CN 107025073 B CN107025073 B CN 107025073B CN 201710256533 A CN201710256533 A CN 201710256533A CN 107025073 B CN107025073 B CN 107025073B
Authority
CN
China
Prior art keywords
mapping information
nand flash
flash
column
update
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN201710256533.XA
Other languages
English (en)
Other versions
CN107025073A (zh
Inventor
尹超
赵鑫鑫
李朋
姜凯
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Shandong Inspur Science Research Institute Co Ltd
Original Assignee
Inspur Group Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Inspur Group Co Ltd filed Critical Inspur Group Co Ltd
Priority to CN201710256533.XA priority Critical patent/CN107025073B/zh
Publication of CN107025073A publication Critical patent/CN107025073A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN107025073B publication Critical patent/CN107025073B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F3/00—Input arrangements for transferring data to be processed into a form capable of being handled by the computer; Output arrangements for transferring data from processing unit to output unit, e.g. interface arrangements
    • G06F3/06—Digital input from, or digital output to, record carriers, e.g. RAID, emulated record carriers or networked record carriers
    • G06F3/0601—Interfaces specially adapted for storage systems
    • G06F3/0602—Interfaces specially adapted for storage systems specifically adapted to achieve a particular effect
    • G06F3/0604—Improving or facilitating administration, e.g. storage management
    • G06F3/0607—Improving or facilitating administration, e.g. storage management by facilitating the process of upgrading existing storage systems, e.g. for improving compatibility between host and storage device
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F3/00—Input arrangements for transferring data to be processed into a form capable of being handled by the computer; Output arrangements for transferring data from processing unit to output unit, e.g. interface arrangements
    • G06F3/06—Digital input from, or digital output to, record carriers, e.g. RAID, emulated record carriers or networked record carriers
    • G06F3/0601—Interfaces specially adapted for storage systems
    • G06F3/0628—Interfaces specially adapted for storage systems making use of a particular technique
    • G06F3/0638—Organizing or formatting or addressing of data
    • G06F3/064—Management of blocks
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F3/00—Input arrangements for transferring data to be processed into a form capable of being handled by the computer; Output arrangements for transferring data from processing unit to output unit, e.g. interface arrangements
    • G06F3/06—Digital input from, or digital output to, record carriers, e.g. RAID, emulated record carriers or networked record carriers
    • G06F3/0601—Interfaces specially adapted for storage systems
    • G06F3/0668—Interfaces specially adapted for storage systems adopting a particular infrastructure
    • G06F3/0671—In-line storage system
    • G06F3/0683—Plurality of storage devices
    • G06F3/0688—Non-volatile semiconductor memory arrays

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Theoretical Computer Science (AREA)
  • Human Computer Interaction (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Techniques For Improving Reliability Of Storages (AREA)
  • Read Only Memory (AREA)

Abstract

本发明公开了一种NAND FLASH阵列Mapping信息存储方法，所述方法通过NOR FLASH存储每列NAND FLASH的第一和第二Mapping信息和更新成功标志，当系统上电时，根据更新成功标志选择对应的Mapping信息进行加载，避免当更新Mapping表时系统断电导致初始Mapping信息的丢失。本发明方法具有方便简单，操作方便等特点，能够通过记录不同列的两个Mapping信息及更新标志位，保证Mapping信息的加载。

Description

一种NAND FLASH阵列Mapping信息存储方法
技术领域
本发明涉及高速大容量存储技术领域，具体涉及一种NAND FLASH阵列Mapping信息存储方法。
背景技术
在雷达及航天等领域，对存储设备的容量及读写速率要求非常苛刻，单一的NANDFLASH无法满足要求，因此NAND FLASH阵列显得尤为必要。
NAND FLASH阵列的Mapping信息可以避免对NAND FLASH的坏块访问，从而提高NAND FLASH的存储性能。因此,NAND FLASH阵列的Mapping信息的存储非常重要。
发明内容
本发明要解决的技术问题是：本发明针对以上问题，提供一种NAND FLASH阵列Mapping信息存储方法。
本发明所采用的技术方案为：
一种NAND FLASH阵列Mapping信息存储方法，所述方法通过NOR FLASH存储每列NAND FLASH的第一和第二Mapping信息和更新成功标志，当系统上电时，根据更新成功标志选择对应的Mapping信息进行加载，避免当更新Mapping表时系统断电导致初始Mapping信息的丢失。
NAND FLASH阵列中的每一列共用一个Mapping信息，即一列中的其中一个NANDFLASH产生坏块，则该列其他NAND FLASH的对应BLOCK地址为坏块。
NOR FLASH中包含每一列NAND FLASH的第一和第二Mapping信息及更新成功标志位，第一Mapping信息为备用的Mapping信息，避免在更新Mapping信息过程中断电，从而丢失初始Mapping信息。
所述方法通过更新控制器定期性地查询当前内部RAM中的Mapping信息是否发生改变，如果发生改变，则启动更新模块对对应列的NAND FLASH 的Mapping信息进行更新。
系统上电时，根据每列的NAND FLASH更新成功标志位进行每列NAND FLASH的Mapping信息的加载，当更新失败时，则加载第一Mapping信息，否则加载第二Mapping信息。
所述方法实现步骤如下：
首先上电系统会读取NOR FLASH中每列NAND FLASH的Mapping信息的上次更新成功与否标志；
当更新成功时，则读取对应NAND FLASH列的第二Mapping信息，否则读取第一Mapping信息，直到加载完NAND FLASH阵列的所有列的Mapping信息；
系统运行期间，NOR FLASH控制器会周期性的遍历所有列的NAND FLASH的Mapping信息是否改变的标志，当发生改变时，则更新对应列的NAND FLASH的Mapping信息，更新完成时，则将对应列的更新成功标志位置起，否则为更新失败。
NOR FLASH控制器能够根据用户指令将第二Mapping信息复制到第一Mapping信息，保证第一Mapping信息为较新的Mapping信息。
本发明的有益效果为：
本发明方法具有方便简单，操作方便等特点，能够通过记录不同列的两个Mapping信息及更新标志位，保证Mapping信息的加载。
附图说明
图1为本发明NAND FLASH阵列Mapping信息工作流程图。
具体实施方式
下面根据说明书附图，结合具体实施方式对本发明进一步说明：
实施例1：
一种NAND FLASH阵列Mapping信息存储方法，所述方法通过NOR FLASH存储每列NAND FLASH的第一和第二Mapping信息和更新成功标志，当系统上电时，根据更新成功标志选择对应的Mapping信息进行加载，避免当更新Mapping表时系统断电导致初始Mapping信息的丢失。
实施例2
在实施例1的基础上，本实施例NAND FLASH阵列中的每一列共用一个Mapping信息，即一列中的其中一个NAND FLASH产生坏块，则该列其他NAND FLASH的对应BLOCK地址为坏块。
NOR FLASH中包含每一列NAND FLASH的第一和第二Mapping信息及更新成功标志位，第一Mapping信息为备用的Mapping信息，避免在更新Mapping信息过程中断电，从而丢失初始Mapping信息。
实施例3
在实施例2的基础上，本实施例所述方法通过更新控制器定期性地查询当前内部RAM中的Mapping信息是否发生改变，如果发生改变，则启动更新模块对对应列的NANDFLASH 的Mapping信息进行更新。
实施例4
在实施例1、2或3的基础上，本实施例系统上电时，根据每列的NAND FLASH更新成功标志位进行每列NAND FLASH的Mapping信息的加载，当更新失败时，则加载第一Mapping信息，否则加载第二Mapping信息。
实施例5
如图1所示，在实施例4的基础上，本实施例所述方法实现步骤如下：
首先上电系统会读取NOR FLASH中每列NAND FLASH的Mapping信息的上次更新成功与否标志；
当更新成功时，则读取对应NAND FLASH列的第二Mapping信息，否则读取第一Mapping信息，直到加载完NAND FLASH阵列的所有列的Mapping信息；
系统运行期间，NOR FLASH控制器会周期性的遍历所有列的NAND FLASH的Mapping信息是否改变的标志，当发生改变时，则更新对应列的NAND FLASH的Mapping信息，更新完成时，则将对应列的更新成功标志位置起，否则为更新失败。
实施例6
在实施例5的基础上，本实施例NOR FLASH控制器能够根据用户指令将第二Mapping信息复制到第一Mapping信息，保证第一Mapping信息为较新的Mapping信息。
实施方式仅用于说明本发明，而并非对本发明的限制，有关技术领域的普通技术人员，在不脱离本发明的精神和范围的情况下，还可以做出各种变化和变型，因此所有等同的技术方案也属于本发明的范畴，本发明的专利保护范围应由权利要求限定。

Claims (2)

1.一种NAND FLASH阵列Mapping信息存储方法，其特征在于，所述方法通过NOR FLASH存储每列NAND FLASH的第一和第二Mapping信息和更新成功标志，当系统上电时，根据更新成功标志选择对应的Mapping信息进行加载，避免当更新Mapping表时系统断电导致初始Mapping信息的丢失；
所述方法实现步骤如下：
首先上电系统会读取NOR FLASH中每列NAND FLASH的Mapping信息的上次更新成功与否标志；
当更新成功时，则读取对应NAND FLASH列的第二Mapping信息，否则读取第一Mapping信息，直到加载完NAND FLASH阵列的所有列的Mapping信息；
系统运行期间，NOR FLASH控制器会周期性的遍历所有列的NAND FLASH的Mapping信息是否改变的标志，当发生改变时，则更新对应列的NAND FLASH的Mapping信息，更新完成时，则将对应列的更新成功标志位置起，否则为更新失败。
2.根据权利要求1所述的一种NAND FLASH阵列Mapping信息存储方法，其特征在于，NORFLASH控制器能够根据用户指令将第二Mapping信息复制到第一Mapping信息。
CN201710256533.XA 2017-04-19 2017-04-19 一种NAND FLASH阵列Mapping信息存储方法 Active CN107025073B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201710256533.XA CN107025073B (zh) 2017-04-19 2017-04-19 一种NAND FLASH阵列Mapping信息存储方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201710256533.XA CN107025073B (zh) 2017-04-19 2017-04-19 一种NAND FLASH阵列Mapping信息存储方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN107025073A CN107025073A (zh) 2017-08-08
CN107025073B true CN107025073B (zh) 2019-12-10

Family

ID=59526919

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201710256533.XA Active CN107025073B (zh) 2017-04-19 2017-04-19 一种NAND FLASH阵列Mapping信息存储方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN107025073B (zh)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN108470005A (zh) * 2018-03-13 2018-08-31 山东超越数控电子股份有限公司 一种NandFlash阵列控制方法

Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1460929A (zh) * 2003-06-06 2003-12-10 上海北大方正科技电脑系统有限公司 电子书或掌上电脑的操作系统启动方法
CN101539891A (zh) * 2008-03-17 2009-09-23 凤凰微电子（中国）有限公司 一种嵌入式快闪存储器、存储系统及其数据掉电保护方法
CN101866695A (zh) * 2010-06-21 2010-10-20 苏州国芯科技有限公司 一种Nandflash U盘控制器读写Norflash存储器的方法
CN102135942A (zh) * 2010-12-31 2011-07-27 北京握奇数据系统有限公司 一种存储设备中实现损耗均衡的方法及存储设备
CN201955772U (zh) * 2010-12-09 2011-08-31 成都傅立叶电子科技有限公司 基于nand阵列的高速大容量存储板
CN102541676A (zh) * 2011-12-22 2012-07-04 福建新大陆通信科技股份有限公司 一种nand flash的状态检测及映射方法
CN102929794A (zh) * 2012-09-26 2013-02-13 惠州市德赛西威汽车电子有限公司 一种eeprom的存储方法
CN104899114A (zh) * 2014-03-07 2015-09-09 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 一种固态硬盘上的连续时间数据保护方法

Patent Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1460929A (zh) * 2003-06-06 2003-12-10 上海北大方正科技电脑系统有限公司 电子书或掌上电脑的操作系统启动方法
CN101539891A (zh) * 2008-03-17 2009-09-23 凤凰微电子（中国）有限公司 一种嵌入式快闪存储器、存储系统及其数据掉电保护方法
CN101866695A (zh) * 2010-06-21 2010-10-20 苏州国芯科技有限公司 一种Nandflash U盘控制器读写Norflash存储器的方法
CN201955772U (zh) * 2010-12-09 2011-08-31 成都傅立叶电子科技有限公司 基于nand阵列的高速大容量存储板
CN102135942A (zh) * 2010-12-31 2011-07-27 北京握奇数据系统有限公司 一种存储设备中实现损耗均衡的方法及存储设备
CN102541676A (zh) * 2011-12-22 2012-07-04 福建新大陆通信科技股份有限公司 一种nand flash的状态检测及映射方法
CN102929794A (zh) * 2012-09-26 2013-02-13 惠州市德赛西威汽车电子有限公司 一种eeprom的存储方法
CN104899114A (zh) * 2014-03-07 2015-09-09 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 一种固态硬盘上的连续时间数据保护方法

Also Published As

Publication number Publication date
CN107025073A (zh) 2017-08-08

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US7454670B2 (en) Data management apparatus and method of flash memory
JP4481999B2 (ja) デマンドページング技法を適用したシステムでページ置換実行時間を短縮させる方法および装置
US10802750B2 (en) Universal flash storage memory module, controller and electronic device with advanced turbo write buffer and method for operating the memory module
CN107632943B (zh) 一种固态硬盘数据保护的方法及固态硬盘
CN105243025A (zh) 一种映射表的形成及加载方法、电子设备
US10083120B2 (en) Memory system, and address mapping method and access method thereof
CN103279406A (zh) 一种内存的隔离方法和装置
US9262096B2 (en) Dynamic address mapping for finish in the field
US20170322735A1 (en) Memory device including risky mapping table and controlling method thereof
CN104461384A (zh) 一种数据写入方法及存储设备
US9047923B1 (en) Fast shingled tracks recording
CN107025073B (zh) 一种NAND FLASH阵列Mapping信息存储方法
US10782895B2 (en) Management method of metadata for preventing data loss and memory device using the same
CN104407990A (zh) 一种磁盘访问方法及装置
CN104021022A (zh) 一种分区调整方法及电子设备
CN112634975A (zh) 一种数据存储纠错方法、装置及电子设备
CN111124294B (zh) 一种扇区映射信息的管理方法及装置、存储介质和设备
US8856468B2 (en) Memory device capable of improving write processing speed and memory control method
CN109634516B (zh) 一种芯片存储器的读、写数据方法及系统
US10748462B2 (en) Hardware controller of NAND device, control method and liquid crystal display
US10783070B2 (en) Memory system having first and second correspondence tables and method of controlling memory system
CN108519860B (zh) 一种ssd读命中的处理方法和装置
EP3891594B1 (en) Memory control system with a sequence processing unit
US9817767B2 (en) Semiconductor apparatus and operating method thereof
CN106095338A (zh) 一种记忆芯片的擦写实现方法及实现系统

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
TA01 Transfer of patent application right

Effective date of registration: 20191108

Address after: 250100 Ji'nan high tech Zone, Shandong, No. 1036 wave road

Applicant after: INSPUR GROUP Co.,Ltd.

Address before: 250100, Ji'nan province high tech Zone, Sun Village Branch Road, No. 2877, building, floor, building, on the first floor

Applicant before: JINAN INSPUR HIGH-TECH TECHNOLOGY DEVELOPMENT Co.,Ltd.

TA01 Transfer of patent application right
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant
TR01 Transfer of patent right

Effective date of registration: 20230411

Address after: 250000 building S02, No. 1036, Langchao Road, high tech Zone, Jinan City, Shandong Province

Patentee after: Shandong Inspur Scientific Research Institute Co.,Ltd.

Address before: No. 1036, Shandong high tech Zone wave road, Ji'nan, Shandong

Patentee before: INSPUR GROUP Co.,Ltd.

TR01 Transfer of patent right