CN107017265A - 一种柔性显示面板及其制备方法 - Google Patents

一种柔性显示面板及其制备方法 Download PDF

Info

Publication number
CN107017265A
CN107017265A CN201610057005.7A CN201610057005A CN107017265A CN 107017265 A CN107017265 A CN 107017265A CN 201610057005 A CN201610057005 A CN 201610057005A CN 107017265 A CN107017265 A CN 107017265A
Authority
CN
China
Prior art keywords
display panels
flexible display
layer
substrate
graphene
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN201610057005.7A
Other languages
English (en)
Inventor
鲁佳浩
倪蔚德
潘新叶
亢澎涛
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
EverDisplay Optronics Shanghai Co Ltd
Original Assignee
EverDisplay Optronics Shanghai Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by EverDisplay Optronics Shanghai Co Ltd filed Critical EverDisplay Optronics Shanghai Co Ltd
Priority to CN201610057005.7A priority Critical patent/CN107017265A/zh
Publication of CN107017265A publication Critical patent/CN107017265A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier
    • H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
    • H01L27/124—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition, shape or layout of the wiring layers specially adapted to the circuit arrangement, e.g. scanning lines in LCD pixel circuits
    • H01L27/1244—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition, shape or layout of the wiring layers specially adapted to the circuit arrangement, e.g. scanning lines in LCD pixel circuits for preventing breakage, peeling or short circuiting
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier
    • H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
    • H01L27/1259—Multistep manufacturing methods

Abstract

本发明涉及显示器件技术领域，尤其涉及一种柔性显示面板及其制备方法，根据石墨烯的特性，在折叠区放置用石墨烯做成的电路走线，并且只保留有机膜，而将TFT电路结构移到非折叠区，因石墨烯具有良好的导电性以及柔性，弯折后不会发生Crack的现象，从而避免出现断线的情况；并且弯折后可以实现无边框柔性显示面板，大大提升了柔性显示面板的实用特性。

Description

一种柔性显示面板及其制备方法
技术领域
本发明涉及显示器件技术领域，尤其涉及一种柔性显示面板及其制备方法。
背景技术
柔性显示逐渐成为市场的热点，因柔性基板具有可弯折的特性，所以可以将左右边界(Border)区进行弯折，从而来实现真正无边框的面板。不过因为目前在Border区会存在电路走线以及无机绝缘膜，这些膜层在进行弯折或者弯折几次后就会出现膜层断裂(Crack)的现象，导致走线断线或者薄膜晶体管(TFT)被破坏，这样面板就会无法显示。
如图1所示，目前的设计中，在Border的折叠区(图中用黑色加粗虚线框内的部分即为折叠区，约1～2mm)设置有电路走线及电路结构，容易发生金属和无机膜Crack的现象，从而造成屏幕报废。
发明内容
鉴于现有技术中的不足，本发明技术方案提供一种柔性显示面板及其制备方法，根据石墨烯的特性，在折叠区放置用石墨烯做成的电路走线，并且只保留有机膜，而将TFT电路结构移到非折叠区，因石墨烯具有良好的导电性以及柔性，弯折后不会发生Crack的现象，从而避免出现断线的情况。
本发明为解决上述技术问题所采用的技术方案为：
一种柔性显示面板，可包括邻接的显示区和边框区，且所述边框区包括非折叠区和位于所述非折叠区与所述显示区之间的折叠区，所述柔性显示面板进一步包括：
基板；
显示驱动器件，设置在位于所述显示区中的所述基板之上；
TFT电路结构，设置在位于所述非折叠区中的所述基板之上；以及
电路走线，设置在位于所述折叠区中的所述基板之上，且所述电路走线的一端与所述显示驱动器件电连接，另一端与所述TFT电路结构电连接；
其中，所述电路走线的材质为石墨烯。
优选的，上述的柔性显示面板，其中，还包括：
缓冲层，设置在所述基板上表面，且所述显示驱动器件、所述TFT电路结构和所述电路走线均设置于所述缓冲层之上。
优选的，上述的柔性显示面板，其中，还包括：
有机膜，设置在所述显示驱动器件、所述TFT电路结构和所述电路走线之上。
优选的，上述的柔性显示面板，其中，所述有机膜包括平坦化层和像素定义层。
优选的，上述的柔性显示面板，其中，所述基板为PI基板。
优选的，上述的柔性显示面板，其中，所述TFT电路结构包括设置在部分所述电路走线上的栅极绝缘层、所述栅极绝缘层上设置的第一接触孔以及数据线层，且所述数据线层通过第一接触孔与所述电路走线的一端连接。
优选的，上述的柔性显示面板，其中，所述显示驱动器件包括设置在部分所述电路走线上的栅极绝缘层、所述栅极绝缘层上设置的第二接触孔以及数据线层，且所述数据线层通过第二接触孔与所述电路走线的另一端连接。
本申请还提供了一种柔性显示面板的制备方法，其中，所述柔性显示面板设置有邻接的显示区和边框区，且所述边框区包括非折叠区和位于所述非折叠区与所述显示区之间的折叠区，所述制备方法包括：
提供一基板；
于所述基板的上表面制备缓冲层；
对应所述折叠区于所述缓冲层的上表面制备石墨烯层，以使所述石墨烯层构成所述柔性显示面板的折叠区的电路走线。
优选的，上述的制备方法，其中，还包括：
对应所述显示区于所述缓冲层的上表面及部分石墨烯层的上表面制备显示驱动器件；以及
对应所述非折叠区于所述缓冲层的上表面及部分石墨烯层的上表面制备TFT电路结构。
优选的，上述的制备方法，其中，所述石墨烯层的制备方法包括：化学气相沉淀法、外延生长法、微机械剥离法或氧化石墨还原法。
上述技术方案具有如下优点或有益效果：本发明公开的一种柔性显示面板及其制备方法，根据石墨烯的特性，在折叠区放置用石墨烯做成的电路走线，并且只保留有机膜，而将TFT电路结构移到非折叠区，因石墨烯具有良好的导电性以及柔性，弯折后不会发生Crack的现象，从而避免出现断线的情况。
附图说明
通过阅读参照以下附图对非限制性实施例所作的详细描述，本发明及其特征、外形和优点将会变得更明显。在全部附图中相同的标记指示相同的部分。并未刻意按照比例绘制附图，重点在于示出本发明的主旨。
图1是传统的柔性显示面板的结构示意图；
图2是本发明中柔性显示面板的平面结构示意图；
图3是实施例一中柔性显示面板的断面结构示意图；
图4是本发明制备柔性显示面板的方法步骤图。
具体实施方式
在下文的描述中，给出了大量具体的细节以便提供对本发明更为彻底的理解。然而，对于本领域技术人员而言显而易见的是，本发明可以无需一个或多个这些细节而得以实施。在其他的例子中，为了避免与本发明发生混淆，对于本领域公知的一些技术特征未进行描述。
为了彻底理解本发明，将在下列的描述中提出详细的步骤以及详细的结构，以便阐释本发明的技术方案。本发明的较佳实施例详细描述如下，然而除了这些详细描述外，本发明还可以具有其他实施方式。
实施例一：
如图2所示，本发明提供的一种柔性显示面板，设置有邻接的显示区21和边框区24，并且边框区24包括非折叠区23和位于非折叠区23与显示区21之间的折叠区22。
具体到层叠结构，参照图3，本发明的柔性显示面板主要包括：
基板31，作为优选的实施例，本实施例中基板31的材质可为PI基板。
在基板31的上表面，覆盖有一层缓冲层(Buffer)32；在缓冲层32的上表面，对应图2中折叠区22的位置覆盖有石墨烯层33，该石墨烯层33可用于构成折叠区22的电路走线。
进一步的，在缓冲层32的上表面及部分石墨烯层33的上表面，对应图2中非折叠区23的位置设置有TFT电路结构34，该TFT电路结构34优选包括下层栅极绝缘层GI(图中标示为341)以及上层数据线层DL(图中标示为342)，且栅极绝缘层GI341上设置有第一接触孔343，上层数据线层DL342可通过第一接触孔343贯穿下层栅极绝缘层GI与电路走线(即石墨烯层33)的一端电连接。
再进一步的，在缓冲层32的上表面及部分石墨烯层33的上表面，对应图2中显示区21的位置设置有显示驱动器件35，该显示驱动器件35优选也可包括下层栅极绝缘层GI(图中标示为351)以及上层数据线层DL(图中标示为352)，且栅极绝缘层GI351上设置有第二接触孔353，上层数据线层DL352可通过第二接触孔353贯穿下层栅极绝缘层GI与电路走线(即石墨烯层33)的另一端电连接。
作为一个优选的实施例，本实施例之所以采用石墨烯层33作为图2中折叠区22的电路走线，是因为石墨烯具有良好的导电性以及柔性，弯折后不会发生Crack的现象本实施例正是根据石墨烯的特性，在图2的折叠区22放置用石墨烯做成的电路走线，而将TFT电路结构34移到非折叠区23，从而避免出现断线的情况。
作为进一步优选的实施例，在石墨烯层33以及TFT电路结构34和显示驱动器件35的上表面，覆盖有一层有机膜36，该有机膜36优选为平坦化层PL和像素定义层PD。
在图3中，黑色加粗虚线框内的部分即为本实施例的柔性显示面板的折叠区(对应于图2的折叠区22)。本实施例采用石墨烯作为折叠区电路走线，利用石墨烯良好的导电性以及柔性，使得柔性显示面板弯折后不会发生Crack的现象，有效地保护了柔性显示面板，并且弯折可以实现无边框柔性显示面板。
实施例二：
本实施例提供一种制备柔性显示面板的方法，该柔性显示面板设置有邻接的显示区和边框区，并且边框区包括非折叠区和位于非折叠区与显示区之间的折叠区。如图2～4所示，本实施例的制备方法主要包括：
首先，提供一基板31，并且该基板优选为PI基板。
接着，于基板31的上表面采用等离子增强型化学气相沉积等方式制备缓冲层32。
再次，对应折叠区22于缓冲层32的上表面制备石墨烯层33；该石墨烯层33的制备方法包括：化学气相沉淀法、外延生长法、微机械剥离法或氧化石墨还原法等。其中，化学气相沉淀法(CVD)的具体过程是：将碳氢化合物甲烷、乙醇等通入到高温加热的金属基底Cu、Ni表面，反应持续一定时间后进行冷却，冷却过程中在基底表面便会形成数层或单层石墨烯，然后再将石墨烯层转印到PI基板上。
作为一个优选的实施例，石墨烯一般以原子层数来定义，根据电阻的需要进行层数选择，一般1层即可。
作为一个优选的实施例，本实施例的制备方法还包括：对应显示区21于缓冲层32的上表面及部分石墨烯层33的上表面制备显示驱动器件35，并且对应非折叠区23于缓冲层32的上表面及部分石墨烯层33的上表面制备TFT电路结构34，且该石墨烯层33的一端与显示驱动器件35电连接，石墨烯层33的另一端则与TFT电路结构34电连接。
优选的，上述的TFT电路结构34与显示驱动器件35中的部分膜层结构可在同一工艺中进行制备，例如该TFT电路结构34所包括的下层栅极绝缘层GI(也可称为接触孔层CT)341与显示驱动器件35中所包括的下层栅极绝缘层GI(也可称为接触孔层CT)351可采用同一制备工艺形成，而TFT电路结构34所包括的上层数据线层DL342与显示驱动器件35中所包括的上层数据线层DL352也可采用同一制备工艺形成。
最后，在石墨烯层、显示驱动器件以及TFT电路结构的上表面制备有机膜(如PL层和PD层等)。
当然，制备完有机膜后，本实施例的柔性显示面板的制备方法还包括后续步骤中各个膜层的制备，例如有机发射层的制备。这些后续步骤因与现有技术类似，本实施例在此不作赘述。
综上所述，本发明提供了一种柔性显示面板及其制备方法，根据石墨烯的特性，在折叠区放置用石墨烯做成的电路走线，并且只保留有机膜，而将TFT电路结构移到非折叠区，因石墨烯具有良好的导电性以及柔性，弯折后不会发生Crack的现象，从而避免出现断线的情况。并且弯折后可以实现无边框柔性显示面板，大大提升了柔性显示面板的实用特性。
本领域技术人员应该理解，本领域技术人员结合现有技术以及上述实施例可以实现所述变化例，这样的变化例并不影响本发明的实质内容，在此不予赘述。
以上对本发明的较佳实施例进行了描述。需要理解的是，本发明并不局限于上述特定实施方式，其中未尽详细描述的设备和结构应该理解为用本领域中的普通方式予以实施；任何熟悉本领域的技术人员，在不脱离本发明技术方案范围情况下，都可利用上述揭示的方法和技术内容对本发明技术方案做出许多可能的变动和修饰，或修改为等同变化的等效实施例，这并不影响本发明的实质内容。因此，凡是未脱离本发明技术方案的内容，依据本发明的技术实质对以上实施例所做的任何简单修改、等同变化及修饰，均仍属于本发明技术方案保护的范围内。

Claims (10)

1.一种柔性显示面板，其特征在于，包括邻接的显示区和边框区，且所述边框区包括非折叠区和位于所述非折叠区与所述显示区之间的折叠区，所述柔性显示面板进一步包括：
基板；
显示驱动器件，设置在位于所述显示区中的所述基板之上；
TFT电路结构，设置在位于所述非折叠区中的所述基板之上；以及
电路走线，设置在位于所述折叠区中的所述基板之上，且所述电路走线的一端与所述显示驱动器件电连接，另一端与所述TFT电路结构电连接；
其中，所述电路走线的材质为石墨烯。
2.如权利要求1所述的柔性显示面板，其特征在于，还包括：
缓冲层，设置在所述基板上表面，且所述显示驱动器件、所述TFT电路结构和所述电路走线均设置于所述缓冲层之上。
3.如权利要求1所述的柔性显示面板，其特征在于，还包括：
有机膜，设置在所述显示驱动器件、所述TFT电路结构和所述电路走线之上。
4.如权利要求3所述的柔性显示面板，其特征在于，所述有机膜包括平坦化层和像素定义层。
5.如权利要求1所述的柔性显示面板，其特征在于，所述基板为PI基板。
6.如权利要求1所述的柔性显示面板，其特征在于，所述TFT电路结构包括设置在部分所述电路走线上的栅极绝缘层、所述栅极绝缘层上设置的第一接触孔以及数据线层，且所述数据线层通过第一接触孔与所述电路走线的一端连接。
7.如权利要求6所述的柔性显示面板，其特征在于，所述显示驱动器件包括设置在部分所述电路走线上的栅极绝缘层、所述栅极绝缘层上设置的第二接触孔以及数据线层，且所述数据线层通过第二接触孔与所述电路走线的另一端连接。
8.一种柔性显示面板的制备方法，其特征在于，所述柔性显示面板设置有邻接的显示区和边框区，且所述边框区包括非折叠区和位于所述非折叠区与所述显示区之间的折叠区，所述制备方法包括：
提供一基板；
于所述基板的上表面制备缓冲层；
对应所述折叠区于所述缓冲层的上表面制备石墨烯层，以使所述石墨烯层构成所述柔性显示面板的折叠区的电路走线。
9.如权利要求8所述的制备方法，其特征在于，还包括：
对应所述显示区于所述缓冲层的上表面及部分石墨烯层的上表面制备显示驱动器件；以及
对应所述非折叠区于所述缓冲层的上表面及部分石墨烯层的上表面制备TFT电路结构。
10.如权利要求8所述的制备方法，其特征在于，所述石墨烯层的制备方法包括：化学气相沉淀法、外延生长法、微机械剥离法或氧化石墨还原法。
CN201610057005.7A 2016-01-27 2016-01-27 一种柔性显示面板及其制备方法 Pending CN107017265A (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201610057005.7A CN107017265A (zh) 2016-01-27 2016-01-27 一种柔性显示面板及其制备方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201610057005.7A CN107017265A (zh) 2016-01-27 2016-01-27 一种柔性显示面板及其制备方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN107017265A true CN107017265A (zh) 2017-08-04

Family

ID=59439280

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201610057005.7A Pending CN107017265A (zh) 2016-01-27 2016-01-27 一种柔性显示面板及其制备方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN107017265A (zh)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN108648631A (zh) * 2018-06-14 2018-10-12 昆山国显光电有限公司 柔性显示面板及显示装置
CN109410764A (zh) * 2018-12-13 2019-03-01 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 阵列基板及显示面板
CN110853517A (zh) * 2019-11-21 2020-02-28 京东方科技集团股份有限公司 一种显示基板及其制备方法、显示装置

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20140097408A1 (en) * 2012-10-08 2014-04-10 Samsung Display Co., Ltd. Flexible display apparatus
CN104346015A (zh) * 2013-07-29 2015-02-11 Lg伊诺特有限公司 触摸窗口和包括其的触摸装置
CN105144270A (zh) * 2013-02-01 2015-12-09 乐金显示有限公司 柔性显示基板、柔性有机发光显示装置及其制造方法

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20140097408A1 (en) * 2012-10-08 2014-04-10 Samsung Display Co., Ltd. Flexible display apparatus
CN105144270A (zh) * 2013-02-01 2015-12-09 乐金显示有限公司 柔性显示基板、柔性有机发光显示装置及其制造方法
CN104346015A (zh) * 2013-07-29 2015-02-11 Lg伊诺特有限公司 触摸窗口和包括其的触摸装置

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN108648631A (zh) * 2018-06-14 2018-10-12 昆山国显光电有限公司 柔性显示面板及显示装置
CN109410764A (zh) * 2018-12-13 2019-03-01 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 阵列基板及显示面板
US11322525B2 (en) 2018-12-13 2022-05-03 Wuhan China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co., Ltd. Array substrate and display panel having organic insulating elastic layer disposed on bending pathway
CN110853517A (zh) * 2019-11-21 2020-02-28 京东方科技集团股份有限公司 一种显示基板及其制备方法、显示装置

Similar Documents

Publication Publication Date Title
EP2922089B1 (en) Manufacturing method for and substrate structure of flexible display
CN104898892B (zh) 一种触控显示面板及其制作方法、触控显示装置
CN106558594B (zh) 阵列基板、显示面板、显示装置及制备方法
TWI282019B (en) Liquid crystal display device and manufacturing method thereof
CN104199586B (zh) 一种阵列基板、内嵌式触摸屏和触控显示装置
CN104749839B (zh) 弯曲液晶显示器
CN106847774B (zh) 一种显示面板及显示面板的制备方法
CN104022126B (zh) 一种阵列基板、其制作方法及显示装置
TWI317557B (en) Liquid crystal display device and method for manufacturing the same
CN206470722U (zh) 阵列基板、显示面板和显示装置
CN104503127B (zh) 阵列基板及其制作方法
US9171891B2 (en) AMOLED display panel and AMOLED display device
CN105097825B (zh) 显示装置
CN103872060B (zh) 阵列基板及其制造方法
CN107797321A (zh) 阵列基板、液晶显示面板和液晶显示装置
CN104638017B (zh) 薄膜晶体管、像素结构及其制作方法、阵列基板、显示装置
CN102654703B (zh) 一种阵列基板及其制造方法、以及显示设备
CN106094366B (zh) Ips型阵列基板的制作方法及ips型阵列基板
CN104932767B (zh) 一种阵列基板及制造方法、触控显示面板及触控显示装置
CN104570515A (zh) 一种阵列基板及其制备方法、显示面板和显示装置
CN107895728A (zh) 阵列基板、其制作方法和包括阵列基板的显示装置
CN108598089A (zh) Tft基板的制作方法及tft基板
CN107017265A (zh) 一种柔性显示面板及其制备方法
CN107037639A (zh) 显示面板及显示装置
CN107463020A (zh) 一种显示基板、显示面板和显示装置

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
RJ01 Rejection of invention patent application after publication

Application publication date: 20170804

RJ01 Rejection of invention patent application after publication